Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (359416) > Сторінка 960 з 5991

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 955 956 957 958 959 960 961 962 963 964 965 1198 1797 2396 2995 3594 4193 4792 5391 5990 5991  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR014TRLPBF VISHAY sihfr014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBF IRFR014TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B838709D16469&compId=IRFR014PBF.pdf?ci_sign=1e6c447e784a7b690ad3fb2aa8361d6f935a5e84 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRRPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR020TRPBF VISHAY sihfr020.pdf IRFR020TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBF IRFR024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B864924006469&compId=IRFR024PBF.pdf?ci_sign=71e8bc44d435e74e5706025275dbaf4d7233cac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.14 грн
10+51.00 грн
31+36.00 грн
84+34.04 грн
1050+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRLPBF VISHAY sihfr024.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF VISHAY sihfr024.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.13 грн
10+54.09 грн
43+25.39 грн
118+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF VISHAY sihfr110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3 VISHAY sihfr110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBF IRFR110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 926 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.12 грн
10+49.84 грн
41+26.88 грн
112+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRLPBF VISHAY sihfr120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRRPBF VISHAY sihfr120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.11 грн
25+49.65 грн
28+39.81 грн
75+39.53 грн
76+37.58 грн
150+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60ATRLPBF VISHAY sihfr1n6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60ATRPBF VISHAY sihfr1n6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210PBF VISHAY IRFR210.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.20 грн
37+30.52 грн
102+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRLPBF VISHAY sihfr210.pdf IRFR210TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF VISHAY sihfr210.pdf IRFR210TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214PBF VISHAY sihfr214.pdf IRFR214PBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRPBF VISHAY sihfr214.pdf IRFR214TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4441A5A85E0C7&compId=irfr220_IRFU220.pdf?ci_sign=09c0d69354892f01dc53ebda8dea77a29e099692 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.13 грн
39+29.27 грн
107+26.60 грн
10050+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4441A5A85E0C7&compId=irfr220_IRFU220.pdf?ci_sign=09c0d69354892f01dc53ebda8dea77a29e099692 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRRPBF VISHAY sihfr220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBF IRFR224PBF VISHAY IRFR224.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.13 грн
7+45.01 грн
25+37.95 грн
33+33.49 грн
91+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRLPBF VISHAY sihfr224.pdf IRFR224TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBF VISHAY sihfr224.pdf IRFR224TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310PBF IRFR310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99239FF036480C7&compId=irfr310.pdf?ci_sign=6d5993c2421387655ce82c6df2600eef851824f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 3.6Ω
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.12 грн
10+50.13 грн
34+33.21 грн
91+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310TRLPBF VISHAY sihfr310.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310TRPBF VISHAY sihfr310.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF IRFR320PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B98C684A7C469&compId=IRFR320PBF.pdf?ci_sign=144c8f4193095ea2e371048f7313e2b4be60a4ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBF IRFR320TRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRPBF VISHAY sihfr320.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBF IRFR420APBF VISHAY IRFR420A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.16 грн
25+69.45 грн
32+34.51 грн
87+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRLPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420ATRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420ATRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF IRFR420PBF VISHAY IRFR420PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.20 грн
10+68.29 грн
31+35.16 грн
85+33.30 грн
525+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF-BE3 VISHAY sihfr420.pdf IRFR420PBF-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF VISHAY IRFR420PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.18 грн
10+76.99 грн
37+29.49 грн
102+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420TRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D72036C3E143&compId=IRFR430A.pdf?ci_sign=2b7b6e624d34c62210142d0a6df4a8c690e07619 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.11 грн
10+48.39 грн
34+32.65 грн
75+32.56 грн
92+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBF VISHAY sihfr430.pdf IRFR430ATRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF VISHAY sihfr430.pdf IRFR430ATRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010PBF VISHAY sihfr901.pdf IRFR9010PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRLPBF VISHAY sihfr901.pdf IRFR9010TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRPBF VISHAY sihfr901.pdf IRFR9010TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF IRFR9014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91217430092143&compId=IRFx9014.pdf?ci_sign=a6201196e5e614a6a5a297dc8dfa555241b579f4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.13 грн
10+54.09 грн
36+30.60 грн
98+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRLPBF VISHAY sihfr901.pdf IRFR9014TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF VISHAY sihfr901.pdf IRFR9014TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 VISHAY sihfr901.pdf IRFR9014TRPBF-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020PBF VISHAY sihfr902.pdf description IRFR9020PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020TRLPBF VISHAY sihfr902.pdf IRFR9020TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020TRPBF VISHAY sihfr902.pdf IRFR9020TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF IRFR9024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BADF890DA2469&compId=IRFR9024PBF.pdf?ci_sign=2fbdead3996fea997cc8835e3bad9aab291c7be0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.23 грн
10+71.67 грн
31+36.09 грн
84+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF VISHAY sihfr902.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF VISHAY sihfr902.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF sihfr014.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B838709D16469&compId=IRFR014PBF.pdf?ci_sign=1e6c447e784a7b690ad3fb2aa8361d6f935a5e84
IRFR014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR020TRPBF sihfr020.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR020TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B864924006469&compId=IRFR024PBF.pdf?ci_sign=71e8bc44d435e74e5706025275dbaf4d7233cac6
IRFR024PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.14 грн
10+51.00 грн
31+36.00 грн
84+34.04 грн
1050+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRLPBF sihfr024.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF sihfr024.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642
IRFR110PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.13 грн
10+54.09 грн
43+25.39 грн
118+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF sihfr110.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3 sihfr110.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642
IRFR110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac
IRFR120PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 926 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.12 грн
10+49.84 грн
41+26.88 грн
112+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRLPBF sihfr120.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac
IRFR120TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRRPBF sihfr120.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
IRFR1N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.11 грн
25+49.65 грн
28+39.81 грн
75+39.53 грн
76+37.58 грн
150+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60ATRLPBF sihfr1n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60ATRPBF sihfr1n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210.pdf
IRFR210PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.20 грн
37+30.52 грн
102+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRLPBF sihfr210.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR210TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF sihfr210.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR210TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214PBF sihfr214.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR214PBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRPBF sihfr214.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR214TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4441A5A85E0C7&compId=irfr220_IRFU220.pdf?ci_sign=09c0d69354892f01dc53ebda8dea77a29e099692
IRFR220PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.13 грн
39+29.27 грн
107+26.60 грн
10050+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4441A5A85E0C7&compId=irfr220_IRFU220.pdf?ci_sign=09c0d69354892f01dc53ebda8dea77a29e099692
IRFR220TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRRPBF sihfr220.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBF IRFR224.pdf
IRFR224PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.13 грн
7+45.01 грн
25+37.95 грн
33+33.49 грн
91+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRLPBF sihfr224.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR224TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBF sihfr224.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR224TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99239FF036480C7&compId=irfr310.pdf?ci_sign=6d5993c2421387655ce82c6df2600eef851824f3
IRFR310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 3.6Ω
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.12 грн
10+50.13 грн
34+33.21 грн
91+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310TRLPBF sihfr310.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310TRPBF description sihfr310.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B98C684A7C469&compId=IRFR320PBF.pdf?ci_sign=144c8f4193095ea2e371048f7313e2b4be60a4ef
IRFR320PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8
IRFR320TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8
IRFR320TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRPBF sihfr320.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBF IRFR420A.pdf
IRFR420APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.16 грн
25+69.45 грн
32+34.51 грн
87+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRLPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420ATRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420ATRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF IRFR420PBF.pdf
IRFR420PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.20 грн
10+68.29 грн
31+35.16 грн
85+33.30 грн
525+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF-BE3 sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420PBF-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF IRFR420PBF.pdf
IRFR420TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.18 грн
10+76.99 грн
37+29.49 грн
102+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420TRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D72036C3E143&compId=IRFR430A.pdf?ci_sign=2b7b6e624d34c62210142d0a6df4a8c690e07619
IRFR430APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.11 грн
10+48.39 грн
34+32.65 грн
75+32.56 грн
92+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBF sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR430ATRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR430ATRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010PBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9010PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRLPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9010TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9010TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91217430092143&compId=IRFx9014.pdf?ci_sign=a6201196e5e614a6a5a297dc8dfa555241b579f4
IRFR9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.13 грн
10+54.09 грн
36+30.60 грн
98+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRLPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9014TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9014TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9014TRPBF-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020PBF description sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9020PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020TRLPBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9020TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020TRPBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9020TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BADF890DA2469&compId=IRFR9024PBF.pdf?ci_sign=2fbdead3996fea997cc8835e3bad9aab291c7be0
IRFR9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.23 грн
10+71.67 грн
31+36.09 грн
84+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF sihfr902.pdf
IRFR9024TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 955 956 957 958 959 960 961 962 963 964 965 1198 1797 2396 2995 3594 4193 4792 5391 5990 5991  [ Наступна Сторінка >> ]