Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (38080) > Сторінка 38 з 635

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 63 126 189 252 315 378 441 504 567 630 635  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
VS-MBRS1100TRPBF VS-MBRS1100TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS190TRPBF_MBRS1100TRPBF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товар відсутній
VS-MBRS130LTRPBF VS-MBRS130LTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRS130LTRPBF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товар відсутній
VS-MBRS130TRPBF VS-MBRS130TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRS130LTRPBF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товар відсутній
VS-MBRS140TRPBF VS-MBRS140TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS140TRPBF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товар відсутній
VS-MBRS190TRPBF VS-MBRS190TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS190TRPBF_MBRS1100TRPBF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 90 V
товар відсутній
VS-MBRS340TRPBF VS-MBRS340TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS340TRPbF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V
товар відсутній
VS-MBRS360TRPBF VS-MBRS360TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS360TRPBF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товар відсутній
1N4001-E3/54 1N4001-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 9611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
18+ 16.83 грн
100+ 8.2 грн
500+ 6.41 грн
1000+ 4.46 грн
2000+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N4002-E3/54 1N4002-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 45860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
26+ 11.77 грн
100+ 5.76 грн
500+ 4.51 грн
1000+ 3.13 грн
2000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
1N4003-E3/54 1N4003-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 13361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
26+ 11.77 грн
100+ 5.76 грн
500+ 4.51 грн
1000+ 3.13 грн
2000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
1N4004-E3/54 1N4004-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 400
на замовлення 81814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
18+ 16.83 грн
100+ 8.2 грн
500+ 6.41 грн
1000+ 4.46 грн
2000+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N4005-E3/54 1N4005-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 367851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
26+ 11.77 грн
100+ 5.76 грн
500+ 4.51 грн
1000+ 3.13 грн
2000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
1N4006-E3/54 1N4006-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 31959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.86 грн
18+ 17.21 грн
100+ 8.39 грн
500+ 6.57 грн
1000+ 4.56 грн
2000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N4007-E3/54 1N4007-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 26401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
18+ 16.83 грн
100+ 8.2 грн
500+ 6.41 грн
1000+ 4.46 грн
2000+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
SB550-E3/54 SB550-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb520.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
10+ 33.96 грн
100+ 23.49 грн
500+ 18.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
SMBG13A-E3/5B SMBG13A-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbg.pdf Description: TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO215AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товар відсутній
SGL41-60-E3/96 SGL41-60-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A GL41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.89 грн
3000+ 20.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
SGL41-60-E3/96 SGL41-60-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+ 46.72 грн
100+ 32.35 грн
500+ 25.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
1N5822-E3/54 1N5822-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5820.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 1400
1N5819-E3/54 1N5819-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5817.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
товар відсутній
SB560-E3/54 SB560-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb520.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 54600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+17.35 грн
2800+ 14.88 грн
7000+ 14.1 грн
9800+ 12.25 грн
35000+ 12.13 грн
Мінімальне замовлення: 1400
1N5817-E3/54 1N5817-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5817.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товар відсутній
1N5822-E3/54 1N5822-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5820.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
13+ 24.91 грн
100+ 17.28 грн
500+ 12.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
1N5819-E3/54 1N5819-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5817.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
на замовлення 11222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+ 18.19 грн
100+ 11.48 грн
500+ 8.05 грн
1000+ 7.16 грн
2000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
SB560-E3/54 SB560-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb520.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 55713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
10+ 33.96 грн
100+ 23.49 грн
500+ 18.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N5817-E3/54 1N5817-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5817.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+ 18.19 грн
100+ 11.48 грн
500+ 8.05 грн
1000+ 7.16 грн
2000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
ES1D-E3/61T ES1D-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+6.88 грн
3600+ 5.93 грн
5400+ 5.8 грн
9000+ 4.82 грн
Мінімальне замовлення: 1800
ES1PD-M3/84A ES1PD-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1pb.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ES2B-E3/52T ES2B-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 17250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+14.1 грн
1500+ 11.04 грн
2250+ 9.87 грн
5250+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 750
ES2D-E3/52T ES2D-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+9.68 грн
1500+ 8.08 грн
Мінімальне замовлення: 750
ES2F-E3/52T ES2F-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2f.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
на замовлення 26250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+14.51 грн
1500+ 11.36 грн
2250+ 10.15 грн
5250+ 9.04 грн
18750+ 8.4 грн
Мінімальне замовлення: 750
ES2G-E3/52T ES2G-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2f.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+9.92 грн
1500+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 750
ES3B-E3/57T ES3B-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+20.12 грн
1700+ 15.75 грн
2550+ 14.08 грн
Мінімальне замовлення: 850
ES3G-E3/57T ES3G-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3f.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+20.12 грн
1700+ 15.75 грн
2550+ 14.08 грн
5950+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 850
ESH1PB-M3/84A ESH1PB-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh1pb.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
ESH1PD-M3/84A ESH1PD-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh1pb.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MURS120-E3/52T MURS120-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs120.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+14.45 грн
1500+ 11.31 грн
2250+ 10.11 грн
5250+ 9 грн
18750+ 8.36 грн
Мінімальне замовлення: 750
MURS160-E3/52T MURS160-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs140.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 23250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+14.63 грн
1500+ 9.58 грн
2250+ 8.82 грн
5250+ 7.93 грн
18750+ 7.14 грн
Мінімальне замовлення: 750
MURS320-E3/57T MURS320-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs320.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 17850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+26.98 грн
1700+ 22.11 грн
2550+ 19.69 грн
5950+ 17.51 грн
Мінімальне замовлення: 850
MURS340-E3/57T MURS340-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs340.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+24.76 грн
1700+ 20.29 грн
Мінімальне замовлення: 850
MURS360-E3/57T MURS360-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs340.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 11050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+24.66 грн
1700+ 20.21 грн
2550+ 18 грн
5950+ 16 грн
Мінімальне замовлення: 850
RS1D-E3/61T RS1D-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+7.14 грн
3600+ 5.78 грн
5400+ 5.53 грн
9000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 1800
RS1J-E3/61T RS1J-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+4.9 грн
3600+ 3.97 грн
5400+ 3.79 грн
9000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 1800
RS2D-E3/52T RS2D-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs2a.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA
товар відсутній
RS2G-E3/52T RS2G-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs2a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+13.31 грн
1500+ 10.42 грн
2250+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 750
RS2J-E3/52T RS2J-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs2a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
RS3B-E3/57T RS3B-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+14.73 грн
1700+ 12.3 грн
Мінімальне замовлення: 850
RS3D-E3/57T RS3D-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
RS3G-E3/57T RS3G-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+25.29 грн
1700+ 18.82 грн
Мінімальне замовлення: 850
RS3J-E3/57T RS3J-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
товар відсутній
S1J-E3/61T S1J-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+5.76 грн
3600+ 5 грн
5400+ 4.35 грн
12600+ 3.47 грн
45000+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 1800
S1M-E3/61T S1M-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 338400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+3.83 грн
3600+ 3.3 грн
5400+ 3.1 грн
9000+ 2.7 грн
12600+ 2.57 грн
18000+ 2.45 грн
45000+ 2.15 грн
90000+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 1800
S1PB-M3/84A S1PB-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1pb.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
S1PD-M3/84A S1PD-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1pb.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товар відсутній
S2G-E3/52T S2G-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2x.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S2J-E3/52T S2J-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2x.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
товар відсутній
S2M-E3/52T S2M-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2x.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+8.96 грн
1500+ 6.71 грн
2250+ 6.01 грн
5250+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 750
S3D-E3/57T S3D-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+15.64 грн
1700+ 10.24 грн
2550+ 9.43 грн
Мінімальне замовлення: 850
S3G-E3/57T S3G-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 12750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+14.34 грн
1700+ 9.39 грн
2550+ 8.65 грн
5950+ 7.78 грн
Мінімальне замовлення: 850
S3M-E3/57T S3M-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf description Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 148750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+11 грн
1700+ 7.46 грн
Мінімальне замовлення: 850
VS-MBRS1100TRPBF VS-MBRS190TRPBF_MBRS1100TRPBF.pdf
VS-MBRS1100TRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товар відсутній
VS-MBRS130LTRPBF MBRS130LTRPBF.pdf
VS-MBRS130LTRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товар відсутній
VS-MBRS130TRPBF MBRS130LTRPBF.pdf
VS-MBRS130TRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
товар відсутній
VS-MBRS140TRPBF VS-MBRS140TRPBF.pdf
VS-MBRS140TRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товар відсутній
VS-MBRS190TRPBF VS-MBRS190TRPBF_MBRS1100TRPBF.pdf
VS-MBRS190TRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 90 V
товар відсутній
VS-MBRS340TRPBF VS-MBRS340TRPbF.pdf
VS-MBRS340TRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V
товар відсутній
VS-MBRS360TRPBF VS-MBRS360TRPBF.pdf
VS-MBRS360TRPBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товар відсутній
1N4001-E3/54 1n4001.pdf
1N4001-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 9611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.08 грн
18+ 16.83 грн
100+ 8.2 грн
500+ 6.41 грн
1000+ 4.46 грн
2000+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N4002-E3/54 1n4001.pdf
1N4002-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 45860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+17.24 грн
26+ 11.77 грн
100+ 5.76 грн
500+ 4.51 грн
1000+ 3.13 грн
2000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
1N4003-E3/54 1n4001.pdf
1N4003-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 13361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+17.24 грн
26+ 11.77 грн
100+ 5.76 грн
500+ 4.51 грн
1000+ 3.13 грн
2000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
1N4004-E3/54 1n4001.pdf
1N4004-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 400
на замовлення 81814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.08 грн
18+ 16.83 грн
100+ 8.2 грн
500+ 6.41 грн
1000+ 4.46 грн
2000+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N4005-E3/54 1n4001.pdf
1N4005-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 367851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+17.24 грн
26+ 11.77 грн
100+ 5.76 грн
500+ 4.51 грн
1000+ 3.13 грн
2000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
1N4006-E3/54 1n4001.pdf
1N4006-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 31959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.86 грн
18+ 17.21 грн
100+ 8.39 грн
500+ 6.57 грн
1000+ 4.56 грн
2000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N4007-E3/54 1n4001.pdf
1N4007-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 26401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.08 грн
18+ 16.83 грн
100+ 8.2 грн
500+ 6.41 грн
1000+ 4.46 грн
2000+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
SB550-E3/54 sb520.pdf
SB550-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.76 грн
10+ 33.96 грн
100+ 23.49 грн
500+ 18.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
SMBG13A-E3/5B smbg.pdf
SMBG13A-E3/5B
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO215AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товар відсутній
SGL41-60-E3/96 bym13.pdf
SGL41-60-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A GL41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+23.89 грн
3000+ 20.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
SGL41-60-E3/96 bym13.pdf
SGL41-60-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.43 грн
10+ 46.72 грн
100+ 32.35 грн
500+ 25.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
1N5822-E3/54 1n5820.pdf
1N5822-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1400+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 1400
1N5819-E3/54 1n5817.pdf
1N5819-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
товар відсутній
SB560-E3/54 sb520.pdf
SB560-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 54600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1400+17.35 грн
2800+ 14.88 грн
7000+ 14.1 грн
9800+ 12.25 грн
35000+ 12.13 грн
Мінімальне замовлення: 1400
1N5817-E3/54 1n5817.pdf
1N5817-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товар відсутній
1N5822-E3/54 1n5820.pdf
1N5822-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.57 грн
13+ 24.91 грн
100+ 17.28 грн
500+ 12.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
1N5819-E3/54 1n5817.pdf
1N5819-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
на замовлення 11222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.35 грн
17+ 18.19 грн
100+ 11.48 грн
500+ 8.05 грн
1000+ 7.16 грн
2000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
SB560-E3/54 sb520.pdf
SB560-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 55713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.76 грн
10+ 33.96 грн
100+ 23.49 грн
500+ 18.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N5817-E3/54 1n5817.pdf
1N5817-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.35 грн
17+ 18.19 грн
100+ 11.48 грн
500+ 8.05 грн
1000+ 7.16 грн
2000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
ES1D-E3/61T es1.pdf
ES1D-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1800+6.88 грн
3600+ 5.93 грн
5400+ 5.8 грн
9000+ 4.82 грн
Мінімальне замовлення: 1800
ES1PD-M3/84A es1pb.pdf
ES1PD-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ES2B-E3/52T es2.pdf
ES2B-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 17250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+14.1 грн
1500+ 11.04 грн
2250+ 9.87 грн
5250+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 750
ES2D-E3/52T es2.pdf
ES2D-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+9.68 грн
1500+ 8.08 грн
Мінімальне замовлення: 750
ES2F-E3/52T es2f.pdf
ES2F-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
на замовлення 26250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+14.51 грн
1500+ 11.36 грн
2250+ 10.15 грн
5250+ 9.04 грн
18750+ 8.4 грн
Мінімальне замовлення: 750
ES2G-E3/52T es2f.pdf
ES2G-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+9.92 грн
1500+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 750
ES3B-E3/57T es3.pdf
ES3B-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
850+20.12 грн
1700+ 15.75 грн
2550+ 14.08 грн
Мінімальне замовлення: 850
ES3G-E3/57T es3f.pdf
ES3G-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
850+20.12 грн
1700+ 15.75 грн
2550+ 14.08 грн
5950+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 850
ESH1PB-M3/84A esh1pb.pdf
ESH1PB-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
ESH1PD-M3/84A esh1pb.pdf
ESH1PD-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MURS120-E3/52T murs120.pdf
MURS120-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+14.45 грн
1500+ 11.31 грн
2250+ 10.11 грн
5250+ 9 грн
18750+ 8.36 грн
Мінімальне замовлення: 750
MURS160-E3/52T murs140.pdf
MURS160-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 23250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+14.63 грн
1500+ 9.58 грн
2250+ 8.82 грн
5250+ 7.93 грн
18750+ 7.14 грн
Мінімальне замовлення: 750
MURS320-E3/57T murs320.pdf
MURS320-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 17850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
850+26.98 грн
1700+ 22.11 грн
2550+ 19.69 грн
5950+ 17.51 грн
Мінімальне замовлення: 850
MURS340-E3/57T murs340.pdf
MURS340-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
850+24.76 грн
1700+ 20.29 грн
Мінімальне замовлення: 850
MURS360-E3/57T murs340.pdf
MURS360-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 11050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
850+24.66 грн
1700+ 20.21 грн
2550+ 18 грн
5950+ 16 грн
Мінімальне замовлення: 850
RS1D-E3/61T rs1a.pdf
RS1D-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1800+7.14 грн
3600+ 5.78 грн
5400+ 5.53 грн
9000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 1800
RS1J-E3/61T rs1a.pdf
RS1J-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1800+4.9 грн
3600+ 3.97 грн
5400+ 3.79 грн
9000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 1800
RS2D-E3/52T rs2a.pdf
RS2D-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA
товар відсутній
RS2G-E3/52T rs2a.pdf
RS2G-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+13.31 грн
1500+ 10.42 грн
2250+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 750
RS2J-E3/52T rs2a.pdf
RS2J-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
RS3B-E3/57T rs3a.pdf
RS3B-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
850+14.73 грн
1700+ 12.3 грн
Мінімальне замовлення: 850
RS3D-E3/57T rs3a.pdf
RS3D-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
RS3G-E3/57T rs3a.pdf
RS3G-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
850+25.29 грн
1700+ 18.82 грн
Мінімальне замовлення: 850
RS3J-E3/57T rs3a.pdf
RS3J-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
товар відсутній
S1J-E3/61T s1.pdf
S1J-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1800+5.76 грн
3600+ 5 грн
5400+ 4.35 грн
12600+ 3.47 грн
45000+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 1800
S1M-E3/61T s1.pdf
S1M-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 338400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1800+3.83 грн
3600+ 3.3 грн
5400+ 3.1 грн
9000+ 2.7 грн
12600+ 2.57 грн
18000+ 2.45 грн
45000+ 2.15 грн
90000+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 1800
S1PB-M3/84A s1pb.pdf
S1PB-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
S1PD-M3/84A s1pb.pdf
S1PD-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товар відсутній
S2G-E3/52T S2x.pdf
S2G-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S2J-E3/52T S2x.pdf
S2J-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
товар відсутній
S2M-E3/52T S2x.pdf
S2M-E3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+8.96 грн
1500+ 6.71 грн
2250+ 6.01 грн
5250+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 750
S3D-E3/57T s3a.pdf
S3D-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
850+15.64 грн
1700+ 10.24 грн
2550+ 9.43 грн
Мінімальне замовлення: 850
S3G-E3/57T s3a.pdf
S3G-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 12750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
850+14.34 грн
1700+ 9.39 грн
2550+ 8.65 грн
5950+ 7.78 грн
Мінімальне замовлення: 850
S3M-E3/57T description s3a.pdf
S3M-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 148750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
850+11 грн
1700+ 7.46 грн
Мінімальне замовлення: 850
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 63 126 189 252 315 378 441 504 567 630 635  [ Наступна Сторінка >> ]