Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (358692) > Сторінка 1159 з 5979

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1154 1155 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1194 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5979  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC741F42B04E143&compId=SI1302DL.pdf?ci_sign=0e47094d7460bbf8757050183f77302d44966af5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.05 грн
9+33.03 грн
11+28.38 грн
82+13.62 грн
226+12.86 грн
3000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY si1308edl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Power dissipation: 0.3W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.92 грн
12+26.01 грн
25+21.33 грн
50+18.67 грн
90+12.48 грн
247+11.81 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 VISHAY si1317dl.pdf SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.38 грн
99+11.43 грн
271+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 VISHAY si1442dh.pdf SI1442DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.33 грн
116+9.71 грн
319+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 VISHAY si1443edh.pdf SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.87 грн
81+14.00 грн
221+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Drain current: 0.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.69 грн
16+18.99 грн
19+15.71 грн
100+10.57 грн
281+10.38 грн
500+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.56 грн
19+15.82 грн
25+14.28 грн
50+13.52 грн
100+12.76 грн
500+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+307.67 грн
10+29.77 грн
25+25.14 грн
100+20.95 грн
250+16.95 грн
500+15.05 грн
1000+13.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.07 грн
11+28.48 грн
20+23.90 грн
100+17.33 грн
500+12.95 грн
1000+11.52 грн
3000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79935417D6143&compId=si2302cds.pdf?ci_sign=34ad82b4a4e4bbcce1ee89b45eda96c4079cb0b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.02 грн
11+28.88 грн
50+21.90 грн
100+19.71 грн
500+15.33 грн
1000+13.62 грн
3000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79DE494CA2143&compId=si2302dds.pdf?ci_sign=ffc0abc65cc01b56a97def224c49af6063d8b26c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.72 грн
13+23.54 грн
25+20.09 грн
100+16.09 грн
500+12.00 грн
1000+10.48 грн
3000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.20 грн
10+34.91 грн
50+25.33 грн
100+22.28 грн
500+16.38 грн
1000+14.28 грн
3000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.84 грн
14+21.26 грн
50+15.14 грн
100+13.43 грн
500+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.95 грн
18+17.31 грн
20+15.33 грн
50+13.81 грн
100+12.76 грн
500+10.67 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.97 грн
12+26.21 грн
50+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.36 грн
10+36.59 грн
50+25.33 грн
100+21.81 грн
500+15.33 грн
1000+13.14 грн
1500+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.23 грн
20+34.42 грн
100+24.76 грн
250+20.95 грн
500+18.67 грн
1000+16.76 грн
3000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10676 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.74 грн
16+19.19 грн
25+15.33 грн
100+11.71 грн
500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.25 грн
10+35.50 грн
50+26.09 грн
100+22.95 грн
500+16.95 грн
1000+14.67 грн
1500+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8ADCC6486D6522143&compId=si2312cd.pdf?ci_sign=13f696a1c8bca796f8fe35d5c138eb5b9fc25e86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.18 грн
9+35.60 грн
10+30.09 грн
91+12.48 грн
249+11.71 грн
3000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 VISHAY si2315bd.pdf SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.15 грн
52+21.81 грн
142+20.67 грн
3000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.97 грн
61+18.57 грн
167+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB05E85B46033D7&compId=si2318cds.pdf?ci_sign=0c176385f3d62a85465756e8056b99325fd9812d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.97 грн
12+25.52 грн
20+21.14 грн
90+12.48 грн
248+11.81 грн
500+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAFC88707C753D7&compId=SI2318DS.pdf?ci_sign=ee5767015e0283adb239c741ea5762be7aa01eca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A; 0.75W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.05 грн
25+26.11 грн
58+19.62 грн
158+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.59 грн
10+43.02 грн
50+22.38 грн
138+21.24 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.20 грн
10+36.49 грн
50+26.38 грн
66+17.05 грн
181+16.09 грн
1000+15.71 грн
3000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.25 грн
6+50.83 грн
25+44.19 грн
34+33.78 грн
91+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.59 грн
10+51.62 грн
25+38.85 грн
38+29.71 грн
104+28.09 грн
1000+27.71 грн
3000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.20 грн
10+35.21 грн
78+14.48 грн
214+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.43 грн
10+41.24 грн
50+29.52 грн
52+21.90 грн
142+20.67 грн
500+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.07 грн
10+62.60 грн
25+53.90 грн
37+31.14 грн
100+29.52 грн
250+29.43 грн
1000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.9nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11378 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.82 грн
11+26.19 грн
50+23.14 грн
53+21.52 грн
144+20.38 грн
500+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.38 грн
58+19.62 грн
158+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 VISHAY si2329ds.pdf SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.33 грн
43+26.19 грн
118+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.36 грн
10+46.38 грн
42+26.57 грн
116+25.14 грн
1000+24.38 грн
3000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.64 грн
10+45.79 грн
78+14.38 грн
213+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.25 грн
8+39.76 грн
10+33.62 грн
72+15.71 грн
196+14.86 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB0BD13802753D7&compId=si2336ds.pdf?ci_sign=962d2d3f76ac6bd02781750941977a5dca4c02cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.84 грн
12+26.31 грн
100+20.00 грн
110+10.19 грн
303+9.62 грн
15000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF902890339D2143&compId=SI2337DS.pdf?ci_sign=cb73a2039e3415bf5787f902365bd67d81fa9f04 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.56 грн
10+68.63 грн
31+36.57 грн
50+36.47 грн
85+34.57 грн
3000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.66 грн
67+16.86 грн
184+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.87 грн
67+16.76 грн
185+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.10 грн
68+16.57 грн
187+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.64 грн
108+10.48 грн
295+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.92 грн
13+22.84 грн
50+16.00 грн
100+14.09 грн
114+9.90 грн
313+9.33 грн
3000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.72 грн
17+17.50 грн
50+11.71 грн
100+10.00 грн
151+7.52 грн
413+7.05 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.10 грн
10+32.44 грн
50+23.24 грн
87+12.95 грн
239+12.28 грн
3000+12.09 грн
6000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.10 грн
10+30.26 грн
50+21.81 грн
69+16.38 грн
189+15.52 грн
500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.23 грн
96+11.81 грн
263+11.14 грн
1000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY si2377eds.pdf SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.84 грн
69+16.38 грн
189+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.20 грн
66+17.24 грн
180+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.82 грн
80+14.00 грн
220+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.82 грн
13+24.53 грн
25+21.62 грн
50+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.74 грн
61+18.57 грн
167+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 VISHAY 72749.pdf description SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.02 грн
66+17.02 грн
182+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90844D94CA0143&compId=SI3457CDV.pdf?ci_sign=25586387bfcf9fd5d614a04f6b2f0c1c1871ce4b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.56 грн
10+39.66 грн
50+30.28 грн
75+14.95 грн
206+14.09 грн
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.07 грн
40+28.28 грн
110+26.76 грн
6000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.69 грн
54+20.95 грн
148+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.87 грн
13+23.14 грн
25+18.48 грн
50+16.19 грн
100+14.48 грн
112+10.09 грн
306+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.82 грн
10+53.60 грн
50+22.67 грн
136+21.43 грн
3000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.82 грн
47+24.38 грн
127+23.05 грн
30000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC741F42B04E143&compId=SI1302DL.pdf?ci_sign=0e47094d7460bbf8757050183f77302d44966af5
SI1302DL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.05 грн
9+33.03 грн
11+28.38 грн
82+13.62 грн
226+12.86 грн
3000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Power dissipation: 0.3W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.92 грн
12+26.01 грн
25+21.33 грн
50+18.67 грн
90+12.48 грн
247+11.81 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 si1317dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.38 грн
99+11.43 грн
271+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 si1442dh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1442DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.33 грн
116+9.71 грн
319+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.87 грн
81+14.00 грн
221+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Drain current: 0.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.69 грн
16+18.99 грн
19+15.71 грн
100+10.57 грн
281+10.38 грн
500+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.56 грн
19+15.82 грн
25+14.28 грн
50+13.52 грн
100+12.76 грн
500+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+307.67 грн
10+29.77 грн
25+25.14 грн
100+20.95 грн
250+16.95 грн
500+15.05 грн
1000+13.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca
SI2301CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.07 грн
11+28.48 грн
20+23.90 грн
100+17.33 грн
500+12.95 грн
1000+11.52 грн
3000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79935417D6143&compId=si2302cds.pdf?ci_sign=34ad82b4a4e4bbcce1ee89b45eda96c4079cb0b1
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.02 грн
11+28.88 грн
50+21.90 грн
100+19.71 грн
500+15.33 грн
1000+13.62 грн
3000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79DE494CA2143&compId=si2302dds.pdf?ci_sign=ffc0abc65cc01b56a97def224c49af6063d8b26c
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.72 грн
13+23.54 грн
25+20.09 грн
100+16.09 грн
500+12.00 грн
1000+10.48 грн
3000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.20 грн
10+34.91 грн
50+25.33 грн
100+22.28 грн
500+16.38 грн
1000+14.28 грн
3000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.84 грн
14+21.26 грн
50+15.14 грн
100+13.43 грн
500+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.95 грн
18+17.31 грн
20+15.33 грн
50+13.81 грн
100+12.76 грн
500+10.67 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac
SI2306BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.97 грн
12+26.21 грн
50+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.36 грн
10+36.59 грн
50+25.33 грн
100+21.81 грн
500+15.33 грн
1000+13.14 грн
1500+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.23 грн
20+34.42 грн
100+24.76 грн
250+20.95 грн
500+18.67 грн
1000+16.76 грн
3000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10676 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.74 грн
16+19.19 грн
25+15.33 грн
100+11.71 грн
500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.25 грн
10+35.50 грн
50+26.09 грн
100+22.95 грн
500+16.95 грн
1000+14.67 грн
1500+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8ADCC6486D6522143&compId=si2312cd.pdf?ci_sign=13f696a1c8bca796f8fe35d5c138eb5b9fc25e86
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.18 грн
9+35.60 грн
10+30.09 грн
91+12.48 грн
249+11.71 грн
3000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.15 грн
52+21.81 грн
142+20.67 грн
3000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.97 грн
61+18.57 грн
167+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB05E85B46033D7&compId=si2318cds.pdf?ci_sign=0c176385f3d62a85465756e8056b99325fd9812d
SI2318CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.97 грн
12+25.52 грн
20+21.14 грн
90+12.48 грн
248+11.81 грн
500+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAFC88707C753D7&compId=SI2318DS.pdf?ci_sign=ee5767015e0283adb239c741ea5762be7aa01eca
SI2318DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A; 0.75W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.05 грн
25+26.11 грн
58+19.62 грн
158+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.59 грн
10+43.02 грн
50+22.38 грн
138+21.24 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.20 грн
10+36.49 грн
50+26.38 грн
66+17.05 грн
181+16.09 грн
1000+15.71 грн
3000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.25 грн
6+50.83 грн
25+44.19 грн
34+33.78 грн
91+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.59 грн
10+51.62 грн
25+38.85 грн
38+29.71 грн
104+28.09 грн
1000+27.71 грн
3000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.20 грн
10+35.21 грн
78+14.48 грн
214+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.43 грн
10+41.24 грн
50+29.52 грн
52+21.90 грн
142+20.67 грн
500+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c
SI2323DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.07 грн
10+62.60 грн
25+53.90 грн
37+31.14 грн
100+29.52 грн
250+29.43 грн
1000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.9nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11378 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.82 грн
11+26.19 грн
50+23.14 грн
53+21.52 грн
144+20.38 грн
500+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 si2328ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.38 грн
58+19.62 грн
158+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.33 грн
43+26.19 грн
118+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.36 грн
10+46.38 грн
42+26.57 грн
116+25.14 грн
1000+24.38 грн
3000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.64 грн
10+45.79 грн
78+14.38 грн
213+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.25 грн
8+39.76 грн
10+33.62 грн
72+15.71 грн
196+14.86 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB0BD13802753D7&compId=si2336ds.pdf?ci_sign=962d2d3f76ac6bd02781750941977a5dca4c02cc
SI2336DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.84 грн
12+26.31 грн
100+20.00 грн
110+10.19 грн
303+9.62 грн
15000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF902890339D2143&compId=SI2337DS.pdf?ci_sign=cb73a2039e3415bf5787f902365bd67d81fa9f04
SI2337DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.56 грн
10+68.63 грн
31+36.57 грн
50+36.47 грн
85+34.57 грн
3000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.66 грн
67+16.86 грн
184+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.87 грн
67+16.76 грн
185+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.10 грн
68+16.57 грн
187+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.64 грн
108+10.48 грн
295+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
SI2356DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.92 грн
13+22.84 грн
50+16.00 грн
100+14.09 грн
114+9.90 грн
313+9.33 грн
3000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.72 грн
17+17.50 грн
50+11.71 грн
100+10.00 грн
151+7.52 грн
413+7.05 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.10 грн
10+32.44 грн
50+23.24 грн
87+12.95 грн
239+12.28 грн
3000+12.09 грн
6000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.10 грн
10+30.26 грн
50+21.81 грн
69+16.38 грн
189+15.52 грн
500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.23 грн
96+11.81 грн
263+11.14 грн
1000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.84 грн
69+16.38 грн
189+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
Виробник: VISHAY
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.20 грн
66+17.24 грн
180+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.82 грн
80+14.00 грн
220+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.82 грн
13+24.53 грн
25+21.62 грн
50+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.74 грн
61+18.57 грн
167+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 description 72749.pdf
Виробник: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.02 грн
66+17.02 грн
182+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90844D94CA0143&compId=SI3457CDV.pdf?ci_sign=25586387bfcf9fd5d614a04f6b2f0c1c1871ce4b
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.56 грн
10+39.66 грн
50+30.28 грн
75+14.95 грн
206+14.09 грн
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.07 грн
40+28.28 грн
110+26.76 грн
6000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.69 грн
54+20.95 грн
148+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
SI3460DDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.87 грн
13+23.14 грн
25+18.48 грн
50+16.19 грн
100+14.48 грн
112+10.09 грн
306+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.82 грн
10+53.60 грн
50+22.67 грн
136+21.43 грн
3000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 si3483cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.82 грн
47+24.38 грн
127+23.05 грн
30000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1154 1155 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1194 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5979  [ Наступна Сторінка >> ]