Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356126) > Сторінка 1181 з 5936

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 593 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1183 1184 1185 1186 1779 2372 2965 3558 4151 4744 5337 5930 5936  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHFS9N60A-GE3 VISHAY sihs9n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU020-GE3 VISHAY SIHFU020-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU024-GE3 VISHAY sihfr024.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3 VISHAY sihfr310.pdf SIHFU310-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9020-GE3 VISHAY SIHFU9020-GE3 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9310-GE3 VISHAY SIHFU9310-GE3 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFUC20-GE3 VISHAY SIHFUC20-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ34S-GE3 VISHAY SIHFZ34S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48RS-GE3 VISHAY SIHFZ48RS-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48S-GE3 VISHAY sihfz48s.pdf SIHFZ48S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 VISHAY sihg018n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 63A
Power dissipation: 524W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 228nC
Pulsed drain current: 325A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3 VISHAY sihg039n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3 VISHAY sihg050n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3 VISHAY sihg052n60ef.pdf SIHG052N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 VISHAY sihg065n60e.pdf SIHG065N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 VISHAY sihg068n60ef.pdf SIHG068N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3 VISHAY sihg080n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3 VISHAY sihg100n60e.pdf SIHG100N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3 VISHAY sihg11n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80E-GE3 VISHAY sihg11n80e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG120N60E-GE3 VISHAY sihg120n60e.pdf SIHG120N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N60EF-GE3 VISHAY sihg125n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG14N50D-GE3 VISHAY sihg14n50d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; Idm: 38A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+326.81 грн
5+282.67 грн
6+208.75 грн
15+196.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N80AE-GE3 VISHAY sihg15n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 53nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N80AEF-GE3 VISHAY vs-30wq06fn.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG16N50C-E3 VISHAY sihg16n5.pdf SIHG16N50C-E3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N60D-GE3 VISHAY sihg17n60d.pdf SIHG17N60D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 VISHAY sihg17n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AEF-GE3 VISHAY sihg17n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3 VISHAY sihg17n80e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3 VISHAY sihg180n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 VISHAY SIHG20N50C-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+297.10 грн
7+171.89 грн
10+161.85 грн
19+156.33 грн
25+150.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 VISHAY sihg20n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N60EF-GE3 VISHAY sihg21n60ef.pdf SIHG21N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AE-GE3 VISHAY sihg21n80ae.pdf SIHG21N80AE-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AEF-GE3 VISHAY sihg21n80aef.pdf SIHG21N80AEF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N50D-GE3 VISHAY sihg22n50d.pdf SIHG22N50D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60AE-GE3 VISHAY sihg22n60ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-GE3 VISHAY sihg22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60EF-GE3 VISHAY tf-sihg22n60ef-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N65E-GE3 VISHAY sihg22n65e.pdf SIHG22N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3 VISHAY sihg24n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-GE3 VISHAY sihg25n40d.pdf SIHG25N40D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 VISHAY sihg25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N60EFL-GE3 VISHAY sihg25n60efl.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 61A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 61A
Mounting: THT
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 146mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N60EF-GE3 VISHAY sihg28n60ef.pdf SIHG28N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD905AD3D6BA2143&compId=SIHG30N60E.pdf?ci_sign=91f448a5a8c990b8172872da73e9758c2fa7b724 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3 VISHAY sihg32n50d.pdf SIHG32N50D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3 VISHAY sihg33n60e.pdf SIHG33N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60EF-GE3 VISHAY sihg33n60ef.pdf SIHG33N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N65E-GE3 VISHAY sihg33n65e.pdf SIHG33N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60EF-GE3 VISHAY sihg35n60ef.pdf SIHG35N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG44N65EF-GE3 VISHAY sihg44n65ef.pdf SIHG44N65EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG460B-GE3 VISHAY sihg460b.pdf SIHG460B-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 VISHAY sihg47n60ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 27A; Idm: 130A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3 VISHAY sihg47n60aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 111A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 111A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 189nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEL-GE3 SIHG47N60AEL-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906056EDFFA143&compId=SIHG47N60AEL.pdf?ci_sign=a09d7010e53260fbc68e9891ce248adafffc3210 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9064578CFE4143&compId=SIHG47N60E.pdf?ci_sign=dc5f5c5da56beb3aa5eee02d998e7ce3c39409be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1016.09 грн
2+676.12 грн
5+616.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60EF-GE3 VISHAY sihg47n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS9N60A-GE3 sihs9n60.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU020-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFU020-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU024-GE3 sihfr024.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3 sihfr310.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFU310-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9020-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFU9020-GE3 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9310-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFU9310-GE3 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFUC20-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFUC20-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ34S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFZ34S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48RS-GE3
Виробник: VISHAY
SIHFZ48RS-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48S-GE3 sihfz48s.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFZ48S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 63A
Power dissipation: 524W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 228nC
Pulsed drain current: 325A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3 sihg052n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG052N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG065N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG068N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3 sihg080n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3 sihg100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG100N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3 sihg11n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80E-GE3 sihg11n80e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG120N60E-GE3 sihg120n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG120N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N60EF-GE3 sihg125n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG14N50D-GE3 sihg14n50d.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; Idm: 38A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.81 грн
5+282.67 грн
6+208.75 грн
15+196.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N80AE-GE3 sihg15n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 53nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N80AEF-GE3 vs-30wq06fn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG16N50C-E3 sihg16n5.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG16N50C-E3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N60D-GE3 sihg17n60d.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG17N60D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 sihg17n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AEF-GE3 sihg17n80aef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3 sihg17n80e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3 sihg180n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-DTE.pdf
SIHG20N50C-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+297.10 грн
7+171.89 грн
10+161.85 грн
19+156.33 грн
25+150.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 sihg20n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N60EF-GE3 sihg21n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG21N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AE-GE3 sihg21n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG21N80AE-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N80AEF-GE3 sihg21n80aef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG21N80AEF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N50D-GE3 sihg22n50d.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG22N50D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60AE-GE3 sihg22n60ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-GE3 sihg22n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60EF-GE3 tf-sihg22n60ef-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N65E-GE3 sihg22n65e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG22N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-GE3 sihg25n40d.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG25N40D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 sihg25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N60EFL-GE3 sihg25n60efl.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 61A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 61A
Mounting: THT
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 146mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N60EF-GE3 sihg28n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG28N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD905AD3D6BA2143&compId=SIHG30N60E.pdf?ci_sign=91f448a5a8c990b8172872da73e9758c2fa7b724
SIHG30N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3 sihg32n50d.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG32N50D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3 sihg33n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG33N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60EF-GE3 sihg33n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG33N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N65E-GE3 sihg33n65e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG33N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60EF-GE3 sihg35n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG35N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG44N65EF-GE3 sihg44n65ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG44N65EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG460B-GE3 sihg460b.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG460B-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 27A; Idm: 130A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3 sihg47n60aef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 111A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 111A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 189nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEL-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906056EDFFA143&compId=SIHG47N60AEL.pdf?ci_sign=a09d7010e53260fbc68e9891ce248adafffc3210
SIHG47N60AEL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9064578CFE4143&compId=SIHG47N60E.pdf?ci_sign=dc5f5c5da56beb3aa5eee02d998e7ce3c39409be
SIHG47N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1016.09 грн
2+676.12 грн
5+616.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60EF-GE3 sihg47n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 593 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1183 1184 1185 1186 1779 2372 2965 3558 4151 4744 5337 5930 5936  [ Наступна Сторінка >> ]