| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIHH180N60E-T1-GE3 | VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 114W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SiHH20N50E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 53A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 174W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 147mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHH21N60E-T1-GE3 | VISHAY |
SIHH21N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SiHH21N65E-T1-GE3 | VISHAY |
SIHH21N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHH21N65EF-T1-GE3 | VISHAY |
SIHH21N65EF-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SiHH24N65E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 58A; 202W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Pulsed drain current: 58A Power dissipation: 202W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SiHH24N65EF-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 55A; 202W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 14A Pulsed drain current: 55A Power dissipation: 202W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 158mΩ Mounting: SMD Gate charge: 117nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHH26N60E-T1-GE3 | VISHAY |
SIHH26N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHH27N60EF-T1-GE3 | VISHAY |
SIHH27N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHH28N60E-T1-GE3 | VISHAY |
SIHH28N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHJ10N60E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 89W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 89W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 313mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHJ240N60E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 89W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHJ690N60E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 11A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHJ6N65E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 74W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 868mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHJ7N65E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 17A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 96W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 598mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHJ8N60E-T1-GE3 | VISHAY |
SIHJ8N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHK045N60E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; Idm: 138A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 138A Drain current: 48A Power dissipation: 278W Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHK045N60EF-T1GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Case: PowerPAK® 1012 On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 133A Drain current: 30A Power dissipation: 278W Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHK055N60EF-T1GE3 | VISHAY |
SIHK055N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHK075N60EF-T1GE3 | VISHAY |
SIHK075N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHK125N60EF-T1GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 132W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 45nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 54A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1012 Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A On-state resistance: 0.125Ω кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHL510STRL-GE3 | VISHAY | SIHL510STRL-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHL530STRR-GE3 | VISHAY | SIHL530STRR-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHL620S-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 21A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHL630STRL-GE3 | VISHAY |
SIHL630STRL-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHL640STRL-GE3 | VISHAY | SIHL640STRL-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHLL014TR-GE3 | VISHAY | SIHLL014TR-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
SIHLL110TR-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.93A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| SIHLR024TRL-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.2A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHLR110TR-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHLU014-GE3 | VISHAY | SIHLU014-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHLU024-GE3 | VISHAY |
SIHLU024-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHLU120-GE3 | VISHAY | SIHLU120-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHLZ24L-GE3 | VISHAY | SIHLZ24L-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHLZ44S-GE3 | VISHAY | SIHLZ44S-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP050N60E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 32A Pulsed drain current: 155A Power dissipation: 278W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP052N60EF-GE3 | VISHAY |
SIHP052N60EF-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
SIHP065N60E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 25A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| SIHP068N60EF-GE3 | VISHAY |
SIHP068N60EF-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP100N60E-GE3 | VISHAY |
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP105N60EF-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A On-state resistance: 0.102Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 208W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 53nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 73A Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP10N40D-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 147W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Pulsed drain current: 23A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP11N80AE-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 78W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 42nC Pulsed drain current: 22A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP11N80E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 179W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 88nC Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP120N60E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 179W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP125N60EF-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 179W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 66A Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A On-state resistance: 0.125Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
SIHP12N50E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 50nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 121A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 466 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| SIHP12N60E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.8A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 58nC Pulsed drain current: 27A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP12N65E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Pulsed drain current: 28A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
SIHP14N50D-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| SIHP14N60E-BE3 | VISHAY |
SIHP14N60E-BE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP14N60E-GE3 | VISHAY |
SIHP14N60E-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP15N50E-BE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.5A; Idm: 28A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14.5A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
SIHP15N50E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9.2A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| SIHP15N60E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP15N65E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 34W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP15N80AEF-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 28A Gate charge: 54nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP17N60D-GE3 | VISHAY |
SIHP17N60D-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP17N80AEF-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 179W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 305mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SIHP17N80E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHH180N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 114W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 114W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SiHH20N50E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 53A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 174W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 53A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 174W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHH21N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHH21N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIHH21N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SiHH21N65E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHH21N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIHH21N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHH21N65EF-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHH21N65EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIHH21N65EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SiHH24N65E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 58A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 58A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SiHH24N65EF-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 55A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 55A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHH26N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHH26N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIHH26N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHH27N60EF-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHH27N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIHH27N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHH28N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHH28N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIHH28N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHJ10N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 89W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 313mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 89W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 313mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHJ240N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHJ690N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 11A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 11A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHJ6N65E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 74W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 868mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 74W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 868mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHJ7N65E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 17A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 96W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 598mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 17A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 96W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 598mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHJ8N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHJ8N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIHJ8N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHK045N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; Idm: 138A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 138A
Drain current: 48A
Power dissipation: 278W
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; Idm: 138A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 138A
Drain current: 48A
Power dissipation: 278W
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHK045N60EF-T1GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: PowerPAK® 1012
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 133A
Drain current: 30A
Power dissipation: 278W
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: PowerPAK® 1012
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 133A
Drain current: 30A
Power dissipation: 278W
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHK055N60EF-T1GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHK055N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
SIHK055N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHK075N60EF-T1GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHK075N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
SIHK075N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHK125N60EF-T1GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 54A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1012
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 54A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1012
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHL510STRL-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHL510STRL-GE3 SMD N channel transistors
SIHL510STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHL530STRR-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHL530STRR-GE3 SMD N channel transistors
SIHL530STRR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHL620S-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHL630STRL-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHL630STRL-GE3 SMD N channel transistors
SIHL630STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHL640STRL-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHL640STRL-GE3 SMD N channel transistors
SIHL640STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHLL014TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHLL014TR-GE3 SMD N channel transistors
SIHLL014TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHLL110TR-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHLR024TRL-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHLR110TR-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHLU014-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHLU014-GE3 THT N channel transistors
SIHLU014-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHLU024-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHLU024-GE3 THT N channel transistors
SIHLU024-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHLU120-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHLU120-GE3 THT N channel transistors
SIHLU120-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHLZ24L-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHLZ24L-GE3 THT N channel transistors
SIHLZ24L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHLZ44S-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIHLZ44S-GE3 SMD N channel transistors
SIHLZ44S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP050N60E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP052N60EF-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHP052N60EF-GE3 THT N channel transistors
SIHP052N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP065N60E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 729.88 грн |
| 3+ | 509.00 грн |
| 7+ | 463.48 грн |
| SIHP068N60EF-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHP068N60EF-GE3 THT N channel transistors
SIHP068N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP100N60E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP105N60EF-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
On-state resistance: 0.102Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 73A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
On-state resistance: 0.102Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 73A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP10N40D-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 23A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 23A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP11N80AE-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP11N80E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP120N60E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP125N60EF-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP12N50E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 121A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 121A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 149.54 грн |
| 5+ | 129.88 грн |
| 12+ | 95.64 грн |
| 31+ | 91.04 грн |
| SIHP12N60E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Pulsed drain current: 27A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Pulsed drain current: 27A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP12N65E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP14N50D-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP14N60E-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHP14N60E-BE3 THT N channel transistors
SIHP14N60E-BE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP14N60E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHP14N60E-GE3 THT N channel transistors
SIHP14N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP15N50E-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.5A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.5A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP15N50E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.60 грн |
| 5+ | 124.15 грн |
| 12+ | 92.88 грн |
| 33+ | 87.36 грн |
| SIHP15N60E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP15N65E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP15N80AEF-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP17N60D-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
SIHP17N60D-GE3 THT N channel transistors
SIHP17N60D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP17N80AEF-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP17N80E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.