Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (359412) > Сторінка 958 з 5991

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 953 954 955 956 957 958 959 960 961 962 963 1198 1797 2396 2995 3594 4193 4792 5391 5990 5991  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBF30STRLPBF VISHAY sihbf30s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.6A; Idm: 14A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 5.6A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+149.26 грн
10+105.48 грн
20+57.21 грн
53+54.14 грн
500+53.95 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF-BE3 VISHAY sihbg20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 5.6A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.31 грн
18+63.75 грн
49+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF IRFD014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A85E83C7B8469&compId=IRFD014PBF.pdf?ci_sign=b24ac99d022215f2394a6c8b85ba486fa0b680b4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.19 грн
10+70.71 грн
38+29.39 грн
50+29.30 грн
103+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBF VISHAY sihfd020.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 2.4A; Idm: 19A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBF IRFD024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A8885F2CA2469&compId=IRFD024PBF.pdf?ci_sign=589b59c4b57ed7ee3e0ed0f01dc3ffe083e2cca9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.27 грн
10+101.42 грн
26+42.79 грн
71+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBF VISHAY sihfd110.pdf IRFD110PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBF VISHAY sihfd113.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.8A; Idm: 6.4A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 6.4A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBF IRFD120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A8F856BA12469&compId=IRFD120PBF.pdf?ci_sign=b654ac0a283c630dcf6e16fcda3a25e83f4fecab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+100.17 грн
10+51.00 грн
38+29.39 грн
103+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF VISHAY sihfd123.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.3W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF VISHAY sihfd210.pdf IRFD210PBF THT N channel transistors
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.12 грн
40+27.90 грн
108+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBF VISHAY sihfd220.pdf IRFD220PBF THT N channel transistors
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.65 грн
29+37.74 грн
80+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBF VISHAY sihfd224.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.63A; Idm: 5A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF IRFD420PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A9BDD9A9A0469&compId=IRFD420PBF.pdf?ci_sign=57ea75df99819e42418198c0019a26e23b270646 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.11 грн
6+57.18 грн
25+43.72 грн
69+40.93 грн
500+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBF VISHAY sihfd901.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -1.1A; Idm: -8.8A; 1W; HVMDIP
Case: HVMDIP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AA1CA9DBB2469&compId=IRFD9014PBF.pdf?ci_sign=8c8420f06cb86b7a81ab39bc7a688f557b5768a3 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.13 грн
6+48.30 грн
25+41.02 грн
30+36.99 грн
81+34.97 грн
500+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF IRFD9020PBF VISHAY sihfd902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13A
Mounting: THT
Case: HVMDIP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.19 грн
10+75.06 грн
28+40.18 грн
75+38.04 грн
300+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBF IRFD9024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AA63BEF0C8469&compId=IRFD9024PBF.pdf?ci_sign=79e63b47722dcc5066e0b30a2ed8bb349401e966 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.20 грн
10+75.25 грн
31+36.18 грн
84+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.25 грн
10+67.52 грн
34+32.65 грн
92+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBF VISHAY sihfd912.pdf IRFD9120PBF THT P channel transistors
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.87 грн
33+33.39 грн
90+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF IRFD9210PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A482F2942300D2&compId=irfd9210.pdf?ci_sign=af6eda42cb6a95db7fd983107888411cde1b2422 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -250mA
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.14 грн
6+48.30 грн
25+41.86 грн
35+32.01 грн
94+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF IRFD9220PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AB2DDAB62E469&compId=IRFD9220PBF.pdf?ci_sign=bac7339b6553ddf85e79c1f84182b3572899f0b4 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -360mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.34 грн
10+89.83 грн
24+45.58 грн
66+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20PBF VISHAY sihfdc20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.32A; Idm: 2.6A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.32A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF IRFI510GPBF VISHAY sihfi510.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.12 грн
10+61.53 грн
28+39.63 грн
76+37.49 грн
5000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI520GPBF IRFI520GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EC2E5C81F0143&compId=IRFI520G.pdf?ci_sign=b035e79cdcf002c171ba799b935ca229ce601692 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.1A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530GPBF IRFI530GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8ECD0889B36143&compId=IRFI530G.pdf?ci_sign=e4027916caf763341c7ae49fd4ff9667418cef51 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF IRFI540GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8ED44C28028143&compId=IRFI540G.pdf?ci_sign=a6e672a226915ac5e42a5860cafd9959f002946b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.16 грн
10+80.17 грн
19+58.60 грн
51+55.81 грн
500+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBF VISHAY 91146.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.1A; Idm: 16A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF IRFI630GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EF058DBFBC143&compId=IRFI630G.pdf?ci_sign=f7270105880b125c5483f45aad40ea58764547df Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.33 грн
23+51.20 грн
62+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBF VISHAY 91149.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.6A; Idm: 22A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3FDA2E18060C7&compId=IRFI640G.pdf?ci_sign=1ff1dc4ebb9a0937e40044ce7827fa69680105cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.35 грн
10+141.03 грн
15+73.48 грн
41+69.76 грн
1000+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF IRFI644GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFF16C93A6143&compId=IRFI644G.pdf?ci_sign=7cd2c9e3d0db0f8a4bba0b1411672bf1800d2be8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.42 грн
5+169.04 грн
10+140.46 грн
12+91.16 грн
33+85.58 грн
2000+82.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBF VISHAY sihfi720.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.6A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBF VISHAY 91153.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.7A; Idm: 15A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCPBF VISHAY 91155.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.7A; Idm: 23A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBF IRFI740GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE2B1F0DB2A8EFE6135&compId=irfi740gpbf.pdf?ci_sign=22a063b238ba05123f7f1fd49a30448fd89e02a5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.29 грн
22+52.16 грн
60+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBF IRFI820GPBF VISHAY IRFI820G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.3A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.20 грн
10+82.11 грн
21+53.95 грн
56+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBF IRFI830GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F1E10F882E143&compId=IRFI830G.pdf?ci_sign=8f8749a6e108da4639eccf899ae2ea783e909890 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.27 грн
10+118.81 грн
18+61.39 грн
49+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBF IRFI840GLCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F24AFF7D14143&compId=IRFI840GLC.pdf?ci_sign=61a568fa8c7fe1f39f440b8c3b979238157aa1b0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+97.56 грн
10+82.79 грн
16+72.55 грн
42+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF IRFI840GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ABEA75EC0E469&compId=IRFI840GPBF.pdf?ci_sign=3b1cb21447751f6a70ee8518831459f235e91772 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.44 грн
10+163.25 грн
15+76.27 грн
40+72.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBF IRFI9520GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F6CEFC21C143&compId=IRFI9520G.pdf?ci_sign=587dbd3a1ddb3426c3d02d0035a275d2eeb94bfa Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBF IRFI9530GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E7015EEA2143&compId=IRFI9530G.pdf?ci_sign=2d8aaba937e7337c35e0101f82b4ee472206543e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+100.17 грн
4+86.94 грн
10+74.41 грн
18+64.18 грн
47+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E15AA409C143&compId=IRFI9540G.pdf?ci_sign=2f69adf9189fc5b5a9f2752c3036e83856470532 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+276.48 грн
10+116.88 грн
14+82.79 грн
37+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9610GPBF VISHAY irfi9610g.pdf IRFI9610GPBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9620GPBF VISHAY irfi9620g.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3A; Idm: -12A; 30W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9630GPBF IRFI9630GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC132D3002469&compId=IRFI9630GPBF.pdf?ci_sign=fb760884a4196e9c1bd01f7ae8a92d2afdcb62ea Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.21 грн
10+78.24 грн
19+58.60 грн
52+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC4F54EEAC469&compId=IRFI9634GPBF.pdf?ci_sign=6887378217ed31e1cde01dc3e807be548f0f3340 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.25 грн
10+67.62 грн
19+59.53 грн
51+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9640GPBF IRFI9640GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AEB6E0F92143&compId=IRFI9640G.pdf?ci_sign=70a347cc2fe62cbdac19797c4d8f8ab46e123b76 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.22 грн
10+92.09 грн
14+79.06 грн
38+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z14GPBF VISHAY irfi9z14g.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A; 27W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -21A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z24GPBF VISHAY 91171.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: -34A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910AD7B8E7E143&compId=IRFI9Z34G.pdf?ci_sign=1c699a177c38388fe2c5ca7c3152fa6cd6a85c0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.14 грн
5+70.51 грн
10+60.09 грн
21+52.09 грн
58+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65APBF VISHAY sihfib5n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.1A; Idm: 21A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 930mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA496F2EB0143&compId=IRFIB6N60A.pdf?ci_sign=be77c75cc5a3bff9e60c6ac5fe6476ffcb756bee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+306.53 грн
10+140.06 грн
11+105.11 грн
29+99.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B405B251E880C7&compId=irfib7n50a.pdf?ci_sign=e692870b6c289516528b491732c6b4e0ff3caabd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 44A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACBC527CBE469&compId=IRFIBC30GPBF.pdf?ci_sign=f99bb9f336c49b903c739a1292cef39c8fd14560 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.19 грн
4+95.63 грн
10+80.92 грн
15+73.48 грн
41+68.83 грн
250+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GPBF IRFIBC40GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACF0D9C7C4469&compId=IRFIBC40GPBF.pdf?ci_sign=2e64080882756ec4c6b2d056a1022ad79167e752 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.51 грн
10+113.48 грн
27+106.97 грн
50+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GPBF VISHAY 91183.pdf IRFIBE20GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.74 грн
10+103.25 грн
13+89.30 грн
34+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90790CDDDB8143&compId=IRFIBF20G.pdf?ci_sign=581a7edfe976907183314c465ad1a5e64ef12c15 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.42 грн
10+119.78 грн
13+86.51 грн
35+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBF sihbf30s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.6A; Idm: 14A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710
IRFBG20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 5.6A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.26 грн
10+105.48 грн
20+57.21 грн
53+54.14 грн
500+53.95 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF-BE3 sihbg20.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 5.6A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.31 грн
18+63.75 грн
49+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A85E83C7B8469&compId=IRFD014PBF.pdf?ci_sign=b24ac99d022215f2394a6c8b85ba486fa0b680b4
IRFD014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.19 грн
10+70.71 грн
38+29.39 грн
50+29.30 грн
103+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBF sihfd020.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 2.4A; Idm: 19A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A8885F2CA2469&compId=IRFD024PBF.pdf?ci_sign=589b59c4b57ed7ee3e0ed0f01dc3ffe083e2cca9
IRFD024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.27 грн
10+101.42 грн
26+42.79 грн
71+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBF sihfd110.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD110PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBF sihfd113.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.8A; Idm: 6.4A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 6.4A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A8F856BA12469&compId=IRFD120PBF.pdf?ci_sign=b654ac0a283c630dcf6e16fcda3a25e83f4fecab
IRFD120PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+100.17 грн
10+51.00 грн
38+29.39 грн
103+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF sihfd123.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.3W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF sihfd210.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD210PBF THT N channel transistors
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.12 грн
40+27.90 грн
108+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBF sihfd220.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD220PBF THT N channel transistors
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.65 грн
29+37.74 грн
80+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBF sihfd224.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.63A; Idm: 5A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A9BDD9A9A0469&compId=IRFD420PBF.pdf?ci_sign=57ea75df99819e42418198c0019a26e23b270646
IRFD420PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.11 грн
6+57.18 грн
25+43.72 грн
69+40.93 грн
500+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBF sihfd901.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -1.1A; Idm: -8.8A; 1W; HVMDIP
Case: HVMDIP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AA1CA9DBB2469&compId=IRFD9014PBF.pdf?ci_sign=8c8420f06cb86b7a81ab39bc7a688f557b5768a3
IRFD9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.13 грн
6+48.30 грн
25+41.02 грн
30+36.99 грн
81+34.97 грн
500+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF sihfd902.pdf
IRFD9020PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13A
Mounting: THT
Case: HVMDIP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.19 грн
10+75.06 грн
28+40.18 грн
75+38.04 грн
300+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AA63BEF0C8469&compId=IRFD9024PBF.pdf?ci_sign=79e63b47722dcc5066e0b30a2ed8bb349401e966
IRFD9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.20 грн
10+75.25 грн
31+36.18 грн
84+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c
IRFD9110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.25 грн
10+67.52 грн
34+32.65 грн
92+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBF sihfd912.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD9120PBF THT P channel transistors
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.87 грн
33+33.39 грн
90+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A482F2942300D2&compId=irfd9210.pdf?ci_sign=af6eda42cb6a95db7fd983107888411cde1b2422
IRFD9210PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -250mA
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.14 грн
6+48.30 грн
25+41.86 грн
35+32.01 грн
94+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AB2DDAB62E469&compId=IRFD9220PBF.pdf?ci_sign=bac7339b6553ddf85e79c1f84182b3572899f0b4
IRFD9220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -360mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.34 грн
10+89.83 грн
24+45.58 грн
66+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20PBF sihfdc20.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.32A; Idm: 2.6A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.32A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF sihfi510.pdf
IRFI510GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.12 грн
10+61.53 грн
28+39.63 грн
76+37.49 грн
5000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI520GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EC2E5C81F0143&compId=IRFI520G.pdf?ci_sign=b035e79cdcf002c171ba799b935ca229ce601692
IRFI520GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.1A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8ECD0889B36143&compId=IRFI530G.pdf?ci_sign=e4027916caf763341c7ae49fd4ff9667418cef51
IRFI530GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8ED44C28028143&compId=IRFI540G.pdf?ci_sign=a6e672a226915ac5e42a5860cafd9959f002946b
IRFI540GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.16 грн
10+80.17 грн
19+58.60 грн
51+55.81 грн
500+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBF 91146.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.1A; Idm: 16A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EF058DBFBC143&compId=IRFI630G.pdf?ci_sign=f7270105880b125c5483f45aad40ea58764547df
IRFI630GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.33 грн
23+51.20 грн
62+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBF 91149.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.6A; Idm: 22A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3FDA2E18060C7&compId=IRFI640G.pdf?ci_sign=1ff1dc4ebb9a0937e40044ce7827fa69680105cb
IRFI640GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.35 грн
10+141.03 грн
15+73.48 грн
41+69.76 грн
1000+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFF16C93A6143&compId=IRFI644G.pdf?ci_sign=7cd2c9e3d0db0f8a4bba0b1411672bf1800d2be8
IRFI644GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.42 грн
5+169.04 грн
10+140.46 грн
12+91.16 грн
33+85.58 грн
2000+82.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBF sihfi720.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.6A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBF 91153.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.7A; Idm: 15A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCPBF description 91155.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.7A; Idm: 23A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE2B1F0DB2A8EFE6135&compId=irfi740gpbf.pdf?ci_sign=22a063b238ba05123f7f1fd49a30448fd89e02a5
IRFI740GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.29 грн
22+52.16 грн
60+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBF IRFI820G.pdf
IRFI820GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.3A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.20 грн
10+82.11 грн
21+53.95 грн
56+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F1E10F882E143&compId=IRFI830G.pdf?ci_sign=8f8749a6e108da4639eccf899ae2ea783e909890
IRFI830GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.27 грн
10+118.81 грн
18+61.39 грн
49+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F24AFF7D14143&compId=IRFI840GLC.pdf?ci_sign=61a568fa8c7fe1f39f440b8c3b979238157aa1b0
IRFI840GLCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+97.56 грн
10+82.79 грн
16+72.55 грн
42+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ABEA75EC0E469&compId=IRFI840GPBF.pdf?ci_sign=3b1cb21447751f6a70ee8518831459f235e91772
IRFI840GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.44 грн
10+163.25 грн
15+76.27 грн
40+72.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F6CEFC21C143&compId=IRFI9520G.pdf?ci_sign=587dbd3a1ddb3426c3d02d0035a275d2eeb94bfa
IRFI9520GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E7015EEA2143&compId=IRFI9530G.pdf?ci_sign=2d8aaba937e7337c35e0101f82b4ee472206543e
IRFI9530GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+100.17 грн
4+86.94 грн
10+74.41 грн
18+64.18 грн
47+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9540GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E15AA409C143&compId=IRFI9540G.pdf?ci_sign=2f69adf9189fc5b5a9f2752c3036e83856470532
IRFI9540GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.48 грн
10+116.88 грн
14+82.79 грн
37+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9610GPBF irfi9610g.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI9610GPBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9620GPBF irfi9620g.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3A; Idm: -12A; 30W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9630GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC132D3002469&compId=IRFI9630GPBF.pdf?ci_sign=fb760884a4196e9c1bd01f7ae8a92d2afdcb62ea
IRFI9630GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.21 грн
10+78.24 грн
19+58.60 грн
52+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9634GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC4F54EEAC469&compId=IRFI9634GPBF.pdf?ci_sign=6887378217ed31e1cde01dc3e807be548f0f3340
IRFI9634GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.25 грн
10+67.62 грн
19+59.53 грн
51+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9640GPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AEB6E0F92143&compId=IRFI9640G.pdf?ci_sign=70a347cc2fe62cbdac19797c4d8f8ab46e123b76
IRFI9640GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.22 грн
10+92.09 грн
14+79.06 грн
38+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z14GPBF irfi9z14g.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A; 27W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -21A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z24GPBF 91171.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: -34A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910AD7B8E7E143&compId=IRFI9Z34G.pdf?ci_sign=1c699a177c38388fe2c5ca7c3152fa6cd6a85c0e
IRFI9Z34GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.14 грн
5+70.51 грн
10+60.09 грн
21+52.09 грн
58+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65APBF sihfib5n.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.1A; Idm: 21A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 930mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA496F2EB0143&compId=IRFIB6N60A.pdf?ci_sign=be77c75cc5a3bff9e60c6ac5fe6476ffcb756bee
IRFIB6N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+306.53 грн
10+140.06 грн
11+105.11 грн
29+99.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B405B251E880C7&compId=irfib7n50a.pdf?ci_sign=e692870b6c289516528b491732c6b4e0ff3caabd
IRFIB7N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 44A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACBC527CBE469&compId=IRFIBC30GPBF.pdf?ci_sign=f99bb9f336c49b903c739a1292cef39c8fd14560
IRFIBC30GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.19 грн
4+95.63 грн
10+80.92 грн
15+73.48 грн
41+68.83 грн
250+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACF0D9C7C4469&compId=IRFIBC40GPBF.pdf?ci_sign=2e64080882756ec4c6b2d056a1022ad79167e752
IRFIBC40GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.51 грн
10+113.48 грн
27+106.97 грн
50+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GPBF 91183.pdf
Виробник: VISHAY
IRFIBE20GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd
IRFIBE30GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.74 грн
10+103.25 грн
13+89.30 грн
34+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90790CDDDB8143&compId=IRFIBF20G.pdf?ci_sign=581a7edfe976907183314c465ad1a5e64ef12c15
IRFIBF20GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.42 грн
10+119.78 грн
13+86.51 грн
35+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 953 954 955 956 957 958 959 960 961 962 963 1198 1797 2396 2995 3594 4193 4792 5391 5990 5991  [ Наступна Сторінка >> ]