Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356795) > Сторінка 1183 з 5947

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1178 1179 1180 1181 1182 1183 1184 1185 1186 1187 1188 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5947  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Si7972DP-T1-GE3 VISHAY si7972dp.pdf SI7972DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3 VISHAY si7994dp.pdf SI7994DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3 VISHAY si7997dp.pdf SI7997DP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3 VISHAY si7998dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25/30A; 22/40W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25/30A
Pulsed drain current: 60...80A
Power dissipation: 22/40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7/12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26/48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8401DB-T1-E1 VISHAY si8401db.pdf SI8401DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8401DB-T1-E3 VISHAY si8401db.pdf SI8401DB-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 VISHAY si8406db.pdf SI8406DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 VISHAY si8409db.pdf SI8409DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8410DB-T2-E1 VISHAY si8410db.pdf SI8410DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8413DB-T1-E1 VISHAY si8413db.pdf SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T2-E1 VISHAY si8416db.pdf SI8416DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 VISHAY si8424cdb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8425DB-T1-E1 VISHAY si8425db.pdf SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8429DB-T1-E1 VISHAY si8429db.pdf SI8429DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 VISHAY si8457db.pdf SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 VISHAY si8466edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1 VISHAY si8472db.pdf SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8481DB-T1-E1 VISHAY SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1 VISHAY si8483db.pdf SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.48 грн
51+21.29 грн
139+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 VISHAY si8489edb.pdf SI8489EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8497DB-T2-E1 VISHAY si8497db.pdf SI8497DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1 VISHAY si8499db.pdf SI8499DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8800EDB-T2-E1 VISHAY si8800edb.pdf SI8800EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1 VISHAY si8802db.pdf SI8802DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 VISHAY si8806db.pdf SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 VISHAY si8808db.pdf SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 VISHAY si8810edb.pdf SI8810EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1 VISHAY si8812db.pdf SI8812DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 VISHAY si8816edb.pdf SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1 VISHAY si8817db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1 VISHAY si8819edb.pdf SI8819EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 VISHAY si8821edb.pdf SI8821EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8823EDB-T2-E1 VISHAY si8823edb.pdf SI8823EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8824EDB-T2-E1 VISHAY si8824edb.pdf SI8824EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 VISHAY si8851edb.pdf SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8902AEDB-T2-E1 VISHAY si8902aedb.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.75 грн
31+35.41 грн
84+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.75 грн
34+32.29 грн
92+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA350D05D9D0469&compId=SI9433BDY-E3.pdf?ci_sign=861b70a3464634b28140c084ffde3c92cddd8c1f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.61 грн
5+60.02 грн
21+53.21 грн
25+52.29 грн
56+50.46 грн
100+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA350D05D9D0469&compId=SI9433BDY-E3.pdf?ci_sign=861b70a3464634b28140c084ffde3c92cddd8c1f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.61 грн
5+60.02 грн
21+53.21 грн
25+52.29 грн
56+50.46 грн
100+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDY-T1-GE3 VISHAY si9433bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 VISHAY Si9435BDY.PDF SI9435BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.40 грн
38+28.35 грн
105+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 VISHAY Si9435BDY.PDF SI9435BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-GE3 VISHAY si9435bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.12 грн
10+46.30 грн
36+30.27 грн
98+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY si9926cd.pdf SI9926CDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.81 грн
44+24.59 грн
121+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 11558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.75 грн
26+42.84 грн
69+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 VISHAY sia106dj.pdf SIA106DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3 VISHAY sia108dj.pdf SIA108DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3 VISHAY sia110dj.pdf SIA110DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3 VISHAY SIA112LDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 VISHAY sia400edj.pdf SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3 VISHAY sia413adj.pdf SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3 VISHAY SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3 VISHAY sia414dj.pdf SIA414DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY sia416dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W
Mounting: SMD
On-state resistance: 83mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15A
Case: PowerPAK® SC70
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.3A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7972DP-T1-GE3 si7972dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7972DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3 si7994dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7994DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3 si7997dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7997DP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7998DP-T1-GE3 si7998dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25/30A; 22/40W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25/30A
Pulsed drain current: 60...80A
Power dissipation: 22/40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7/12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26/48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8401DB-T1-E1 si8401db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8401DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8401DB-T1-E3 si8401db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8401DB-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8406DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 si8409db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8409DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8410DB-T2-E1 si8410db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8410DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8413DB-T1-E1 si8413db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T2-E1 si8416db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8416DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 si8424cdb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8429DB-T1-E1 si8429db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8429DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1 si8472db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8481DB-T1-E1
Виробник: VISHAY
SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+75.48 грн
51+21.29 грн
139+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8489EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8497DB-T2-E1 si8497db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8497DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1 si8499db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8499DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8800EDB-T2-E1 si8800edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8800EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1 si8802db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8802DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 si8806db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 si8808db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 si8810edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8810EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1 si8812db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8812DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1 si8817db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1 si8819edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8819EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 si8821edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8821EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8823EDB-T2-E1 si8823edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8823EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8824EDB-T2-E1 si8824edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8824EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 si8851edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8902AEDB-T2-E1 si8902aedb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.75 грн
31+35.41 грн
84+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.75 грн
34+32.29 грн
92+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA350D05D9D0469&compId=SI9433BDY-E3.pdf?ci_sign=861b70a3464634b28140c084ffde3c92cddd8c1f
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.61 грн
5+60.02 грн
21+53.21 грн
25+52.29 грн
56+50.46 грн
100+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA350D05D9D0469&compId=SI9433BDY-E3.pdf?ci_sign=861b70a3464634b28140c084ffde3c92cddd8c1f
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.61 грн
5+60.02 грн
21+53.21 грн
25+52.29 грн
56+50.46 грн
100+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDY-T1-GE3 si9433bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 Si9435BDY.PDF
Виробник: VISHAY
SI9435BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.40 грн
38+28.35 грн
105+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 Si9435BDY.PDF
Виробник: VISHAY
SI9435BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-GE3 si9435bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.12 грн
10+46.30 грн
36+30.27 грн
98+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3 si9926cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9926CDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3 si9933cdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9933CDY-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9933CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.81 грн
44+24.59 грн
121+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 11558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.75 грн
26+42.84 грн
69+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 sia106dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA106DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3 sia108dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA108DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3 sia110dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA110DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIA112LDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413ADJ-T1-GE3 sia413adj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3 SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf
Виробник: VISHAY
SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3 sia414dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA414DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3 sia416dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W
Mounting: SMD
On-state resistance: 83mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15A
Case: PowerPAK® SC70
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.3A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1178 1179 1180 1181 1182 1183 1184 1185 1186 1187 1188 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5947  [ Наступна Сторінка >> ]