| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI1302DL-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.48A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.18W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI1308EDL-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD Power dissipation: 0.3W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SC70; SOT323 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 4.1nC On-state resistance: 132mΩ Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 6A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI1317DL-T1-GE3 | VISHAY |
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1836 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI1442DH-T1-GE3 | VISHAY |
SI1442DH-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI1443EDH-T1-GE3 | VISHAY |
SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI1902CDL-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.27W Case: SC70-6; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.235Ω Gate charge: 2nC Drain current: 0.9A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Si2300DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2566 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2301BDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2301CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 142mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4484 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2302CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2021 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2302DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3399 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2303CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2304DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2305CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3426 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2306BDS-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2307CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 138mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4282 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2308BDS-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.06W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 192mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 144mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10676 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2309CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.3A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 1.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2312CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.1A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 328 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI2315BDS-T1-E3 | VISHAY |
SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2315BDS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI2318CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 4.5A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2318DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A; 0.75W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 0.75W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2319CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4072 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2319DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2319DS-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2663 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2319DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1928 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2323CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1685 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2323DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2323DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2324DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 234mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.9nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11378 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI2328DS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2764 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2329DS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI2333CDS-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2333CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2333DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2336DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A Gate charge: 5.7nC On-state resistance: 52mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 883 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2337DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -1.75A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1961 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI2338DS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 3144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2342DS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1178 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2343CDS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2347DS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2742 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI2356DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 4.3A Gate charge: 13nC On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 1.7W Gate-source voltage: ±12V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2365EDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A Gate charge: 36nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Pulsed drain current: -20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2366DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A Gate charge: 10nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 1.3W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI2369DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.6A Gate charge: 36nC On-state resistance: 29mΩ Power dissipation: 1.6W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Pulsed drain current: -80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI2374DS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2377EDS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2392ADS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI2393DS-T1-GE3 | VISHAY |
SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
Si3407DV-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 4.2W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2631 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI3421DV-T1-GE3 | VISHAY |
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2807 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI3443BDV-T1-E3 | VISHAY |
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI3457CDV-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Case: TSOP6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -20A Drain current: -4.1A Gate charge: 15nC On-state resistance: 113mΩ Power dissipation: 3W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI3458BDV-T1-GE3 | VISHAY |
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI3459BDV-T1-GE3 | VISHAY |
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI3460DDV-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.9A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI3473CDV-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Case: TSOP6 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -12V Drain current: -8A Gate charge: 65nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 4.2W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-GE3 | VISHAY |
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2064 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| SI1302DL-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.05 грн |
| 9+ | 33.03 грн |
| 11+ | 28.38 грн |
| 82+ | 13.62 грн |
| 226+ | 12.86 грн |
| 3000+ | 12.38 грн |
| SI1308EDL-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Power dissipation: 0.3W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Power dissipation: 0.3W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.92 грн |
| 12+ | 26.01 грн |
| 25+ | 21.33 грн |
| 50+ | 18.67 грн |
| 90+ | 12.48 грн |
| 247+ | 11.81 грн |
| 1000+ | 11.43 грн |
| SI1317DL-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.38 грн |
| 99+ | 11.43 грн |
| 271+ | 10.76 грн |
| SI1442DH-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1442DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI1442DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.33 грн |
| 116+ | 9.71 грн |
| 319+ | 9.14 грн |
| SI1443EDH-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.87 грн |
| 81+ | 14.00 грн |
| 221+ | 13.24 грн |
| SI1902CDL-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Drain current: 0.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Drain current: 0.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.69 грн |
| 16+ | 18.99 грн |
| 19+ | 15.71 грн |
| 100+ | 10.57 грн |
| 281+ | 10.38 грн |
| 500+ | 10.00 грн |
| Si2300DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.56 грн |
| 19+ | 15.82 грн |
| 25+ | 14.28 грн |
| 50+ | 13.52 грн |
| 100+ | 12.76 грн |
| 500+ | 11.81 грн |
| SI2301BDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 307.67 грн |
| 10+ | 29.77 грн |
| 25+ | 25.14 грн |
| 100+ | 20.95 грн |
| 250+ | 16.95 грн |
| 500+ | 15.05 грн |
| 1000+ | 13.43 грн |
| SI2301CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.07 грн |
| 11+ | 28.48 грн |
| 20+ | 23.90 грн |
| 100+ | 17.33 грн |
| 500+ | 12.95 грн |
| 1000+ | 11.52 грн |
| 3000+ | 9.71 грн |
| SI2302CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.02 грн |
| 11+ | 28.88 грн |
| 50+ | 21.90 грн |
| 100+ | 19.71 грн |
| 500+ | 15.33 грн |
| 1000+ | 13.62 грн |
| 3000+ | 11.43 грн |
| SI2302DDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.72 грн |
| 13+ | 23.54 грн |
| 25+ | 20.09 грн |
| 100+ | 16.09 грн |
| 500+ | 12.00 грн |
| 1000+ | 10.48 грн |
| 3000+ | 8.95 грн |
| SI2303CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.20 грн |
| 10+ | 34.91 грн |
| 50+ | 25.33 грн |
| 100+ | 22.28 грн |
| 500+ | 16.38 грн |
| 1000+ | 14.28 грн |
| 3000+ | 11.52 грн |
| SI2304DDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.84 грн |
| 14+ | 21.26 грн |
| 50+ | 15.14 грн |
| 100+ | 13.43 грн |
| 500+ | 10.09 грн |
| SI2305CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.95 грн |
| 18+ | 17.31 грн |
| 20+ | 15.33 грн |
| 50+ | 13.81 грн |
| 100+ | 12.76 грн |
| 500+ | 10.67 грн |
| 1000+ | 10.57 грн |
| SI2306BDS-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38.97 грн |
| 12+ | 26.21 грн |
| 50+ | 23.81 грн |
| SI2307CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.36 грн |
| 10+ | 36.59 грн |
| 50+ | 25.33 грн |
| 100+ | 21.81 грн |
| 500+ | 15.33 грн |
| 1000+ | 13.14 грн |
| 1500+ | 12.00 грн |
| SI2308BDS-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.23 грн |
| 20+ | 34.42 грн |
| 100+ | 24.76 грн |
| 250+ | 20.95 грн |
| 500+ | 18.67 грн |
| 1000+ | 16.76 грн |
| 3000+ | 14.38 грн |
| SI2308CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10676 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.74 грн |
| 16+ | 19.19 грн |
| 25+ | 15.33 грн |
| 100+ | 11.71 грн |
| 500+ | 9.52 грн |
| SI2309CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.25 грн |
| 10+ | 35.50 грн |
| 50+ | 26.09 грн |
| 100+ | 22.95 грн |
| 500+ | 16.95 грн |
| 1000+ | 14.67 грн |
| 1500+ | 13.52 грн |
| SI2312CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.18 грн |
| 9+ | 35.60 грн |
| 10+ | 30.09 грн |
| 91+ | 12.48 грн |
| 249+ | 11.71 грн |
| 3000+ | 11.52 грн |
| SI2315BDS-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.15 грн |
| 52+ | 21.81 грн |
| 142+ | 20.67 грн |
| 3000+ | 20.57 грн |
| SI2315BDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.97 грн |
| 61+ | 18.57 грн |
| 167+ | 17.62 грн |
| SI2318CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38.97 грн |
| 12+ | 25.52 грн |
| 20+ | 21.14 грн |
| 90+ | 12.48 грн |
| 248+ | 11.81 грн |
| 500+ | 11.33 грн |
| SI2318DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A; 0.75W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A; 0.75W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.05 грн |
| 25+ | 26.11 грн |
| 58+ | 19.62 грн |
| 158+ | 18.57 грн |
| SI2319CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 10+ | 43.02 грн |
| 50+ | 22.38 грн |
| 138+ | 21.24 грн |
| 500+ | 20.38 грн |
| SI2319DDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.20 грн |
| 10+ | 36.49 грн |
| 50+ | 26.38 грн |
| 66+ | 17.05 грн |
| 181+ | 16.09 грн |
| 1000+ | 15.71 грн |
| 3000+ | 15.52 грн |
| SI2319DS-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.25 грн |
| 6+ | 50.83 грн |
| 25+ | 44.19 грн |
| 34+ | 33.78 грн |
| 91+ | 31.94 грн |
| SI2319DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 10+ | 51.62 грн |
| 25+ | 38.85 грн |
| 38+ | 29.71 грн |
| 104+ | 28.09 грн |
| 1000+ | 27.71 грн |
| 3000+ | 27.05 грн |
| SI2323CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.20 грн |
| 10+ | 35.21 грн |
| 78+ | 14.48 грн |
| 214+ | 13.71 грн |
| SI2323DDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.43 грн |
| 10+ | 41.24 грн |
| 50+ | 29.52 грн |
| 52+ | 21.90 грн |
| 142+ | 20.67 грн |
| 500+ | 19.90 грн |
| SI2323DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.07 грн |
| 10+ | 62.60 грн |
| 25+ | 53.90 грн |
| 37+ | 31.14 грн |
| 100+ | 29.52 грн |
| 250+ | 29.43 грн |
| 1000+ | 29.05 грн |
| SI2324DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.9nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.9nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11378 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.82 грн |
| 11+ | 26.19 грн |
| 50+ | 23.14 грн |
| 53+ | 21.52 грн |
| 144+ | 20.38 грн |
| 500+ | 19.52 грн |
| SI2328DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.38 грн |
| 58+ | 19.62 грн |
| 158+ | 18.57 грн |
| SI2329DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.33 грн |
| 43+ | 26.19 грн |
| 118+ | 24.76 грн |
| SI2333CDS-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.36 грн |
| 10+ | 46.38 грн |
| 42+ | 26.57 грн |
| 116+ | 25.14 грн |
| 1000+ | 24.38 грн |
| 3000+ | 24.19 грн |
| SI2333CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.64 грн |
| 10+ | 45.79 грн |
| 78+ | 14.38 грн |
| 213+ | 13.62 грн |
| SI2333DDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.25 грн |
| 8+ | 39.76 грн |
| 10+ | 33.62 грн |
| 72+ | 15.71 грн |
| 196+ | 14.86 грн |
| 1000+ | 14.28 грн |
| SI2336DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.84 грн |
| 12+ | 26.31 грн |
| 100+ | 20.00 грн |
| 110+ | 10.19 грн |
| 303+ | 9.62 грн |
| 15000+ | 9.33 грн |
| SI2337DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 102.56 грн |
| 10+ | 68.63 грн |
| 31+ | 36.57 грн |
| 50+ | 36.47 грн |
| 85+ | 34.57 грн |
| 3000+ | 33.81 грн |
| SI2338DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.66 грн |
| 67+ | 16.86 грн |
| 184+ | 15.90 грн |
| SI2342DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.87 грн |
| 67+ | 16.76 грн |
| 185+ | 15.90 грн |
| SI2343CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.10 грн |
| 68+ | 16.57 грн |
| 187+ | 15.62 грн |
| SI2347DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.64 грн |
| 108+ | 10.48 грн |
| 295+ | 9.90 грн |
| SI2356DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.92 грн |
| 13+ | 22.84 грн |
| 50+ | 16.00 грн |
| 100+ | 14.09 грн |
| 114+ | 9.90 грн |
| 313+ | 9.33 грн |
| 3000+ | 9.05 грн |
| SI2365EDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.72 грн |
| 17+ | 17.50 грн |
| 50+ | 11.71 грн |
| 100+ | 10.00 грн |
| 151+ | 7.52 грн |
| 413+ | 7.05 грн |
| 1000+ | 6.76 грн |
| SI2366DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.10 грн |
| 10+ | 32.44 грн |
| 50+ | 23.24 грн |
| 87+ | 12.95 грн |
| 239+ | 12.28 грн |
| 3000+ | 12.09 грн |
| 6000+ | 11.81 грн |
| SI2369DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.10 грн |
| 10+ | 30.26 грн |
| 50+ | 21.81 грн |
| 69+ | 16.38 грн |
| 189+ | 15.52 грн |
| 500+ | 14.86 грн |
| SI2374DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.23 грн |
| 96+ | 11.81 грн |
| 263+ | 11.14 грн |
| 1000+ | 11.08 грн |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.84 грн |
| 69+ | 16.38 грн |
| 189+ | 15.52 грн |
| SI2392ADS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.20 грн |
| 66+ | 17.24 грн |
| 180+ | 16.28 грн |
| SI2393DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.82 грн |
| 80+ | 14.00 грн |
| 220+ | 13.24 грн |
| Si3407DV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.82 грн |
| 13+ | 24.53 грн |
| 25+ | 21.62 грн |
| 50+ | 20.28 грн |
| SI3421DV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.74 грн |
| 61+ | 18.57 грн |
| 167+ | 17.62 грн |
| SI3443BDV-T1-E3 | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.02 грн |
| 66+ | 17.02 грн |
| 182+ | 16.09 грн |
| SI3457CDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.56 грн |
| 10+ | 39.66 грн |
| 50+ | 30.28 грн |
| 75+ | 14.95 грн |
| 206+ | 14.09 грн |
| 3000+ | 13.62 грн |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.07 грн |
| 40+ | 28.28 грн |
| 110+ | 26.76 грн |
| 6000+ | 26.70 грн |
| SI3459BDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.69 грн |
| 54+ | 20.95 грн |
| 148+ | 19.81 грн |
| SI3460DDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.87 грн |
| 13+ | 23.14 грн |
| 25+ | 18.48 грн |
| 50+ | 16.19 грн |
| 100+ | 14.48 грн |
| 112+ | 10.09 грн |
| 306+ | 9.52 грн |
| SI3473CDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.82 грн |
| 10+ | 53.60 грн |
| 50+ | 22.67 грн |
| 136+ | 21.43 грн |
| 3000+ | 20.67 грн |
| SI3483CDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.82 грн |
| 47+ | 24.38 грн |
| 127+ | 23.05 грн |
| 30000+ | 23.04 грн |









