Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (362660) > Сторінка 1256 з 6045

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1208 1251 1252 1253 1254 1255 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6045  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.79 грн
11+28.95 грн
20+24.30 грн
100+17.62 грн
500+13.17 грн
1000+11.71 грн
3000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.70 грн
11+29.36 грн
50+22.27 грн
100+20.04 грн
500+15.59 грн
1000+13.84 грн
3000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY si2302dds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.19 грн
13+23.93 грн
25+20.43 грн
100+16.36 грн
500+12.20 грн
1000+10.65 грн
3000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.00 грн
10+35.49 грн
50+25.75 грн
100+22.65 грн
500+16.65 грн
1000+14.52 грн
3000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.28 грн
16+19.81 грн
50+14.13 грн
100+12.49 грн
500+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.58 грн
18+17.59 грн
20+15.59 грн
50+14.04 грн
100+12.97 грн
500+10.84 грн
1000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.62 грн
12+26.64 грн
50+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 192mΩ
Power dissipation: 1.06W
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.04 грн
20+34.99 грн
100+25.17 грн
250+21.30 грн
500+18.98 грн
1000+17.04 грн
3000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 144mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.24 грн
16+19.50 грн
25+15.59 грн
100+11.91 грн
500+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+51.09 грн
10+36.09 грн
50+26.53 грн
100+23.33 грн
500+17.23 грн
1000+14.91 грн
1500+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.79 грн
10+33.38 грн
11+28.37 грн
100+18.20 грн
500+13.26 грн
1000+11.62 грн
3000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 VISHAY SI2315BDS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.70 грн
10+34.48 грн
25+25.36 грн
100+22.17 грн
250+21.69 грн
500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.43 грн
10+46.65 грн
25+39.21 грн
50+35.14 грн
100+31.46 грн
250+27.30 грн
500+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY si2318cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.49 грн
13+24.03 грн
20+19.85 грн
100+13.94 грн
200+12.20 грн
500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 VISHAY si2318ds.pdf SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.22 грн
58+19.94 грн
158+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.17 грн
10+36.39 грн
100+24.20 грн
500+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.49 грн
7+47.85 грн
25+41.63 грн
100+36.69 грн
500+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.43 грн
10+48.66 грн
25+36.59 грн
100+33.21 грн
250+29.04 грн
500+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.83 грн
10+33.18 грн
100+26.04 грн
500+22.65 грн
1000+21.40 грн
3000+19.56 грн
6000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.21 грн
10+38.81 грн
50+27.78 грн
100+24.40 грн
250+20.43 грн
500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 VISHAY si2323ds.pdf SI2323DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.62 грн
37+31.66 грн
100+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.28 грн
12+24.59 грн
50+21.78 грн
100+20.62 грн
500+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.56 грн
58+19.94 грн
158+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 VISHAY si2329ds.pdf SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+62.35 грн
43+26.62 грн
118+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.68 грн
10+40.01 грн
50+32.14 грн
100+29.72 грн
250+26.72 грн
500+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.98 грн
10+50.17 грн
100+32.34 грн
500+25.17 грн
1000+22.94 грн
3000+20.14 грн
6000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.75 грн
9+34.18 грн
10+29.24 грн
100+18.78 грн
500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 VISHAY si2336ds.pdf SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.59 грн
110+10.36 грн
303+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY si2337ds.pdf SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.89 грн
31+37.37 грн
85+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+51.50 грн
67+17.14 грн
184+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.8nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±5V
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 8V
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.70 грн
10+30.46 грн
50+22.94 грн
100+20.62 грн
500+16.26 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -5.9A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.34 грн
10+40.01 грн
50+30.59 грн
100+27.78 грн
500+22.17 грн
1000+20.23 грн
3000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.24 грн
16+19.30 грн
50+12.97 грн
100+11.13 грн
500+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.51 грн
114+10.07 грн
313+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.11 грн
19+16.49 грн
50+11.04 грн
100+9.49 грн
500+7.07 грн
1000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.70 грн
10+30.56 грн
50+21.88 грн
100+19.27 грн
500+14.62 грн
1000+13.17 грн
3000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.71 грн
69+16.65 грн
189+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.71 грн
96+12.00 грн
263+11.33 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY si2377eds.pdf SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.67 грн
69+16.65 грн
189+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 10.4nC
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.04 грн
8+42.02 грн
10+36.11 грн
100+23.04 грн
500+17.23 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.32 грн
13+24.23 грн
25+21.40 грн
50+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.96 грн
10+35.99 грн
50+26.53 грн
100+23.14 грн
500+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 VISHAY 72749.pdf description SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.51 грн
66+17.30 грн
182+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY si3457cdv.pdf SI3457CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.43 грн
76+15.20 грн
208+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.45 грн
40+28.75 грн
110+27.20 грн
6000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.61 грн
54+21.30 грн
148+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.05 грн
112+10.26 грн
306+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.81 грн
10+50.47 грн
100+31.37 грн
250+26.24 грн
500+22.94 грн
1000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.02 грн
47+24.78 грн
127+23.43 грн
30000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.20 грн
36+32.53 грн
97+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 VISHAY Si3865DDV.pdf SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.33 грн
45+25.66 грн
123+24.30 грн
500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.14 грн
59+19.36 грн
163+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 VISHAY si4162dy.pdf SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.42 грн
43+26.62 грн
118+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.27 грн
34+34.56 грн
91+32.72 грн
1000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.19 грн
20+25.44 грн
50+22.94 грн
100+21.69 грн
200+20.43 грн
500+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7D086F095E143&compId=si4288dy.pdf?ci_sign=adf70b9d8a22a7df69ae8b70a57a44967264fb37 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.24 грн
10+69.37 грн
100+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.86 грн
5+108.58 грн
25+91.97 грн
100+83.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cds.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.79 грн
11+28.95 грн
20+24.30 грн
100+17.62 грн
500+13.17 грн
1000+11.71 грн
3000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.70 грн
11+29.36 грн
50+22.27 грн
100+20.04 грн
500+15.59 грн
1000+13.84 грн
3000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.19 грн
13+23.93 грн
25+20.43 грн
100+16.36 грн
500+12.20 грн
1000+10.65 грн
3000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.00 грн
10+35.49 грн
50+25.75 грн
100+22.65 грн
500+16.65 грн
1000+14.52 грн
3000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.28 грн
16+19.81 грн
50+14.13 грн
100+12.49 грн
500+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.58 грн
18+17.59 грн
20+15.59 грн
50+14.04 грн
100+12.97 грн
500+10.84 грн
1000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac
SI2306BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.62 грн
12+26.64 грн
50+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 192mΩ
Power dissipation: 1.06W
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.04 грн
20+34.99 грн
100+25.17 грн
250+21.30 грн
500+18.98 грн
1000+17.04 грн
3000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 144mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
16+19.50 грн
25+15.59 грн
100+11.91 грн
500+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.09 грн
10+36.09 грн
50+26.53 грн
100+23.33 грн
500+17.23 грн
1000+14.91 грн
1500+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.79 грн
10+33.38 грн
11+28.37 грн
100+18.20 грн
500+13.26 грн
1000+11.62 грн
3000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3.pdf
SI2315BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.70 грн
10+34.48 грн
25+25.36 грн
100+22.17 грн
250+21.69 грн
500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.43 грн
10+46.65 грн
25+39.21 грн
50+35.14 грн
100+31.46 грн
250+27.30 грн
500+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 si2318cds.pdf
SI2318CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.49 грн
13+24.03 грн
20+19.85 грн
100+13.94 грн
200+12.20 грн
500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 si2318ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.22 грн
58+19.94 грн
158+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.17 грн
10+36.39 грн
100+24.20 грн
500+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.49 грн
7+47.85 грн
25+41.63 грн
100+36.69 грн
500+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.43 грн
10+48.66 грн
25+36.59 грн
100+33.21 грн
250+29.04 грн
500+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.83 грн
10+33.18 грн
100+26.04 грн
500+22.65 грн
1000+21.40 грн
3000+19.56 грн
6000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.21 грн
10+38.81 грн
50+27.78 грн
100+24.40 грн
250+20.43 грн
500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 si2323ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2323DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.62 грн
37+31.66 грн
100+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.28 грн
12+24.59 грн
50+21.78 грн
100+20.62 грн
500+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 si2328ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.56 грн
58+19.94 грн
158+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.35 грн
43+26.62 грн
118+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.68 грн
10+40.01 грн
50+32.14 грн
100+29.72 грн
250+26.72 грн
500+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.98 грн
10+50.17 грн
100+32.34 грн
500+25.17 грн
1000+22.94 грн
3000+20.14 грн
6000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.75 грн
9+34.18 грн
10+29.24 грн
100+18.78 грн
500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.59 грн
110+10.36 грн
303+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 si2337ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.89 грн
31+37.37 грн
85+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.50 грн
67+17.14 грн
184+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.8nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±5V
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 8V
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.70 грн
10+30.46 грн
50+22.94 грн
100+20.62 грн
500+16.26 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -5.9A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.34 грн
10+40.01 грн
50+30.59 грн
100+27.78 грн
500+22.17 грн
1000+20.23 грн
3000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
SI2347DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
16+19.30 грн
50+12.97 грн
100+11.13 грн
500+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.51 грн
114+10.07 грн
313+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.11 грн
19+16.49 грн
50+11.04 грн
100+9.49 грн
500+7.07 грн
1000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.70 грн
10+30.56 грн
50+21.88 грн
100+19.27 грн
500+14.62 грн
1000+13.17 грн
3000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
Виробник: VISHAY
SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.71 грн
69+16.65 грн
189+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.71 грн
96+12.00 грн
263+11.33 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.67 грн
69+16.65 грн
189+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 10.4nC
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.04 грн
8+42.02 грн
10+36.11 грн
100+23.04 грн
500+17.23 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.32 грн
13+24.23 грн
25+21.40 грн
50+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
SI3421DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.96 грн
10+35.99 грн
50+26.53 грн
100+23.14 грн
500+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 description 72749.pdf
Виробник: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.51 грн
66+17.30 грн
182+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3457CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.43 грн
76+15.20 грн
208+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.45 грн
40+28.75 грн
110+27.20 грн
6000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.61 грн
54+21.30 грн
148+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.05 грн
112+10.26 грн
306+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.81 грн
10+50.47 грн
100+31.37 грн
250+26.24 грн
500+22.94 грн
1000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 si3483cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.02 грн
47+24.78 грн
127+23.43 грн
30000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.20 грн
36+32.53 грн
97+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
Виробник: VISHAY
SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.33 грн
45+25.66 грн
123+24.30 грн
500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.14 грн
59+19.36 грн
163+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.42 грн
43+26.62 грн
118+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.27 грн
34+34.56 грн
91+32.72 грн
1000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6
SI4178DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.19 грн
20+25.44 грн
50+22.94 грн
100+21.69 грн
200+20.43 грн
500+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7D086F095E143&compId=si4288dy.pdf?ci_sign=adf70b9d8a22a7df69ae8b70a57a44967264fb37
SI4288DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.24 грн
10+69.37 грн
100+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.86 грн
5+108.58 грн
25+91.97 грн
100+83.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1208 1251 1252 1253 1254 1255 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6045  [ Наступна Сторінка >> ]