Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (365232) > Сторінка 1250 з 6088

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 608 1216 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1252 1253 1254 1255 1824 2432 3040 3648 4256 4864 5472 6080 6088  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.31 грн
34+33.95 грн
92+32.13 грн
10000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 VISHAY si9433bd.pdf SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+309.87 грн
21+55.63 грн
56+52.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY SI9926CDY-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.01 грн
5+96.61 грн
10+81.62 грн
50+59.66 грн
100+52.56 грн
500+40.86 грн
1000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.77 грн
44+25.70 грн
121+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+104.12 грн
24+47.48 грн
66+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.45 грн
50+23.11 грн
135+21.87 грн
3000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.18 грн
72+15.83 грн
197+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 12W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.91 грн
10+37.15 грн
64+17.94 грн
174+16.98 грн
1000+16.69 грн
3000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.17 грн
10+47.81 грн
20+39.61 грн
50+32.03 грн
100+27.34 грн
500+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+277.85 грн
5+216.14 грн
10+183.19 грн
25+153.46 грн
50+143.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 VISHAY sihd2n80ae.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.72 грн
5+101.59 грн
25+86.32 грн
75+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY sihf22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+388.37 грн
5+302.79 грн
10+259.92 грн
25+221.56 грн
50+209.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3 VISHAY SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.69 грн
17+70.02 грн
45+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.14 грн
6+54.18 грн
25+46.04 грн
100+41.43 грн
500+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.65 грн
7+45.42 грн
20+38.56 грн
75+34.53 грн
300+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 VISHAY sihfr220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.07 грн
7+44.02 грн
25+38.17 грн
100+33.67 грн
500+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+322.27 грн
5+261.95 грн
10+225.40 грн
25+197.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY SIHG47N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+699.28 грн
10+641.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY SIHG73N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+986.43 грн
5+826.69 грн
10+707.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY SIHP065N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+500.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 VISHAY sihp100n60e.pdf SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+437.95 грн
4+293.49 грн
11+278.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.18 грн
5+102.59 грн
10+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+184.89 грн
5+135.46 грн
10+110.30 грн
50+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+389.41 грн
5+338.65 грн
25+287.74 грн
100+258.01 грн
500+244.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.08 грн
5+237.05 грн
10+207.17 грн
25+195.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+276.82 грн
3+245.02 грн
10+198.54 грн
25+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 SIP32431DNP3-T1GE4 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 SIP32431DR3-T1GE3 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: SC70
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 147mΩ
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.32 грн
11+28.09 грн
25+24.27 грн
100+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 SIP32509DT-T1-GE3 VISHAY sip32508.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.86 грн
17+17.93 грн
25+15.35 грн
100+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 SIP32510DT-T1-GE3 VISHAY sip32510.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.86 грн
15+21.12 грн
16+18.03 грн
25+15.35 грн
100+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.89 грн
30+38.08 грн
82+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.16 грн
19+62.34 грн
25+59.76 грн
51+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.48 грн
16+71.93 грн
44+68.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.30 грн
14+84.40 грн
37+79.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.50 грн
10+60.56 грн
100+47.09 грн
500+39.42 грн
1000+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.20 грн
6+57.97 грн
10+51.89 грн
100+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.01 грн
10+45.22 грн
100+29.54 грн
500+23.02 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.32 грн
10+32.27 грн
11+27.72 грн
100+18.42 грн
500+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.08 грн
25+27.53 грн
100+22.25 грн
500+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.69 грн
5+96.61 грн
10+85.36 грн
25+74.81 грн
100+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.48 грн
10+101.59 грн
50+76.73 грн
100+70.02 грн
250+61.38 грн
500+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -156A; Idm: -400A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -156A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -20...16V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.16 грн
5+207.17 грн
10+177.44 грн
25+149.62 грн
100+120.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.28 грн
16+70.98 грн
44+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.71 грн
25+45.37 грн
69+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.85 грн
36+31.65 грн
99+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 VISHAY sis413dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 13.2mΩ
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.17 грн
10+49.00 грн
50+22.83 грн
136+21.58 грн
1000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 VISHAY sis443dn.pdf SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.67 грн
18+63.30 грн
50+60.43 грн
1000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY sis892adn.pdf SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.01 грн
25+46.13 грн
68+43.64 грн
1000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.61 грн
35+32.61 грн
96+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.03 грн
5+81.67 грн
25+70.98 грн
100+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 VISHAY siss23dn.pdf SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 8495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.53 грн
38+30.31 грн
103+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 SISS61DN-T1-GE3 VISHAY siss61dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -89.6A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 231nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 42.1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.16 грн
10+64.74 грн
100+43.45 грн
250+38.08 грн
500+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 VISHAY siss80dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.59 грн
10+83.67 грн
100+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.08 грн
127+8.92 грн
348+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL02-GS08 VISHAY sl02.pdf SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.84 грн
169+6.71 грн
463+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 SL03-GS08 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB23880EF2D8143&compId=sl02_sl03.pdf?ci_sign=02f3fe37c37a0a075905c920a578739cd24b1bcd Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO219AB; SMD; 20V; 1.1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO219AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.92 грн
15+20.62 грн
100+13.72 грн
500+10.65 грн
1000+9.50 грн
3000+8.06 грн
6000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL04-E3-08 VISHAY sl04.pdf SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.40 грн
162+7.00 грн
444+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T VISHAY sl12.pdf SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.64 грн
17+17.83 грн
70+16.21 грн
193+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL23-E3/52T SL23-E3/52T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB2BC114CB5E143&compId=sl22.pdf?ci_sign=d845a15d49585f496119e949b942c35363b8de2e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.32V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 750pcs.
Case: SMB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.05 грн
14+21.81 грн
100+17.74 грн
250+16.59 грн
500+15.54 грн
750+14.96 грн
1500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL43-E3/57T SL43-E3/57T VISHAY sl42.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.67 грн
10+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.31 грн
34+33.95 грн
92+32.13 грн
10000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 si9433bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+309.87 грн
21+55.63 грн
56+52.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3.pdf
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.01 грн
5+96.61 грн
10+81.62 грн
50+59.66 грн
100+52.56 грн
500+40.86 грн
1000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9933CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.77 грн
44+25.70 грн
121+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.12 грн
24+47.48 грн
66+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.45 грн
50+23.11 грн
135+21.87 грн
3000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.18 грн
72+15.83 грн
197+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
SIA483DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 12W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.91 грн
10+37.15 грн
64+17.94 грн
174+16.98 грн
1000+16.69 грн
3000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
SIA517DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.17 грн
10+47.81 грн
20+39.61 грн
50+32.03 грн
100+27.34 грн
500+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.85 грн
5+216.14 грн
10+183.19 грн
25+153.46 грн
50+143.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 sihd2n80ae.pdf
SIHD2N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.72 грн
5+101.59 грн
25+86.32 грн
75+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.37 грн
5+302.79 грн
10+259.92 грн
25+221.56 грн
50+209.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.69 грн
17+70.02 грн
45+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.14 грн
6+54.18 грн
25+46.04 грн
100+41.43 грн
500+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
SIHFR1N60A-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.65 грн
7+45.42 грн
20+38.56 грн
75+34.53 грн
300+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
SIHFR220TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.07 грн
7+44.02 грн
25+38.17 грн
100+33.67 грн
500+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+322.27 грн
5+261.95 грн
10+225.40 грн
25+197.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E.pdf
SIHG47N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+699.28 грн
10+641.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E.pdf
SIHG73N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+986.43 грн
5+826.69 грн
10+707.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E.pdf
SIHP065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 sihp100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.95 грн
4+293.49 грн
11+278.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.18 грн
5+102.59 грн
10+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.89 грн
5+135.46 грн
10+110.30 грн
50+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
SIHP22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.41 грн
5+338.65 грн
25+287.74 грн
100+258.01 грн
500+244.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.08 грн
5+237.05 грн
10+207.17 грн
25+195.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.82 грн
3+245.02 грн
10+198.54 грн
25+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
SIP32431DNP3-T1GE4
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 sip32431.pdf
SIP32431DR3-T1GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: SC70
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 147mΩ
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.32 грн
11+28.09 грн
25+24.27 грн
100+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 sip32508.pdf
SIP32509DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.86 грн
17+17.93 грн
25+15.35 грн
100+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 sip32510.pdf
SIP32510DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.86 грн
15+21.12 грн
16+18.03 грн
25+15.35 грн
100+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.89 грн
30+38.08 грн
82+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.16 грн
19+62.34 грн
25+59.76 грн
51+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.48 грн
16+71.93 грн
44+68.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.30 грн
14+84.40 грн
37+79.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.50 грн
10+60.56 грн
100+47.09 грн
500+39.42 грн
1000+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.20 грн
6+57.97 грн
10+51.89 грн
100+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.01 грн
10+45.22 грн
100+29.54 грн
500+23.02 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 sira18adp.pdf
SIRA18ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.32 грн
10+32.27 грн
11+27.72 грн
100+18.42 грн
500+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
SIRA28BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.08 грн
25+27.53 грн
100+22.25 грн
500+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.69 грн
5+96.61 грн
10+85.36 грн
25+74.81 грн
100+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
SIRA90DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.48 грн
10+101.59 грн
50+76.73 грн
100+70.02 грн
250+61.38 грн
500+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -156A; Idm: -400A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -156A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -20...16V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.16 грн
5+207.17 грн
10+177.44 грн
25+149.62 грн
100+120.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.28 грн
16+70.98 грн
44+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.71 грн
25+45.37 грн
69+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
Виробник: VISHAY
SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.85 грн
36+31.65 грн
99+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 13.2mΩ
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.17 грн
10+49.00 грн
50+22.83 грн
136+21.58 грн
1000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.67 грн
18+63.30 грн
50+60.43 грн
1000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.01 грн
25+46.13 грн
68+43.64 грн
1000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.61 грн
35+32.61 грн
96+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763
SISS05DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.03 грн
5+81.67 грн
25+70.98 грн
100+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 8495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.53 грн
38+30.31 грн
103+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
SISS61DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -89.6A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 231nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 42.1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.16 грн
10+64.74 грн
100+43.45 грн
250+38.08 грн
500+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
SISS80DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.59 грн
10+83.67 грн
100+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.08 грн
127+8.92 грн
348+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL02-GS08 sl02.pdf
Виробник: VISHAY
SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.84 грн
169+6.71 грн
463+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB23880EF2D8143&compId=sl02_sl03.pdf?ci_sign=02f3fe37c37a0a075905c920a578739cd24b1bcd
SL03-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO219AB; SMD; 20V; 1.1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO219AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.92 грн
15+20.62 грн
100+13.72 грн
500+10.65 грн
1000+9.50 грн
3000+8.06 грн
6000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL04-E3-08 sl04.pdf
Виробник: VISHAY
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.40 грн
162+7.00 грн
444+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T sl12.pdf
Виробник: VISHAY
SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.64 грн
17+17.83 грн
70+16.21 грн
193+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL23-E3/52T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB2BC114CB5E143&compId=sl22.pdf?ci_sign=d845a15d49585f496119e949b942c35363b8de2e
SL23-E3/52T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.32V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 750pcs.
Case: SMB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.05 грн
14+21.81 грн
100+17.74 грн
250+16.59 грн
500+15.54 грн
750+14.96 грн
1500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL43-E3/57T sl42.pdf
SL43-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.67 грн
10+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 608 1216 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1252 1253 1254 1255 1824 2432 3040 3648 4256 4864 5472 6080 6088  [ Наступна Сторінка >> ]