| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI2338DS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 3144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2342DS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1178 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2343CDS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2347DS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2742 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI2356DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 4.3A Gate charge: 13nC On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 1.7W Gate-source voltage: ±12V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2365EDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A Gate charge: 36nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Pulsed drain current: -20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2366DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A Gate charge: 10nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 1.3W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2369DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.6A Gate charge: 36nC On-state resistance: 29mΩ Power dissipation: 1.6W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Pulsed drain current: -80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI2374DS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2377EDS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2392ADS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2393DS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
Si3407DV-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 4.2W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2631 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI3421DV-T1-GE3 | VISHAY |
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2807 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI3443BDV-T1-E3 | VISHAY |
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI3457CDV-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Case: TSOP6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -20A Drain current: -4.1A Gate charge: 15nC On-state resistance: 113mΩ Power dissipation: 3W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI3458BDV-T1-GE3 | VISHAY |
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI3459BDV-T1-GE3 | VISHAY |
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI3460DDV-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.9A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI3473CDV-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Case: TSOP6 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -12V Drain current: -8A Gate charge: 65nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 4.2W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-GE3 | VISHAY |
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2064 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI3552DV-T1-E3 | VISHAY |
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors |
на замовлення 2873 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI3865DDV-T1-GE3 | VISHAY |
SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | VISHAY |
SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 6881 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | VISHAY |
SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 842 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4174DY-T1-GE3 | VISHAY |
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI4178DY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SO8 Technology: TrenchFET® Gate charge: 12nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 5W Drain current: 6.7A Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4288DY-T1-GE3 | VISHAY |
SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors |
на замовлення 4399 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI4401BDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -50A Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.3A Gate charge: 55nC On-state resistance: 14mΩ Power dissipation: 2.9W Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4401DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -50A Drain-source voltage: -40V Drain current: -16.1A Gate charge: 95nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 4W Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 202 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4401FDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -80A Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A Gate charge: 31nC On-state resistance: 18.3mΩ Power dissipation: 3.2W Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4403CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -13.4A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2097 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4403DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -12.3A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1706 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4425DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -15.7A Gate charge: 27nC On-state resistance: 9.8mΩ Power dissipation: 3.6W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2847 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4431BDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 0.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 689 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4431CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.2A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 2.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4435DDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.5A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1132 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4435DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.5A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2339 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4435FDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.6A Pulsed drain current: -32A Power dissipation: 4.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4447ADY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -7.2A Power dissipation: 4.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 62mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 664 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4459ADY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -23.5A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4463CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -18.6A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 162nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1592 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4483ADY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -15.4A Power dissipation: 3.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1707 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4532CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4.9/-3.4A Power dissipation: 1.78W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47/89mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9/12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4559ADY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 4.3/-3.2A Power dissipation: 3.4/3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 150/72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22/20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4599DY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 6.8/-5.8A Power dissipation: 3.1/3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 62/42.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38/20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 632 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4686DY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14.5A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4800BDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 735 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | VISHAY |
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2548 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4835DDY-T1-GE3 | VISHAY |
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 584 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI4840BDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SO8 Technology: TrenchFET® Gate charge: 50nC On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 3.8W Drain current: 9.9A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 50A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4848DY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SO8 Technology: TrenchFET® Gate charge: 21nC On-state resistance: 95mΩ Power dissipation: 3W Drain current: 3.7A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 150V Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2044 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4850EY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W Polarisation: unipolar Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Gate charge: 27nC On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 1.2W Drain current: 6A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4925DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Kind of package: reel; tape Drain current: -5.9A Gate charge: 50nC Type of transistor: P-MOSFET x2 On-state resistance: 41mΩ Power dissipation: 5W Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 284 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4936CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 20A Drain current: 4.6A Gate charge: 9nC Type of transistor: N-MOSFET x2 On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2831 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4948BEY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -25A Drain current: -2.4A Gate charge: 22nC On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.95W Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI7113DN-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -20A Drain current: -3.5A Gate charge: 55nC On-state resistance: 0.134Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2542 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7115DN-T1-GE3 | VISHAY |
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1843 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI7121ADN-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -50A Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Gate charge: 50nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 17.8W Gate-source voltage: ±25V Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2564 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI7149ADP-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W Technology: TrenchFET® Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: -50A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 43.1nC On-state resistance: 9.5mΩ Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 31W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3571 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| SI2338DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.66 грн |
| 67+ | 16.86 грн |
| 184+ | 15.90 грн |
| SI2342DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.87 грн |
| 67+ | 16.76 грн |
| 185+ | 15.90 грн |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.10 грн |
| 68+ | 16.57 грн |
| 187+ | 15.62 грн |
| SI2347DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.64 грн |
| 108+ | 10.48 грн |
| 295+ | 9.90 грн |
| SI2356DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.92 грн |
| 13+ | 22.84 грн |
| 50+ | 16.00 грн |
| 100+ | 14.09 грн |
| 114+ | 9.90 грн |
| 313+ | 9.33 грн |
| 3000+ | 9.05 грн |
| SI2365EDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.72 грн |
| 17+ | 17.50 грн |
| 50+ | 11.71 грн |
| 100+ | 10.00 грн |
| 151+ | 7.52 грн |
| 413+ | 7.05 грн |
| 1000+ | 6.76 грн |
| SI2366DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.10 грн |
| 10+ | 32.44 грн |
| 50+ | 23.24 грн |
| 87+ | 12.95 грн |
| 239+ | 12.28 грн |
| 3000+ | 12.09 грн |
| 6000+ | 11.81 грн |
| SI2369DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.10 грн |
| 10+ | 30.26 грн |
| 50+ | 21.81 грн |
| 69+ | 16.38 грн |
| 189+ | 15.52 грн |
| 500+ | 14.86 грн |
| SI2374DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.23 грн |
| 96+ | 11.81 грн |
| 263+ | 11.14 грн |
| 1000+ | 11.08 грн |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.84 грн |
| 69+ | 16.38 грн |
| 189+ | 15.52 грн |
| SI2392ADS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.20 грн |
| 66+ | 17.24 грн |
| 180+ | 16.28 грн |
| SI2393DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.82 грн |
| 80+ | 14.00 грн |
| 220+ | 13.24 грн |
| Si3407DV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.82 грн |
| 13+ | 24.53 грн |
| 25+ | 21.62 грн |
| 50+ | 20.28 грн |
| SI3421DV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.74 грн |
| 61+ | 18.57 грн |
| 167+ | 17.62 грн |
| SI3443BDV-T1-E3 | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.02 грн |
| 66+ | 17.02 грн |
| 182+ | 16.09 грн |
| SI3457CDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.56 грн |
| 10+ | 39.66 грн |
| 50+ | 30.28 грн |
| 75+ | 14.95 грн |
| 206+ | 14.09 грн |
| 3000+ | 13.62 грн |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.07 грн |
| 40+ | 28.28 грн |
| 110+ | 26.76 грн |
| 6000+ | 26.70 грн |
| SI3459BDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.69 грн |
| 54+ | 20.95 грн |
| 148+ | 19.81 грн |
| SI3460DDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.87 грн |
| 13+ | 23.14 грн |
| 25+ | 18.48 грн |
| 50+ | 16.19 грн |
| 100+ | 14.48 грн |
| 112+ | 10.09 грн |
| 306+ | 9.52 грн |
| SI3473CDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.82 грн |
| 10+ | 53.60 грн |
| 50+ | 22.67 грн |
| 136+ | 21.43 грн |
| 3000+ | 20.67 грн |
| SI3483CDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.82 грн |
| 47+ | 24.38 грн |
| 127+ | 23.05 грн |
| 30000+ | 23.04 грн |
| SI3552DV-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 103.48 грн |
| 36+ | 32.00 грн |
| 97+ | 30.19 грн |
| SI3865DDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.20 грн |
| 45+ | 25.24 грн |
| 123+ | 23.90 грн |
| 500+ | 23.83 грн |
| SI4134DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.69 грн |
| 59+ | 19.05 грн |
| 163+ | 18.00 грн |
| SI4162DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.18 грн |
| 43+ | 26.19 грн |
| 118+ | 24.76 грн |
| SI4174DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.05 грн |
| 34+ | 34.00 грн |
| 91+ | 32.19 грн |
| 1000+ | 32.14 грн |
| SI4178DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38.97 грн |
| 20+ | 32.93 грн |
| 50+ | 29.33 грн |
| 52+ | 21.62 грн |
| 143+ | 20.48 грн |
| 2500+ | 19.90 грн |
| SI4288DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 77.94 грн |
| 17+ | 69.52 грн |
| 45+ | 65.71 грн |
| SI4401BDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.15 грн |
| 5+ | 115.71 грн |
| 13+ | 89.52 грн |
| 35+ | 84.76 грн |
| 500+ | 81.90 грн |
| SI4401DDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.15 грн |
| 10+ | 59.44 грн |
| 43+ | 26.19 грн |
| 118+ | 24.76 грн |
| 1000+ | 23.81 грн |
| SI4401FDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.10 грн |
| 5+ | 69.42 грн |
| 10+ | 60.09 грн |
| 30+ | 37.90 грн |
| 82+ | 35.90 грн |
| SI4403CDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 6+ | 49.74 грн |
| 10+ | 44.28 грн |
| 25+ | 42.47 грн |
| 30+ | 37.52 грн |
| 83+ | 35.43 грн |
| 500+ | 35.33 грн |
| SI4403DDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.20 грн |
| 10+ | 32.24 грн |
| 38+ | 29.62 грн |
| 100+ | 28.28 грн |
| 104+ | 28.00 грн |
| SI4425DDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 3.6W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 3.6W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 10+ | 54.59 грн |
| 39+ | 28.86 грн |
| 108+ | 27.24 грн |
| 1000+ | 26.19 грн |
| SI4431BDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.76 грн |
| 10+ | 75.36 грн |
| 22+ | 51.81 грн |
| 60+ | 48.95 грн |
| 500+ | 47.04 грн |
| SI4431CDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.82 грн |
| 10+ | 59.14 грн |
| 20+ | 52.76 грн |
| 39+ | 28.86 грн |
| 108+ | 27.33 грн |
| 2500+ | 26.57 грн |
| SI4435DDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38.97 грн |
| 11+ | 29.57 грн |
| 100+ | 26.00 грн |
| SI4435DDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.84 грн |
| 10+ | 55.38 грн |
| 50+ | 22.67 грн |
| 137+ | 21.43 грн |
| 2500+ | 21.24 грн |
| 5000+ | 20.57 грн |
| SI4435FDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.00 грн |
| 10+ | 30.95 грн |
| 50+ | 22.00 грн |
| 72+ | 15.71 грн |
| 197+ | 14.86 грн |
| 500+ | 14.28 грн |
| SI4447ADY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 664 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.61 грн |
| 10+ | 47.57 грн |
| 43+ | 26.57 грн |
| 116+ | 25.05 грн |
| 500+ | 24.19 грн |
| SI4459ADY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 205.12 грн |
| 10+ | 141.42 грн |
| 17+ | 66.66 грн |
| 47+ | 62.85 грн |
| SI4463CDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.46 грн |
| 10+ | 63.29 грн |
| 26+ | 43.71 грн |
| 71+ | 41.33 грн |
| 250+ | 39.71 грн |
| SI4483ADY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.51 грн |
| 5+ | 87.03 грн |
| 15+ | 77.14 грн |
| 25+ | 74.28 грн |
| 41+ | 72.38 грн |
| 100+ | 69.52 грн |
| SI4532CDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.12 грн |
| 10+ | 58.94 грн |
| 50+ | 38.66 грн |
| 51+ | 22.28 грн |
| 139+ | 21.05 грн |
| 2500+ | 20.28 грн |
| SI4559ADY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 97.43 грн |
| 10+ | 89.99 грн |
| 30+ | 38.09 грн |
| 82+ | 36.19 грн |
| SI4599DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.25 грн |
| 10+ | 65.07 грн |
| 44+ | 25.90 грн |
| 120+ | 24.47 грн |
| 2500+ | 24.00 грн |
| SI4686DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.66 грн |
| 10+ | 49.15 грн |
| 33+ | 33.90 грн |
| 91+ | 32.09 грн |
| 2500+ | 31.43 грн |
| 5000+ | 30.86 грн |
| SI4800BDY-T1-E3 | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.36 грн |
| 10+ | 42.03 грн |
| 46+ | 24.47 грн |
| 126+ | 23.14 грн |
| SI4835DDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.51 грн |
| 26+ | 44.47 грн |
| 70+ | 42.09 грн |
| SI4835DDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.30 грн |
| 30+ | 38.47 грн |
| 81+ | 36.28 грн |
| SI4840BDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.53 грн |
| 5+ | 87.03 грн |
| 10+ | 78.57 грн |
| 50+ | 66.85 грн |
| 100+ | 62.19 грн |
| 500+ | 52.00 грн |
| 1000+ | 47.81 грн |
| SI4848DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 3W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 150V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 3W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 150V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.30 грн |
| 10+ | 99.88 грн |
| 17+ | 66.66 грн |
| 46+ | 63.81 грн |
| 500+ | 60.95 грн |
| SI4850EY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 176.40 грн |
| 5+ | 144.58 грн |
| 10+ | 125.71 грн |
| 26+ | 43.62 грн |
| 71+ | 41.24 грн |
| SI4925DDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Kind of package: reel; tape
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Kind of package: reel; tape
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.79 грн |
| 5+ | 77.53 грн |
| 10+ | 67.42 грн |
| 50+ | 52.76 грн |
| 100+ | 47.04 грн |
| 500+ | 34.47 грн |
| 1000+ | 32.19 грн |
| SI4936CDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.84 грн |
| 10+ | 48.76 грн |
| 50+ | 33.81 грн |
| 100+ | 29.14 грн |
| 500+ | 26.19 грн |
| SI4948BEY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.43 грн |
| 10+ | 98.30 грн |
| 50+ | 66.76 грн |
| 100+ | 57.71 грн |
| 250+ | 48.66 грн |
| 500+ | 43.62 грн |
| 1000+ | 39.81 грн |
| SI7113DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.5A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 0.134Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.5A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 0.134Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.40 грн |
| 10+ | 108.78 грн |
| 16+ | 73.33 грн |
| 43+ | 69.52 грн |
| 1000+ | 66.66 грн |
| SI7115DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.70 грн |
| 14+ | 81.90 грн |
| 38+ | 77.14 грн |
| SI7121ADN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 17.8W
Gate-source voltage: ±25V
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 17.8W
Gate-source voltage: ±25V
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.69 грн |
| 10+ | 47.37 грн |
| 20+ | 41.14 грн |
| 43+ | 26.19 грн |
| 118+ | 24.76 грн |
| 500+ | 24.57 грн |
| 1000+ | 23.81 грн |
| SI7149ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.82 грн |
| 10+ | 63.39 грн |
| 33+ | 34.95 грн |
| 89+ | 33.05 грн |
| 500+ | 32.86 грн |
| 1000+ | 31.71 грн |


















