Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349134) > Сторінка 1148 з 5819

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 581 1143 1144 1145 1146 1147 1148 1149 1150 1151 1152 1153 1162 1743 2324 2905 3486 4067 4648 5229 5810 5819  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY SQD50N04-4M5L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.5mΩ
Power dissipation: 136W
Gate charge: 85nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L-GE3 VISHAY SQD50N05-11L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3 SQD50P06-15L_GE3 VISHAY sqd50p06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 VISHAY sqd50p08.pdf SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ126EP-T1_GE3 VISHAY sqj126ep.pdf SQJ126EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ158EP-T1_GE3 VISHAY sqj158ep.pdf SQJ158EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3 VISHAY sqj164elp.pdf SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3 VISHAY sqj170elp.pdf SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 VISHAY SQJ402EP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 83W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_BE3 VISHAY sqj409ep.pdf SQJ409EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3 VISHAY sqj422ep.pdf SQJ422EP-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3 VISHAY sqj431aep.pdf SQJ431AEP-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3 VISHAY sqj431ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
On-state resistance: 527mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.30 грн
10+129.88 грн
13+83.68 грн
36+79.09 грн
500+78.17 грн
1000+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_GE3 VISHAY sqj443ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -23A; 28W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -23A
Power dissipation: 28W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 VISHAY sqj457ep.pdf SQJ457EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_BE3 VISHAY sqj459ep.pdf SQJ459EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_GE3 VISHAY sqj459ep.pdf SQJ459EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ461EP-T1_GE3 VISHAY sqj461ep.pdf SQJ461EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 VISHAY sqj463ep.pdf SQJ463EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY SQJ465EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.00 грн
10+84.99 грн
15+75.41 грн
41+70.81 грн
50+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 VISHAY SQJ476Ep.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 45W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 45W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 VISHAY sqj481ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -9.2A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.00 грн
10+69.81 грн
25+45.52 грн
67+43.04 грн
250+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3 VISHAY SQJ486EP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 56W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 17A
Power dissipation: 56W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3 VISHAY SQJ858AEP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY sqj868ep.pdf SQJ868EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 VISHAY SQJ974EP-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25.5mΩ
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.05 грн
5+84.04 грн
18+63.45 грн
48+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA16EP-T1_GE3 VISHAY sqja16ep.pdf SQJA16EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB70EP-T1_GE3 VISHAY SQJB70EP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3 VISHAY sqjq130el.pdf SQJQ130EL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 VISHAY sqjq184e.pdf SQJQ184E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY SQJQ900E-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ960EL-T1_GE3 VISHAY sqjq960el.pdf SQJQ960EL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 VISHAY sqm100n04-2m7.pdf SQM100N04-2M7-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 VISHAY sqm100p10-19l.pdf SQM100P10-19L-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N06-3m5L_GE3 SQM120N06-3m5L_GE3 VISHAY SQM120N06-3M5L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 VISHAY SQM120N10-3M8.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+382.27 грн
6+214.87 грн
15+195.88 грн
100+188.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 VISHAY sqm120p06-07l.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -120A; Idm: -480A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -480A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+301.06 грн
7+178.58 грн
18+162.77 грн
500+160.93 грн
800+156.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQS141ELNW-T1_GE3 VISHAY sqs141elnw.pdf SQS141ELNW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3 VISHAY sqs142enw.pdf SQS142ENW-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3 VISHAY sqs401en.pdf SQS401EN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 VISHAY sqsa82cenw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA84CENW-T1_GE3 VISHAY sqsa84cenw.pdf SQSA84CENW-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS10P3CL-M3/86A VISHAY ss10p3cl.pdf SS10P3CL-M3/86A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS10P6-M3/86A SS10P6-M3/86A VISHAY ss10p5.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPC,TO277A; SMD; 60V; 10A; 1500pcs.
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward voltage: 0.55V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Quantity in set/package: 1500pcs.
Mounting: SMD
Case: SMPC; TO277A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.32 грн
10+46.51 грн
32+34.12 грн
87+32.28 грн
500+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SS10P6HM3-A/H VISHAY SS10P6HM3-A/H SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS10PH10HM3_A/H VISHAY ss10ph10.pdf SS10PH10HM3-A/H SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS10PH45-M3/86A VISHAY ss10ph45.pdf SS10PH45-M3/86A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS10PH45HM3-A/H VISHAY SS10PH45HM3-A/H SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS12-E3/61T SS12-E3/61T VISHAY SS14-E3_61T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 20V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+11.88 грн
32+9.17 грн
100+6.63 грн
224+4.80 грн
615+4.54 грн
1000+4.46 грн
1800+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/5AT SS14-E3/5AT VISHAY ss12.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 7500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9586 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+23.77 грн
20+14.99 грн
50+10.74 грн
100+9.41 грн
260+4.15 грн
715+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/61T SS14-E3/61T VISHAY SS14-E3_61T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+23.77 грн
19+15.38 грн
50+10.37 грн
100+8.89 грн
257+4.21 грн
704+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-M3/61T SS14-M3/61T VISHAY SS12-SS16.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS15-E3/61T SS15-E3/61T VISHAY ss12.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 50V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.79 грн
22+13.56 грн
100+8.64 грн
229+4.75 грн
628+4.50 грн
3600+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SS15P3S-M3/87A SS15P3S-M3/87A VISHAY ss15p3s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPC,TO277A; SMD; 50V; 1A; 6500pcs.
Case: SMPC; TO277A
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Quantity in set/package: 6500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS16-E3/5AT SS16-E3/5AT VISHAY ss12.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 7500pcs.
Leakage current: 5mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.86 грн
28+10.60 грн
50+8.61 грн
100+7.94 грн
237+4.55 грн
651+4.30 грн
5000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SS16-E3/61T SS16-E3/61T VISHAY ss12.pdf description Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+18.82 грн
100+10.07 грн
257+4.19 грн
706+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3-B/H VISHAY SS16HE3-B/H SMD Schottky diodes
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.71 грн
163+6.62 грн
447+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SS1FH10-M3/H SS1FH10-M3/H VISHAY ss1fh10.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO219AB; SMD; 100V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO219AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 40A
Capacitance: 70pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.73 грн
17+17.00 грн
50+12.23 грн
100+10.94 грн
112+9.66 грн
306+9.10 грн
500+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SS1H10-E3/5AT VISHAY ss1h9.pdf SS1H10-E3/5AT SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS1H10-E3/61T VISHAY ss1h9.pdf SS1H10-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.99 грн
89+12.23 грн
243+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L.pdf
SQD50N04-4M5L_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.5mΩ
Power dissipation: 136W
Gate charge: 85nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L-GE3
Виробник: VISHAY
SQD50N05-11L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3 sqd50p06.pdf
SQD50P06-15L_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 sqd50p08.pdf
Виробник: VISHAY
SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ126EP-T1_GE3 sqj126ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ126EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ158EP-T1_GE3 sqj158ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ158EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3 sqj164elp.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3 sqj170elp.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 83W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_BE3 sqj409ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ409EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3 sqj422ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ422EP-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3 sqj431aep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ431AEP-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3 sqj431ep.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
On-state resistance: 527mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.30 грн
10+129.88 грн
13+83.68 грн
36+79.09 грн
500+78.17 грн
1000+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_GE3 sqj443ep.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -23A; 28W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -23A
Power dissipation: 28W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 sqj457ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ457EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_BE3 sqj459ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ459EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_GE3 sqj459ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ459EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ461EP-T1_GE3 sqj461ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ461EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 sqj463ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ463EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP.pdf
SQJ465EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.00 грн
10+84.99 грн
15+75.41 грн
41+70.81 грн
50+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476Ep.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 45W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 45W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 sqj481ep.pdf
SQJ481EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -9.2A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.00 грн
10+69.81 грн
25+45.52 грн
67+43.04 грн
250+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3 SQJ486EP.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 56W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 17A
Power dissipation: 56W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3 SQJ858AEP.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 sqj868ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ868EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1-GE3.pdf
SQJ974EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25.5mΩ
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.05 грн
5+84.04 грн
18+63.45 грн
48+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA16EP-T1_GE3 sqja16ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJA16EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB70EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
SQJB70EP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3 sqjq130el.pdf
Виробник: VISHAY
SQJQ130EL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 sqjq184e.pdf
Виробник: VISHAY
SQJQ184E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
SQJQ900E-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ960EL-T1_GE3 sqjq960el.pdf
Виробник: VISHAY
SQJQ960EL-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 sqm100n04-2m7.pdf
Виробник: VISHAY
SQM100N04-2M7-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 sqm100p10-19l.pdf
Виробник: VISHAY
SQM100P10-19L-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N06-3m5L_GE3 SQM120N06-3M5L.pdf
SQM120N06-3m5L_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8.pdf
SQM120N10-3M8_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.27 грн
6+214.87 грн
15+195.88 грн
100+188.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 sqm120p06-07l.pdf
SQM120P06-07L_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -120A; Idm: -480A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -480A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+301.06 грн
7+178.58 грн
18+162.77 грн
500+160.93 грн
800+156.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQS141ELNW-T1_GE3 sqs141elnw.pdf
Виробник: VISHAY
SQS141ELNW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3 sqs142enw.pdf
Виробник: VISHAY
SQS142ENW-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3 sqs401en.pdf
Виробник: VISHAY
SQS401EN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 sqsa82cenw.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA84CENW-T1_GE3 sqsa84cenw.pdf
Виробник: VISHAY
SQSA84CENW-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS10P3CL-M3/86A ss10p3cl.pdf
Виробник: VISHAY
SS10P3CL-M3/86A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS10P6-M3/86A ss10p5.pdf
SS10P6-M3/86A
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPC,TO277A; SMD; 60V; 10A; 1500pcs.
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward voltage: 0.55V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Quantity in set/package: 1500pcs.
Mounting: SMD
Case: SMPC; TO277A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.32 грн
10+46.51 грн
32+34.12 грн
87+32.28 грн
500+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SS10P6HM3-A/H
Виробник: VISHAY
SS10P6HM3-A/H SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS10PH10HM3_A/H ss10ph10.pdf
Виробник: VISHAY
SS10PH10HM3-A/H SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS10PH45-M3/86A ss10ph45.pdf
Виробник: VISHAY
SS10PH45-M3/86A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS10PH45HM3-A/H
Виробник: VISHAY
SS10PH45HM3-A/H SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS12-E3/61T SS14-E3_61T.pdf
SS12-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 20V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+11.88 грн
32+9.17 грн
100+6.63 грн
224+4.80 грн
615+4.54 грн
1000+4.46 грн
1800+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/5AT ss12.pdf
SS14-E3/5AT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 7500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9586 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.77 грн
20+14.99 грн
50+10.74 грн
100+9.41 грн
260+4.15 грн
715+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/61T SS14-E3_61T.pdf
SS14-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.77 грн
19+15.38 грн
50+10.37 грн
100+8.89 грн
257+4.21 грн
704+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-M3/61T SS12-SS16.pdf
SS14-M3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS15-E3/61T ss12.pdf
SS15-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 50V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+21.79 грн
22+13.56 грн
100+8.64 грн
229+4.75 грн
628+4.50 грн
3600+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SS15P3S-M3/87A ss15p3s.pdf
SS15P3S-M3/87A
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPC,TO277A; SMD; 50V; 1A; 6500pcs.
Case: SMPC; TO277A
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Quantity in set/package: 6500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS16-E3/5AT ss12.pdf
SS16-E3/5AT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 7500pcs.
Leakage current: 5mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.86 грн
28+10.60 грн
50+8.61 грн
100+7.94 грн
237+4.55 грн
651+4.30 грн
5000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SS16-E3/61T description ss12.pdf
SS16-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+18.82 грн
100+10.07 грн
257+4.19 грн
706+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3-B/H
Виробник: VISHAY
SS16HE3-B/H SMD Schottky diodes
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+29.71 грн
163+6.62 грн
447+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SS1FH10-M3/H ss1fh10.pdf
SS1FH10-M3/H
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO219AB; SMD; 100V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO219AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 40A
Capacitance: 70pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.73 грн
17+17.00 грн
50+12.23 грн
100+10.94 грн
112+9.66 грн
306+9.10 грн
500+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SS1H10-E3/5AT ss1h9.pdf
Виробник: VISHAY
SS1H10-E3/5AT SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS1H10-E3/61T ss1h9.pdf
Виробник: VISHAY
SS1H10-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.99 грн
89+12.23 грн
243+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 581 1143 1144 1145 1146 1147 1148 1149 1150 1151 1152 1153 1162 1743 2324 2905 3486 4067 4648 5229 5810 5819  [ Наступна Сторінка >> ]