Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (358737) > Сторінка 1161 з 5979

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1166 1194 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5979  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.87 грн
18+65.71 грн
48+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.92 грн
34+34.00 грн
91+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.00 грн
25+46.57 грн
67+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 225nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.58 грн
10+66.36 грн
30+38.66 грн
80+36.57 грн
500+35.62 грн
1000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.9W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.27 грн
5+165.16 грн
10+143.80 грн
17+66.66 грн
47+62.85 грн
1500+60.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 46W
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.50 грн
10+97.91 грн
14+80.95 грн
38+77.14 грн
100+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.28 грн
54+20.86 грн
149+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.10 грн
10+77.73 грн
34+33.43 грн
92+31.62 грн
7500+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.77 грн
10+60.13 грн
25+52.47 грн
41+27.62 грн
112+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.10 грн
10+77.73 грн
34+33.43 грн
92+31.62 грн
7500+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 VISHAY si9433bd.pdf SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+307.67 грн
21+55.23 грн
56+52.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.38 грн
5+103.44 грн
10+87.52 грн
36+31.43 грн
99+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A7E29059520DF&compId=SI9933CDY.pdf?ci_sign=149105d3216bdce939e4bc6c890a58e5005e972c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.05 грн
6+58.74 грн
10+49.14 грн
44+25.52 грн
121+24.19 грн
500+24.00 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+103.38 грн
24+47.14 грн
66+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.97 грн
50+22.95 грн
135+21.71 грн
3000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.87 грн
72+15.71 грн
197+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 12W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.48 грн
10+36.89 грн
64+17.81 грн
174+16.86 грн
1000+16.57 грн
3000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.82 грн
10+51.13 грн
20+42.28 грн
49+23.33 грн
133+22.00 грн
500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+298.44 грн
5+232.40 грн
8+157.13 грн
20+148.56 грн
50+144.75 грн
100+142.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 VISHAY sihd2n80ae.pdf SIHD2N80AE-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.89 грн
13+92.38 грн
34+87.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY sihf22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+385.62 грн
5+300.64 грн
10+258.08 грн
25+219.99 грн
50+207.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3 VISHAY SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.87 грн
17+69.52 грн
45+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.79 грн
6+58.15 грн
25+49.43 грн
27+42.85 грн
72+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.28 грн
7+45.10 грн
20+38.28 грн
34+33.33 грн
93+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 VISHAY sihfr220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.74 грн
7+47.07 грн
25+40.85 грн
36+31.43 грн
98+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+344.60 грн
5+280.86 грн
6+216.18 грн
15+204.75 грн
100+196.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9064578CFE4143&compId=SIHG47N60E.pdf?ci_sign=dc5f5c5da56beb3aa5eee02d998e7ce3c39409be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+694.32 грн
10+636.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1057.37 грн
2+802.04 грн
4+730.43 грн
10+702.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795E5474B61FCE747&compId=SIHP065N60E.pdf?ci_sign=6f79f5ba913d01040ae1231e9800499694cc785e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+497.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 VISHAY sihp100n60e.pdf SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+434.85 грн
4+291.41 грн
11+276.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf SIHP12N50E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.68 грн
12+99.99 грн
25+98.90 грн
32+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.94 грн
5+145.38 грн
10+118.09 грн
12+95.23 грн
33+90.47 грн
50+86.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+386.64 грн
5+336.24 грн
25+285.70 грн
100+256.18 грн
500+242.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+283.06 грн
5+235.37 грн
10+205.70 грн
25+194.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+274.86 грн
3+243.28 грн
10+197.13 грн
25+185.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Case: TDFN4
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.97 грн
12+26.21 грн
25+22.76 грн
100+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 SIP32431DR3-T1GE3 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Case: SC70
Mounting: SMD
On-state resistance: 147mΩ
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.02 грн
11+27.89 грн
25+24.09 грн
100+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 VISHAY sip32508.pdf SIP32509DT-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.56 грн
68+16.57 грн
187+15.71 грн
500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 VISHAY sip32510.pdf SIP32510DT-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.36 грн
82+13.90 грн
223+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.07 грн
30+37.81 грн
82+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.46 грн
19+61.90 грн
25+59.34 грн
51+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.48 грн
16+71.42 грн
44+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.12 грн
14+83.80 грн
37+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.94 грн
10+60.13 грн
100+46.76 грн
500+39.14 грн
1000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.87 грн
10+56.07 грн
25+45.24 грн
69+42.76 грн
250+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.69 грн
10+48.46 грн
49+22.95 грн
135+21.71 грн
2500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.10 грн
9+34.61 грн
10+29.71 грн
64+17.71 грн
175+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.18 грн
52+21.62 грн
143+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.10 грн
5+102.85 грн
10+91.42 грн
15+76.19 грн
41+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+151.79 грн
10+108.78 грн
18+62.85 грн
49+60.00 грн
1000+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+289.21 грн
9+132.37 грн
24+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.33 грн
16+70.47 грн
44+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.30 грн
25+45.04 грн
69+42.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.43 грн
10+36.29 грн
25+33.62 грн
36+31.43 грн
98+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 VISHAY sis413dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 13.2mΩ
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.69 грн
10+48.66 грн
50+22.67 грн
136+21.43 грн
1000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 VISHAY sis443dn.pdf SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.63 грн
18+62.85 грн
50+60.00 грн
1000+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY sis892adn.pdf SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.28 грн
25+45.81 грн
68+43.33 грн
1000+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.07 грн
35+32.38 грн
96+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.35 грн
5+81.09 грн
25+70.47 грн
100+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 VISHAY siss23dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 36W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.94 грн
10+59.14 грн
38+30.09 грн
103+28.47 грн
1000+27.71 грн
1500+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
Виробник: VISHAY
SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.87 грн
18+65.71 грн
48+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.92 грн
34+34.00 грн
91+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 si7617dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.00 грн
25+46.57 грн
67+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 225nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.58 грн
10+66.36 грн
30+38.66 грн
80+36.57 грн
500+35.62 грн
1000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.9W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.27 грн
5+165.16 грн
10+143.80 грн
17+66.66 грн
47+62.85 грн
1500+60.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
SI7938DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 46W
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.50 грн
10+97.91 грн
14+80.95 грн
38+77.14 грн
100+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.28 грн
54+20.86 грн
149+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa
SI9407BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.10 грн
10+77.73 грн
34+33.43 грн
92+31.62 грн
7500+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa
SI9407BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.77 грн
10+60.13 грн
25+52.47 грн
41+27.62 грн
112+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa
SI9407BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.10 грн
10+77.73 грн
34+33.43 грн
92+31.62 грн
7500+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 si9433bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+307.67 грн
21+55.23 грн
56+52.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.38 грн
5+103.44 грн
10+87.52 грн
36+31.43 грн
99+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A7E29059520DF&compId=SI9933CDY.pdf?ci_sign=149105d3216bdce939e4bc6c890a58e5005e972c
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.05 грн
6+58.74 грн
10+49.14 грн
44+25.52 грн
121+24.19 грн
500+24.00 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+103.38 грн
24+47.14 грн
66+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.97 грн
50+22.95 грн
135+21.71 грн
3000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
72+15.71 грн
197+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
SIA483DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 12W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.48 грн
10+36.89 грн
64+17.81 грн
174+16.86 грн
1000+16.57 грн
3000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
SIA517DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.82 грн
10+51.13 грн
20+42.28 грн
49+23.33 грн
133+22.00 грн
500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.44 грн
5+232.40 грн
8+157.13 грн
20+148.56 грн
50+144.75 грн
100+142.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 sihd2n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
SIHD2N80AE-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.89 грн
13+92.38 грн
34+87.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.62 грн
5+300.64 грн
10+258.08 грн
25+219.99 грн
50+207.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.87 грн
17+69.52 грн
45+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.79 грн
6+58.15 грн
25+49.43 грн
27+42.85 грн
72+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
SIHFR1N60A-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.28 грн
7+45.10 грн
20+38.28 грн
34+33.33 грн
93+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
SIHFR220TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.74 грн
7+47.07 грн
25+40.85 грн
36+31.43 грн
98+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.60 грн
5+280.86 грн
6+216.18 грн
15+204.75 грн
100+196.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9064578CFE4143&compId=SIHG47N60E.pdf?ci_sign=dc5f5c5da56beb3aa5eee02d998e7ce3c39409be
SIHG47N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+694.32 грн
10+636.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b
SIHG73N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1057.37 грн
2+802.04 грн
4+730.43 грн
10+702.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795E5474B61FCE747&compId=SIHP065N60E.pdf?ci_sign=6f79f5ba913d01040ae1231e9800499694cc785e
SIHP065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 sihp100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.85 грн
4+291.41 грн
11+276.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP12N50E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.68 грн
12+99.99 грн
25+98.90 грн
32+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.94 грн
5+145.38 грн
10+118.09 грн
12+95.23 грн
33+90.47 грн
50+86.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
SIHP22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.64 грн
5+336.24 грн
25+285.70 грн
100+256.18 грн
500+242.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.06 грн
5+235.37 грн
10+205.70 грн
25+194.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.86 грн
3+243.28 грн
10+197.13 грн
25+185.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Case: TDFN4
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.97 грн
12+26.21 грн
25+22.76 грн
100+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 sip32431.pdf
SIP32431DR3-T1GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Case: SC70
Mounting: SMD
On-state resistance: 147mΩ
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.02 грн
11+27.89 грн
25+24.09 грн
100+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 sip32508.pdf
Виробник: VISHAY
SIP32509DT-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.56 грн
68+16.57 грн
187+15.71 грн
500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 sip32510.pdf
Виробник: VISHAY
SIP32510DT-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.36 грн
82+13.90 грн
223+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.07 грн
30+37.81 грн
82+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.46 грн
19+61.90 грн
25+59.34 грн
51+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.48 грн
16+71.42 грн
44+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.12 грн
14+83.80 грн
37+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.94 грн
10+60.13 грн
100+46.76 грн
500+39.14 грн
1000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.87 грн
10+56.07 грн
25+45.24 грн
69+42.76 грн
250+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.69 грн
10+48.46 грн
49+22.95 грн
135+21.71 грн
2500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 sira18adp.pdf
SIRA18ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.10 грн
9+34.61 грн
10+29.71 грн
64+17.71 грн
175+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.18 грн
52+21.62 грн
143+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.10 грн
5+102.85 грн
10+91.42 грн
15+76.19 грн
41+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
SIRA90DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.79 грн
10+108.78 грн
18+62.85 грн
49+60.00 грн
1000+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.21 грн
9+132.37 грн
24+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.33 грн
16+70.47 грн
44+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.30 грн
25+45.04 грн
69+42.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.43 грн
10+36.29 грн
25+33.62 грн
36+31.43 грн
98+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 13.2mΩ
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.69 грн
10+48.66 грн
50+22.67 грн
136+21.43 грн
1000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.63 грн
18+62.85 грн
50+60.00 грн
1000+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.28 грн
25+45.81 грн
68+43.33 грн
1000+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.07 грн
35+32.38 грн
96+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763
SISS05DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.35 грн
5+81.09 грн
25+70.47 грн
100+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 36W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.94 грн
10+59.14 грн
38+30.09 грн
103+28.47 грн
1000+27.71 грн
1500+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1166 1194 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5979  [ Наступна Сторінка >> ]