Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (365240) > Сторінка 1248 з 6088

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 608 1216 1243 1244 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1252 1253 1824 2432 3040 3648 4256 4864 5472 6080 6088  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SGL41-60-E3/96 SGL41-60-E3/96 VISHAY bym13.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.02 грн
11+28.29 грн
25+25.90 грн
50+24.65 грн
100+23.31 грн
500+20.33 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 VISHAY si1012cr.pdf SI1012CR-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.66 грн
127+8.92 грн
348+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 VISHAY si1012rx.pdf SI1012R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.29 грн
58+19.66 грн
158+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 VISHAY si1013cx.pdf SI1013CX-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.65 грн
184+6.14 грн
504+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 VISHAY si1016cx.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC89; SOT563
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2/2.5nC
Power dissipation: 0.14W
On-state resistance: 396/756mΩ
Drain current: 0.49/-0.49A
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.42 грн
11+29.18 грн
50+20.14 грн
100+17.26 грн
500+11.99 грн
1000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3
+1
 		SI1022R-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B9856CDAEA7B6143&compId=SI1022R.pdf?ci_sign=8ed1fd1f550a04c438d36fadb7f656dd54f15e73 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC75A
Gate charge: 0.6nC
Power dissipation: 0.13W
Drain current: 0.24A
On-state resistance: 1.25Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.22 грн
10+31.08 грн
50+25.61 грн
100+23.59 грн
500+19.28 грн
1000+17.36 грн
1500+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 VISHAY si1032r.pdf SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.29 грн
73+15.54 грн
200+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 VISHAY si1036x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC89; SOT563
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.22W
Drain current: 0.61A
On-state resistance: 1.1Ω
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.05 грн
11+27.29 грн
13+23.31 грн
100+13.91 грн
500+10.17 грн
1000+9.11 грн
3000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 VISHAY si1062x.pdf SI1062X-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+22.08 грн
189+6.01 грн
518+5.69 грн
6000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC741F42B04E143&compId=SI1302DL.pdf?ci_sign=0e47094d7460bbf8757050183f77302d44966af5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.35 грн
9+33.27 грн
11+28.58 грн
82+13.72 грн
226+12.95 грн
3000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY si1308edl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Power dissipation: 0.3W
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.09 грн
13+24.30 грн
25+19.85 грн
50+17.36 грн
100+15.25 грн
500+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 VISHAY si1317dl.pdf SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.72 грн
99+11.51 грн
271+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 SI1442DH-T1-GE3 VISHAY si1442dh.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.86 грн
17+18.33 грн
19+15.63 грн
100+10.93 грн
500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3 VISHAY si1443edh.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; ESD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -4A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.32 грн
11+28.88 грн
25+22.83 грн
50+19.57 грн
100+16.98 грн
250+14.29 грн
500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.82 грн
17+17.73 грн
20+14.67 грн
100+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 826 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.72 грн
19+15.94 грн
25+14.39 грн
50+13.62 грн
100+12.85 грн
500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+309.87 грн
10+29.98 грн
25+25.32 грн
100+21.10 грн
250+17.07 грн
500+15.15 грн
1000+13.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.38 грн
11+28.69 грн
20+24.07 грн
100+17.46 грн
500+13.04 грн
1000+11.61 грн
3000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.32 грн
11+29.08 грн
50+22.06 грн
100+19.85 грн
500+15.44 грн
1000+13.72 грн
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY si2302dds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.92 грн
13+23.71 грн
25+20.24 грн
100+16.21 грн
500+12.09 грн
1000+10.55 грн
3000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.55 грн
10+35.16 грн
50+25.51 грн
100+22.44 грн
500+16.50 грн
1000+14.39 грн
3000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.99 грн
16+19.62 грн
50+14.00 грн
100+12.37 грн
500+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.22 грн
18+17.43 грн
20+15.44 грн
50+13.91 грн
100+12.85 грн
500+10.74 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.25 грн
12+26.39 грн
50+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 192mΩ
Power dissipation: 1.06W
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.58 грн
20+34.66 грн
100+24.94 грн
250+21.10 грн
500+18.80 грн
1000+16.88 грн
3000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 144mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.95 грн
16+19.32 грн
25+15.44 грн
100+11.80 грн
500+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.61 грн
10+35.76 грн
50+26.28 грн
100+23.11 грн
500+17.07 грн
1000+14.77 грн
1500+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.38 грн
10+33.07 грн
11+28.10 грн
100+18.03 грн
500+13.14 грн
1000+11.51 грн
3000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 VISHAY si2315bd.pdf SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.48 грн
52+21.96 грн
142+20.81 грн
3000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.45 грн
61+18.70 грн
167+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB05E85B46033D7&compId=si2318cds.pdf?ci_sign=0c176385f3d62a85465756e8056b99325fd9812d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.15 грн
13+23.80 грн
20+19.66 грн
100+13.81 грн
200+12.09 грн
500+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAFC88707C753D7&compId=SI2318DS.pdf?ci_sign=ee5767015e0283adb239c741ea5762be7aa01eca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A; 0.75W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.26 грн
25+26.29 грн
58+19.76 грн
158+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.68 грн
10+36.06 грн
100+23.98 грн
500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.70 грн
7+47.41 грн
25+41.24 грн
100+36.35 грн
500+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.88 грн
10+48.21 грн
25+36.26 грн
100+32.90 грн
250+28.77 грн
500+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.42 грн
10+32.87 грн
100+25.80 грн
500+22.44 грн
1000+21.20 грн
3000+19.37 грн
6000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.71 грн
10+38.45 грн
50+27.53 грн
100+24.17 грн
250+20.24 грн
500+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.67 грн
10+63.05 грн
25+54.29 грн
37+31.36 грн
100+29.73 грн
250+29.64 грн
1000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.99 грн
12+24.36 грн
50+21.58 грн
100+20.43 грн
500+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.89 грн
58+19.76 грн
158+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 VISHAY si2329ds.pdf SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.77 грн
43+26.38 грн
118+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.07 грн
10+39.64 грн
50+31.84 грн
100+29.45 грн
250+26.47 грн
500+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.30 грн
10+49.70 грн
100+32.03 грн
500+24.94 грн
1000+22.73 грн
3000+19.95 грн
6000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.35 грн
9+33.86 грн
10+28.97 грн
100+18.61 грн
500+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB0BD13802753D7&compId=si2336ds.pdf?ci_sign=962d2d3f76ac6bd02781750941977a5dca4c02cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.09 грн
12+26.49 грн
100+20.14 грн
110+10.26 грн
303+9.69 грн
15000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY si2337ds.pdf SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.87 грн
31+37.02 грн
85+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+51.03 грн
67+16.98 грн
184+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.8nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±5V
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 8V
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.32 грн
10+30.18 грн
50+22.73 грн
100+20.43 грн
500+16.11 грн
1000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -5.9A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.81 грн
10+39.64 грн
50+30.31 грн
100+27.53 грн
500+21.96 грн
1000+20.05 грн
3000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.95 грн
16+19.12 грн
50+12.85 грн
100+11.03 грн
500+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.09 грн
15+21.31 грн
50+14.96 грн
100+13.14 грн
500+9.97 грн
1000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.86 грн
19+16.33 грн
50+10.93 грн
100+9.40 грн
500+7.00 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.32 грн
10+30.28 грн
50+21.68 грн
100+19.09 грн
500+14.48 грн
1000+13.04 грн
3000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.42 грн
10+30.48 грн
50+21.96 грн
69+16.50 грн
189+15.63 грн
500+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.44 грн
96+11.89 грн
263+11.22 грн
1000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY si2377eds.pdf SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.20 грн
69+16.50 грн
189+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 10.4nC
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.58 грн
8+41.63 грн
10+35.78 грн
100+22.83 грн
500+17.07 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGL41-60-E3/96 bym13.pdf
SGL41-60-E3/96
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.02 грн
11+28.29 грн
25+25.90 грн
50+24.65 грн
100+23.31 грн
500+20.33 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 si1012cr.pdf
Виробник: VISHAY
SI1012CR-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.66 грн
127+8.92 грн
348+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
Виробник: VISHAY
SI1012R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.29 грн
58+19.66 грн
158+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
Виробник: VISHAY
SI1013CX-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.65 грн
184+6.14 грн
504+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 si1016cx.pdf
SI1016CX-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC89; SOT563
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2/2.5nC
Power dissipation: 0.14W
On-state resistance: 396/756mΩ
Drain current: 0.49/-0.49A
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.42 грн
11+29.18 грн
50+20.14 грн
100+17.26 грн
500+11.99 грн
1000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B9856CDAEA7B6143&compId=SI1022R.pdf?ci_sign=8ed1fd1f550a04c438d36fadb7f656dd54f15e73
SI1022R-T1-GE3
+1
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC75A
Gate charge: 0.6nC
Power dissipation: 0.13W
Drain current: 0.24A
On-state resistance: 1.25Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.22 грн
10+31.08 грн
50+25.61 грн
100+23.59 грн
500+19.28 грн
1000+17.36 грн
1500+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 si1032r.pdf
Виробник: VISHAY
SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.29 грн
73+15.54 грн
200+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC89; SOT563
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.22W
Drain current: 0.61A
On-state resistance: 1.1Ω
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.05 грн
11+27.29 грн
13+23.31 грн
100+13.91 грн
500+10.17 грн
1000+9.11 грн
3000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1062X-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.08 грн
189+6.01 грн
518+5.69 грн
6000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC741F42B04E143&compId=SI1302DL.pdf?ci_sign=0e47094d7460bbf8757050183f77302d44966af5
SI1302DL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.35 грн
9+33.27 грн
11+28.58 грн
82+13.72 грн
226+12.95 грн
3000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Power dissipation: 0.3W
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.09 грн
13+24.30 грн
25+19.85 грн
50+17.36 грн
100+15.25 грн
500+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 si1317dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.72 грн
99+11.51 грн
271+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 si1442dh.pdf
SI1442DH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.86 грн
17+18.33 грн
19+15.63 грн
100+10.93 грн
500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
SI1443EDH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; ESD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -4A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.32 грн
11+28.88 грн
25+22.83 грн
50+19.57 грн
100+16.98 грн
250+14.29 грн
500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.82 грн
17+17.73 грн
20+14.67 грн
100+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 826 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.72 грн
19+15.94 грн
25+14.39 грн
50+13.62 грн
100+12.85 грн
500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+309.87 грн
10+29.98 грн
25+25.32 грн
100+21.10 грн
250+17.07 грн
500+15.15 грн
1000+13.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca
SI2301CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.38 грн
11+28.69 грн
20+24.07 грн
100+17.46 грн
500+13.04 грн
1000+11.61 грн
3000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.32 грн
11+29.08 грн
50+22.06 грн
100+19.85 грн
500+15.44 грн
1000+13.72 грн
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.92 грн
13+23.71 грн
25+20.24 грн
100+16.21 грн
500+12.09 грн
1000+10.55 грн
3000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.55 грн
10+35.16 грн
50+25.51 грн
100+22.44 грн
500+16.50 грн
1000+14.39 грн
3000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.99 грн
16+19.62 грн
50+14.00 грн
100+12.37 грн
500+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.22 грн
18+17.43 грн
20+15.44 грн
50+13.91 грн
100+12.85 грн
500+10.74 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac
SI2306BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.25 грн
12+26.39 грн
50+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 192mΩ
Power dissipation: 1.06W
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.58 грн
20+34.66 грн
100+24.94 грн
250+21.10 грн
500+18.80 грн
1000+16.88 грн
3000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 144mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.95 грн
16+19.32 грн
25+15.44 грн
100+11.80 грн
500+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.61 грн
10+35.76 грн
50+26.28 грн
100+23.11 грн
500+17.07 грн
1000+14.77 грн
1500+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.38 грн
10+33.07 грн
11+28.10 грн
100+18.03 грн
500+13.14 грн
1000+11.51 грн
3000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.48 грн
52+21.96 грн
142+20.81 грн
3000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.45 грн
61+18.70 грн
167+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB05E85B46033D7&compId=si2318cds.pdf?ci_sign=0c176385f3d62a85465756e8056b99325fd9812d
SI2318CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.15 грн
13+23.80 грн
20+19.66 грн
100+13.81 грн
200+12.09 грн
500+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAFC88707C753D7&compId=SI2318DS.pdf?ci_sign=ee5767015e0283adb239c741ea5762be7aa01eca
SI2318DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A; 0.75W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.26 грн
25+26.29 грн
58+19.76 грн
158+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.68 грн
10+36.06 грн
100+23.98 грн
500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.70 грн
7+47.41 грн
25+41.24 грн
100+36.35 грн
500+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.88 грн
10+48.21 грн
25+36.26 грн
100+32.90 грн
250+28.77 грн
500+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.42 грн
10+32.87 грн
100+25.80 грн
500+22.44 грн
1000+21.20 грн
3000+19.37 грн
6000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.71 грн
10+38.45 грн
50+27.53 грн
100+24.17 грн
250+20.24 грн
500+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c
SI2323DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.67 грн
10+63.05 грн
25+54.29 грн
37+31.36 грн
100+29.73 грн
250+29.64 грн
1000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.99 грн
12+24.36 грн
50+21.58 грн
100+20.43 грн
500+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 si2328ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.89 грн
58+19.76 грн
158+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.77 грн
43+26.38 грн
118+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.07 грн
10+39.64 грн
50+31.84 грн
100+29.45 грн
250+26.47 грн
500+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.30 грн
10+49.70 грн
100+32.03 грн
500+24.94 грн
1000+22.73 грн
3000+19.95 грн
6000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.35 грн
9+33.86 грн
10+28.97 грн
100+18.61 грн
500+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB0BD13802753D7&compId=si2336ds.pdf?ci_sign=962d2d3f76ac6bd02781750941977a5dca4c02cc
SI2336DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.09 грн
12+26.49 грн
100+20.14 грн
110+10.26 грн
303+9.69 грн
15000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 si2337ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.87 грн
31+37.02 грн
85+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.03 грн
67+16.98 грн
184+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.8nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±5V
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 8V
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.32 грн
10+30.18 грн
50+22.73 грн
100+20.43 грн
500+16.11 грн
1000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -5.9A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.81 грн
10+39.64 грн
50+30.31 грн
100+27.53 грн
500+21.96 грн
1000+20.05 грн
3000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
SI2347DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.95 грн
16+19.12 грн
50+12.85 грн
100+11.03 грн
500+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
SI2356DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.09 грн
15+21.31 грн
50+14.96 грн
100+13.14 грн
500+9.97 грн
1000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.86 грн
19+16.33 грн
50+10.93 грн
100+9.40 грн
500+7.00 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.32 грн
10+30.28 грн
50+21.68 грн
100+19.09 грн
500+14.48 грн
1000+13.04 грн
3000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.42 грн
10+30.48 грн
50+21.96 грн
69+16.50 грн
189+15.63 грн
500+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
96+11.89 грн
263+11.22 грн
1000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.20 грн
69+16.50 грн
189+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 10.4nC
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.58 грн
8+41.63 грн
10+35.78 грн
100+22.83 грн
500+17.07 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 608 1216 1243 1244 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1252 1253 1824 2432 3040 3648 4256 4864 5472 6080 6088  [ Наступна Сторінка >> ]