Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (362650) > Сторінка 1257 з 6045

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1208 1252 1253 1254 1255 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6045  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.86 грн
5+108.58 грн
25+91.97 грн
100+83.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.28 грн
10+56.00 грн
100+36.40 грн
500+25.85 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.24 грн
5+65.35 грн
10+56.54 грн
100+36.79 грн
500+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.43 грн
7+46.95 грн
10+41.73 грн
25+40.08 грн
100+35.82 грн
250+34.95 грн
500+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.83 грн
10+30.36 грн
100+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.43 грн
10+51.37 грн
100+37.76 грн
500+28.56 грн
1000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.26 грн
10+70.98 грн
100+52.18 грн
500+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.81 грн
10+55.70 грн
20+49.66 грн
50+44.34 грн
100+40.27 грн
200+36.21 грн
500+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C69A768524469&compId=SI4435DDY.pdf?ci_sign=6829347c9329e1b0ba269f70ba31db9896ce121c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.49 грн
11+27.85 грн
100+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.85 грн
10+52.18 грн
50+36.79 грн
100+32.24 грн
500+24.49 грн
1000+22.27 грн
2500+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.53 грн
11+29.16 грн
50+20.72 грн
100+17.91 грн
500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -7.2A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 4.2W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.47 грн
10+44.74 грн
100+27.20 грн
200+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.92 грн
10+132.71 грн
100+98.75 грн
500+82.29 грн
1000+76.48 грн
2500+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.79 грн
10+59.62 грн
100+42.11 грн
250+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.17 грн
5+88.47 грн
25+75.51 грн
100+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.28 грн
10+55.50 грн
50+36.40 грн
100+30.98 грн
500+22.65 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+91.75 грн
10+85.46 грн
50+72.61 грн
100+68.74 грн
125+67.77 грн
250+64.86 грн
500+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.49 грн
10+61.33 грн
50+45.11 грн
100+39.69 грн
500+28.56 грн
1000+24.20 грн
2500+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 VISHAY SI4686DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.77 грн
10+49.97 грн
100+39.31 грн
500+35.05 грн
1000+33.50 грн
2500+31.95 грн
5000+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+51.09 грн
10+39.51 грн
100+32.14 грн
500+28.27 грн
1000+26.72 грн
2500+24.78 грн
5000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.70 грн
26+45.21 грн
70+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.37 грн
30+39.11 грн
81+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 VISHAY si4840bdy.pdf SI4840BDY-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.13 грн
23+50.34 грн
63+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 VISHAY si4848dy.pdf SI4848DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.83 грн
17+68.74 грн
46+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.15 грн
5+111.59 грн
10+99.72 грн
50+76.48 грн
100+68.74 грн
250+60.99 грн
500+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.64 грн
5+78.82 грн
10+68.54 грн
50+53.63 грн
100+47.83 грн
500+35.05 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY si4936cdy.pdf SI4936CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.60 грн
39+29.33 грн
108+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.71 грн
10+99.93 грн
50+67.87 грн
100+58.67 грн
250+49.47 грн
500+44.34 грн
1000+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 VISHAY si7113dn.pdf SI7113DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.96 грн
16+74.55 грн
43+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+232.50 грн
14+83.26 грн
38+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.40 грн
43+26.62 грн
118+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY si7149adp.pdf SI7149ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.19 грн
33+35.24 грн
90+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 VISHAY si7153dn.pdf SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.82 грн
47+24.69 грн
128+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.71 грн
18+66.80 грн
47+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf SI7461DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+251.26 грн
11+108.43 грн
29+102.62 грн
3000+102.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 0.94W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.22 грн
10+81.43 грн
25+71.64 грн
100+60.99 грн
250+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 183nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 33W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.64 грн
10+49.97 грн
50+37.56 грн
100+33.50 грн
500+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.32 грн
25+47.34 грн
67+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+312.78 грн
10+62.43 грн
100+42.31 грн
250+36.98 грн
500+35.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.13 грн
5+155.83 грн
10+135.54 грн
50+104.56 грн
100+92.94 грн
500+69.70 грн
1000+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf SI7938DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.39 грн
14+83.26 грн
38+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.66 грн
54+21.20 грн
149+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.60 грн
34+34.27 грн
92+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.64 грн
10+55.09 грн
25+49.57 грн
100+44.34 грн
250+40.85 грн
500+38.24 грн
1000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.60 грн
34+34.27 грн
92+32.43 грн
10000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 VISHAY si9433bd.pdf SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+312.78 грн
21+56.15 грн
56+53.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY SI9926CDY-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.20 грн
5+97.52 грн
10+82.39 грн
50+60.22 грн
100+53.05 грн
500+41.24 грн
1000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.55 грн
44+25.95 грн
121+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+105.09 грн
24+47.92 грн
66+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.08 грн
50+23.33 грн
135+22.07 грн
3000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.58 грн
72+15.97 грн
197+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.39 грн
64+18.10 грн
174+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.77 грн
10+47.55 грн
20+39.40 грн
50+31.85 грн
100+27.20 грн
500+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.46 грн
5+218.16 грн
10+184.91 грн
25+154.90 грн
50+145.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 VISHAY sihd2n80ae.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.81 грн
5+102.55 грн
25+87.13 грн
75+86.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY sihf22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+392.01 грн
5+305.63 грн
10+262.36 грн
25+223.64 грн
50+211.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3 VISHAY SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.77 грн
17+70.67 грн
45+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.77 грн
6+54.69 грн
25+46.47 грн
100+41.82 грн
500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.13 грн
7+45.84 грн
20+38.92 грн
75+34.85 грн
300+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 VISHAY sihfr220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.68 грн
7+44.44 грн
25+38.53 грн
100+33.98 грн
500+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.86 грн
5+108.58 грн
25+91.97 грн
100+83.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.28 грн
10+56.00 грн
100+36.40 грн
500+25.85 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463
SI4401FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.24 грн
5+65.35 грн
10+56.54 грн
100+36.79 грн
500+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.43 грн
7+46.95 грн
10+41.73 грн
25+40.08 грн
100+35.82 грн
250+34.95 грн
500+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.83 грн
10+30.36 грн
100+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db
SI4425DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.43 грн
10+51.37 грн
100+37.76 грн
500+28.56 грн
1000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.26 грн
10+70.98 грн
100+52.18 грн
500+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.81 грн
10+55.70 грн
20+49.66 грн
50+44.34 грн
100+40.27 грн
200+36.21 грн
500+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C69A768524469&compId=SI4435DDY.pdf?ci_sign=6829347c9329e1b0ba269f70ba31db9896ce121c
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.49 грн
11+27.85 грн
100+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.85 грн
10+52.18 грн
50+36.79 грн
100+32.24 грн
500+24.49 грн
1000+22.27 грн
2500+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.53 грн
11+29.16 грн
50+20.72 грн
100+17.91 грн
500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -7.2A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 4.2W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.47 грн
10+44.74 грн
100+27.20 грн
200+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.92 грн
10+132.71 грн
100+98.75 грн
500+82.29 грн
1000+76.48 грн
2500+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
SI4463CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.79 грн
10+59.62 грн
100+42.11 грн
250+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca
SI4483ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Gate charge: 44.8nC
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.17 грн
5+88.47 грн
25+75.51 грн
100+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.28 грн
10+55.50 грн
50+36.40 грн
100+30.98 грн
500+22.65 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 si4559ady.pdf
SI4559ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.75 грн
10+85.46 грн
50+72.61 грн
100+68.74 грн
125+67.77 грн
250+64.86 грн
500+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
SI4599DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.49 грн
10+61.33 грн
50+45.11 грн
100+39.69 грн
500+28.56 грн
1000+24.20 грн
2500+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY.pdf
SI4686DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.77 грн
10+49.97 грн
100+39.31 грн
500+35.05 грн
1000+33.50 грн
2500+31.95 грн
5000+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a
SI4800BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.09 грн
10+39.51 грн
100+32.14 грн
500+28.27 грн
1000+26.72 грн
2500+24.78 грн
5000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.70 грн
26+45.21 грн
70+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.37 грн
30+39.11 грн
81+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 si4840bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4840BDY-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.13 грн
23+50.34 грн
63+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 si4848dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4848DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.83 грн
17+68.74 грн
46+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3 71146.pdf
SI4850EY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.15 грн
5+111.59 грн
10+99.72 грн
50+76.48 грн
100+68.74 грн
250+60.99 грн
500+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.64 грн
5+78.82 грн
10+68.54 грн
50+53.63 грн
100+47.83 грн
500+35.05 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 si4936cdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4936CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.60 грн
39+29.33 грн
108+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.71 грн
10+99.93 грн
50+67.87 грн
100+58.67 грн
250+49.47 грн
500+44.34 грн
1000+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 si7113dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7113DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.96 грн
16+74.55 грн
43+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.50 грн
14+83.26 грн
38+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.40 грн
43+26.62 грн
118+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7149ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.19 грн
33+35.24 грн
90+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 si7153dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.82 грн
47+24.69 грн
128+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.71 грн
18+66.80 грн
47+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7461DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.26 грн
11+108.43 грн
29+102.62 грн
3000+102.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
SI7465DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 0.94W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.22 грн
10+81.43 грн
25+71.64 грн
100+60.99 грн
250+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 183nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 33W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.64 грн
10+49.97 грн
50+37.56 грн
100+33.50 грн
500+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 si7617dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.32 грн
25+47.34 грн
67+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+312.78 грн
10+62.43 грн
100+42.31 грн
250+36.98 грн
500+35.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.13 грн
5+155.83 грн
10+135.54 грн
50+104.56 грн
100+92.94 грн
500+69.70 грн
1000+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7938DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.39 грн
14+83.26 грн
38+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.66 грн
54+21.20 грн
149+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.60 грн
34+34.27 грн
92+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa
SI9407BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.64 грн
10+55.09 грн
25+49.57 грн
100+44.34 грн
250+40.85 грн
500+38.24 грн
1000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.60 грн
34+34.27 грн
92+32.43 грн
10000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 si9433bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+312.78 грн
21+56.15 грн
56+53.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3.pdf
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.20 грн
5+97.52 грн
10+82.39 грн
50+60.22 грн
100+53.05 грн
500+41.24 грн
1000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9933CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.55 грн
44+25.95 грн
121+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.09 грн
24+47.92 грн
66+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.08 грн
50+23.33 грн
135+22.07 грн
3000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.58 грн
72+15.97 грн
197+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.39 грн
64+18.10 грн
174+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
SIA517DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.77 грн
10+47.55 грн
20+39.40 грн
50+31.85 грн
100+27.20 грн
500+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.46 грн
5+218.16 грн
10+184.91 грн
25+154.90 грн
50+145.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 sihd2n80ae.pdf
SIHD2N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.81 грн
5+102.55 грн
25+87.13 грн
75+86.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+392.01 грн
5+305.63 грн
10+262.36 грн
25+223.64 грн
50+211.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.77 грн
17+70.67 грн
45+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.77 грн
6+54.69 грн
25+46.47 грн
100+41.82 грн
500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
SIHFR1N60A-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.13 грн
7+45.84 грн
20+38.92 грн
75+34.85 грн
300+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
SIHFR220TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.68 грн
7+44.44 грн
25+38.53 грн
100+33.98 грн
500+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1208 1252 1253 1254 1255 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6045  [ Наступна Сторінка >> ]