Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (36382) > Сторінка 63 з 607

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 120 180 240 300 360 420 480 540 600 607  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BZW04P48BHE3/73 BZW04P48BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW04P-5V8_thru_376.pdf Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P53-E3/73 BZW04P53-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW04P-5V8_thru_376.pdf Description: TVS DIODE 53VWM 85VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P53B-E3/73 BZW04P53B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW04P-5V8_thru_376.pdf Description: TVS DIODE 53VWM 85VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P58B-E3/73 BZW04P58B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW04P-5V8_thru_376.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P5V8-E3/73 BZW04P5V8-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW04P-5V8_thru_376.pdf Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P5V8B-E3/73 BZW04P5V8B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW04P-5V8_thru_376.pdf Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P5V8BHE3/73 BZW04P5V8BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW04P-5V8_thru_376.pdf Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P64B-E3/73 BZW04P64B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW04P-5V8_thru_376.pdf Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P85HE3/73 BZW04P85HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW04P-5V8_thru_376.pdf Description: TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P8V5BHE3/73 BZW04P8V5BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW04P-5V8_thru_376.pdf Description: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P9V4HE3/73 BZW04P9V4HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW04P-5V8_thru_376.pdf Description: TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC DO204AL
товар відсутній
DGP15-E3/73 DGP15-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division cgp15.pdf Description: DIODE GP 1.5KV 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
EGP10A-E3/73 EGP10A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
товар відсутній
EGP10AHE3/73 EGP10AHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
товар відсутній
EGP10B-E3/73 EGP10B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
товар відсутній
EGP10BHE3/73 EGP10BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
товар відсутній
EGP10F-E3/73 EGP10F-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL
товар відсутній
EGP10FHE3/73 EGP10FHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL
товар відсутній
EGP10G-E3/73 EGP10G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
EGP10GHE3/73 EGP10GHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
EGP20B-E3/73 EGP20B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp20a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EGP20BHE3/73 EGP20BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp20a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC
товар відсутній
EGP20C-E3/73 EGP20C-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp20a.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC
товар відсутній
EGP20CHE3/73 EGP20CHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp20a.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC
товар відсутній
EGP20D-E3/73 EGP20D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp20a.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.56 грн
6000+ 22.52 грн
10000+ 21.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EGP20DHE3/73 EGP20DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp20a.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
товар відсутній
EGP20G-E3/73 EGP20G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp20a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
EGP20GHE3/73 EGP20GHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp20a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
EGP30B-E3/73 EGP30B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30x.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A GP20
товар відсутній
EGP30BHE3/73 EGP30BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30x.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A GP20
товар відсутній
EGP30C-E3/73 EGP30C-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30x.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 3A GP20
товар відсутній
EGP30CHE3/73 EGP30CHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30x.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 3A GP20
товар відсутній
EGP30D-E3/73 EGP30D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30x.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A GP20
товар відсутній
EGP30DHE3/73 EGP30DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30x.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A GP20
товар відсутній
EGP30F-E3/73 EGP30F-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30x.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A GP20
товар відсутній
EGP30FHE3/73 EGP30FHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30x.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A GP20
товар відсутній
EGP30G-E3/73 EGP30G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30x.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A GP20
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: GP20
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
EGP30GHE3/73 EGP30GHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30x.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A GP20
товар відсутній
EGP50A-E3/73 EGP50A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-G.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 5A GP20
товар відсутній
EGP50AHE3/73 EGP50AHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-G.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 5A GP20
товар відсутній
EGP50B-E3/73 EGP50B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-G.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
товар відсутній
EGP50BHE3/73 EGP50BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-G.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
товар відсутній
EGP50C-E3/73 EGP50C-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-G.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
товар відсутній
EGP50CHE3/73 EGP50CHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-G.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
товар відсутній
EGP50D-E3/73 EGP50D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-G.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
товар відсутній
EGP50DHE3/73 EGP50DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-G.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
товар відсутній
EGP50F-E3/73 EGP50F-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-G.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 5A GP20
товар відсутній
EGP50FHE3/73 EGP50FHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-G.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 5A GP20
товар відсутній
EGP50G-E3/73 EGP50G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-G.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 5A GP20
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: GP20
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
EGP50GHE3/73 EGP50GHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-G.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 5A GP20
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: GP20
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
FGP50B-E3/73 FGP50B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50B,C,D.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
товар відсутній
FGP50BHE3/73 FGP50BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50B,C,D.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
товар відсутній
FGP50C-E3/73 FGP50C-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50B,C,D.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
товар відсутній
FGP50CHE3/73 FGP50CHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50B,C,D.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
товар відсутній
FGP50D-E3/73 FGP50D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50B,C,D.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
товар відсутній
FGP50DHE3/73 FGP50DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50B,C,D.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
товар відсутній
GHR16-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GHR16.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA R1
товар відсутній
GI750-E3/73 GI750-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gi750.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 6A P600
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+41.05 грн
600+ 33.83 грн
1500+ 27.56 грн
Мінімальне замовлення: 300
GI752-E3/73 GI752-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gi750.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 6A P600
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GI756-E3/73 GI756-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gi750.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+58.37 грн
600+ 49.67 грн
1500+ 40.7 грн
Мінімальне замовлення: 300
BZW04P48BHE3/73 BZW04P-5V8_thru_376.pdf
BZW04P48BHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P53-E3/73 BZW04P-5V8_thru_376.pdf
BZW04P53-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 53VWM 85VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P53B-E3/73 BZW04P-5V8_thru_376.pdf
BZW04P53B-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 53VWM 85VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P58B-E3/73 BZW04P-5V8_thru_376.pdf
BZW04P58B-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P5V8-E3/73 BZW04P-5V8_thru_376.pdf
BZW04P5V8-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P5V8B-E3/73 BZW04P-5V8_thru_376.pdf
BZW04P5V8B-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P5V8BHE3/73 BZW04P-5V8_thru_376.pdf
BZW04P5V8BHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P64B-E3/73 BZW04P-5V8_thru_376.pdf
BZW04P64B-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P85HE3/73 BZW04P-5V8_thru_376.pdf
BZW04P85HE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P8V5BHE3/73 BZW04P-5V8_thru_376.pdf
BZW04P8V5BHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO204AL
товар відсутній
BZW04P9V4HE3/73 BZW04P-5V8_thru_376.pdf
BZW04P9V4HE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC DO204AL
товар відсутній
DGP15-E3/73 cgp15.pdf
DGP15-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 1.5KV 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
EGP10A-E3/73 egp10a.pdf
EGP10A-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
товар відсутній
EGP10AHE3/73 egp10a.pdf
EGP10AHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
товар відсутній
EGP10B-E3/73 egp10a.pdf
EGP10B-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
товар відсутній
EGP10BHE3/73 egp10a.pdf
EGP10BHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
товар відсутній
EGP10F-E3/73 egp10a.pdf
EGP10F-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL
товар відсутній
EGP10FHE3/73 egp10a.pdf
EGP10FHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL
товар відсутній
EGP10G-E3/73 egp10a.pdf
EGP10G-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
EGP10GHE3/73 egp10a.pdf
EGP10GHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
EGP20B-E3/73 egp20a.pdf
EGP20B-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EGP20BHE3/73 egp20a.pdf
EGP20BHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC
товар відсутній
EGP20C-E3/73 egp20a.pdf
EGP20C-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC
товар відсутній
EGP20CHE3/73 egp20a.pdf
EGP20CHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC
товар відсутній
EGP20D-E3/73 egp20a.pdf
EGP20D-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+24.56 грн
6000+ 22.52 грн
10000+ 21.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EGP20DHE3/73 egp20a.pdf
EGP20DHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
товар відсутній
EGP20G-E3/73 egp20a.pdf
EGP20G-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
EGP20GHE3/73 egp20a.pdf
EGP20GHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
EGP30B-E3/73 EGP30x.pdf
EGP30B-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A GP20
товар відсутній
EGP30BHE3/73 EGP30x.pdf
EGP30BHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A GP20
товар відсутній
EGP30C-E3/73 EGP30x.pdf
EGP30C-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A GP20
товар відсутній
EGP30CHE3/73 EGP30x.pdf
EGP30CHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A GP20
товар відсутній
EGP30D-E3/73 EGP30x.pdf
EGP30D-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A GP20
товар відсутній
EGP30DHE3/73 EGP30x.pdf
EGP30DHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A GP20
товар відсутній
EGP30F-E3/73 EGP30x.pdf
EGP30F-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A GP20
товар відсутній
EGP30FHE3/73 EGP30x.pdf
EGP30FHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A GP20
товар відсутній
EGP30G-E3/73 EGP30x.pdf
EGP30G-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A GP20
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: GP20
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
EGP30GHE3/73 EGP30x.pdf
EGP30GHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A GP20
товар відсутній
EGP50A-E3/73 EGP50A-G.pdf
EGP50A-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 5A GP20
товар відсутній
EGP50AHE3/73 EGP50A-G.pdf
EGP50AHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 5A GP20
товар відсутній
EGP50B-E3/73 EGP50A-G.pdf
EGP50B-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
товар відсутній
EGP50BHE3/73 EGP50A-G.pdf
EGP50BHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
товар відсутній
EGP50C-E3/73 EGP50A-G.pdf
EGP50C-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
товар відсутній
EGP50CHE3/73 EGP50A-G.pdf
EGP50CHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
товар відсутній
EGP50D-E3/73 EGP50A-G.pdf
EGP50D-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
товар відсутній
EGP50DHE3/73 EGP50A-G.pdf
EGP50DHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
товар відсутній
EGP50F-E3/73 EGP50A-G.pdf
EGP50F-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 5A GP20
товар відсутній
EGP50FHE3/73 EGP50A-G.pdf
EGP50FHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 5A GP20
товар відсутній
EGP50G-E3/73 EGP50A-G.pdf
EGP50G-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 5A GP20
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: GP20
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
EGP50GHE3/73 EGP50A-G.pdf
EGP50GHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 5A GP20
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: GP20
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
FGP50B-E3/73 FGP50B,C,D.pdf
FGP50B-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
товар відсутній
FGP50BHE3/73 FGP50B,C,D.pdf
FGP50BHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
товар відсутній
FGP50C-E3/73 FGP50B,C,D.pdf
FGP50C-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
товар відсутній
FGP50CHE3/73 FGP50B,C,D.pdf
FGP50CHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
товар відсутній
FGP50D-E3/73 FGP50B,C,D.pdf
FGP50D-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
товар відсутній
FGP50DHE3/73 FGP50B,C,D.pdf
FGP50DHE3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
товар відсутній
GHR16-E3/73 GHR16.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA R1
товар відсутній
GI750-E3/73 gi750.pdf
GI750-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 6A P600
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+41.05 грн
600+ 33.83 грн
1500+ 27.56 грн
Мінімальне замовлення: 300
GI752-E3/73 gi750.pdf
GI752-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 6A P600
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GI756-E3/73 gi750.pdf
GI756-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+58.37 грн
600+ 49.67 грн
1500+ 40.7 грн
Мінімальне замовлення: 300
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 120 180 240 300 360 420 480 540 600 607  [ Наступна Сторінка >> ]