Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (364925) > Сторінка 1253 з 6083

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 608 1216 1248 1249 1250 1251 1252 1253 1254 1255 1256 1257 1258 1824 2432 3040 3648 4256 4864 5472 6080 6083  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.72 грн
5+103.80 грн
10+92.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+187.07 грн
5+137.05 грн
10+111.60 грн
50+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+393.99 грн
5+342.63 грн
25+291.12 грн
100+261.04 грн
500+247.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.44 грн
5+239.84 грн
10+209.61 грн
25+197.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.08 грн
3+247.90 грн
10+200.88 грн
25+189.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 SIP32431DNP3-T1GE4 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 SIP32431DR3-T1GE3 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: SC70
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 147mΩ
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.80 грн
11+28.42 грн
25+24.55 грн
100+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 SIP32509DT-T1-GE3 VISHAY sip32508.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.17 грн
17+18.14 грн
25+15.53 грн
100+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 SIP32510DT-T1-GE3 VISHAY sip32510.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.17 грн
15+21.36 грн
16+18.24 грн
25+15.53 грн
100+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.26 грн
30+38.53 грн
82+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.33 грн
19+63.08 грн
25+60.46 грн
51+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.13 грн
16+72.78 грн
44+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.25 грн
14+85.40 грн
37+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.42 грн
10+61.27 грн
100+47.65 грн
500+39.88 грн
1000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.02 грн
6+58.65 грн
10+52.50 грн
100+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.75 грн
10+45.75 грн
100+29.89 грн
500+23.29 грн
1000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.80 грн
10+32.65 грн
11+28.04 грн
100+18.63 грн
500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.44 грн
25+27.85 грн
100+22.51 грн
500+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.05 грн
5+97.75 грн
10+86.37 грн
25+75.69 грн
100+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.13 грн
10+102.79 грн
50+77.63 грн
100+70.84 грн
250+62.11 грн
500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -156A; Idm: -400A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -156A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -20...16V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+259.17 грн
5+209.61 грн
10+179.53 грн
25+151.38 грн
100+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.86 грн
16+71.81 грн
44+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.37 грн
25+45.90 грн
69+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.49 грн
36+32.02 грн
99+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 VISHAY sis413dn.pdf SIS413DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.53 грн
50+23.19 грн
136+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 VISHAY sis443dn.pdf SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.40 грн
18+64.05 грн
50+61.14 грн
1000+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY sis892adn.pdf SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.24 грн
25+46.68 грн
68+44.15 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.50 грн
35+32.99 грн
96+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.15 грн
5+82.63 грн
25+71.81 грн
100+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 VISHAY siss23dn.pdf SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 8495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.50 грн
38+30.67 грн
103+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 SISS61DN-T1-GE3 VISHAY siss61dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -89.6A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 231nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 42.1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.33 грн
10+65.50 грн
100+43.96 грн
250+38.53 грн
500+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 VISHAY siss80dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.91 грн
10+84.65 грн
100+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.52 грн
127+9.02 грн
348+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL02-GS08 VISHAY sl02.pdf SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+17.03 грн
169+6.79 грн
463+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 SL03-GS08 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB23880EF2D8143&compId=sl02_sl03.pdf?ci_sign=02f3fe37c37a0a075905c920a578739cd24b1bcd Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO219AB; SMD; 20V; 1.1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO219AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.26 грн
15+20.86 грн
100+13.88 грн
500+10.77 грн
1000+9.61 грн
3000+8.15 грн
6000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL04-E3-08 VISHAY sl04.pdf SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.80 грн
162+7.08 грн
444+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T VISHAY sl12.pdf SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.99 грн
17+18.04 грн
70+16.40 грн
193+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL23-E3/52T SL23-E3/52T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB2BC114CB5E143&compId=sl22.pdf?ci_sign=d845a15d49585f496119e949b942c35363b8de2e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.32V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 750pcs.
Case: SMB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.44 грн
14+22.07 грн
100+17.95 грн
250+16.79 грн
500+15.72 грн
750+15.14 грн
1500+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL43-E3/57T SL43-E3/57T VISHAY sl42.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.65 грн
10+75.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY SL44-E3-57T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.42 грн
7+43.94 грн
25+37.65 грн
100+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY SL44-E3-57T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.42 грн
7+43.94 грн
25+37.65 грн
100+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33A-E3/57T VISHAY sm15t.pdf SM15T33A-E3/57T Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.11 грн
68+16.98 грн
186+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33CA-E3/57T VISHAY sm15t.pdf SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.01 грн
67+17.18 грн
183+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T100A-E3/52 SM6T100A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 100V; 4.4A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 4.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.15 грн
100+8.83 грн
750+7.28 грн
5250+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T12A-E3/52 SM6T12A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 12V; 36A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.68 грн
25+12.50 грн
100+7.83 грн
750+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15A-E3/52 SM6T15A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+28.22 грн
14+22.77 грн
15+19.70 грн
100+11.94 грн
500+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15CA-E3/52 SM6T15CA-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.99 грн
15+20.36 грн
17+17.86 грн
100+11.13 грн
500+7.42 грн
750+6.76 грн
1500+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T33A-E3/52 SM6T33A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.17 грн
16+19.65 грн
25+16.30 грн
50+14.27 грн
100+12.52 грн
250+10.29 грн
500+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36A-E3/52 SM6T36A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.54 грн
26+11.69 грн
28+10.67 грн
100+9.02 грн
250+8.25 грн
500+7.67 грн
750+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36CA-E3/52 SM6T36CA-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.40 грн
17+17.94 грн
19+16.11 грн
100+12.62 грн
500+10.58 грн
750+10.09 грн
1500+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T39A-E3/52 SM6T39A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.62 грн
11+29.02 грн
12+24.45 грн
100+14.10 грн
500+8.82 грн
750+7.75 грн
1500+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8A-E3/52 SM6T6V8A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.50 грн
30+10.28 грн
31+9.61 грн
50+8.64 грн
100+8.15 грн
250+7.67 грн
500+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8CA-E3/52 SM6T6V8CA-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.86 грн
100+15.02 грн
250+12.32 грн
500+10.58 грн
750+9.51 грн
1500+7.57 грн
2250+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBCBEA07C09C0143&compId=sm8s.pdf?ci_sign=53490c463cf2e4ad33c3cc3759182712689f0dcb Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+249.77 грн
50+201.55 грн
100+174.67 грн
250+148.47 грн
500+133.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S36ATHE3/I SM8S36ATHE3/I VISHAY sm8s10atthrusm8s43at.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 40V; 114A; unidirectional; DO218AC; PAR®
Case: DO218AC
Technology: PAR®
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 10µA
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 114A
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+268.58 грн
5+232.79 грн
25+198.93 грн
100+178.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J18A-E3/61 VISHAY sma6jm3.pdf SMA6J18A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+28.32 грн
87+13.20 грн
240+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ10A-E3/61 SMAJ10A-E3/61 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDCC7C91B4AB3D7&compId=smajA-CA_ser.pdf?ci_sign=1aef5acaa0019df5deaa660001dee13afe4c4e3e Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 11.1V; 23.5A; unidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+24.04 грн
17+18.74 грн
20+14.85 грн
100+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ10CA-E3/61 SMAJ10CA-E3/61 VISHAY smaj50a.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 11.1÷12.3V; 23.5A; bidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.99 грн
18+17.74 грн
20+15.24 грн
22+13.59 грн
50+11.35 грн
100+9.90 грн
200+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ12A-E3/61 SMAJ12A-E3/61 VISHAY smajA-CA_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 13.3V; 20.1A; unidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.86 грн
20+15.12 грн
24+12.62 грн
29+10.25 грн
100+7.33 грн
250+5.87 грн
500+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ12CA-E3/61 SMAJ12CA-E3/61 VISHAY smajA-CA_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 13.3÷14.7V; 20.1A; bidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.86 грн
20+15.32 грн
24+12.42 грн
31+9.51 грн
100+6.89 грн
250+6.02 грн
500+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.72 грн
5+103.80 грн
10+92.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.07 грн
5+137.05 грн
10+111.60 грн
50+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
SIHP22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.99 грн
5+342.63 грн
25+291.12 грн
100+261.04 грн
500+247.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.44 грн
5+239.84 грн
10+209.61 грн
25+197.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.08 грн
3+247.90 грн
10+200.88 грн
25+189.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
SIP32431DNP3-T1GE4
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 sip32431.pdf
SIP32431DR3-T1GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: SC70
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 147mΩ
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.80 грн
11+28.42 грн
25+24.55 грн
100+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 sip32508.pdf
SIP32509DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.17 грн
17+18.14 грн
25+15.53 грн
100+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 sip32510.pdf
SIP32510DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.17 грн
15+21.36 грн
16+18.24 грн
25+15.53 грн
100+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.26 грн
30+38.53 грн
82+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.33 грн
19+63.08 грн
25+60.46 грн
51+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.13 грн
16+72.78 грн
44+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.25 грн
14+85.40 грн
37+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.42 грн
10+61.27 грн
100+47.65 грн
500+39.88 грн
1000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.02 грн
6+58.65 грн
10+52.50 грн
100+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.75 грн
10+45.75 грн
100+29.89 грн
500+23.29 грн
1000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 sira18adp.pdf
SIRA18ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.80 грн
10+32.65 грн
11+28.04 грн
100+18.63 грн
500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
SIRA28BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.44 грн
25+27.85 грн
100+22.51 грн
500+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.05 грн
5+97.75 грн
10+86.37 грн
25+75.69 грн
100+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
SIRA90DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.13 грн
10+102.79 грн
50+77.63 грн
100+70.84 грн
250+62.11 грн
500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -156A; Idm: -400A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -156A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -20...16V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.17 грн
5+209.61 грн
10+179.53 грн
25+151.38 грн
100+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.86 грн
16+71.81 грн
44+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.37 грн
25+45.90 грн
69+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
Виробник: VISHAY
SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.49 грн
36+32.02 грн
99+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS413DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.53 грн
50+23.19 грн
136+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.40 грн
18+64.05 грн
50+61.14 грн
1000+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.24 грн
25+46.68 грн
68+44.15 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.50 грн
35+32.99 грн
96+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763
SISS05DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.15 грн
5+82.63 грн
25+71.81 грн
100+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 8495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.50 грн
38+30.67 грн
103+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
SISS61DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -89.6A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 231nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 42.1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.33 грн
10+65.50 грн
100+43.96 грн
250+38.53 грн
500+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
SISS80DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.91 грн
10+84.65 грн
100+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.52 грн
127+9.02 грн
348+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL02-GS08 sl02.pdf
Виробник: VISHAY
SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.03 грн
169+6.79 грн
463+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB23880EF2D8143&compId=sl02_sl03.pdf?ci_sign=02f3fe37c37a0a075905c920a578739cd24b1bcd
SL03-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO219AB; SMD; 20V; 1.1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO219AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.26 грн
15+20.86 грн
100+13.88 грн
500+10.77 грн
1000+9.61 грн
3000+8.15 грн
6000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL04-E3-08 sl04.pdf
Виробник: VISHAY
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.80 грн
162+7.08 грн
444+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T sl12.pdf
Виробник: VISHAY
SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.99 грн
17+18.04 грн
70+16.40 грн
193+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL23-E3/52T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB2BC114CB5E143&compId=sl22.pdf?ci_sign=d845a15d49585f496119e949b942c35363b8de2e
SL23-E3/52T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.32V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 750pcs.
Case: SMB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.44 грн
14+22.07 грн
100+17.95 грн
250+16.79 грн
500+15.72 грн
750+15.14 грн
1500+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL43-E3/57T sl42.pdf
SL43-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.65 грн
10+75.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3-57T.pdf
SL44-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.42 грн
7+43.94 грн
25+37.65 грн
100+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3-57T.pdf
SL44-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.42 грн
7+43.94 грн
25+37.65 грн
100+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33A-E3/57T sm15t.pdf
Виробник: VISHAY
SM15T33A-E3/57T Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.11 грн
68+16.98 грн
186+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33CA-E3/57T sm15t.pdf
Виробник: VISHAY
SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.01 грн
67+17.18 грн
183+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T100A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T100A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 100V; 4.4A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 4.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.15 грн
100+8.83 грн
750+7.28 грн
5250+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T12A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T12A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 12V; 36A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.68 грн
25+12.50 грн
100+7.83 грн
750+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T15A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.22 грн
14+22.77 грн
15+19.70 грн
100+11.94 грн
500+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15CA-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T15CA-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.99 грн
15+20.36 грн
17+17.86 грн
100+11.13 грн
500+7.42 грн
750+6.76 грн
1500+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T33A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T33A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.17 грн
16+19.65 грн
25+16.30 грн
50+14.27 грн
100+12.52 грн
250+10.29 грн
500+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T36A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.54 грн
26+11.69 грн
28+10.67 грн
100+9.02 грн
250+8.25 грн
500+7.67 грн
750+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36CA-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T36CA-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.40 грн
17+17.94 грн
19+16.11 грн
100+12.62 грн
500+10.58 грн
750+10.09 грн
1500+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T39A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T39A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.62 грн
11+29.02 грн
12+24.45 грн
100+14.10 грн
500+8.82 грн
750+7.75 грн
1500+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T6V8A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.50 грн
30+10.28 грн
31+9.61 грн
50+8.64 грн
100+8.15 грн
250+7.67 грн
500+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8CA-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T6V8CA-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.86 грн
100+15.02 грн
250+12.32 грн
500+10.58 грн
750+9.51 грн
1500+7.57 грн
2250+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBCBEA07C09C0143&compId=sm8s.pdf?ci_sign=53490c463cf2e4ad33c3cc3759182712689f0dcb
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.77 грн
50+201.55 грн
100+174.67 грн
250+148.47 грн
500+133.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S36ATHE3/I sm8s10atthrusm8s43at.pdf
SM8S36ATHE3/I
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 40V; 114A; unidirectional; DO218AC; PAR®
Case: DO218AC
Technology: PAR®
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 10µA
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 114A
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.58 грн
5+232.79 грн
25+198.93 грн
100+178.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J18A-E3/61 sma6jm3.pdf
Виробник: VISHAY
SMA6J18A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.32 грн
87+13.20 грн
240+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ10A-E3/61 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDCC7C91B4AB3D7&compId=smajA-CA_ser.pdf?ci_sign=1aef5acaa0019df5deaa660001dee13afe4c4e3e
SMAJ10A-E3/61
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 11.1V; 23.5A; unidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.04 грн
17+18.74 грн
20+14.85 грн
100+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ10CA-E3/61 smaj50a.pdf
SMAJ10CA-E3/61
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 11.1÷12.3V; 23.5A; bidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.99 грн
18+17.74 грн
20+15.24 грн
22+13.59 грн
50+11.35 грн
100+9.90 грн
200+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ12A-E3/61 smajA-CA_ser.pdf
SMAJ12A-E3/61
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 13.3V; 20.1A; unidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.86 грн
20+15.12 грн
24+12.62 грн
29+10.25 грн
100+7.33 грн
250+5.87 грн
500+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ12CA-E3/61 smajA-CA_ser.pdf
SMAJ12CA-E3/61
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 13.3÷14.7V; 20.1A; bidirectional; SMA; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.86 грн
20+15.32 грн
24+12.42 грн
31+9.51 грн
100+6.89 грн
250+6.02 грн
500+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 608 1216 1248 1249 1250 1251 1252 1253 1254 1255 1256 1257 1258 1824 2432 3040 3648 4256 4864 5472 6080 6083  [ Наступна Сторінка >> ]