Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349130) > Сторінка 1147 з 5819

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 581 1142 1143 1144 1145 1146 1147 1148 1149 1150 1151 1152 1162 1743 2324 2905 3486 4067 4648 5229 5810 5819  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMM02040D9311BB300 VISHAY SMM02040D9311BB300 SMD resistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMM02040D9539BB300 VISHAY SMM02040D9539BB300 SMD resistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMM02040D9761BB300 VISHAY SMM02040D9761BB300 SMD resistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMM02040DYYYYBB30Z VISHAY SMM02040DYYYYBB30Z SMD resistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMM02040DYYYYBB31A VISHAY SMM02040DYYYYBB31A SMD resistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMM02070C5102FBP00 VISHAY SMM02070C5102FBP00 SMD resistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMP24A-M3/84A VISHAY smp3v3.pdf SMP24A-M3/84A Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACCTRITOB308-T000 ACCTRITOB308-T000 VISHAY spe-8.pdf Category: Trimmer adjustment tools
Description: Tool: for potentiometers adjustment
Type of tool: for potentiometers adjustment
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+773.46 грн
3+499.45 грн
7+454.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3 SQ1421EDH-T1_GE3 VISHAY SQ1421EDH.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1A; 0.5W; SC70-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.64 грн
12+25.98 грн
50+21.06 грн
70+15.36 грн
193+14.53 грн
1000+14.07 грн
3000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3 VISHAY sq1431eh.pdf SQ1431EH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3 VISHAY sq1470aeh.pdf SQ1470AEH-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.32 грн
61+17.84 грн
166+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 VISHAY sq1539eh.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 850/-850mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 850/-850mA
Power dissipation: 1.5W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.6/1.4nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.68 грн
15+19.67 грн
68+16.00 грн
186+15.08 грн
500+14.53 грн
1000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 SQ2301ES-T1_GE3 VISHAY SQ2301ES.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.55 грн
10+36.58 грн
20+32.46 грн
25+31.45 грн
62+17.75 грн
171+16.74 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3 SQ2303ES-T1_GE3 VISHAY sq2303es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY sq2308ces.pdf SQ2308CES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.22 грн
42+26.21 грн
114+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3 VISHAY sq2309es.pdf SQ2309ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3 VISHAY sq2310es.pdf SQ2310ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.03 грн
36+30.07 грн
99+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3 VISHAY sq2315es.pdf SQ2315ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.10 грн
51+21.43 грн
138+20.32 грн
3000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3 VISHAY sq2318aes.pdf SQ2318AES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.99 грн
56+19.59 грн
152+18.48 грн
3000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 VISHAY SQ2319ADS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 676 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.49 грн
10+41.73 грн
44+25.38 грн
120+24.00 грн
500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 VISHAY sq2325es.pdf SQ2325ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.18 грн
47+23.17 грн
128+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3 SQ2337ES-T1_GE3 VISHAY SQ2337ES.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.36 грн
10+50.23 грн
41+26.39 грн
112+24.92 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3 VISHAY sq2351es.pdf SQ2351ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.15 грн
58+18.82 грн
158+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 SQ2361AEES-T1_GE3 VISHAY sq2361aees.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.67W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3 SQ2361ES-T1_GE3 VISHAY sq2361es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 0.67W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 VISHAY sq2362es.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 147mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.43 грн
10+37.91 грн
50+31.36 грн
56+19.59 грн
154+18.48 грн
1000+18.02 грн
1500+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.35 грн
7+46.41 грн
39+28.78 грн
106+27.22 грн
250+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 VISHAY sq2389es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 169mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.53 грн
10+38.29 грн
45+24.00 грн
124+22.71 грн
1000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 VISHAY sq2398es.pdf SQ2398ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3 VISHAY sq3419ev.pdf SQ3419EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 VISHAY sq3426eev.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3 VISHAY sq3426ev.pdf SQ3426EV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.25 грн
31+35.68 грн
83+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427AEEV-T1_GE3 SQ3427AEEV-T1_GE3 VISHAY sq3427aeev.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427EV-T1_GE3 SQ3427EV-T1_GE3 VISHAY sq3427ev.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.32 грн
7+44.12 грн
25+38.26 грн
37+30.44 грн
100+28.78 грн
3000+28.23 грн
12000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_BE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -27A
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 VISHAY sq3457ev.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -27A
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3461EV-T1_GE3 VISHAY sq3461ev.pdf SQ3461EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3481EV-T1_BE3 VISHAY SQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3493EV-T1_GE3 VISHAY sq3493ev.pdf SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4050EY-T1_GE3 VISHAY SQ4050EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3 VISHAY sq4153ey.pdf SQ4153EY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.35 грн
11+103.00 грн
29+97.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_BE3 VISHAY Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_GE3 SQ4284EY-T1_GE3 VISHAY SQ4284EY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_GE3 VISHAY sq4850ey.pdf SQ4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 VISHAY SQ4940AEY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.3A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.21 грн
5+69.90 грн
20+56.10 грн
53+53.34 грн
500+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1-GE3 VISHAY SQ4961EY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3 VISHAY sq7414cenw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 VISHAY sq9945bey.pdf SQ9945BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.55 грн
23+46.90 грн
63+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EEJ-T1_GE3 VISHAY SQA401EEJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa405cejw.pdf SQA405CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA411CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa411cejw.pdf SQA411CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa413cejw.pdf SQA413CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA470EEJ-T1_GE3 VISHAY sqa470eej.pdf SQA470EEJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6L-GE3 VISHAY SQD100N04-3M6L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD19P06-60L_GE3 VISHAY sqd19p06.pdf SQD19P06-60L-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.70 грн
20+56.10 грн
53+52.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD25N15-52_GE3 SQD25N15-52_GE3 VISHAY SQD25N15-52.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 107W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD30N05-20L_GE3 VISHAY sqd30n05-20l.pdf SQD30N05-20L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40031EL_GE3 SQD40031EL_GE3 VISHAY SQD40031EL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -94A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.31 грн
5+124.15 грн
10+107.59 грн
13+83.68 грн
36+79.09 грн
100+78.17 грн
500+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40052EL_GE3 VISHAY sqd40052el.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 62W
Case: TO252
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12_GE3 VISHAY sqd45p03.pdf SQD45P03-12-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMM02040D9311BB300
Виробник: VISHAY
SMM02040D9311BB300 SMD resistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMM02040D9539BB300
Виробник: VISHAY
SMM02040D9539BB300 SMD resistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMM02040D9761BB300
Виробник: VISHAY
SMM02040D9761BB300 SMD resistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMM02040DYYYYBB30Z
Виробник: VISHAY
SMM02040DYYYYBB30Z SMD resistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMM02040DYYYYBB31A
Виробник: VISHAY
SMM02040DYYYYBB31A SMD resistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMM02070C5102FBP00
Виробник: VISHAY
SMM02070C5102FBP00 SMD resistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMP24A-M3/84A smp3v3.pdf
Виробник: VISHAY
SMP24A-M3/84A Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACCTRITOB308-T000 spe-8.pdf
ACCTRITOB308-T000
Виробник: VISHAY
Category: Trimmer adjustment tools
Description: Tool: for potentiometers adjustment
Type of tool: for potentiometers adjustment
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+773.46 грн
3+499.45 грн
7+454.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3 SQ1421EDH.pdf
SQ1421EDH-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1A; 0.5W; SC70-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.64 грн
12+25.98 грн
50+21.06 грн
70+15.36 грн
193+14.53 грн
1000+14.07 грн
3000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3 sq1431eh.pdf
Виробник: VISHAY
SQ1431EH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3 sq1470aeh.pdf
Виробник: VISHAY
SQ1470AEH-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.32 грн
61+17.84 грн
166+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3 sq1539eh.pdf
SQ1539EH-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 850/-850mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 850/-850mA
Power dissipation: 1.5W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.6/1.4nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.68 грн
15+19.67 грн
68+16.00 грн
186+15.08 грн
500+14.53 грн
1000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 SQ2301ES.pdf
SQ2301ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
10+36.58 грн
20+32.46 грн
25+31.45 грн
62+17.75 грн
171+16.74 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3 sq2303es.pdf
SQ2303ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 sq2308ces.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2308CES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.22 грн
42+26.21 грн
114+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3 sq2309es.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2309ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3 sq2310es.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2310ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+99.03 грн
36+30.07 грн
99+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3 sq2315es.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2315ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.10 грн
51+21.43 грн
138+20.32 грн
3000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3 sq2318aes.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2318AES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.99 грн
56+19.59 грн
152+18.48 грн
3000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS.pdf
SQ2319ADS-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 676 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.49 грн
10+41.73 грн
44+25.38 грн
120+24.00 грн
500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 sq2325es.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2325ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.18 грн
47+23.17 грн
128+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3 SQ2337ES.pdf
SQ2337ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.36 грн
10+50.23 грн
41+26.39 грн
112+24.92 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3 sq2351es.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2351ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.15 грн
58+18.82 грн
158+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 sq2361aees.pdf
SQ2361AEES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.67W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3 sq2361es.pdf
SQ2361ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 0.67W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 sq2362es.pdf
SQ2362ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 147mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.43 грн
10+37.91 грн
50+31.36 грн
56+19.59 грн
154+18.48 грн
1000+18.02 грн
1500+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 sq2364ees.pdf
SQ2364EES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.35 грн
7+46.41 грн
39+28.78 грн
106+27.22 грн
250+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 sq2389es.pdf
SQ2389ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 169mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.53 грн
10+38.29 грн
45+24.00 грн
124+22.71 грн
1000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 sq2398es.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2398ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3 sq3419ev.pdf
Виробник: VISHAY
SQ3419EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 sq3426eev.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3 sq3426ev.pdf
Виробник: VISHAY
SQ3426EV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.25 грн
31+35.68 грн
83+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427AEEV-T1_GE3 sq3427aeev.pdf
SQ3427AEEV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427EV-T1_GE3 sq3427ev.pdf
SQ3427EV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.32 грн
7+44.12 грн
25+38.26 грн
37+30.44 грн
100+28.78 грн
3000+28.23 грн
12000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -27A
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 sq3457ev.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -27A
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3461EV-T1_GE3 sq3461ev.pdf
Виробник: VISHAY
SQ3461EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3481EV-T1_BE3
Виробник: VISHAY
SQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3493EV-T1_GE3 sq3493ev.pdf
Виробник: VISHAY
SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4050EY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
SQ4050EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3 sq4153ey.pdf
Виробник: VISHAY
SQ4153EY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.35 грн
11+103.00 грн
29+97.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_GE3 SQ4284EY.pdf
SQ4284EY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_GE3 sq4850ey.pdf
Виробник: VISHAY
SQ4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY.pdf
SQ4940AEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.3A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.21 грн
5+69.90 грн
20+56.10 грн
53+53.34 грн
500+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SQ4961EY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3 sq7414cenw.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 sq9945bey.pdf
Виробник: VISHAY
SQ9945BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.55 грн
23+46.90 грн
63+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EEJ-T1_GE3
Виробник: VISHAY
SQA401EEJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3 sqa405cejw.pdf
Виробник: VISHAY
SQA405CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA411CEJW-T1_GE3 sqa411cejw.pdf
Виробник: VISHAY
SQA411CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3 sqa413cejw.pdf
Виробник: VISHAY
SQA413CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA470EEJ-T1_GE3 sqa470eej.pdf
Виробник: VISHAY
SQA470EEJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6L-GE3
Виробник: VISHAY
SQD100N04-3M6L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD19P06-60L_GE3 sqd19p06.pdf
Виробник: VISHAY
SQD19P06-60L-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.70 грн
20+56.10 грн
53+52.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD25N15-52_GE3 SQD25N15-52.pdf
SQD25N15-52_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 107W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD30N05-20L_GE3 sqd30n05-20l.pdf
Виробник: VISHAY
SQD30N05-20L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40031EL_GE3 SQD40031EL.pdf
SQD40031EL_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -94A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.31 грн
5+124.15 грн
10+107.59 грн
13+83.68 грн
36+79.09 грн
100+78.17 грн
500+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40052EL_GE3 sqd40052el.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 62W
Case: TO252
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12_GE3 sqd45p03.pdf
Виробник: VISHAY
SQD45P03-12-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 581 1142 1143 1144 1145 1146 1147 1148 1149 1150 1151 1152 1162 1743 2324 2905 3486 4067 4648 5229 5810 5819  [ Наступна Сторінка >> ]