| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IHLP5050CEER1R5M01 | VISHAY |
Category: InductorsDescription: Inductor: wire; SMD; 1.5uH; 19A; 5.1mΩ; ±20%; IHLP; 12.9x12.9x3.5mm Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise Manufacturer series: IHLP Mounting: SMD Type of inductor: wire Operating temperature: -55...125°C Inductance: 1.5µH Resistance: 5.1mΩ Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm Operating current: 19A Tolerance: ±20% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IHLP6767GZER220M01 | VISHAY |
Category: InductorsDescription: Inductor: wire; SMD; 22uH; 11A; 25.1mΩ; ±20%; IHLP; 17.15x17.15x7mm Type of inductor: wire Mounting: SMD Inductance: 22µH Operating current: 11A Resistance: 25.1mΩ Tolerance: ±20% Manufacturer series: IHLP Body dimensions: 17.15x17.15x7mm Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise Operating temperature: -55...125°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IL205AT | VISHAY |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3kV; Uce: 70V; SO8 Type of optocoupler: optocoupler Kind of output: transistor Turn-off time: 3µs Turn-on time: 3µs Number of channels: 1 Collector-emitter voltage: 70V CTR@If: 80%@10mA Insulation voltage: 3kV Case: SO8 Manufacturer series: IL20xAT Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IL206AT | VISHAY |
IL206AT Optocouplers - analog output |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IL207AT | VISHAY |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3kV; Uce: 70V; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Number of channels: 1 Manufacturer series: IL20xAT Type of optocoupler: optocoupler Kind of output: transistor Turn-on time: 3µs Turn-off time: 3µs Collector-emitter voltage: 70V CTR@If: 200%@10mA Insulation voltage: 3kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1527 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IL217AT | VISHAY |
IL217AT Optocouplers - analog output |
на замовлення 886 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IL223AT | VISHAY |
IL223AT Optocouplers - analog output |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IL252 | VISHAY |
IL252 Optocouplers - analog output |
на замовлення 114 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IL300 | VISHAY |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Kind of output: photodiode Insulation voltage: 5.3kV Case: DIP8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL300-DEFG | VISHAY |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Kind of output: photodiode Insulation voltage: 5.3kV Case: DIP8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 381 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL300-EF | VISHAY |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: photodiode Insulation voltage: 5.3kV Case: DIP8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IL410 | VISHAY |
IL410 Optotriacs |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IL4118-X017 | VISHAY |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; zero voltage crossing driver; Gull wing 6; Ch: 1 Type of optocoupler: optotriac Kind of output: zero voltage crossing driver Case: Gull wing 6 Trigger current: 1.3mA Mounting: SMD Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 588 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL420 | VISHAY |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1 Number of channels: 1 Trigger current: 2mA Max. off-state voltage: 6V Output voltage: 600V Insulation voltage: 5.3kV Kind of output: without zero voltage crossing driver Case: DIP6 Type of optocoupler: optotriac Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL4208 | VISHAY |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; 10kV/μs Type of optocoupler: optotriac Insulation voltage: 5.3kV Output voltage: 800V Kind of output: without zero voltage crossing driver Case: DIP6 Max. off-state voltage: 6V Trigger current: 2mA Mounting: THT Number of channels: 1 Slew rate: 10kV/μs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 132 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL4208-X007T | VISHAY |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; triac; Gull wing 6; Ch: 1; 10kV/μs Type of optocoupler: optotriac Insulation voltage: 5.3kV Output voltage: 800V Kind of output: triac Case: Gull wing 6 Trigger current: 2mA Mounting: SMD Number of channels: 1 Slew rate: 10kV/μs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IL4218 | VISHAY |
IL4218 Optotriacs |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILD615-2 | VISHAY |
ILD615-2 Optocouplers - analog output |
на замовлення 758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILD621GB | VISHAY |
ILD621GB Optocouplers - analog output |
на замовлення 2041 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ2-X009 | VISHAY |
ILQ2-X009 Optocouplers - analog output |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ30 | VISHAY |
ILQ30 Optocouplers - analog output |
на замовлення 559 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ615-4 | VISHAY |
ILQ615-4 Optocouplers - analog output |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ621 | VISHAY |
ILQ621 Optocouplers - analog output |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ621GB | VISHAY |
ILQ621GB Optocouplers - analog output |
на замовлення 307 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | VISHAY |
IMBD4148-E3-08 SMD universal diodes |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | VISHAY | IMBD4148-HE3-08 SMD universal diodes |
на замовлення 8310 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 599 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF530PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF530SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF610PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 576 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF620PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 631 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 289 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF634PBF | VISHAY |
IRF634PBF THT N channel transistors |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF640PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2048 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF640PBF-BE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 111 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF640SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF644PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 647 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF644SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 291 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF710PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF710STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 787 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF720PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.1A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC Pulsed drain current: 13A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 215 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF730PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.5A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 364 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740ALPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 686 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740ASTRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 792 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 39nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 514 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1456 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740PBF-BE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 706 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 543 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF820APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF820ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 969 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF820PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 281 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF830ALPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 939 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF830APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF840APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF840ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IHLP5050CEER1R5M01 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 1.5uH; 19A; 5.1mΩ; ±20%; IHLP; 12.9x12.9x3.5mm
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Mounting: SMD
Type of inductor: wire
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 1.5µH
Resistance: 5.1mΩ
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 19A
Tolerance: ±20%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 1.5uH; 19A; 5.1mΩ; ±20%; IHLP; 12.9x12.9x3.5mm
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Manufacturer series: IHLP
Mounting: SMD
Type of inductor: wire
Operating temperature: -55...125°C
Inductance: 1.5µH
Resistance: 5.1mΩ
Body dimensions: 12.9x12.9x3.5mm
Operating current: 19A
Tolerance: ±20%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.74 грн |
| 500+ | 49.28 грн |
| 1000+ | 44.06 грн |
| 2000+ | 42.50 грн |
| IHLP6767GZER220M01 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 22uH; 11A; 25.1mΩ; ±20%; IHLP; 17.15x17.15x7mm
Type of inductor: wire
Mounting: SMD
Inductance: 22µH
Operating current: 11A
Resistance: 25.1mΩ
Tolerance: ±20%
Manufacturer series: IHLP
Body dimensions: 17.15x17.15x7mm
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Operating temperature: -55...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 22uH; 11A; 25.1mΩ; ±20%; IHLP; 17.15x17.15x7mm
Type of inductor: wire
Mounting: SMD
Inductance: 22µH
Operating current: 11A
Resistance: 25.1mΩ
Tolerance: ±20%
Manufacturer series: IHLP
Body dimensions: 17.15x17.15x7mm
Inductor features: high current; low DCR/uH value; shielded; very low buzz noise
Operating temperature: -55...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.27 грн |
| 5+ | 213.64 грн |
| 10+ | 194.08 грн |
| 25+ | 171.76 грн |
| 50+ | 151.38 грн |
| 100+ | 133.92 грн |
| IL205AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3kV; Uce: 70V; SO8
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 3µs
Turn-on time: 3µs
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 70V
CTR@If: 80%@10mA
Insulation voltage: 3kV
Case: SO8
Manufacturer series: IL20xAT
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3kV; Uce: 70V; SO8
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 3µs
Turn-on time: 3µs
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 70V
CTR@If: 80%@10mA
Insulation voltage: 3kV
Case: SO8
Manufacturer series: IL20xAT
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.24 грн |
| 10+ | 43.43 грн |
| 50+ | 35.91 грн |
| 100+ | 33.38 грн |
| 500+ | 27.66 грн |
| 1000+ | 25.23 грн |
| 2000+ | 22.80 грн |
| IL206AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
IL206AT Optocouplers - analog output
IL206AT Optocouplers - analog output
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.28 грн |
| 67+ | 17.27 грн |
| 183+ | 16.30 грн |
| IL207AT | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3kV; Uce: 70V; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: IL20xAT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Collector-emitter voltage: 70V
CTR@If: 200%@10mA
Insulation voltage: 3kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3kV; Uce: 70V; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: IL20xAT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Collector-emitter voltage: 70V
CTR@If: 200%@10mA
Insulation voltage: 3kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.75 грн |
| 10+ | 36.78 грн |
| 50+ | 26.59 грн |
| 100+ | 23.97 грн |
| 250+ | 21.45 грн |
| 500+ | 19.99 грн |
| 1000+ | 18.83 грн |
| IL217AT | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
IL217AT Optocouplers - analog output
IL217AT Optocouplers - analog output
на замовлення 886 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.89 грн |
| 42+ | 27.27 грн |
| 116+ | 25.81 грн |
| 10000+ | 25.70 грн |
| IL223AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
IL223AT Optocouplers - analog output
IL223AT Optocouplers - analog output
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.48 грн |
| 37+ | 31.73 грн |
| 100+ | 29.99 грн |
| 6000+ | 29.93 грн |
| IL252 |
![]() |
Виробник: VISHAY
IL252 Optocouplers - analog output
IL252 Optocouplers - analog output
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.05 грн |
| 31+ | 37.94 грн |
| 83+ | 35.91 грн |
| IL300 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 246.63 грн |
| 25+ | 203.56 грн |
| 50+ | 179.53 грн |
| 100+ | 156.24 грн |
| 500+ | 129.06 грн |
| IL300-DEFG | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 395.03 грн |
| 25+ | 280.15 грн |
| 50+ | 245.51 грн |
| 100+ | 224.17 грн |
| 250+ | 199.90 грн |
| 500+ | 185.35 грн |
| IL300-EF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 375.18 грн |
| 25+ | 266.04 грн |
| IL410 |
![]() |
Виробник: VISHAY
IL410 Optotriacs
IL410 Optotriacs
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 282.17 грн |
| 7+ | 169.82 грн |
| 19+ | 160.12 грн |
| IL4118-X017 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; zero voltage crossing driver; Gull wing 6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: Gull wing 6
Trigger current: 1.3mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; zero voltage crossing driver; Gull wing 6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: Gull wing 6
Trigger current: 1.3mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 303.07 грн |
| 5+ | 244.88 грн |
| 10+ | 213.49 грн |
| 25+ | 189.23 грн |
| 50+ | 180.50 грн |
| IL420 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1
Number of channels: 1
Trigger current: 2mA
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1
Number of channels: 1
Trigger current: 2mA
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.25 грн |
| 10+ | 156.20 грн |
| 50+ | 148.47 грн |
| IL4208 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; 10kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Output voltage: 800V
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 6V
Trigger current: 2mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Slew rate: 10kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; 10kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Output voltage: 800V
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 6V
Trigger current: 2mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Slew rate: 10kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 261.26 грн |
| 10+ | 155.19 грн |
| 50+ | 146.53 грн |
| IL4208-X007T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; triac; Gull wing 6; Ch: 1; 10kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: Gull wing 6
Trigger current: 2mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Slew rate: 10kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; triac; Gull wing 6; Ch: 1; 10kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: Gull wing 6
Trigger current: 2mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Slew rate: 10kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.68 грн |
| 10+ | 177.36 грн |
| 25+ | 156.24 грн |
| 50+ | 145.56 грн |
| 100+ | 134.89 грн |
| 500+ | 133.92 грн |
| IL4218 |
![]() |
Виробник: VISHAY
IL4218 Optotriacs
IL4218 Optotriacs
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 314.56 грн |
| 7+ | 187.29 грн |
| 17+ | 176.61 грн |
| ILD615-2 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD615-2 Optocouplers - analog output
ILD615-2 Optocouplers - analog output
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.99 грн |
| 29+ | 39.59 грн |
| 80+ | 37.46 грн |
| ILD621GB |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD621GB Optocouplers - analog output
ILD621GB Optocouplers - analog output
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.43 грн |
| 33+ | 35.13 грн |
| 90+ | 33.19 грн |
| ILQ2-X009 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ2-X009 Optocouplers - analog output
ILQ2-X009 Optocouplers - analog output
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.26 грн |
| 15+ | 78.60 грн |
| 41+ | 73.75 грн |
| ILQ30 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ30 Optocouplers - analog output
ILQ30 Optocouplers - analog output
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 240.36 грн |
| 10+ | 117.42 грн |
| 27+ | 110.63 грн |
| ILQ615-4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ615-4 Optocouplers - analog output
ILQ615-4 Optocouplers - analog output
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.58 грн |
| 18+ | 66.96 грн |
| 48+ | 63.08 грн |
| ILQ621 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ621 Optocouplers - analog output
ILQ621 Optocouplers - analog output
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 265.44 грн |
| 17+ | 67.93 грн |
| 47+ | 64.05 грн |
| ILQ621GB |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ621GB Optocouplers - analog output
ILQ621GB Optocouplers - analog output
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.46 грн |
| 16+ | 75.69 грн |
| 42+ | 71.81 грн |
| IMBD4148-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
IMBD4148-E3-08 SMD universal diodes
IMBD4148-E3-08 SMD universal diodes
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.25 грн |
| 612+ | 1.87 грн |
| 1684+ | 1.77 грн |
| IMBD4148-HE3-08 |
Виробник: VISHAY
IMBD4148-HE3-08 SMD universal diodes
IMBD4148-HE3-08 SMD universal diodes
на замовлення 8310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 5.38 грн |
| 335+ | 3.43 грн |
| 920+ | 3.25 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.97 грн |
| 10+ | 43.63 грн |
| 50+ | 39.30 грн |
| 500+ | 35.42 грн |
| 1250+ | 33.96 грн |
| 4000+ | 32.80 грн |
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.47 грн |
| 10+ | 59.36 грн |
| 50+ | 46.48 грн |
| 100+ | 42.50 грн |
| 250+ | 37.94 грн |
| 500+ | 34.84 грн |
| 1000+ | 33.96 грн |
| IRF520PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.43 грн |
| 7+ | 46.36 грн |
| 10+ | 39.50 грн |
| 50+ | 29.21 грн |
| 100+ | 27.27 грн |
| 500+ | 25.62 грн |
| IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.48 грн |
| 7+ | 44.94 грн |
| 10+ | 39.88 грн |
| 50+ | 34.35 грн |
| 100+ | 32.99 грн |
| 500+ | 31.15 грн |
| IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.56 грн |
| 50+ | 71.55 грн |
| 100+ | 65.02 грн |
| 250+ | 60.17 грн |
| 500+ | 57.25 грн |
| 750+ | 55.31 грн |
| 1000+ | 53.37 грн |
| IRF610PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.43 грн |
| 50+ | 42.32 грн |
| 100+ | 38.23 грн |
| 500+ | 32.51 грн |
| 1000+ | 30.08 грн |
| 2000+ | 27.46 грн |
| 5000+ | 24.26 грн |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.06 грн |
| 10+ | 63.19 грн |
| 50+ | 52.79 грн |
| 100+ | 45.61 грн |
| 250+ | 40.95 грн |
| 500+ | 38.53 грн |
| 1000+ | 35.42 грн |
| IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.15 грн |
| 50+ | 42.93 грн |
| 500+ | 38.04 грн |
| 5000+ | 34.74 грн |
| IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.56 грн |
| 50+ | 57.84 грн |
| 100+ | 53.08 грн |
| 250+ | 49.88 грн |
| 500+ | 47.55 грн |
| 1000+ | 45.61 грн |
| IRF634PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRF634PBF THT N channel transistors
IRF634PBF THT N channel transistors
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.69 грн |
| 27+ | 42.70 грн |
| 74+ | 40.76 грн |
| IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.35 грн |
| 10+ | 125.97 грн |
| 50+ | 92.19 грн |
| 100+ | 81.51 грн |
| 250+ | 73.75 грн |
| 500+ | 70.84 грн |
| IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.26 грн |
| 10+ | 98.76 грн |
| 25+ | 88.31 грн |
| 50+ | 83.46 грн |
| 100+ | 79.57 грн |
| 250+ | 73.75 грн |
| 500+ | 68.90 грн |
| IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 157.80 грн |
| 50+ | 85.66 грн |
| IRF644PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.14 грн |
| 10+ | 92.71 грн |
| 50+ | 75.69 грн |
| 100+ | 70.84 грн |
| 250+ | 65.02 грн |
| 500+ | 60.17 грн |
| 1000+ | 57.25 грн |
| IRF644SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 256.04 грн |
| 50+ | 118.91 грн |
| IRF710PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.16 грн |
| 50+ | 35.67 грн |
| 1000+ | 28.14 грн |
| IRF710STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.69 грн |
| 10+ | 66.81 грн |
| 100+ | 50.95 грн |
| 800+ | 44.15 грн |
| 1600+ | 42.60 грн |
| 2400+ | 41.73 грн |
| 4000+ | 40.95 грн |
| IRF720PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.69 грн |
| 10+ | 66.71 грн |
| 50+ | 56.19 грн |
| 100+ | 52.98 грн |
| 500+ | 46.00 грн |
| 1000+ | 43.18 грн |
| 2000+ | 40.47 грн |
| IRF730PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.66 грн |
| 50+ | 50.59 грн |
| 1000+ | 45.42 грн |
| IRF740ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.26 грн |
| 10+ | 125.97 грн |
| 50+ | 106.75 грн |
| 250+ | 97.04 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.93 грн |
| 10+ | 133.02 грн |
| 50+ | 95.10 грн |
| 100+ | 86.37 грн |
| 500+ | 77.63 грн |
| IRF740ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 686 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.42 грн |
| 10+ | 136.04 грн |
| 50+ | 94.13 грн |
| 100+ | 83.46 грн |
| 500+ | 78.60 грн |
| IRF740ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.19 грн |
| 10+ | 177.36 грн |
| 25+ | 138.77 грн |
| 100+ | 103.83 грн |
| 250+ | 94.13 грн |
| 500+ | 87.34 грн |
| 800+ | 82.48 грн |
| IRF740LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 156.76 грн |
| 10+ | 130.00 грн |
| 25+ | 105.77 грн |
| 50+ | 88.31 грн |
| 100+ | 74.72 грн |
| 500+ | 69.87 грн |
| IRF740PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.78 грн |
| 10+ | 93.72 грн |
| 40+ | 81.51 грн |
| 50+ | 80.54 грн |
| 100+ | 74.72 грн |
| 150+ | 72.78 грн |
| 200+ | 70.84 грн |
| IRF740PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.28 грн |
| 10+ | 88.68 грн |
| 25+ | 81.51 грн |
| 50+ | 77.63 грн |
| 100+ | 75.69 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.40 грн |
| 10+ | 118.91 грн |
| 50+ | 105.77 грн |
| 250+ | 98.01 грн |
| 1000+ | 92.19 грн |
| 2000+ | 89.28 грн |
| IRF820APBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.46 грн |
| 10+ | 68.53 грн |
| 50+ | 55.31 грн |
| 100+ | 53.37 грн |
| 1000+ | 49.49 грн |
| IRF820ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.99 грн |
| 10+ | 86.46 грн |
| 50+ | 71.23 грн |
| 100+ | 66.47 грн |
| 250+ | 60.26 грн |
| 500+ | 55.90 грн |
| 1000+ | 51.43 грн |
| IRF820PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.61 грн |
| 10+ | 51.39 грн |
| 50+ | 40.47 грн |
| 100+ | 37.36 грн |
| 250+ | 34.45 грн |
| 500+ | 33.67 грн |
| IRF830ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.59 грн |
| 5+ | 112.87 грн |
| 10+ | 103.83 грн |
| 50+ | 92.19 грн |
| 100+ | 87.34 грн |
| 250+ | 81.51 грн |
| 500+ | 75.69 грн |
| IRF830APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.23 грн |
| 10+ | 86.36 грн |
| 50+ | 71.13 грн |
| 100+ | 66.28 грн |
| 250+ | 60.17 грн |
| 500+ | 55.70 грн |
| 1000+ | 51.24 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.21 грн |
| 50+ | 94.73 грн |
| 100+ | 77.63 грн |
| 500+ | 73.75 грн |
| IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.73 грн |
| 50+ | 96.74 грн |
| 100+ | 89.28 грн |
| 250+ | 82.48 грн |
| 500+ | 77.63 грн |
| 750+ | 74.72 грн |
| 1000+ | 72.78 грн |

















