Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40689) > Сторінка 459 з 679

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 454 455 456 457 458 459 460 461 462 463 464 469 536 603 670 679  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BZX384C11-E3-08 BZX384C11-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384.pdf Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200AHE3_A/H 1.5SMC200AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 274VC SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200CAHE3_A/H 1.5SMC200CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 274VC SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200CAHM3_A/H 1.5SMC200CAHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 274VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C12-HM3-08 BZG03C12-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5.42%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.30 грн
3000+12.50 грн
4500+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C12-HM3-08 BZG03C12-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5.42%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.59 грн
12+30.19 грн
100+20.56 грн
500+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200AHE3_A/I 1.5SMC200AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 274VC SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200AHM3_A/H 1.5SMC200AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 274VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200AHM3/H 1.5SMC200AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 274VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200AHM3/I 1.5SMC200AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 274VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V1P6-M3/H V1P6-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
V1P6-M3/H V1P6-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v1p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 43089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.64 грн
19+18.46 грн
100+8.99 грн
500+7.04 грн
1000+4.89 грн
2000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-HE3-08 BZX384B5V6-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.51 грн
6000+3.03 грн
9000+2.84 грн
15000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-HE3-08 BZX384B5V6-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+18.14 грн
27+12.64 грн
100+8.06 грн
500+4.69 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-HE3-18 BZX384B5V6-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-HE3-18 BZX384B5V6-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+12.09 грн
44+7.65 грн
100+3.35 грн
500+2.94 грн
1000+2.68 грн
2000+2.64 грн
5000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-E3-08 BZX384B5V6-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PdfFile_148489.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-E3-08 BZX384B5V6-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PdfFile_148489.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 6736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.50 грн
49+6.82 грн
102+3.28 грн
500+2.94 грн
1000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-E3-18 BZX384B5V6-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PdfFile_148489.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-E3-18 BZX384B5V6-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PdfFile_148489.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.23 грн
44+7.57 грн
103+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B7V5-HE3-08 BZT52B7V5-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B7V5-HE3-08 BZT52B7V5-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6385HE3_A/D 1N6385HE3_A/D Vishay General Semiconductor - Diodes Division icte.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 21.4VC 1.5KE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6385HE3_A/C 1N6385HE3_A/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division icte.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 21.4VC 1.5KE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6385HE3/51 1N6385HE3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ICTE5-18C,_1N6373-86_Sep.22.16.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 21.4VC 1.5KE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B6V2P-M3-08 BZD27B6V2P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.34 грн
6000+7.28 грн
9000+6.90 грн
15000+6.16 грн
21000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B6V2P-M3-08 BZD27B6V2P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
на замовлення 24336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.64 грн
19+17.88 грн
100+9.33 грн
500+8.35 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C36P-HE3-08 BZD27C36P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.06 грн
6000+10.11 грн
9000+9.39 грн
30000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C36P-HE3-08 BZD27C36P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.82 грн
13+27.03 грн
100+18.78 грн
500+13.76 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6TQ045S-M3 VS-6TQ045S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6tqs-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 45 V
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.81 грн
50+69.52 грн
100+55.09 грн
500+43.82 грн
1000+35.70 грн
2000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-90APS08L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-90epsl-m3.pdf Description: RECTIFIER DIODE 90A 800V TO-247A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF33A-HE3-08 SMF33A-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smf5v0atosmf58a.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 198pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.92 грн
6000+6.92 грн
9000+6.57 грн
15000+5.78 грн
21000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMF33A-HE3-08 SMF33A-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smf5v0atosmf58a.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 198pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.41 грн
15+23.45 грн
100+13.49 грн
500+9.84 грн
1000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B3V0-E3-08 BZX84B3V0-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 3V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.79 грн
6000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B3V0-E3-08 BZX84B3V0-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 3V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
на замовлення 14241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.73 грн
21+16.55 грн
100+8.79 грн
500+5.43 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC47-GS18 TZMC47-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 110 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 36 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC47-GS18 TZMC47-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 110 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 36 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+16.41 грн
35+9.65 грн
100+6.00 грн
500+4.11 грн
1000+3.61 грн
2000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY56-GS08 ZMY56-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zmy3v9.pdf Description: DIODE ZENER 56V 1W DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.57 грн
3000+8.48 грн
7500+8.13 грн
10500+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY56-GS08 ZMY56-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zmy3v9.pdf Description: DIODE ZENER 56V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.95 грн
14+24.45 грн
100+14.64 грн
500+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
5KP13A-E3/54 5KP13A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 13VWM 21.5VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 233A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5KP13A-E3/54 5KP13A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 13VWM 21.5VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 233A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.49 грн
10+139.88 грн
100+101.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E4PU6006L-N3 VS-E4PU6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e4pu6006l-n3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.67 грн
25+117.29 грн
100+96.92 грн
500+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E4PU6006LHN3 VS-E4PU6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e4pu6006lhn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGP31B-E3/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp31abcdfg.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 117pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS2H10HE3_A/H SS2H10HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2h9.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+17.06 грн
1500+13.35 грн
2250+11.94 грн
5250+10.63 грн
18750+9.87 грн
37500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SS2H10HE3_A/H SS2H10HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2h9.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 58538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+37.13 грн
11+30.27 грн
100+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SS3H10HE3_B/H SS3H10HE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3h9.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+21.71 грн
1700+19.20 грн
2550+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
SS3H10HE3_B/H SS3H10HE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3h9.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.04 грн
10+41.17 грн
100+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZPY5V1-TAP ZPY5V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division zpy3v9.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 1.3W DO41
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8TQ080S-M3 VS-8TQ080S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8tqs-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.54 грн
50+65.76 грн
100+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8TQ080STRL-M3 VS-8TQ080STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8tqs-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 8
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8TQ080STRR-M3 VS-8TQ080STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8tqs-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 8
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3J/89A MSE1PJHM3J/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+41.30 грн
9000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3J/89A MSE1PJHM3J/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 26335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.18 грн
10+78.67 грн
100+61.18 грн
500+48.67 грн
1000+39.65 грн
2000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B12P-M3-08 BZD27B12P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.34 грн
6000+7.28 грн
9000+6.90 грн
15000+6.16 грн
21000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B12P-M3-08 BZD27B12P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
на замовлення 29296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.64 грн
19+17.88 грн
100+9.33 грн
500+8.35 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-G3-08 BAS16L-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16l.pdf Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.41 грн
20000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-G3-08 BAS16L-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16l.pdf Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 21298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.95 грн
45+7.48 грн
100+6.84 грн
500+4.71 грн
1000+3.82 грн
2000+3.64 грн
5000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-HG3-08 BAS16L-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16l.pdf Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-HG3-08 BAS16L-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16l.pdf Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.95 грн
38+8.82 грн
100+7.22 грн
500+4.98 грн
1000+4.30 грн
2000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C11-E3-08 bzx384.pdf
BZX384C11-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200AHE3_A/H 15smc.pdf
1.5SMC200AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 171VWM 274VC SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200CAHE3_A/H 15smc.pdf
1.5SMC200CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 171VWM 274VC SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200CAHM3_A/H 15smc.pdf
1.5SMC200CAHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 171VWM 274VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C12-HM3-08 bzg03c-m-series.pdf
BZG03C12-HM3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5.42%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+16.30 грн
3000+12.50 грн
4500+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C12-HM3-08 bzg03c-m-series.pdf
BZG03C12-HM3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5.42%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.59 грн
12+30.19 грн
100+20.56 грн
500+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200AHE3_A/I 15smc.pdf
1.5SMC200AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 171VWM 274VC SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200AHM3_A/H 15smc.pdf
1.5SMC200AHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 171VWM 274VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200AHM3/H 15smc.pdf
1.5SMC200AHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 171VWM 274VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC200AHM3/I 15smc.pdf
1.5SMC200AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 171VWM 274VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 171V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 190V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 274V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V1P6-M3/H v1p6.pdf
V1P6-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
V1P6-M3/H v1p6.pdf
V1P6-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 43089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.64 грн
19+18.46 грн
100+8.99 грн
500+7.04 грн
1000+4.89 грн
2000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-HE3-08
BZX384B5V6-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.51 грн
6000+3.03 грн
9000+2.84 грн
15000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-HE3-08
BZX384B5V6-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.14 грн
27+12.64 грн
100+8.06 грн
500+4.69 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-HE3-18
BZX384B5V6-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-HE3-18
BZX384B5V6-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.09 грн
44+7.65 грн
100+3.35 грн
500+2.94 грн
1000+2.68 грн
2000+2.64 грн
5000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-E3-08 PdfFile_148489.pdf
BZX384B5V6-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-E3-08 PdfFile_148489.pdf
BZX384B5V6-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 6736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.50 грн
49+6.82 грн
102+3.28 грн
500+2.94 грн
1000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-E3-18 PdfFile_148489.pdf
BZX384B5V6-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B5V6-E3-18 PdfFile_148489.pdf
BZX384B5V6-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.23 грн
44+7.57 грн
103+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B7V5-HE3-08 bzt52.pdf
BZT52B7V5-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 7.5V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B7V5-HE3-08 bzt52.pdf
BZT52B7V5-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 7.5V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6385HE3_A/D icte.pdf
1N6385HE3_A/D
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15VWM 21.4VC 1.5KE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6385HE3_A/C icte.pdf
1N6385HE3_A/C
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15VWM 21.4VC 1.5KE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6385HE3/51 ICTE5-18C,_1N6373-86_Sep.22.16.pdf
1N6385HE3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15VWM 21.4VC 1.5KE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B6V2P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B6V2P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.34 грн
6000+7.28 грн
9000+6.90 грн
15000+6.16 грн
21000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B6V2P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B6V2P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
на замовлення 24336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.64 грн
19+17.88 грн
100+9.33 грн
500+8.35 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C36P-HE3-08 bzd27series.pdf
BZD27C36P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.06 грн
6000+10.11 грн
9000+9.39 грн
30000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C36P-HE3-08 bzd27series.pdf
BZD27C36P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.82 грн
13+27.03 грн
100+18.78 грн
500+13.76 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6TQ045S-M3 vs-6tqs-m3.pdf
VS-6TQ045S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 45 V
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.81 грн
50+69.52 грн
100+55.09 грн
500+43.82 грн
1000+35.70 грн
2000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-90APS08L-M3 vs-90epsl-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: RECTIFIER DIODE 90A 800V TO-247A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF33A-HE3-08 smf5v0atosmf58a.pdf
SMF33A-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 198pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.92 грн
6000+6.92 грн
9000+6.57 грн
15000+5.78 грн
21000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMF33A-HE3-08 smf5v0atosmf58a.pdf
SMF33A-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 198pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.41 грн
15+23.45 грн
100+13.49 грн
500+9.84 грн
1000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B3V0-E3-08 bzx84_series.pdf
BZX84B3V0-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.79 грн
6000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B3V0-E3-08 bzx84_series.pdf
BZX84B3V0-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
на замовлення 14241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.73 грн
21+16.55 грн
100+8.79 грн
500+5.43 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC47-GS18 tzm.pdf
TZMC47-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 110 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 36 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC47-GS18 tzm.pdf
TZMC47-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 110 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 36 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.41 грн
35+9.65 грн
100+6.00 грн
500+4.11 грн
1000+3.61 грн
2000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY56-GS08 zmy3v9.pdf
ZMY56-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 56V 1W DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+9.57 грн
3000+8.48 грн
7500+8.13 грн
10500+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY56-GS08 zmy3v9.pdf
ZMY56-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 56V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 42 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.95 грн
14+24.45 грн
100+14.64 грн
500+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
5KP13A-E3/54 5kp8_5a.pdf
5KP13A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 13VWM 21.5VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 233A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5KP13A-E3/54 5kp8_5a.pdf
5KP13A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 13VWM 21.5VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 233A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.49 грн
10+139.88 грн
100+101.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E4PU6006L-N3 vs-e4pu6006l-n3.pdf
VS-E4PU6006L-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.67 грн
25+117.29 грн
100+96.92 грн
500+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E4PU6006LHN3 vs-e4pu6006lhn3.pdf
VS-E4PU6006LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGP31B-E3/C egp31abcdfg.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 117pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS2H10HE3_A/H ss2h9.pdf
SS2H10HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+17.06 грн
1500+13.35 грн
2250+11.94 грн
5250+10.63 грн
18750+9.87 грн
37500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SS2H10HE3_A/H ss2h9.pdf
SS2H10HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 58538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.13 грн
11+30.27 грн
100+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SS3H10HE3_B/H ss3h9.pdf
SS3H10HE3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+21.71 грн
1700+19.20 грн
2550+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
SS3H10HE3_B/H ss3h9.pdf
SS3H10HE3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.04 грн
10+41.17 грн
100+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZPY5V1-TAP zpy3v9.pdf
ZPY5V1-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.3W DO41
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8TQ080S-M3 vs-8tqs-m3.pdf
VS-8TQ080S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.54 грн
50+65.76 грн
100+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8TQ080STRL-M3 vs-8tqs-m3.pdf
VS-8TQ080STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 8
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8TQ080STRR-M3 vs-8tqs-m3.pdf
VS-8TQ080STRR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 8
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3J/89A mse1pj.pdf
MSE1PJHM3J/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+41.30 грн
9000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3J/89A mse1pj.pdf
MSE1PJHM3J/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 26335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.18 грн
10+78.67 грн
100+61.18 грн
500+48.67 грн
1000+39.65 грн
2000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B12P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B12P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.34 грн
6000+7.28 грн
9000+6.90 грн
15000+6.16 грн
21000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B12P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B12P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
на замовлення 29296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.64 грн
19+17.88 грн
100+9.33 грн
500+8.35 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-G3-08 bas16l.pdf
BAS16L-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.41 грн
20000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-G3-08 bas16l.pdf
BAS16L-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 21298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.95 грн
45+7.48 грн
100+6.84 грн
500+4.71 грн
1000+3.82 грн
2000+3.64 грн
5000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-HG3-08 bas16l.pdf
BAS16L-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-HG3-08 bas16l.pdf
BAS16L-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.95 грн
38+8.82 грн
100+7.22 грн
500+4.98 грн
1000+4.30 грн
2000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 454 455 456 457 458 459 460 461 462 463 464 469 536 603 670 679  Наступна Сторінка >> ]