Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (351029) > Сторінка 1157 з 5851

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 585 1152 1153 1154 1155 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1170 1755 2340 2925 3510 4095 4680 5265 5850 5851  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY sq2308ces.pdf SQ2308CES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.42 грн
42+25.85 грн
114+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3 VISHAY sq2309es.pdf SQ2309ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3 VISHAY sq2310es.pdf SQ2310ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+97.69 грн
36+29.66 грн
99+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3 VISHAY sq2315es.pdf SQ2315ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.54 грн
51+21.13 грн
138+20.05 грн
3000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3 VISHAY sq2318aes.pdf SQ2318AES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.13 грн
56+19.32 грн
152+18.23 грн
3000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 VISHAY sq2319ads.pdf SQ2319ADS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.51 грн
44+24.31 грн
120+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 VISHAY sq2325es.pdf SQ2325ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.03 грн
47+22.86 грн
128+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3 SQ2337ES-T1_GE3 VISHAY SQ2337ES.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.47 грн
10+49.55 грн
41+26.03 грн
112+24.58 грн
1000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3 VISHAY sq2351es.pdf SQ2351ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.25 грн
58+18.57 грн
158+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 SQ2361AEES-T1_GE3 VISHAY sq2361aees.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.67W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3 SQ2361ES-T1_GE3 VISHAY sq2361es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 0.67W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 VISHAY sq2362es.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 147mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.63 грн
10+37.40 грн
50+30.93 грн
56+19.32 грн
154+18.23 грн
1000+17.78 грн
1500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 VISHAY sq2364ees.pdf SQ2364EES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.66 грн
38+28.39 грн
103+26.85 грн
250+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 VISHAY sq2389es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 169mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.87 грн
10+37.77 грн
46+23.67 грн
124+22.40 грн
1000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 VISHAY sq2398es.pdf SQ2398ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3 VISHAY sq3419ev.pdf SQ3419EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 VISHAY sq3426eev.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABA3FB750BF660D3&compId=sq3426ev.pdf?ci_sign=93272f06ab4634761b05a26fe02ba5c407fdef1f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.29 грн
6+47.48 грн
25+40.46 грн
31+34.92 грн
84+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427AEEV-T1_GE3 SQ3427AEEV-T1_GE3 VISHAY sq3427aeev.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427EV-T1_GE3 SQ3427EV-T1_GE3 VISHAY sq3427ev.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.38 грн
7+43.52 грн
25+37.73 грн
37+30.02 грн
100+28.39 грн
3000+27.85 грн
12000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_BE3 VISHAY SQ3457EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 VISHAY sq3457ev.pdf SQ3457EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3461EV-T1_GE3 VISHAY sq3461ev.pdf SQ3461EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3481EV-T1_BE3 VISHAY SQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3493EV-T1_GE3 VISHAY sq3493ev.pdf SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4050EY-T1_GE3 VISHAY SQ4050EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3 VISHAY sq4153ey.pdf SQ4153EY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.04 грн
11+101.59 грн
29+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_BE3 VISHAY Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_GE3 SQ4284EY-T1_GE3 VISHAY SQ4284EY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_GE3 VISHAY sq4850ey.pdf SQ4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8ACABB4120B6E0C8&compId=SQ4940AEY.pdf?ci_sign=86fe99915b455aff71f448ee6fe0b3de9ce8a27a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.3A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.10 грн
5+68.95 грн
20+56.24 грн
53+52.61 грн
500+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1-GE3 VISHAY SQ4961EY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3 VISHAY sq7414cenw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 VISHAY sq9945bey.pdf SQ9945BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.51 грн
23+46.26 грн
63+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EEJ-T1_GE3 VISHAY SQA401EEJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa405cejw.pdf SQA405CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA411CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa411cejw.pdf SQA411CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa413cejw.pdf SQA413CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA470EEJ-T1_GE3 VISHAY sqa470eej.pdf SQA470EEJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6L-GE3 VISHAY SQD100N04-3M6L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD19P06-60L_GE3 VISHAY sqd19p06.pdf SQD19P06-60L-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.88 грн
20+55.33 грн
53+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD25N15-52_GE3 VISHAY sqd25n15-52.pdf SQD25N15-52-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD30N05-20L_GE3 VISHAY sqd30n05-20l.pdf SQD30N05-20L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40031EL_GE3 SQD40031EL_GE3 VISHAY SQD40031EL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -94A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.95 грн
5+122.46 грн
10+106.13 грн
13+82.54 грн
36+78.01 грн
100+77.10 грн
500+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40052EL_GE3 VISHAY sqd40052el.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 62W
Case: TO252
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12_GE3 VISHAY sqd45p03.pdf SQD45P03-12-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY SQD50N04-4M5L.pdf SQD50N04-4M5L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L-GE3 VISHAY SQD50N05-11L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3 SQD50P06-15L_GE3 VISHAY sqd50p06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 VISHAY sqd50p08.pdf SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ126EP-T1_GE3 VISHAY sqj126ep.pdf SQJ126EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ158EP-T1_GE3 VISHAY sqj158ep.pdf SQJ158EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3 VISHAY sqj164elp.pdf SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3 VISHAY sqj170elp.pdf SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 VISHAY sqj402ep.pdf SQJ402EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_BE3 VISHAY sqj409ep.pdf SQJ409EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3 VISHAY sqj422ep.pdf SQJ422EP-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3 VISHAY sqj431aep.pdf SQJ431AEP-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3 VISHAY sqj431ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
On-state resistance: 527mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.93 грн
10+128.11 грн
13+82.54 грн
36+78.01 грн
500+77.10 грн
1000+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_GE3 VISHAY sqj443ep.pdf SQJ443EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 sq2308ces.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2308CES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.42 грн
42+25.85 грн
114+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3 sq2309es.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2309ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3 sq2310es.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2310ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+97.69 грн
36+29.66 грн
99+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3 sq2315es.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2315ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.54 грн
51+21.13 грн
138+20.05 грн
3000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3 sq2318aes.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2318AES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.13 грн
56+19.32 грн
152+18.23 грн
3000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 sq2319ads.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2319ADS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.51 грн
44+24.31 грн
120+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 sq2325es.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2325ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.03 грн
47+22.86 грн
128+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3 SQ2337ES.pdf
SQ2337ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.47 грн
10+49.55 грн
41+26.03 грн
112+24.58 грн
1000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3 sq2351es.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2351ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.25 грн
58+18.57 грн
158+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 sq2361aees.pdf
SQ2361AEES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.67W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 315mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3 sq2361es.pdf
SQ2361ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 0.67W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 sq2362es.pdf
SQ2362ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 147mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.63 грн
10+37.40 грн
50+30.93 грн
56+19.32 грн
154+18.23 грн
1000+17.78 грн
1500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 sq2364ees.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2364EES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.66 грн
38+28.39 грн
103+26.85 грн
250+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 sq2389es.pdf
SQ2389ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 169mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.87 грн
10+37.77 грн
46+23.67 грн
124+22.40 грн
1000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 sq2398es.pdf
Виробник: VISHAY
SQ2398ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3 sq3419ev.pdf
Виробник: VISHAY
SQ3419EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 sq3426eev.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABA3FB750BF660D3&compId=sq3426ev.pdf?ci_sign=93272f06ab4634761b05a26fe02ba5c407fdef1f
SQ3426EV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.29 грн
6+47.48 грн
25+40.46 грн
31+34.92 грн
84+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427AEEV-T1_GE3 sq3427aeev.pdf
SQ3427AEEV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427EV-T1_GE3 sq3427ev.pdf
SQ3427EV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.38 грн
7+43.52 грн
25+37.73 грн
37+30.02 грн
100+28.39 грн
3000+27.85 грн
12000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_BE3
Виробник: VISHAY
SQ3457EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 sq3457ev.pdf
Виробник: VISHAY
SQ3457EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3461EV-T1_GE3 sq3461ev.pdf
Виробник: VISHAY
SQ3461EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3481EV-T1_BE3
Виробник: VISHAY
SQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3493EV-T1_GE3 sq3493ev.pdf
Виробник: VISHAY
SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4050EY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
SQ4050EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3 sq4153ey.pdf
Виробник: VISHAY
SQ4153EY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.04 грн
11+101.59 грн
29+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_GE3 SQ4284EY.pdf
SQ4284EY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_GE3 sq4850ey.pdf
Виробник: VISHAY
SQ4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8ACABB4120B6E0C8&compId=SQ4940AEY.pdf?ci_sign=86fe99915b455aff71f448ee6fe0b3de9ce8a27a
SQ4940AEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.3A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.10 грн
5+68.95 грн
20+56.24 грн
53+52.61 грн
500+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4961EY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SQ4961EY-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3 sq7414cenw.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 sq9945bey.pdf
Виробник: VISHAY
SQ9945BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+75.51 грн
23+46.26 грн
63+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EEJ-T1_GE3
Виробник: VISHAY
SQA401EEJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3 sqa405cejw.pdf
Виробник: VISHAY
SQA405CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA411CEJW-T1_GE3 sqa411cejw.pdf
Виробник: VISHAY
SQA411CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3 sqa413cejw.pdf
Виробник: VISHAY
SQA413CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA470EEJ-T1_GE3 sqa470eej.pdf
Виробник: VISHAY
SQA470EEJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6L-GE3
Виробник: VISHAY
SQD100N04-3M6L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD19P06-60L_GE3 sqd19p06.pdf
Виробник: VISHAY
SQD19P06-60L-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.88 грн
20+55.33 грн
53+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD25N15-52_GE3 sqd25n15-52.pdf
Виробник: VISHAY
SQD25N15-52-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD30N05-20L_GE3 sqd30n05-20l.pdf
Виробник: VISHAY
SQD30N05-20L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40031EL_GE3 SQD40031EL.pdf
SQD40031EL_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -94A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.95 грн
5+122.46 грн
10+106.13 грн
13+82.54 грн
36+78.01 грн
100+77.10 грн
500+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40052EL_GE3 sqd40052el.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 62W
Case: TO252
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD45P03-12_GE3 sqd45p03.pdf
Виробник: VISHAY
SQD45P03-12-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L.pdf
Виробник: VISHAY
SQD50N04-4M5L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L-GE3
Виробник: VISHAY
SQD50N05-11L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3 sqd50p06.pdf
SQD50P06-15L_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 sqd50p08.pdf
Виробник: VISHAY
SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ126EP-T1_GE3 sqj126ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ126EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ158EP-T1_GE3 sqj158ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ158EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3 sqj164elp.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3 sqj170elp.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 sqj402ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ402EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_BE3 sqj409ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ409EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3 sqj422ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ422EP-T1-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3 sqj431aep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ431AEP-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3 sqj431ep.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
On-state resistance: 527mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.93 грн
10+128.11 грн
13+82.54 грн
36+78.01 грн
500+77.10 грн
1000+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_GE3 sqj443ep.pdf
Виробник: VISHAY
SQJ443EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 585 1152 1153 1154 1155 1156 1157 1158 1159 1160 1161 1162 1170 1755 2340 2925 3510 4095 4680 5265 5850 5851  [ Наступна Сторінка >> ]