Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (359427) > Сторінка 961 з 5991

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 956 957 958 959 960 961 962 963 964 965 966 1198 1797 2396 2995 3594 4193 4792 5391 5990 5991  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9014PBF IRFR9014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91217430092143&compId=IRFx9014.pdf?ci_sign=a6201196e5e614a6a5a297dc8dfa555241b579f4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.13 грн
10+54.09 грн
36+30.60 грн
98+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRLPBF VISHAY sihfr901.pdf IRFR9014TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF VISHAY sihfr901.pdf IRFR9014TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 VISHAY sihfr901.pdf IRFR9014TRPBF-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020PBF VISHAY sihfr902.pdf description IRFR9020PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020TRLPBF VISHAY sihfr902.pdf IRFR9020TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020TRPBF VISHAY sihfr902.pdf IRFR9020TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF IRFR9024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BADF890DA2469&compId=IRFR9024PBF.pdf?ci_sign=2fbdead3996fea997cc8835e3bad9aab291c7be0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.23 грн
10+71.67 грн
31+36.09 грн
84+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF VISHAY sihfr902.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF VISHAY sihfr902.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91009C0DF70143&compId=IRFR9110.pdf?ci_sign=87c34679c2306ccd4020f72260d5c05793860085 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.11 грн
10+49.26 грн
40+27.35 грн
110+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBF VISHAY sihfr911.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91009C0DF70143&compId=IRFR9110.pdf?ci_sign=87c34679c2306ccd4020f72260d5c05793860085 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBF IRFR9120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F2315E50A143&compId=IRFx9120.pdf?ci_sign=6529dad110010c2953ef84cb2306efff72e7909b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 858 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.14 грн
7+42.69 грн
25+37.11 грн
39+28.37 грн
106+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRLPBF VISHAY sihfr912.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRPBF IRFR9120TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F2315E50A143&compId=IRFx9120.pdf?ci_sign=6529dad110010c2953ef84cb2306efff72e7909b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRRPBF VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210PBF VISHAY sihfr921.pdf IRFR9210PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRLPBF VISHAY sihfr921.pdf IRFR9210TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF VISHAY sihfr921.pdf IRFR9210TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214PBF VISHAY sihfr921.pdf IRFR9214PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRLPBF VISHAY sihfr921.pdf IRFR9214TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRPBF VISHAY sihfr921.pdf IRFR9214TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF IRFR9220PBF VISHAY IRFR9220PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.24 грн
10+62.88 грн
31+35.90 грн
84+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBF VISHAY sihfr922.pdf IRFR9220TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF VISHAY IRFR9220TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.17 грн
10+81.04 грн
33+33.02 грн
91+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBF VISHAY sihfr922.pdf IRFR9220TRRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.23 грн
10+67.33 грн
32+34.60 грн
87+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.14 грн
10+54.87 грн
31+35.81 грн
84+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB66C98720469&compId=IRFRC20PBF.pdf?ci_sign=bda6af96133b0f41b40386cac8e8186c7262f241 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.16 грн
5+63.17 грн
10+55.16 грн
31+35.90 грн
84+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF VISHAY sihfrc20.pdf IRFRC20TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF VISHAY IRFRC20TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.20 грн
10+76.99 грн
34+32.18 грн
93+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3 VISHAY sihfrc20.pdf IRFRC20TRPBF-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRRPBF VISHAY sihfrc20.pdf IRFRC20TRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4416A18130143&compId=IRFS11N50A.pdf?ci_sign=ff5d5f7ae0059c649da486f5e8f9d4f37b91fc8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+296.51 грн
8+142.96 грн
22+130.22 грн
250+128.36 грн
500+125.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+294.51 грн
9+131.37 грн
24+119.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992910C4D40E0C7&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=af0385a689137498bdc05444fff20101cbaeca6f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBF VISHAY sihs9n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B6C121B38BE671BF&compId=IRFSL11N50APBF-dte.pdf?ci_sign=2bb80132b57c7fbaede079be1a5400f12d3c9634 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.44 грн
10+109.76 грн
28+103.25 грн
50+99.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60APBF VISHAY sihsl9n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBF VISHAY sihfr014.pdf IRFU014PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBF VISHAY sihfr024.pdf IRFU024PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBF VISHAY sihfu110.pdf IRFU110PBF THT N channel transistors
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.10 грн
39+28.05 грн
107+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF VISHAY sihfr120.pdf description IRFU120PBF THT N channel transistors
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.35 грн
28+39.61 грн
76+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBF VISHAY sihfr1n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBF VISHAY sihfr210.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBF VISHAY sihfr214.pdf IRFU214PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.10 грн
25+43.27 грн
38+29.49 грн
103+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBF VISHAY sihfr310.pdf IRFU310PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF VISHAY sihfr320.pdf IRFU320PBF THT N channel transistors
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.69 грн
36+30.51 грн
99+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBF IRFU420APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBF VISHAY sihfr420.pdf IRFU420PBF THT N channel transistors
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.15 грн
36+30.70 грн
99+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBF VISHAY sihfr430.pdf description IRFU430APBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBF IRFU9014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91217430092143&compId=IRFx9014.pdf?ci_sign=a6201196e5e614a6a5a297dc8dfa555241b579f4 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.16 грн
10+45.59 грн
39+28.37 грн
106+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9020PBF VISHAY sihfr902.pdf IRFU9020PBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEA267C278469&compId=IRFU9024PBF.pdf?ci_sign=8afab3af225b019e1d8b9238ed3e2d9bd4250c04 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.23 грн
10+65.01 грн
45+24.56 грн
122+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF IRFU9110PBF VISHAY sihfr911.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.10 грн
10+36.90 грн
42+25.95 грн
116+24.56 грн
3000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF VISHAY sihfr912.pdf IRFU9120PBF THT P channel transistors
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.68 грн
38+28.74 грн
105+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBF VISHAY sihfr921.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91217430092143&compId=IRFx9014.pdf?ci_sign=a6201196e5e614a6a5a297dc8dfa555241b579f4
IRFR9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.13 грн
10+54.09 грн
36+30.60 грн
98+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRLPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9014TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9014TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9014TRPBF-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020PBF description sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9020PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020TRLPBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9020TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020TRPBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9020TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BADF890DA2469&compId=IRFR9024PBF.pdf?ci_sign=2fbdead3996fea997cc8835e3bad9aab291c7be0
IRFR9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.23 грн
10+71.67 грн
31+36.09 грн
84+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF sihfr902.pdf
IRFR9024TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91009C0DF70143&compId=IRFR9110.pdf?ci_sign=87c34679c2306ccd4020f72260d5c05793860085
IRFR9110PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.11 грн
10+49.26 грн
40+27.35 грн
110+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBF sihfr911.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91009C0DF70143&compId=IRFR9110.pdf?ci_sign=87c34679c2306ccd4020f72260d5c05793860085
IRFR9110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F2315E50A143&compId=IRFx9120.pdf?ci_sign=6529dad110010c2953ef84cb2306efff72e7909b
IRFR9120PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 858 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.14 грн
7+42.69 грн
25+37.11 грн
39+28.37 грн
106+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRLPBF sihfr912.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F2315E50A143&compId=IRFx9120.pdf?ci_sign=6529dad110010c2953ef84cb2306efff72e7909b
IRFR9120TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210PBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9210PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRLPBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9210TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9210TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214PBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9214PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRLPBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9214TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRPBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9214TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF IRFR9220PBF.pdf
IRFR9220PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.24 грн
10+62.88 грн
31+35.90 грн
84+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBF sihfr922.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9220TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF.pdf
IRFR9220TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+101.17 грн
10+81.04 грн
33+33.02 грн
91+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBF sihfr922.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9220TRRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d
IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.23 грн
10+67.33 грн
32+34.60 грн
87+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d
IRFR9310TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.14 грн
10+54.87 грн
31+35.81 грн
84+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB66C98720469&compId=IRFRC20PBF.pdf?ci_sign=bda6af96133b0f41b40386cac8e8186c7262f241
IRFRC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.16 грн
5+63.17 грн
10+55.16 грн
31+35.90 грн
84+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF sihfrc20.pdf
Виробник: VISHAY
IRFRC20TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF.pdf
IRFRC20TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.20 грн
10+76.99 грн
34+32.18 грн
93+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3 sihfrc20.pdf
Виробник: VISHAY
IRFRC20TRPBF-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: VISHAY
IRFRC20TRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4416A18130143&compId=IRFS11N50A.pdf?ci_sign=ff5d5f7ae0059c649da486f5e8f9d4f37b91fc8f
IRFS11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.51 грн
8+142.96 грн
22+130.22 грн
250+128.36 грн
500+125.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7
IRFS9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.51 грн
9+131.37 грн
24+119.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992910C4D40E0C7&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=af0385a689137498bdc05444fff20101cbaeca6f
IRFS9N60ATRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBF sihs9n60.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B6C121B38BE671BF&compId=IRFSL11N50APBF-dte.pdf?ci_sign=2bb80132b57c7fbaede079be1a5400f12d3c9634
IRFSL11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.44 грн
10+109.76 грн
28+103.25 грн
50+99.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60APBF sihsl9n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBF sihfr014.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU014PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBF sihfr024.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU024PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBF sihfu110.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU110PBF THT N channel transistors
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.10 грн
39+28.05 грн
107+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF description sihfr120.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU120PBF THT N channel transistors
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.35 грн
28+39.61 грн
76+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBF sihfr1n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBF sihfr210.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBF sihfr214.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU214PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.10 грн
25+43.27 грн
38+29.49 грн
103+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBF sihfr310.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU310PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF sihfr320.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU320PBF THT N channel transistors
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.69 грн
36+30.51 грн
99+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3
IRFU420APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU420PBF THT N channel transistors
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.15 грн
36+30.70 грн
99+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBF description sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU430APBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91217430092143&compId=IRFx9014.pdf?ci_sign=a6201196e5e614a6a5a297dc8dfa555241b579f4
IRFU9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.16 грн
10+45.59 грн
39+28.37 грн
106+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9020PBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU9020PBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEA267C278469&compId=IRFU9024PBF.pdf?ci_sign=8afab3af225b019e1d8b9238ed3e2d9bd4250c04
IRFU9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.23 грн
10+65.01 грн
45+24.56 грн
122+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF sihfr911.pdf
IRFU9110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.10 грн
10+36.90 грн
42+25.95 грн
116+24.56 грн
3000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF sihfr912.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU9120PBF THT P channel transistors
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.68 грн
38+28.74 грн
105+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 956 957 958 959 960 961 962 963 964 965 966 1198 1797 2396 2995 3594 4193 4792 5391 5990 5991  [ Наступна Сторінка >> ]