Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (359413) > Сторінка 955 з 5991

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 950 951 952 953 954 955 956 957 958 959 960 1198 1797 2396 2995 3594 4193 4792 5391 5990 5991  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ILQ615-3 VISHAY ild615.pdf ILQ615-3 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ615-3X009 VISHAY ild615.pdf ILQ615-3X009 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ615-4 VISHAY ild615.pdf ILQ615-4 Optocouplers - analog output
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+200.34 грн
15+72.75 грн
42+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ615-4X009 VISHAY ild615.pdf ILQ615-4X009 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ615-4X009T VISHAY ild615.pdf ILQ615-4X009T Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ620-X009T VISHAY ild620.pdf ILQ620-X009T Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ620GB-X009 VISHAY ild620.pdf ILQ620GB-X009 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ620GB-X009T VISHAY ild620.pdf ILQ620GB-X009T Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ621 VISHAY ild621.pdf ILQ621 Optocouplers - analog output
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+289.50 грн
17+65.11 грн
47+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ621GB VISHAY ild621.pdf ILQ621GB Optocouplers - analog output
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+249.43 грн
16+71.62 грн
42+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ621GB-X009 VISHAY ild621.pdf ILQ621GB-X009 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08 IMBD4148-E3-08 VISHAY imbd4148.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
33+9.32 грн
49+6.03 грн
100+3.97 грн
250+3.11 грн
500+2.54 грн
614+1.79 грн
1500+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08 IMBD4148-HE3-08 VISHAY Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
65+4.91 грн
100+4.25 грн
335+3.29 грн
920+3.11 грн
12000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.15 грн
10+55.93 грн
32+34.60 грн
87+32.74 грн
1000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.16 грн
31+37.19 грн
84+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8954739EA76469&compId=IRF520PBF.pdf?ci_sign=f12d7b4b5200a9e5730e7a46af698c24938b8099 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.11 грн
10+52.16 грн
36+30.51 грн
99+28.84 грн
2000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.08 грн
10+34.39 грн
42+26.23 грн
115+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3880C315E20C7&compId=irf530s.pdf?ci_sign=25cc28147d53b50073ee07f93d752633e09927be description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.12 грн
10+56.22 грн
30+37.21 грн
81+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBF VISHAY sihf530s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895A5D7DFF2469&compId=IRF540PBF.pdf?ci_sign=ed54c1f6055e1f12b59701a185c58a7fc27d0ff8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.18 грн
26+44.92 грн
70+40.83 грн
5000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF IRF540SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B395A9E800C0C7&compId=irf540s.pdf?ci_sign=2c0680eff4bf7f2230fe88f9a5aa6385399f7831 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.34 грн
10+94.66 грн
23+48.37 грн
62+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF VISHAY sihf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF VISHAY sihf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8960BF9F44C469&compId=IRF610PBF.pdf?ci_sign=a05183a00f967f353ce60928ddef5213fdd09ec3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.10 грн
50+22.80 грн
138+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRRPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614PBF VISHAY irf614.pdf IRF614PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614SPBF VISHAY sihf614s.pdf IRF614SPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF IRF620PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89789E01400469&compId=IRF620PBF.pdf?ci_sign=47d2679aaeefc0c234d0730496cc59f2026d13c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.17 грн
10+65.30 грн
31+35.53 грн
85+33.58 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620SPBF VISHAY sihf620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRLPBF VISHAY sihf620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRRPBF VISHAY sihf620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624PBF VISHAY irf624.pdf description IRF624PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBF VISHAY sihf624s.pdf IRF624SPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.15 грн
10+45.59 грн
34+32.65 грн
92+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.14 грн
23+49.46 грн
63+45.02 грн
1000+43.63 грн
5000+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF VISHAY sih630s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF VISHAY sih630s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBF IRF634PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C63B588CE469&compId=IRF634PBF.pdf?ci_sign=df4f8d9037bf7811b590ace21beece350011600e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.12 грн
10+50.42 грн
27+40.93 грн
74+39.07 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBF VISHAY sihf634s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.27 грн
10+112.82 грн
27+40.83 грн
74+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.28 грн
10+113.02 грн
16+68.83 грн
44+65.11 грн
2000+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.27 грн
10+112.05 грн
18+62.32 грн
49+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRRPBF VISHAY sihf640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF IRF644PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.24 грн
24+48.30 грн
65+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4127B33F84143&compId=IRF644S.pdf?ci_sign=617bb4c524c766ed6ebee1d005e5d96bd6f3a19b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+304.52 грн
10+141.99 грн
15+73.48 грн
41+69.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBF VISHAY sihf644s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF VISHAY sihf644s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D0F843616469&compId=IRF710PBF.pdf?ci_sign=869a59766b0c020f529d2b5260aa15182097df0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.11 грн
10+49.55 грн
38+29.30 грн
102+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SPBF IRF710SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3A497818180C7&compId=irf710s.pdf?ci_sign=64d8b56641704c645a58fa99c6edc905b206b6a6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.10 грн
26+43.66 грн
72+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBF IRF710STRLPBF VISHAY sihf710s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.19 грн
10+69.07 грн
27+40.65 грн
74+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF IRF720PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D44489CD2469&compId=IRF720PBF.pdf?ci_sign=7269d1a73dd53ce971382b41e70adbc14b8622af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.15 грн
10+68.97 грн
31+36.28 грн
83+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBF VISHAY sihf720s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBF VISHAY 91045.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBF-BE3 VISHAY 91045.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF VISHAY sihf730a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ615-3 ild615.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ615-3 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ615-3X009 ild615.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ615-3X009 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ615-4 ild615.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ615-4 Optocouplers - analog output
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.34 грн
15+72.75 грн
42+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ615-4X009 ild615.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ615-4X009 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ615-4X009T ild615.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ615-4X009T Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ620-X009T ild620.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ620-X009T Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ620GB-X009 ild620.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ620GB-X009 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ620GB-X009T ild620.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ620GB-X009T Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ621 ild621.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ621 Optocouplers - analog output
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.50 грн
17+65.11 грн
47+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ621GB ild621.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ621GB Optocouplers - analog output
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.43 грн
16+71.62 грн
42+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ621GB-X009 ild621.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ621GB-X009 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08 imbd4148.pdf
IMBD4148-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
33+9.32 грн
49+6.03 грн
100+3.97 грн
250+3.11 грн
500+2.54 грн
614+1.79 грн
1500+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08
IMBD4148-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
65+4.91 грн
100+4.25 грн
335+3.29 грн
920+3.11 грн
12000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418
IRF510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.15 грн
10+55.93 грн
32+34.60 грн
87+32.74 грн
1000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2
IRF510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.16 грн
31+37.19 грн
84+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2
IRF510STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8954739EA76469&compId=IRF520PBF.pdf?ci_sign=f12d7b4b5200a9e5730e7a46af698c24938b8099
IRF520PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.11 грн
10+52.16 грн
36+30.51 грн
99+28.84 грн
2000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27
IRF530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.08 грн
10+34.39 грн
42+26.23 грн
115+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3880C315E20C7&compId=irf530s.pdf?ci_sign=25cc28147d53b50073ee07f93d752633e09927be
IRF530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.12 грн
10+56.22 грн
30+37.21 грн
81+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBF sihf530s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895A5D7DFF2469&compId=IRF540PBF.pdf?ci_sign=ed54c1f6055e1f12b59701a185c58a7fc27d0ff8
IRF540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.18 грн
26+44.92 грн
70+40.83 грн
5000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B395A9E800C0C7&compId=irf540s.pdf?ci_sign=2c0680eff4bf7f2230fe88f9a5aa6385399f7831
IRF540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.34 грн
10+94.66 грн
23+48.37 грн
62+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF sihf540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8960BF9F44C469&compId=IRF610PBF.pdf?ci_sign=a05183a00f967f353ce60928ddef5213fdd09ec3
IRF610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.10 грн
50+22.80 грн
138+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614PBF irf614.pdf
Виробник: VISHAY
IRF614PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614SPBF sihf614s.pdf
Виробник: VISHAY
IRF614SPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89789E01400469&compId=IRF620PBF.pdf?ci_sign=47d2679aaeefc0c234d0730496cc59f2026d13c3
IRF620PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.17 грн
10+65.30 грн
31+35.53 грн
85+33.58 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620SPBF sihf620s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRLPBF sihf620s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRRPBF sihf620s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624PBF description irf624.pdf
Виробник: VISHAY
IRF624PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBF sihf624s.pdf
Виробник: VISHAY
IRF624SPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.15 грн
10+45.59 грн
34+32.65 грн
92+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.14 грн
23+49.46 грн
63+45.02 грн
1000+43.63 грн
5000+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C63B588CE469&compId=IRF634PBF.pdf?ci_sign=df4f8d9037bf7811b590ace21beece350011600e
IRF634PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.12 грн
10+50.42 грн
27+40.93 грн
74+39.07 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBF sihf634s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.27 грн
10+112.82 грн
27+40.83 грн
74+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.28 грн
10+113.02 грн
16+68.83 грн
44+65.11 грн
2000+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.27 грн
10+112.05 грн
18+62.32 грн
49+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229
IRF640STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRRPBF sihf640s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11
IRF644PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.24 грн
24+48.30 грн
65+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4127B33F84143&compId=IRF644S.pdf?ci_sign=617bb4c524c766ed6ebee1d005e5d96bd6f3a19b
IRF644SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+304.52 грн
10+141.99 грн
15+73.48 грн
41+69.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D0F843616469&compId=IRF710PBF.pdf?ci_sign=869a59766b0c020f529d2b5260aa15182097df0a
IRF710PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.11 грн
10+49.55 грн
38+29.30 грн
102+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3A497818180C7&compId=irf710s.pdf?ci_sign=64d8b56641704c645a58fa99c6edc905b206b6a6
IRF710SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.10 грн
26+43.66 грн
72+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBF sihf710s.pdf
IRF710STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.19 грн
10+69.07 грн
27+40.65 грн
74+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D44489CD2469&compId=IRF720PBF.pdf?ci_sign=7269d1a73dd53ce971382b41e70adbc14b8622af
IRF720PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.15 грн
10+68.97 грн
31+36.28 грн
83+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SPBF sihf720s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBF 91045.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBF-BE3 91045.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF sihf730a.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 950 951 952 953 954 955 956 957 958 959 960 1198 1797 2396 2995 3594 4193 4792 5391 5990 5991  [ Наступна Сторінка >> ]