Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SS8PH10-M3/86A | VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMPC,TO277A; SMD; 100V; 8A; 1500pcs. Type of diode: Schottky rectifying Case: SMPC; TO277A Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 140pF Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 150A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 1500pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SS8PH10HM3-A/H | VISHAY | SS8PH10HM3-A/H SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SSA24-E3/61T | VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 2A; 7 inch reel Type of diode: Schottky rectifying Case: SMA Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.36V Max. forward impulse current: 60A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 1800pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SSA33L-E3/5AT | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SSA33L-E3/61T | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SSA34-E3/61T | VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel Type of diode: Schottky rectifying Case: SMA Max. off-state voltage: 40V Max. forward voltage: 0.42V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 75A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 1800pcs. Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1538 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSA34HE3-A/H | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel Type of diode: Schottky rectifying Case: SMA Max. off-state voltage: 40V Max. forward voltage: 0.49V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 75A Application: automotive industry Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 1800pcs. Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SSB43L-E3/52T | VISHAY |
![]() |
на замовлення 577 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SSB43LHE3-A/H | VISHAY | SSB43LHE3-A/H SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SSB44-E3/52T | VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 750pcs. Type of diode: Schottky rectifying Case: SMB Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.49V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 750pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 536 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SSC53L-E3/57T | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1212 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SSC53L-E3/9AT | VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 5A; 13 inch reel Max. off-state voltage: 30V Max. forward voltage: 0.38V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 175A Kind of package: 13 inch reel Type of diode: Schottky rectifying Quantity in set/package: 3500pcs. Mounting: SMD Case: SMC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSC54-E3/57T | VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 5A; 7 inch reel; 850pcs. Type of diode: Schottky rectifying Case: SMC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.42V Max. forward impulse current: 175A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 850pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SSC54-E3/9AT | VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 5A; 13 inch reel Type of diode: Schottky rectifying Case: SMC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.42V Max. forward impulse current: 175A Kind of package: 13 inch reel Quantity in set/package: 3500pcs. Leakage current: 60mA кількість в упаковці: 3500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SSC54HE3-A/I | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 5A; 13 inch reel Type of diode: Schottky rectifying Case: SMC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.49V Max. forward impulse current: 175A Kind of package: 13 inch reel Application: automotive industry Quantity in set/package: 3500pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUD08P06-155L-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1267 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD09P10-195-BE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUD09P10-195-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD15N15-95-E3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SUD19N20-90-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252 Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SUD19P06-60-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUD19P06-60-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD19P06-60L-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUD20N10-66L-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 41.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SUD23N06-31-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252 Power dissipation: 31.25W Mounting: SMD Kind of package: tube Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: 60V Drain current: 17.1A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1751 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SUD25N15-52-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUD35N10-26P-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUD35N10-26P-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUD35N10-26P-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUD40151EL-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUD40N08-16-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SUD40N10-25-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SUD50N03-06AP-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 90A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SUD50N04-8M8P-4GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 8.8mΩ Power dissipation: 30.8W Gate charge: 56nC Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Drain current: 14A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2231 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SUD50N06-09L-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 132 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SUD50P04-08-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1624 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD50P04-09L-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SUD50P06-15-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W Case: DPAK; TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Gate charge: 165nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -50A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2527 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SUD50P06-15L-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 136W Case: DPAK; TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 165nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -50A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 331 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SUD50P08-25L-E3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 727 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SUD50P10-43L-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W Drain-source voltage: -100V Drain current: -37.1A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SUD50P10-43L-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36.4A; Idm: -40A; 72.7W Drain-source voltage: -100V Drain current: -36.4A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 72.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SUD70090E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUD80460E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42A; Idm: 40A Case: TO252 Drain-source voltage: 150V Drain current: 42A On-state resistance: 44.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUD90330E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUG80050E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 500W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUG90090E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 395W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 129nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SUM10250E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36.6A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36.6A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57.6nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 681 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SUM110N10-09-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 87A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 398 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SUM110P04-04L-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUM110P04-05-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 751 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SUM110P06-08L-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -110A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 272W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 240nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 777 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SUM110P08-11L-E3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 715 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM40010EL-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A Case: TO263 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 230nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A Mounting: SMD кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUM40012EL-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A Case: TO263 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A On-state resistance: 2.24mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Gate charge: 195nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A Mounting: SMD кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUM40014M-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A Case: TO263-7 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A On-state resistance: 1.36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 275nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUM45N25-58-E3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUM50010E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SUM50020E-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
SS8PH10-M3/86A |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPC,TO277A; SMD; 100V; 8A; 1500pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMPC; TO277A
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 140pF
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPC,TO277A; SMD; 100V; 8A; 1500pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMPC; TO277A
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 140pF
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.62 грн |
10+ | 28.74 грн |
50+ | 22.62 грн |
54+ | 20.51 грн |
148+ | 19.40 грн |
250+ | 18.76 грн |
500+ | 18.67 грн |
SS8PH10HM3-A/H |
Виробник: VISHAY
SS8PH10HM3-A/H SMD Schottky diodes
SS8PH10HM3-A/H SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSA24-E3/61T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 2A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.36V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 2A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.36V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.69 грн |
13+ | 22.16 грн |
100+ | 10.75 грн |
275+ | 10.16 грн |
500+ | 9.75 грн |
SSA33L-E3/5AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
SSA33L-E3/5AT SMD Schottky diodes
SSA33L-E3/5AT SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSA33L-E3/61T |
![]() |
Виробник: VISHAY
SSA33L-E3/61T SMD Schottky diodes
SSA33L-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.11 грн |
92+ | 11.77 грн |
253+ | 11.13 грн |
12600+ | 11.08 грн |
SSA34-E3/61T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward voltage: 0.42V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward voltage: 0.42V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 19.81 грн |
17+ | 17.19 грн |
100+ | 12.41 грн |
131+ | 8.28 грн |
361+ | 7.82 грн |
SSA34HE3-A/H |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward voltage: 0.49V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Application: automotive industry
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward voltage: 0.49V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Application: automotive industry
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSB43L-E3/52T |
![]() |
Виробник: VISHAY
SSB43L-E3/52T SMD Schottky diodes
SSB43L-E3/52T SMD Schottky diodes
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.05 грн |
57+ | 19.12 грн |
155+ | 18.08 грн |
SSB43LHE3-A/H |
Виробник: VISHAY
SSB43LHE3-A/H SMD Schottky diodes
SSB43LHE3-A/H SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSB44-E3/52T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 750pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 750pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 750pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 750pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 536 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.71 грн |
13+ | 22.35 грн |
90+ | 12.41 грн |
246+ | 11.68 грн |
SSC53L-E3/57T |
![]() |
Виробник: VISHAY
SSC53L-E3/57T SMD Schottky diodes
SSC53L-E3/57T SMD Schottky diodes
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 75.27 грн |
37+ | 29.43 грн |
101+ | 27.59 грн |
SSC53L-E3/9AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 5A; 13 inch reel
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.38V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 175A
Kind of package: 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Quantity in set/package: 3500pcs.
Mounting: SMD
Case: SMC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 5A; 13 inch reel
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.38V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 175A
Kind of package: 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Quantity in set/package: 3500pcs.
Mounting: SMD
Case: SMC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.36 грн |
8+ | 36.29 грн |
25+ | 30.53 грн |
40+ | 26.67 грн |
111+ | 25.75 грн |
500+ | 25.38 грн |
SSC54-E3/57T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 5A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.42V
Max. forward impulse current: 175A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 5A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.42V
Max. forward impulse current: 175A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.36 грн |
8+ | 39.92 грн |
25+ | 34.03 грн |
37+ | 29.45 грн |
101+ | 27.85 грн |
SSC54-E3/9AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 5A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.42V
Max. forward impulse current: 175A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 3500pcs.
Leakage current: 60mA
кількість в упаковці: 3500 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 5A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.42V
Max. forward impulse current: 175A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 3500pcs.
Leakage current: 60mA
кількість в упаковці: 3500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSC54HE3-A/I |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 5A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 175A
Kind of package: 13 inch reel
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 5A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 175A
Kind of package: 13 inch reel
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD08P06-155L-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD08P06-155L-GE3 SMD P channel transistors
SUD08P06-155L-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.18 грн |
26+ | 42.58 грн |
70+ | 40.19 грн |
SUD09P10-195-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors
SUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD09P10-195-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors
SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.28 грн |
28+ | 39.45 грн |
75+ | 37.34 грн |
SUD15N15-95-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD15N15-95-E3 SMD N channel transistors
SUD15N15-95-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 193.12 грн |
12+ | 96.56 грн |
31+ | 91.04 грн |
SUD19N20-90-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD19P06-60-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD19P06-60-E3 SMD P channel transistors
SUD19P06-60-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD19P06-60-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD19P06-60-GE3 SMD P channel transistors
SUD19P06-60-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.19 грн |
29+ | 37.80 грн |
79+ | 35.77 грн |
SUD19P06-60L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD19P06-60L-E3 SMD P channel transistors
SUD19P06-60L-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD20N10-66L-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD23N06-31-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Power dissipation: 31.25W
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Power dissipation: 31.25W
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 114.88 грн |
10+ | 72.58 грн |
28+ | 39.45 грн |
77+ | 37.34 грн |
1000+ | 35.96 грн |
SUD25N15-52-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD25N15-52-E3 SMD N channel transistors
SUD25N15-52-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD35N10-26P-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD35N10-26P-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD35N10-26P-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD40151EL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD40151EL-GE3 SMD P channel transistors
SUD40151EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD40N08-16-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors
SUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD40N10-25-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD50N03-06AP-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 30.8W
Gate charge: 56nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 30.8W
Gate charge: 56nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.87 грн |
10+ | 83.75 грн |
42+ | 26.58 грн |
114+ | 25.11 грн |
7500+ | 24.19 грн |
SUD50N06-09L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 165.39 грн |
13+ | 87.86 грн |
35+ | 80.01 грн |
10000+ | 79.09 грн |
SUD50P04-08-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD50P04-08-GE3 SMD P channel transistors
SUD50P04-08-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 124.78 грн |
17+ | 65.29 грн |
46+ | 61.61 грн |
SUD50P04-09L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD50P04-09L-E3 SMD P channel transistors
SUD50P04-09L-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD50P06-15-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 241.64 грн |
10+ | 186.22 грн |
14+ | 80.92 грн |
37+ | 76.33 грн |
SUD50P06-15L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 136W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 136W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 240.65 грн |
10+ | 169.98 грн |
12+ | 97.48 грн |
31+ | 91.96 грн |
1000+ | 88.28 грн |
SUD50P08-25L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors
SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 234.71 грн |
10+ | 114.95 грн |
26+ | 108.51 грн |
SUD50P10-43L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD50P10-43L-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36.4A; Idm: -40A; 72.7W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 72.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36.4A; Idm: -40A; 72.7W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 72.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD70090E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD70090E-GE3 SMD N channel transistors
SUD70090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD80460E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42A; Idm: 40A
Case: TO252
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 42A
On-state resistance: 44.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42A; Idm: 40A
Case: TO252
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 42A
On-state resistance: 44.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUD90330E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUD90330E-GE3 SMD N channel transistors
SUD90330E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUG80050E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUG90090E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 395W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 129nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 395W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 129nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM10250E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 319.88 грн |
7+ | 184.31 грн |
17+ | 167.37 грн |
50+ | 164.61 грн |
100+ | 160.93 грн |
SUM110N10-09-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 397.13 грн |
6+ | 226.33 грн |
14+ | 205.99 грн |
800+ | 197.71 грн |
SUM110P04-04L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM110P04-04L-E3 SMD P channel transistors
SUM110P04-04L-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM110P04-05-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM110P04-05-E3 SMD P channel transistors
SUM110P04-05-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM110P06-07L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM110P06-07L-E3 SMD P channel transistors
SUM110P06-07L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 308.00 грн |
6+ | 181.16 грн |
17+ | 171.05 грн |
SUM110P06-08L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 298.09 грн |
9+ | 135.61 грн |
24+ | 123.23 грн |
1600+ | 119.55 грн |
SUM110P08-11L-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM110P08-11L-E3 SMD P channel transistors
SUM110P08-11L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 463.48 грн |
4+ | 284.16 грн |
11+ | 268.52 грн |
SUM40010EL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM40012EL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM40014M-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM45N25-58-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM50010E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SUM50020E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.