Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356991) > Сторінка 1223 з 5950

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1190 1218 1219 1220 1221 1222 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD20N10-66L-GE3 VISHAY sud20n10-66l.pdf SUD20N10-66L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAD0AF0E1F0BE27&compId=SUD23N06-DTE.pdf?ci_sign=4995d84dd34b76179f05e74256461566615bb5e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.60 грн
10+72.40 грн
28+39.36 грн
76+37.15 грн
1000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3 VISHAY sud25n15.pdf SUD25N15-52-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3 VISHAY sud35n10-26p.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-E3 VISHAY sud35n10-26p.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3 VISHAY sud35n10-26p.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3 VISHAY sud40151el.pdf SUD40151EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3 VISHAY 71323.pdf SUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25-E3 SUD40N10-25-E3 VISHAY sud40n10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3 VISHAY 73540.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 VISHAY sud50n04.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.59 грн
10+83.55 грн
41+26.51 грн
112+25.04 грн
7500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC859DC421E2143&compId=SUD50N06-09L-E3.pdf?ci_sign=00c8cf2593af4e98e4d607cdc8d10afbc9422b7c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 50A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.99 грн
13+88.60 грн
35+80.73 грн
10000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 VISHAY sud50p04-08.pdf SUD50P04-08-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.48 грн
17+65.13 грн
46+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3 VISHAY sud50p04.pdf SUD50P04-09L-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 VISHAY sud50p06-15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+241.06 грн
10+185.77 грн
14+80.73 грн
37+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 VISHAY sud50p06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.07 грн
10+169.58 грн
12+97.24 грн
31+91.74 грн
1000+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 VISHAY sud50p08.pdf SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+234.15 грн
10+114.67 грн
26+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 VISHAY sud50p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY sud50p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -36.4A; 72.7W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 72.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 VISHAY sud70090e.pdf SUD70090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3 VISHAY sud80460e.pdf SUD80460E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3 VISHAY sud90330e.pdf SUD90330E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3 VISHAY sug80050e.pdf SUG80050E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3 VISHAY sug90090e.pdf SUG90090E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC8907D61232143&compId=sum10250e.pdf?ci_sign=8716de75d40a1b99c0ebe327e13ea0f3880386e6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 673 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+319.11 грн
7+182.91 грн
17+166.96 грн
50+164.21 грн
100+160.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 VISHAY sum110n1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 87A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+396.17 грн
6+222.92 грн
14+202.74 грн
800+195.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3 VISHAY sum110p0.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4A40B8CA94469&compId=SUM110P04-05-E3.pdf?ci_sign=c73bb0c5e5d86e28cf454a53056df20333807a2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -33A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+413.95 грн
4+285.80 грн
11+259.62 грн
800+255.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99327081558E0C7&compId=sum110p06-07l.pdf?ci_sign=5ea24de485d75dd7524211fc0d0996aece877698 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+291.45 грн
3+253.41 грн
7+178.89 грн
17+169.72 грн
500+166.96 грн
800+163.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 VISHAY 73045.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+297.37 грн
9+135.28 грн
23+122.93 грн
1600+119.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99315C9706860C7&compId=sum110p08-11l.pdf?ci_sign=b00849d55b9d0a4f8db1ee0b4ab972c332664d7c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+439.64 грн
4+292.47 грн
5+280.72 грн
11+266.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3 VISHAY sum40010el.pdf SUM40010EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3 VISHAY sum40012el.pdf SUM40012EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 VISHAY sum40014m.pdf SUM40014M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3 VISHAY sum45n25.pdf SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3 VISHAY sum50010e.pdf SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3 VISHAY sum50020e.pdf SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 VISHAY sum50020el.pdf SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3 VISHAY sum55p06.pdf SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.58 грн
13+85.32 грн
35+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 VISHAY sum60020e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 VISHAY sum60061el.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -150A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 218nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 VISHAY 72070.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.99 грн
10+143.85 грн
11+104.58 грн
29+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992FAB4382820C7&compId=SUM65N20-30.pdf?ci_sign=9d2b2265817dc4d6f5f9a79e0b86a3972be746f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 VISHAY sum70030e.pdf SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 VISHAY sum70030m.pdf SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC883E5151B4143&compId=sum70040e.pdf?ci_sign=c848107692e3b9603eb0d66d31119a040f359295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+257.86 грн
7+184.82 грн
17+167.88 грн
50+161.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3 VISHAY sum70040m.pdf SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 VISHAY sum70042e.pdf SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 VISHAY sum70060e.pdf SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3 VISHAY sum70090e.pdf SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 VISHAY sum70101el.pdf SUM70101EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 VISHAY sum80090e.pdf SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3 VISHAY 71703.pdf SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90100E-GE3 VISHAY sum90100e.pdf SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 VISHAY sum90140e.pdf SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3 VISHAY sum90142e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 VISHAY sum90220e.pdf SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 VISHAY sum90330e.pdf SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3 VISHAY sum90n03.pdf SUM90N03-2M2P-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 VISHAY sum90n10-8m2p.pdf SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.66 грн
8+139.44 грн
22+132.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3 sud20n10-66l.pdf
Виробник: VISHAY
SUD20N10-66L-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAD0AF0E1F0BE27&compId=SUD23N06-DTE.pdf?ci_sign=4995d84dd34b76179f05e74256461566615bb5e8
SUD23N06-31-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.60 грн
10+72.40 грн
28+39.36 грн
76+37.15 грн
1000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3 sud25n15.pdf
Виробник: VISHAY
SUD25N15-52-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3 sud35n10-26p.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-E3 sud35n10-26p.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3 sud35n10-26p.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3 sud40151el.pdf
Виробник: VISHAY
SUD40151EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3 71323.pdf
Виробник: VISHAY
SUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25-E3 sud40n10.pdf
SUD40N10-25-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3 73540.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 sud50n04.pdf
SUD50N04-8M8P-4GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.59 грн
10+83.55 грн
41+26.51 грн
112+25.04 грн
7500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC859DC421E2143&compId=SUD50N06-09L-E3.pdf?ci_sign=00c8cf2593af4e98e4d607cdc8d10afbc9422b7c
SUD50N06-09L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 50A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.99 грн
13+88.60 грн
35+80.73 грн
10000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 sud50p04-08.pdf
Виробник: VISHAY
SUD50P04-08-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.48 грн
17+65.13 грн
46+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3 sud50p04.pdf
Виробник: VISHAY
SUD50P04-09L-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 sud50p06-15.pdf
SUD50P06-15-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.06 грн
10+185.77 грн
14+80.73 грн
37+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3 sud50p06.pdf
SUD50P06-15L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.07 грн
10+169.58 грн
12+97.24 грн
31+91.74 грн
1000+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
Виробник: VISHAY
SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.15 грн
10+114.67 грн
26+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -36.4A; 72.7W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 72.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 sud70090e.pdf
Виробник: VISHAY
SUD70090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3 sud80460e.pdf
Виробник: VISHAY
SUD80460E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3 sud90330e.pdf
Виробник: VISHAY
SUD90330E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3 sug80050e.pdf
Виробник: VISHAY
SUG80050E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3 sug90090e.pdf
Виробник: VISHAY
SUG90090E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC8907D61232143&compId=sum10250e.pdf?ci_sign=8716de75d40a1b99c0ebe327e13ea0f3880386e6
SUM10250E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 673 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+319.11 грн
7+182.91 грн
17+166.96 грн
50+164.21 грн
100+160.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 sum110n1.pdf
SUM110N10-09-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 87A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.17 грн
6+222.92 грн
14+202.74 грн
800+195.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3 sum110p0.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4A40B8CA94469&compId=SUM110P04-05-E3.pdf?ci_sign=c73bb0c5e5d86e28cf454a53056df20333807a2b
SUM110P04-05-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -33A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.95 грн
4+285.80 грн
11+259.62 грн
800+255.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99327081558E0C7&compId=sum110p06-07l.pdf?ci_sign=5ea24de485d75dd7524211fc0d0996aece877698
SUM110P06-07L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.45 грн
3+253.41 грн
7+178.89 грн
17+169.72 грн
500+166.96 грн
800+163.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 73045.pdf
SUM110P06-08L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+297.37 грн
9+135.28 грн
23+122.93 грн
1600+119.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99315C9706860C7&compId=sum110p08-11l.pdf?ci_sign=b00849d55b9d0a4f8db1ee0b4ab972c332664d7c
SUM110P08-11L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.64 грн
4+292.47 грн
5+280.72 грн
11+266.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3 sum40010el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM40010EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3 sum40012el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM40012EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 sum40014m.pdf
Виробник: VISHAY
SUM40014M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3 sum45n25.pdf
Виробник: VISHAY
SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3 sum50010e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3 sum50020e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 sum50020el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3 sum55p06.pdf
Виробник: VISHAY
SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.58 грн
13+85.32 грн
35+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -150A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 218nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 72070.pdf
SUM60N10-17-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.99 грн
10+143.85 грн
11+104.58 грн
29+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992FAB4382820C7&compId=SUM65N20-30.pdf?ci_sign=9d2b2265817dc4d6f5f9a79e0b86a3972be746f7
SUM65N20-30-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 sum70030e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 sum70030m.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC883E5151B4143&compId=sum70040e.pdf?ci_sign=c848107692e3b9603eb0d66d31119a040f359295
SUM70040E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.86 грн
7+184.82 грн
17+167.88 грн
50+161.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3 sum70040m.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 sum70042e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 sum70060e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3 sum70090e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM70101EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 sum80090e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3 71703.pdf
Виробник: VISHAY
SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90100E-GE3 sum90100e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 sum90140e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3 sum90142e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 sum90220e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 sum90330e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3 sum90n03.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90N03-2M2P-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 sum90n10-8m2p.pdf
Виробник: VISHAY
SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.66 грн
8+139.44 грн
22+132.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1190 1218 1219 1220 1221 1222 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950  [ Наступна Сторінка >> ]