Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (365454) > Сторінка 1225 з 6091

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 609 1218 1220 1221 1222 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1229 1230 1827 2436 3045 3654 4263 4872 5481 6090 6091  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.10 грн
10+51.57 грн
75+39.42 грн
150+35.98 грн
300+34.06 грн
375+33.01 грн
525+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 16nC
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.28 грн
20+38.85 грн
75+35.50 грн
525+32.63 грн
1050+31.58 грн
3000+29.95 грн
6000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.98 грн
25+51.07 грн
75+40.67 грн
150+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC45F2C81634143&compId=IRFR210.pdf?ci_sign=1df818316efe2c8a0a13ff77375c382048de8104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.28 грн
10+39.05 грн
75+34.73 грн
525+32.53 грн
6000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF VISHAY irfr220_IRFU220.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.68 грн
10+48.69 грн
75+34.54 грн
150+31.00 грн
300+28.51 грн
525+27.08 грн
1050+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBF IRFR224PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC47503E34F8143&compId=IRFR224.pdf?ci_sign=50ea11afa0dd4ab66a116a2b66eaf69a59bc4e08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.10 грн
7+42.93 грн
25+36.17 грн
75+33.68 грн
300+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310PBF IRFR310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99239FF036480C7&compId=irfr310.pdf?ci_sign=6d5993c2421387655ce82c6df2600eef851824f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.92 грн
10+47.70 грн
75+41.53 грн
525+37.41 грн
1050+35.98 грн
3000+33.68 грн
5025+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF IRFR320PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B98C684A7C469&compId=IRFR320PBF.pdf?ci_sign=144c8f4193095ea2e371048f7313e2b4be60a4ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.98 грн
10+48.29 грн
75+40.86 грн
300+37.13 грн
375+36.55 грн
750+34.64 грн
1125+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBF IRFR320TRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.89 грн
10+47.10 грн
100+38.47 грн
500+34.64 грн
1000+33.11 грн
3000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBF IRFR420APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.14 грн
5+100.76 грн
10+81.52 грн
25+65.64 грн
50+57.79 грн
75+54.45 грн
150+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420PBF SMD N channel transistors
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.20 грн
32+36.27 грн
86+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.22 грн
37+30.62 грн
102+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF VISHAY sihfr430.pdf IRFR430APBF SMD N channel transistors
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.98 грн
34+33.87 грн
92+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF IRFR9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.40 грн
50+41.14 грн
75+38.18 грн
150+35.12 грн
525+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF IRFR9024PBF VISHAY IRFR9024PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.92 грн
5+76.11 грн
10+64.21 грн
25+54.06 грн
50+48.32 грн
75+45.74 грн
150+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF VISHAY sihfr911.pdf IRFR9110PBF SMD P channel transistors
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.92 грн
41+28.13 грн
111+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF IRFR9220PBF VISHAY IRFR9220PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.56 грн
10+76.81 грн
50+58.08 грн
75+53.49 грн
525+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF VISHAY IRFR9220TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.38 грн
250+67.37 грн
500+59.42 грн
1000+52.72 грн
2000+45.07 грн
4000+36.93 грн
6000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.69 грн
10+64.19 грн
75+54.64 грн
150+50.52 грн
525+44.49 грн
1050+41.72 грн
2025+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.23 грн
5+85.26 грн
10+75.02 грн
50+60.66 грн
100+55.31 грн
500+44.40 грн
1000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB66C98720469&compId=IRFRC20PBF.pdf?ci_sign=bda6af96133b0f41b40386cac8e8186c7262f241 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.80 грн
5+64.99 грн
10+56.74 грн
31+36.93 грн
84+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4416A18130143&compId=IRFS11N50A.pdf?ci_sign=ff5d5f7ae0059c649da486f5e8f9d4f37b91fc8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.64 грн
5+177.87 грн
10+155.97 грн
50+129.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.60 грн
10+135.14 грн
50+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B6C121B38BE671BF&compId=IRFSL11N50APBF-dte.pdf?ci_sign=2bb80132b57c7fbaede079be1a5400f12d3c9634 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.15 грн
10+114.82 грн
50+102.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBF IRFU110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD09DEE0EE469&compId=IRFU110.pdf?ci_sign=1557e4c4a91b4c3d341cc766cec909063549d8b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.25 грн
75+33.98 грн
150+30.72 грн
300+29.09 грн
375+28.51 грн
750+27.46 грн
6000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF IRFU120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.59 грн
10+48.09 грн
28+40.76 грн
75+40.38 грн
76+38.56 грн
150+38.37 грн
525+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.41 грн
10+54.85 грн
25+44.97 грн
75+39.52 грн
150+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF VISHAY sihfr320.pdf IRFU320PBF THT N channel transistors
на замовлення 906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.45 грн
36+31.58 грн
99+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBF VISHAY sihfr420.pdf IRFU420PBF THT N channel transistors
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.71 грн
36+31.58 грн
99+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBF IRFU9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.16 грн
10+54.45 грн
75+45.64 грн
150+43.82 грн
375+41.62 грн
1050+39.52 грн
5025+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEA267C278469&compId=IRFU9024PBF.pdf?ci_sign=8afab3af225b019e1d8b9238ed3e2d9bd4250c04 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.13 грн
10+55.74 грн
75+48.61 грн
150+46.89 грн
300+45.26 грн
525+43.82 грн
750+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF VISHAY sihfr911.pdf IRFU9110PBF THT P channel transistors
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.83 грн
43+26.70 грн
117+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF IRFU9120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F2315E50A143&compId=IRFx9120.pdf?ci_sign=6529dad110010c2953ef84cb2306efff72e7909b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.41 грн
10+85.46 грн
25+73.68 грн
38+30.62 грн
103+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBF VISHAY sihfr931.pdf IRFU9310PBF THT P channel transistors
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.29 грн
31+36.84 грн
85+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF IRFUC20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB8DE18B44469&compId=IRFRC20TRPBF.pdf?ci_sign=775cb096056f6d98194289f9a9022fb617613a12 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.89 грн
10+57.43 грн
25+53.01 грн
26+43.54 грн
71+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.98 грн
50+37.66 грн
1000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF VISHAY irl620.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44PBF IRFZ44PBF VISHAY IRFZ44.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.93 грн
5+113.28 грн
25+82.29 грн
50+78.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EA7941B59C00C4&compId=IRFZ48RPBF.pdf?ci_sign=28b16d364a0be7d50506adfa5752e6fe34f1663f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.25 грн
50+137.13 грн
100+122.48 грн
250+111.00 грн
500+103.34 грн
1000+98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EB3F77B2BC143&compId=IRL510.pdf?ci_sign=f5d9673ff66950ac5c22853d0193077d86c3db26 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.25 грн
10+64.09 грн
50+51.38 грн
100+47.56 грн
250+43.73 грн
500+41.53 грн
1000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF IRL640PBF VISHAY IRL640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.66 грн
10+88.44 грн
50+74.64 грн
100+71.76 грн
250+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF IRL640SPBF VISHAY sihl640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF VISHAY IRL640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.90 грн
10+119.24 грн
100+90.90 грн
250+84.20 грн
500+80.38 грн
800+78.46 грн
2400+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBF IRLD024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF2D9CCD80469&compId=IRLD024PBF.pdf?ci_sign=ce643f6183bc977de7eea3a4c06ef953682641fd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.60 грн
10+113.97 грн
28+41.05 грн
76+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF VISHAY 91314.pdf IRLI640GPBF THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+263.80 грн
16+75.59 грн
42+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBF IRLIZ44GPBF VISHAY 91318.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 39mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+277.20 грн
10+156.01 грн
11+111.00 грн
28+105.25 грн
1000+100.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BFCAABFDBA469&compId=IRLL110PBF.pdf?ci_sign=ea4ae21d58897bca7902ff68bd6b60d7e49bab3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.83 грн
50+51.17 грн
100+46.12 грн
250+41.53 грн
500+37.89 грн
1000+34.06 грн
2500+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF IRLR014PBF VISHAY sihlr014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.98 грн
10+43.52 грн
20+37.13 грн
50+33.11 грн
75+31.96 грн
300+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.52 грн
10+42.53 грн
75+37.60 грн
525+34.35 грн
2025+32.15 грн
5025+30.72 грн
11250+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4E888667DC143&compId=IRLR120.pdf?ci_sign=0b476ece41be08e437a54214b8e37bbdb00bf14b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.27Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.19 грн
9+37.16 грн
25+31.67 грн
100+28.42 грн
500+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBF IRLU014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.36 грн
75+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF IRLZ14PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB9D4A2B39971BF&compId=IRLZ14PBF-DTE.pdf?ci_sign=91b0d98a6dc8779b1ecdd35e44f2752f752d81d8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 60V
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Drain current: 7.2A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44PBF IRLZ44PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E96235A3C4143&compId=IRLZ44.pdf?ci_sign=886b38f546f9ad1c0811c7aaa445e0f324116415 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.23 грн
10+106.32 грн
50+91.86 грн
100+88.03 грн
250+82.29 грн
500+79.42 грн
750+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
K104K10X7RF5UH5 K104K10X7RF5UH5 VISHAY kseries.pdf Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+18.55 грн
31+9.84 грн
50+6.74 грн
100+5.90 грн
500+4.54 грн
1000+4.11 грн
2500+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
K104K10X7RF5UL2 K104K10X7RF5UL2 VISHAY kseries.pdf Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 2.5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
24+13.40 грн
32+9.44 грн
50+6.66 грн
100+5.85 грн
500+4.49 грн
1000+4.08 грн
2500+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
K104K15X7RF5TH5 K104K15X7RF5TH5 VISHAY kseries.pdf Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.49 грн
39+7.75 грн
50+5.91 грн
100+5.33 грн
250+4.66 грн
500+4.20 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
K104K20X7RH5TH5 K104K20X7RH5TH5 VISHAY kseries.pdf Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 100V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.88 грн
17+18.48 грн
50+13.30 грн
100+11.77 грн
250+10.33 грн
500+9.38 грн
1000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
KBL02-E4/51 VISHAY kbl005.pdf KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+341.08 грн
8+150.23 грн
21+141.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KBL04-E4/51 VISHAY kbl005.pdf KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+301.93 грн
8+144.49 грн
22+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642
IRFR110PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.10 грн
10+51.57 грн
75+39.42 грн
150+35.98 грн
300+34.06 грн
375+33.01 грн
525+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac
IRFR120PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 16nC
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.28 грн
20+38.85 грн
75+35.50 грн
525+32.63 грн
1050+31.58 грн
3000+29.95 грн
6000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
IRFR1N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.98 грн
25+51.07 грн
75+40.67 грн
150+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC45F2C81634143&compId=IRFR210.pdf?ci_sign=1df818316efe2c8a0a13ff77375c382048de8104
IRFR210PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.28 грн
10+39.05 грн
75+34.73 грн
525+32.53 грн
6000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF description irfr220_IRFU220.pdf
IRFR220PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.68 грн
10+48.69 грн
75+34.54 грн
150+31.00 грн
300+28.51 грн
525+27.08 грн
1050+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC47503E34F8143&compId=IRFR224.pdf?ci_sign=50ea11afa0dd4ab66a116a2b66eaf69a59bc4e08
IRFR224PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.10 грн
7+42.93 грн
25+36.17 грн
75+33.68 грн
300+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99239FF036480C7&compId=irfr310.pdf?ci_sign=6d5993c2421387655ce82c6df2600eef851824f3
IRFR310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.92 грн
10+47.70 грн
75+41.53 грн
525+37.41 грн
1050+35.98 грн
3000+33.68 грн
5025+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B98C684A7C469&compId=IRFR320PBF.pdf?ci_sign=144c8f4193095ea2e371048f7313e2b4be60a4ef
IRFR320PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.98 грн
10+48.29 грн
75+40.86 грн
300+37.13 грн
375+36.55 грн
750+34.64 грн
1125+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8
IRFR320TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.89 грн
10+47.10 грн
100+38.47 грн
500+34.64 грн
1000+33.11 грн
3000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3
IRFR420APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.14 грн
5+100.76 грн
10+81.52 грн
25+65.64 грн
50+57.79 грн
75+54.45 грн
150+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420PBF SMD N channel transistors
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.20 грн
32+36.27 грн
86+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.22 грн
37+30.62 грн
102+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR430APBF SMD N channel transistors
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.98 грн
34+33.87 грн
92+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF IRFx9014.pdf
IRFR9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.40 грн
50+41.14 грн
75+38.18 грн
150+35.12 грн
525+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF IRFR9024PBF.pdf
IRFR9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.92 грн
5+76.11 грн
10+64.21 грн
25+54.06 грн
50+48.32 грн
75+45.74 грн
150+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF sihfr911.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9110PBF SMD P channel transistors
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.92 грн
41+28.13 грн
111+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF IRFR9220PBF.pdf
IRFR9220PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.56 грн
10+76.81 грн
50+58.08 грн
75+53.49 грн
525+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF.pdf
IRFR9220TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.38 грн
250+67.37 грн
500+59.42 грн
1000+52.72 грн
2000+45.07 грн
4000+36.93 грн
6000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d
IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.69 грн
10+64.19 грн
75+54.64 грн
150+50.52 грн
525+44.49 грн
1050+41.72 грн
2025+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.23 грн
5+85.26 грн
10+75.02 грн
50+60.66 грн
100+55.31 грн
500+44.40 грн
1000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB66C98720469&compId=IRFRC20PBF.pdf?ci_sign=bda6af96133b0f41b40386cac8e8186c7262f241
IRFRC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.80 грн
5+64.99 грн
10+56.74 грн
31+36.93 грн
84+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4416A18130143&compId=IRFS11N50A.pdf?ci_sign=ff5d5f7ae0059c649da486f5e8f9d4f37b91fc8f
IRFS11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.64 грн
5+177.87 грн
10+155.97 грн
50+129.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7
IRFS9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+155.60 грн
10+135.14 грн
50+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B6C121B38BE671BF&compId=IRFSL11N50APBF-dte.pdf?ci_sign=2bb80132b57c7fbaede079be1a5400f12d3c9634
IRFSL11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.15 грн
10+114.82 грн
50+102.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD09DEE0EE469&compId=IRFU110.pdf?ci_sign=1557e4c4a91b4c3d341cc766cec909063549d8b5
IRFU110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.25 грн
75+33.98 грн
150+30.72 грн
300+29.09 грн
375+28.51 грн
750+27.46 грн
6000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac
IRFU120PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.59 грн
10+48.09 грн
28+40.76 грн
75+40.38 грн
76+38.56 грн
150+38.37 грн
525+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.41 грн
10+54.85 грн
25+44.97 грн
75+39.52 грн
150+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF sihfr320.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU320PBF THT N channel transistors
на замовлення 906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.45 грн
36+31.58 грн
99+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU420PBF THT N channel transistors
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.71 грн
36+31.58 грн
99+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBF IRFx9014.pdf
IRFU9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.16 грн
10+54.45 грн
75+45.64 грн
150+43.82 грн
375+41.62 грн
1050+39.52 грн
5025+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEA267C278469&compId=IRFU9024PBF.pdf?ci_sign=8afab3af225b019e1d8b9238ed3e2d9bd4250c04
IRFU9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.13 грн
10+55.74 грн
75+48.61 грн
150+46.89 грн
300+45.26 грн
525+43.82 грн
750+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF sihfr911.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU9110PBF THT P channel transistors
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.83 грн
43+26.70 грн
117+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F2315E50A143&compId=IRFx9120.pdf?ci_sign=6529dad110010c2953ef84cb2306efff72e7909b
IRFU9120PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.41 грн
10+85.46 грн
25+73.68 грн
38+30.62 грн
103+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU9310PBF THT P channel transistors
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.29 грн
31+36.84 грн
85+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB8DE18B44469&compId=IRFRC20TRPBF.pdf?ci_sign=775cb096056f6d98194289f9a9022fb617613a12
IRFUC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.89 грн
10+57.43 грн
25+53.01 грн
26+43.54 грн
71+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617
IRFZ14PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.98 грн
50+37.66 грн
1000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irl620.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44PBF description IRFZ44.pdf
IRFZ44PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.93 грн
5+113.28 грн
25+82.29 грн
50+78.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EA7941B59C00C4&compId=IRFZ48RPBF.pdf?ci_sign=28b16d364a0be7d50506adfa5752e6fe34f1663f
IRFZ48RPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.25 грн
50+137.13 грн
100+122.48 грн
250+111.00 грн
500+103.34 грн
1000+98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EB3F77B2BC143&compId=IRL510.pdf?ci_sign=f5d9673ff66950ac5c22853d0193077d86c3db26
IRL510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.25 грн
10+64.09 грн
50+51.38 грн
100+47.56 грн
250+43.73 грн
500+41.53 грн
1000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF IRL640PBF.pdf
IRL640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.66 грн
10+88.44 грн
50+74.64 грн
100+71.76 грн
250+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF sihl640s.pdf
IRL640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBF IRL640S.pdf
IRL640STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.90 грн
10+119.24 грн
100+90.90 грн
250+84.20 грн
500+80.38 грн
800+78.46 грн
2400+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF2D9CCD80469&compId=IRLD024PBF.pdf?ci_sign=ce643f6183bc977de7eea3a4c06ef953682641fd
IRLD024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+155.60 грн
10+113.97 грн
28+41.05 грн
76+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF 91314.pdf
Виробник: VISHAY
IRLI640GPBF THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.80 грн
16+75.59 грн
42+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBF 91318.pdf
IRLIZ44GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 39mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.20 грн
10+156.01 грн
11+111.00 грн
28+105.25 грн
1000+100.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BFCAABFDBA469&compId=IRLL110PBF.pdf?ci_sign=ea4ae21d58897bca7902ff68bd6b60d7e49bab3e
IRLL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.83 грн
50+51.17 грн
100+46.12 грн
250+41.53 грн
500+37.89 грн
1000+34.06 грн
2500+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.98 грн
10+43.52 грн
20+37.13 грн
50+33.11 грн
75+31.96 грн
300+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93
IRLR110PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.52 грн
10+42.53 грн
75+37.60 грн
525+34.35 грн
2025+32.15 грн
5025+30.72 грн
11250+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4E888667DC143&compId=IRLR120.pdf?ci_sign=0b476ece41be08e437a54214b8e37bbdb00bf14b
IRLR120TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.27Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.19 грн
9+37.16 грн
25+31.67 грн
100+28.42 грн
500+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b
IRLU014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.36 грн
75+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93
IRLU110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB9D4A2B39971BF&compId=IRLZ14PBF-DTE.pdf?ci_sign=91b0d98a6dc8779b1ecdd35e44f2752f752d81d8
IRLZ14PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 60V
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Drain current: 7.2A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E96235A3C4143&compId=IRLZ44.pdf?ci_sign=886b38f546f9ad1c0811c7aaa445e0f324116415
IRLZ44PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.23 грн
10+106.32 грн
50+91.86 грн
100+88.03 грн
250+82.29 грн
500+79.42 грн
750+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
K104K10X7RF5UH5 kseries.pdf
K104K10X7RF5UH5
Виробник: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.55 грн
31+9.84 грн
50+6.74 грн
100+5.90 грн
500+4.54 грн
1000+4.11 грн
2500+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
K104K10X7RF5UL2 kseries.pdf
K104K10X7RF5UL2
Виробник: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 2.5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.40 грн
32+9.44 грн
50+6.66 грн
100+5.85 грн
500+4.49 грн
1000+4.08 грн
2500+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
K104K15X7RF5TH5 kseries.pdf
K104K15X7RF5TH5
Виробник: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.49 грн
39+7.75 грн
50+5.91 грн
100+5.33 грн
250+4.66 грн
500+4.20 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
K104K20X7RH5TH5 kseries.pdf
K104K20X7RH5TH5
Виробник: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 100V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.88 грн
17+18.48 грн
50+13.30 грн
100+11.77 грн
250+10.33 грн
500+9.38 грн
1000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
KBL02-E4/51 kbl005.pdf
Виробник: VISHAY
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.08 грн
8+150.23 грн
21+141.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KBL04-E4/51 kbl005.pdf
Виробник: VISHAY
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.93 грн
8+144.49 грн
22+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 609 1218 1220 1221 1222 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1229 1230 1827 2436 3045 3654 4263 4872 5481 6090 6091  [ Наступна Сторінка >> ]