Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (365242) > Сторінка 1249 з 6088

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 608 1216 1244 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1252 1253 1254 1824 2432 3040 3648 4256 4864 5472 6080 6088  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.02 грн
13+24.00 грн
25+21.20 грн
50+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.51 грн
10+35.66 грн
50+26.28 грн
100+22.92 грн
500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 VISHAY 72749.pdf description SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.23 грн
66+17.14 грн
182+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY si3457cdv.pdf SI3457CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.83 грн
76+15.06 грн
208+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.67 грн
40+28.49 грн
110+26.95 грн
6000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.09 грн
54+21.10 грн
148+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.12 грн
13+23.31 грн
25+18.61 грн
50+16.31 грн
100+14.58 грн
112+10.17 грн
306+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.17 грн
10+50.00 грн
100+31.08 грн
250+25.99 грн
500+22.73 грн
1000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.34 грн
47+24.55 грн
127+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.22 грн
36+32.23 грн
97+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 VISHAY Si3865DDV.pdf SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.69 грн
45+25.42 грн
123+24.07 грн
500+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.31 грн
59+19.18 грн
163+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 VISHAY si4162dy.pdf SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.71 грн
43+26.38 грн
118+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.58 грн
34+34.24 грн
91+32.42 грн
1000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.92 грн
20+25.20 грн
50+22.73 грн
100+21.48 грн
200+20.24 грн
500+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7D086F095E143&compId=si4288dy.pdf?ci_sign=adf70b9d8a22a7df69ae8b70a57a44967264fb37 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.50 грн
10+68.73 грн
100+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.75 грн
5+107.57 грн
25+91.12 грн
100+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.53 грн
10+55.48 грн
100+36.06 грн
500+25.61 грн
1000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.50 грн
5+64.74 грн
10+56.01 грн
100+36.45 грн
500+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.88 грн
7+46.51 грн
10+41.34 грн
25+39.71 грн
100+35.49 грн
250+34.62 грн
500+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.42 грн
10+30.08 грн
100+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.88 грн
10+50.90 грн
100+37.41 грн
500+28.29 грн
1000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.29 грн
10+70.32 грн
100+51.70 грн
500+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.17 грн
10+55.18 грн
20+49.20 грн
50+43.93 грн
100+39.90 грн
200+35.87 грн
500+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C69A768524469&compId=SI4435DDY.pdf?ci_sign=6829347c9329e1b0ba269f70ba31db9896ce121c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.15 грн
11+27.59 грн
100+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.20 грн
10+51.69 грн
50+36.45 грн
100+31.94 грн
500+24.27 грн
1000+22.06 грн
2500+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.18 грн
11+28.88 грн
50+20.53 грн
100+17.74 грн
500+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 664 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.91 грн
10+44.32 грн
100+26.95 грн
200+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.12 грн
10+131.47 грн
100+97.83 грн
500+81.53 грн
1000+75.77 грн
2500+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.93 грн
10+59.06 грн
100+41.72 грн
250+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.22 грн
5+87.65 грн
25+74.81 грн
100+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.53 грн
10+54.98 грн
50+36.06 грн
100+30.69 грн
500+22.44 грн
1000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 22/20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+90.90 грн
10+84.66 грн
50+71.93 грн
100+68.10 грн
125+67.14 грн
250+64.26 грн
500+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.70 грн
10+60.76 грн
50+44.70 грн
100+39.32 грн
500+28.29 грн
1000+23.98 грн
2500+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 VISHAY si4686dy.pdf SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.73 грн
34+34.14 грн
91+32.32 грн
5000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.61 грн
10+39.14 грн
100+31.84 грн
500+28.01 грн
1000+26.47 грн
2500+24.55 грн
5000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.45 грн
26+44.79 грн
70+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.76 грн
30+38.75 грн
81+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.26 грн
5+87.65 грн
10+79.13 грн
50+67.33 грн
100+62.63 грн
500+52.37 грн
1000+48.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 VISHAY si4848dy.pdf SI4848DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.51 грн
17+68.10 грн
46+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.98 грн
5+110.56 грн
10+98.79 грн
50+75.77 грн
100+68.10 грн
250+60.43 грн
500+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.59 грн
5+78.09 грн
10+67.91 грн
50+53.14 грн
100+47.38 грн
500+34.72 грн
1000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.37 грн
10+49.10 грн
50+34.05 грн
100+29.35 грн
500+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.41 грн
10+99.00 грн
50+67.23 грн
100+58.12 грн
250+49.01 грн
500+43.93 грн
1000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.5A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 0.134Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.05 грн
10+101.59 грн
25+88.24 грн
100+75.77 грн
250+70.02 грн
500+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.34 грн
14+82.48 грн
38+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.72 грн
43+26.38 грн
118+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.34 грн
10+63.84 грн
33+35.20 грн
89+33.28 грн
500+33.09 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 VISHAY si7153dn.pdf SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.05 грн
47+24.46 грн
128+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.41 грн
18+66.18 грн
47+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.54 грн
10+167.33 грн
11+107.42 грн
29+101.67 грн
500+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 0.94W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.26 грн
10+80.68 грн
25+70.98 грн
100+60.43 грн
250+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 183nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 33W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.04 грн
10+49.50 грн
50+37.21 грн
100+33.19 грн
500+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.57 грн
25+46.90 грн
67+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+309.87 грн
10+61.85 грн
100+41.91 грн
250+36.64 грн
500+35.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.29 грн
5+154.38 грн
10+134.28 грн
50+103.59 грн
100+92.08 грн
500+69.06 грн
1000+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf SI7938DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+154.94 грн
14+82.48 грн
38+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.87 грн
54+21.00 грн
149+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.31 грн
34+33.95 грн
92+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.04 грн
10+54.58 грн
25+49.11 грн
100+43.93 грн
250+40.48 грн
500+37.89 грн
1000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.02 грн
13+24.00 грн
25+21.20 грн
50+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
SI3421DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.51 грн
10+35.66 грн
50+26.28 грн
100+22.92 грн
500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 description 72749.pdf
Виробник: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.23 грн
66+17.14 грн
182+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3457CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.83 грн
76+15.06 грн
208+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.67 грн
40+28.49 грн
110+26.95 грн
6000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.09 грн
54+21.10 грн
148+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
SI3460DDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.12 грн
13+23.31 грн
25+18.61 грн
50+16.31 грн
100+14.58 грн
112+10.17 грн
306+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.17 грн
10+50.00 грн
100+31.08 грн
250+25.99 грн
500+22.73 грн
1000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 si3483cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.34 грн
47+24.55 грн
127+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.22 грн
36+32.23 грн
97+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
Виробник: VISHAY
SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.69 грн
45+25.42 грн
123+24.07 грн
500+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.31 грн
59+19.18 грн
163+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.71 грн
43+26.38 грн
118+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.58 грн
34+34.24 грн
91+32.42 грн
1000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6
SI4178DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.92 грн
20+25.20 грн
50+22.73 грн
100+21.48 грн
200+20.24 грн
500+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7D086F095E143&compId=si4288dy.pdf?ci_sign=adf70b9d8a22a7df69ae8b70a57a44967264fb37
SI4288DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.50 грн
10+68.73 грн
100+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.75 грн
5+107.57 грн
25+91.12 грн
100+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.53 грн
10+55.48 грн
100+36.06 грн
500+25.61 грн
1000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463
SI4401FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.50 грн
5+64.74 грн
10+56.01 грн
100+36.45 грн
500+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.88 грн
7+46.51 грн
10+41.34 грн
25+39.71 грн
100+35.49 грн
250+34.62 грн
500+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.42 грн
10+30.08 грн
100+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db
SI4425DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.88 грн
10+50.90 грн
100+37.41 грн
500+28.29 грн
1000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.29 грн
10+70.32 грн
100+51.70 грн
500+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.17 грн
10+55.18 грн
20+49.20 грн
50+43.93 грн
100+39.90 грн
200+35.87 грн
500+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C69A768524469&compId=SI4435DDY.pdf?ci_sign=6829347c9329e1b0ba269f70ba31db9896ce121c
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.15 грн
11+27.59 грн
100+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.20 грн
10+51.69 грн
50+36.45 грн
100+31.94 грн
500+24.27 грн
1000+22.06 грн
2500+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.18 грн
11+28.88 грн
50+20.53 грн
100+17.74 грн
500+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 664 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.91 грн
10+44.32 грн
100+26.95 грн
200+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.12 грн
10+131.47 грн
100+97.83 грн
500+81.53 грн
1000+75.77 грн
2500+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
SI4463CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.93 грн
10+59.06 грн
100+41.72 грн
250+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca
SI4483ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.22 грн
5+87.65 грн
25+74.81 грн
100+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.53 грн
10+54.98 грн
50+36.06 грн
100+30.69 грн
500+22.44 грн
1000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 si4559ady.pdf
SI4559ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 22/20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.90 грн
10+84.66 грн
50+71.93 грн
100+68.10 грн
125+67.14 грн
250+64.26 грн
500+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
SI4599DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.70 грн
10+60.76 грн
50+44.70 грн
100+39.32 грн
500+28.29 грн
1000+23.98 грн
2500+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 si4686dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.73 грн
34+34.14 грн
91+32.32 грн
5000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a
SI4800BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.61 грн
10+39.14 грн
100+31.84 грн
500+28.01 грн
1000+26.47 грн
2500+24.55 грн
5000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.45 грн
26+44.79 грн
70+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.76 грн
30+38.75 грн
81+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e
SI4840BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.26 грн
5+87.65 грн
10+79.13 грн
50+67.33 грн
100+62.63 грн
500+52.37 грн
1000+48.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 si4848dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4848DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.51 грн
17+68.10 грн
46+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3 71146.pdf
SI4850EY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.98 грн
5+110.56 грн
10+98.79 грн
50+75.77 грн
100+68.10 грн
250+60.43 грн
500+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.59 грн
5+78.09 грн
10+67.91 грн
50+53.14 грн
100+47.38 грн
500+34.72 грн
1000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb
SI4936CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.37 грн
10+49.10 грн
50+34.05 грн
100+29.35 грн
500+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.41 грн
10+99.00 грн
50+67.23 грн
100+58.12 грн
250+49.01 грн
500+43.93 грн
1000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.5A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 0.134Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.05 грн
10+101.59 грн
25+88.24 грн
100+75.77 грн
250+70.02 грн
500+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.34 грн
14+82.48 грн
38+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.72 грн
43+26.38 грн
118+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f
SI7149ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.34 грн
10+63.84 грн
33+35.20 грн
89+33.28 грн
500+33.09 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 si7153dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.05 грн
47+24.46 грн
128+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.41 грн
18+66.18 грн
47+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.54 грн
10+167.33 грн
11+107.42 грн
29+101.67 грн
500+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
SI7465DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 0.94W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.26 грн
10+80.68 грн
25+70.98 грн
100+60.43 грн
250+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 183nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 33W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.04 грн
10+49.50 грн
50+37.21 грн
100+33.19 грн
500+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 si7617dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.57 грн
25+46.90 грн
67+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+309.87 грн
10+61.85 грн
100+41.91 грн
250+36.64 грн
500+35.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.29 грн
5+154.38 грн
10+134.28 грн
50+103.59 грн
100+92.08 грн
500+69.06 грн
1000+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7938DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.94 грн
14+82.48 грн
38+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.87 грн
54+21.00 грн
149+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.31 грн
34+33.95 грн
92+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa
SI9407BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.04 грн
10+54.58 грн
25+49.11 грн
100+43.93 грн
250+40.48 грн
500+37.89 грн
1000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 608 1216 1244 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1252 1253 1254 1824 2432 3040 3648 4256 4864 5472 6080 6088  [ Наступна Сторінка >> ]