Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (350947) > Сторінка 1161 з 5850

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 585 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1166 1170 1755 2340 2925 3510 4095 4680 5265 5850  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 VISHAY sum110n1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+391.72 грн
6+223.25 грн
14+203.19 грн
800+195.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3 VISHAY sum110p0.pdf SUM110P04-04L-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 VISHAY SUM110P04-05-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -33A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+409.30 грн
4+282.59 грн
11+257.61 грн
800+253.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99327081558E0C7&compId=sum110p06-07l.pdf?ci_sign=5ea24de485d75dd7524211fc0d0996aece877698 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.17 грн
3+250.56 грн
7+176.88 грн
17+167.81 грн
500+165.09 грн
800+161.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 VISHAY 73045.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+294.03 грн
9+133.76 грн
24+121.55 грн
1600+117.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 VISHAY sum110p0.pdf SUM110P08-11L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+457.17 грн
4+280.29 грн
11+264.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3 VISHAY sum40010el.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3 VISHAY sum40012el.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 VISHAY sum40014m.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3 VISHAY sum45n25.pdf SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3 VISHAY sum50010e.pdf SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3 VISHAY sum50020e.pdf SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 VISHAY sum50020el.pdf SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3 VISHAY sum55p06.pdf SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.35 грн
13+84.36 грн
35+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 VISHAY sum60020e.pdf SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 VISHAY sum60061el.pdf SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 VISHAY 72070.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.13 грн
10+142.24 грн
11+103.41 грн
29+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3 VISHAY SUM65N20-30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 VISHAY sum70030e.pdf SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 VISHAY sum70030m.pdf SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY sum70040e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.96 грн
7+182.74 грн
17+166.00 грн
50+159.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3 VISHAY sum70040m.pdf SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 VISHAY sum70042e.pdf SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 VISHAY sum70060e.pdf SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3 VISHAY sum70090e.pdf SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 VISHAY sum70101el.pdf SUM70101EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 VISHAY sum80090e.pdf SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3 VISHAY 71703.pdf SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90100E-GE3 VISHAY sum90100e.pdf SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 VISHAY sum90140e.pdf SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3 VISHAY sum90142e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 VISHAY sum90220e.pdf SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 VISHAY sum90330e.pdf SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3 VISHAY sum90n03.pdf SUM90N03-2M2P-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 VISHAY sum90n10-8m2p.pdf SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+351.67 грн
8+137.88 грн
22+130.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 VISHAY SUM90P10-19L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 326nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+343.85 грн
5+260.92 грн
12+237.65 грн
50+236.75 грн
100+227.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 VISHAY sup10250e.pdf SUP10250E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+287.20 грн
7+175.97 грн
17+166.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP40010EL-GE3 VISHAY sup40010el.pdf SUP40010EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP40012EL-GE3 VISHAY sup40012el.pdf SUP40012EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010E-GE3 VISHAY sup50010e.pdf SUP50010E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020E-GE3 VISHAY sup50020e.pdf SUP50020E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020EL-GE3 VISHAY sup50020el.pdf SUP50020EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-E3 VISHAY sup53p06-20.pdf SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.98 грн
9+129.71 грн
23+122.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 VISHAY SUP57N20-33-E3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+277.43 грн
9+131.88 грн
23+119.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 VISHAY sup60020e.pdf SUP60020E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 VISHAY sup60030e.pdf SUP60030E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3 VISHAY sup70030e.pdf SUP70030E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3 VISHAY sup70040e.pdf SUP70040E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70042E-GE3 VISHAY sup70042e.pdf SUP70042E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70060E-GE3 VISHAY sup70060e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70090E-GE3 VISHAY sup70090e.pdf SUP70090E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 VISHAY sup70101el.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+283.29 грн
6+192.16 грн
16+174.16 грн
1000+168.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP80090E-GE3 VISHAY sup80090e.pdf SUP80090E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 VISHAY SUP85N10-10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+483.54 грн
7+175.21 грн
18+159.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 VISHAY SUP%2CSUB85N10-10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+433.72 грн
7+182.74 грн
17+166.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3 VISHAY sup85n15.pdf SUP85N15-21-E3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3 VISHAY sup90100e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 150A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3 VISHAY sup90140e.pdf SUP90140E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3 VISHAY sup90142e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90220E-GE3 VISHAY sup90220e.pdf SUP90220E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 sum110n1.pdf
SUM110N10-09-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.72 грн
6+223.25 грн
14+203.19 грн
800+195.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3 sum110p0.pdf
Виробник: VISHAY
SUM110P04-04L-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3.pdf
SUM110P04-05-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -33A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+409.30 грн
4+282.59 грн
11+257.61 грн
800+253.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99327081558E0C7&compId=sum110p06-07l.pdf?ci_sign=5ea24de485d75dd7524211fc0d0996aece877698
SUM110P06-07L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.17 грн
3+250.56 грн
7+176.88 грн
17+167.81 грн
500+165.09 грн
800+161.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 73045.pdf
SUM110P06-08L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+294.03 грн
9+133.76 грн
24+121.55 грн
1600+117.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 sum110p0.pdf
Виробник: VISHAY
SUM110P08-11L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.17 грн
4+280.29 грн
11+264.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3 sum40010el.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3 sum40012el.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 sum40014m.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3 sum45n25.pdf
Виробник: VISHAY
SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3 sum50010e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3 sum50020e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 sum50020el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3 sum55p06.pdf
Виробник: VISHAY
SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.35 грн
13+84.36 грн
35+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 72070.pdf
SUM60N10-17-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.13 грн
10+142.24 грн
11+103.41 грн
29+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30.pdf
SUM65N20-30-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 sum70030e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 sum70030m.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3 sum70040e.pdf
SUM70040E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.96 грн
7+182.74 грн
17+166.00 грн
50+159.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3 sum70040m.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 sum70042e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 sum70060e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3 sum70090e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70101EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 sum80090e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3 71703.pdf
Виробник: VISHAY
SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90100E-GE3 sum90100e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 sum90140e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3 sum90142e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 sum90220e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 sum90330e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3 sum90n03.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90N03-2M2P-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 sum90n10-8m2p.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.67 грн
8+137.88 грн
22+130.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L.pdf
SUM90P10-19L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 326nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.85 грн
5+260.92 грн
12+237.65 грн
50+236.75 грн
100+227.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 sup10250e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP10250E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.20 грн
7+175.97 грн
17+166.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP40010EL-GE3 sup40010el.pdf
Виробник: VISHAY
SUP40010EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP40012EL-GE3 sup40012el.pdf
Виробник: VISHAY
SUP40012EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010E-GE3 sup50010e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP50010E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020E-GE3 sup50020e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP50020E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020EL-GE3 sup50020el.pdf
Виробник: VISHAY
SUP50020EL-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP53P06-20-E3 sup53p06-20.pdf
Виробник: VISHAY
SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.98 грн
9+129.71 грн
23+122.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3.pdf
SUP57N20-33-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.43 грн
9+131.88 грн
23+119.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 sup60020e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP60020E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 sup60030e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP60030E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3 sup70030e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP70030E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3 sup70040e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP70040E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70042E-GE3 sup70042e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP70042E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70060E-GE3 sup70060e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70090E-GE3 sup70090e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP70090E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70101EL-GE3 sup70101el.pdf
SUP70101EL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.29 грн
6+192.16 грн
16+174.16 грн
1000+168.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP80090E-GE3 sup80090e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP80090E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10.pdf
SUP85N10-10-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.54 грн
7+175.21 грн
18+159.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP%2CSUB85N10-10.pdf
SUP85N10-10-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.72 грн
7+182.74 грн
17+166.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3 sup85n15.pdf
Виробник: VISHAY
SUP85N15-21-E3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3 sup90100e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 150A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3 sup90140e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP90140E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3 sup90142e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90220E-GE3 sup90220e.pdf
Виробник: VISHAY
SUP90220E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 585 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1166 1170 1755 2340 2925 3510 4095 4680 5265 5850  [ Наступна Сторінка >> ]