Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356795) > Сторінка 1184 з 5947

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1179 1180 1181 1182 1183 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5947  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA421DJ-T1-GE3 VISHAY sia421dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SC70
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -35A
Drain current: -12A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3 VISHAY sia4263dj.pdf SIA4263DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3 VISHAY SIA4265EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3 VISHAY sia427adj.pdf SIA427ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 VISHAY sia429dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJT-T1-GE3 VISHAY SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3 VISHAY sia431dj.pdf SIA431DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3 VISHAY sia432dj.pdf SIA432DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 VISHAY sia433edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3 VISHAY sia436dj.pdf SIA436DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 VISHAY sia437dj.pdf SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY sia440dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3 VISHAY sia445edj.pdf SIA445EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3 VISHAY sia445edjt.pdf SIA445EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 VISHAY sia446dj.pdf SIA446DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 VISHAY sia447dj.pdf SIA447DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3 VISHAY sia449dj.pdf SIA449DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 VISHAY sia456dj.pdf SIA456DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3 VISHAY sia459edj.pdf SIA459EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 VISHAY sia461dj.pdf SIA461DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3 VISHAY sia462dj.pdf SIA462DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 VISHAY sia466edj.pdf SIA466EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 VISHAY sia468dj.pdf SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.29 грн
71+15.14 грн
196+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 VISHAY sia471dj.pdf SIA471DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA472EDJ-T1-GE3 VISHAY SIA472EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3 VISHAY SiA477EDJ_Dec24_2012.pdf SIA477EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJT-T1-GE3 VISHAY sia477edjt.pdf SIA477EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3 VISHAY sia483adj.pdf SIA483ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.26 грн
63+17.16 грн
173+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3 VISHAY sia485dj.pdf SIA485DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.08 грн
10+45.44 грн
49+21.93 грн
135+20.73 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 VISHAY sia519edj.pdf SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 VISHAY sia527dj.pdf SIA527DJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3 VISHAY sia533edj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 7.8W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 215/70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3 VISHAY sia537edj.pdf SIA537EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3 VISHAY sia811adj.pdf SIA811ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 VISHAY sia817edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3 VISHAY sia906ed.pdf SIA906EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3 VISHAY sia910edj.pdf SIA910EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 VISHAY sia913adj.pdf SIA913ADJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA918EDJ-T1-GE3 VISHAY sia918edj.pdf SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3 VISHAY sia921ed.pdf SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 VISHAY SiA923AEDJ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.5A; 7.8W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3 VISHAY sia923edj.pdf SIA923EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3 VISHAY sia928dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
Case: PowerPAK® SC70
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3 VISHAY sia929dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3 VISHAY sia931dj.pdf SIA931DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3 VISHAY sia938djt.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3 VISHAY sia975dj.pdf SIA975DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA00DJ-T1-GE3 VISHAY siaa00dj.pdf SIAA00DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3 VISHAY siaa02dj.pdf SIAA02DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3 VISHAY siaa00dj.pdf SIAA40DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB406EDK-T1-GE3 VISHAY sib406ed.pdf SIB406EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417EDK-T1-GE3 VISHAY sib417ed.pdf SIB417EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3 VISHAY sib422edk.pdf SIB422EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB433EDK-T1-GE3 VISHAY sib433ed.pdf SIB433EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3 VISHAY sib441edk.pdf SIB441EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3 VISHAY sib452dk.pdf SIB452DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3 sia421dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SC70
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -35A
Drain current: -12A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4263DJ-T1-GE3 sia4263dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA4263DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIA4265EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3 sia427adj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA427ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 sia429dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3 sia431dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA431DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3 sia432dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA432DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 sia433edj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3 sia436dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA436DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 sia437dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJ-T1-GE3 sia445edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA445EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3 sia445edjt.pdf
Виробник: VISHAY
SIA445EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 sia446dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA446DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 sia447dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA447DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3 sia449dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA449DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 sia456dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA456DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3 sia459edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA459EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 sia461dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA461DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3 sia462dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA462DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA466EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 sia468dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.29 грн
71+15.14 грн
196+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 sia471dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA471DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA472EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIA472EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3 SiA477EDJ_Dec24_2012.pdf
Виробник: VISHAY
SIA477EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJT-T1-GE3 sia477edjt.pdf
Виробник: VISHAY
SIA477EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3 sia483adj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA483ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.26 грн
63+17.16 грн
173+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA485DJ-T1-GE3 sia485dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA485DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+75.08 грн
10+45.44 грн
49+21.93 грн
135+20.73 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 sia519edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 sia527dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA527DJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3 sia533edj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 7.8W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 215/70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3 sia537edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA537EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3 sia811adj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA811ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 sia817edj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3 sia906ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIA906EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3 sia910edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA910EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 sia913adj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA913ADJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA918EDJ-T1-GE3 sia918edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3 sia921ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 SiA923AEDJ.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.5A; 7.8W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3 sia923edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA923EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3 sia928dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
Case: PowerPAK® SC70
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3 sia929dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3 sia931dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA931DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3 sia938djt.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3 sia975dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA975DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA00DJ-T1-GE3 siaa00dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIAA00DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA02DJ-T1-GE3 siaa02dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIAA02DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIAA40DJ-T1-GE3 siaa00dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIAA40DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB406EDK-T1-GE3 sib406ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIB406EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417EDK-T1-GE3 sib417ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIB417EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3 sib422edk.pdf
Виробник: VISHAY
SIB422EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB433EDK-T1-GE3 sib433ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIB433EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3 sib441edk.pdf
Виробник: VISHAY
SIB441EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3 sib452dk.pdf
Виробник: VISHAY
SIB452DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1179 1180 1181 1182 1183 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5947  [ Наступна Сторінка >> ]