Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (362653) > Сторінка 1258 з 6045

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1208 1253 1254 1255 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6045  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.77 грн
6+54.69 грн
25+46.47 грн
100+41.82 грн
500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.13 грн
7+45.84 грн
20+38.92 грн
75+34.85 грн
300+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 VISHAY sihfr220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.68 грн
7+44.44 грн
25+38.53 грн
100+33.98 грн
500+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+325.29 грн
5+264.41 грн
10+227.51 грн
25+199.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY SIHG47N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+705.83 грн
10+647.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY SIHG73N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+995.67 грн
5+834.44 грн
10+714.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY SIHP065N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+505.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 VISHAY sihp100n60e.pdf SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+442.06 грн
4+296.24 грн
11+280.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.41 грн
5+103.55 грн
10+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.62 грн
5+136.73 грн
10+111.33 грн
50+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+393.06 грн
5+341.82 грн
25+290.44 грн
100+260.42 грн
500+246.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+287.75 грн
5+239.27 грн
10+209.11 грн
25+197.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+279.41 грн
3+247.32 грн
10+200.40 грн
25+188.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 SIP32431DNP3-T1GE4 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 SIP32431DR3-T1GE3 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.70 грн
11+28.35 грн
25+24.49 грн
100+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 SIP32509DT-T1-GE3 VISHAY sip32508.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.11 грн
17+17.79 грн
25+15.39 грн
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 SIP32510DT-T1-GE3 VISHAY sip32510.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Integrated circuit features: output discharge
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.19 грн
5+60.32 грн
10+29.04 грн
25+15.49 грн
100+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.98 грн
30+38.43 грн
82+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.09 грн
19+62.93 грн
25+60.32 грн
51+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.79 грн
16+72.61 грн
44+68.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.86 грн
14+85.19 грн
37+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.24 грн
10+61.13 грн
100+47.53 грн
500+39.79 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.85 грн
6+58.51 грн
10+52.38 грн
100+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.60 грн
10+45.64 грн
100+29.82 грн
500+23.23 грн
1000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.70 грн
10+32.57 грн
11+27.98 грн
100+18.59 грн
500+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.37 грн
25+27.78 грн
100+22.46 грн
500+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.77 грн
5+97.52 грн
10+86.16 грн
25+75.51 грн
100+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.79 грн
10+102.55 грн
50+77.45 грн
100+70.67 грн
250+61.96 грн
500+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -156A; Idm: -400A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -156A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -20...16V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+258.56 грн
5+209.11 грн
10+179.10 грн
25+151.03 грн
100+121.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.54 грн
16+71.64 грн
44+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.24 грн
25+45.79 грн
69+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.36 грн
36+31.95 грн
99+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 VISHAY sis413dn.pdf SIS413DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.36 грн
50+23.14 грн
136+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 VISHAY sis443dn.pdf SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.05 грн
18+63.90 грн
50+60.99 грн
1000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY sis892adn.pdf SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.99 грн
25+46.57 грн
68+44.05 грн
1000+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.32 грн
35+32.92 грн
96+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.92 грн
5+82.44 грн
25+71.64 грн
100+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 VISHAY siss23dn.pdf SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 8495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.30 грн
38+30.59 грн
103+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 SISS61DN-T1-GE3 VISHAY siss61dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -89.6A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 231nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 42.1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.09 грн
10+65.35 грн
100+43.86 грн
250+38.43 грн
500+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 VISHAY siss80dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.64 грн
10+84.45 грн
100+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.43 грн
127+9.00 грн
348+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL02-GS08 VISHAY sl02.pdf SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.99 грн
169+6.78 грн
463+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 SL03-GS08 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB23880EF2D8143&compId=sl02_sl03.pdf?ci_sign=02f3fe37c37a0a075905c920a578739cd24b1bcd Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO219AB; SMD; 20V; 1.1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO219AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.19 грн
15+20.81 грн
100+13.84 грн
500+10.75 грн
1000+9.58 грн
3000+8.13 грн
6000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL04-E3-08 VISHAY sl04.pdf SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.72 грн
162+7.07 грн
444+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T VISHAY sl12.pdf SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.92 грн
17+18.00 грн
70+16.36 грн
193+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL23-E3/52T SL23-E3/52T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB2BC114CB5E143&compId=sl22.pdf?ci_sign=d845a15d49585f496119e949b942c35363b8de2e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.32V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 750pcs.
Case: SMB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.36 грн
14+22.02 грн
100+17.91 грн
250+16.75 грн
500+15.68 грн
750+15.10 грн
1500+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL43-E3/57T SL43-E3/57T VISHAY sl42.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.45 грн
10+75.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY SL44-E3-57T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.24 грн
7+43.83 грн
25+37.56 грн
100+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY SL44-E3-57T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.24 грн
7+43.83 грн
25+37.56 грн
100+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33A-E3/57T VISHAY sm15t.pdf SM15T33A-E3/57T Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.03 грн
68+16.94 грн
186+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33CA-E3/57T VISHAY sm15t.pdf SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.91 грн
67+17.14 грн
183+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T100A-E3/52 SM6T100A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 100V; 4.4A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 4.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.11 грн
100+8.81 грн
750+7.26 грн
5250+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T12A-E3/52 SM6T12A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 12V; 36A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.64 грн
25+12.47 грн
100+7.81 грн
750+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15A-E3/52 SM6T15A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+28.15 грн
14+22.72 грн
15+19.65 грн
100+11.91 грн
500+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15CA-E3/52 SM6T15CA-E3/52 VISHAY sm6t.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.94 грн
15+20.31 грн
17+17.81 грн
100+11.10 грн
500+7.41 грн
750+6.75 грн
1500+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T33A-E3/52 SM6T33A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.11 грн
16+19.60 грн
25+16.26 грн
50+14.23 грн
100+12.49 грн
250+10.26 грн
500+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36A-E3/52 SM6T36A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.51 грн
26+11.66 грн
28+10.65 грн
100+9.00 грн
250+8.23 грн
500+7.65 грн
750+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36CA-E3/52 SM6T36CA-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.32 грн
17+17.90 грн
19+16.07 грн
100+12.59 грн
500+10.55 грн
750+10.07 грн
1500+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T39A-E3/52 SM6T39A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.53 грн
11+28.95 грн
12+24.40 грн
100+14.07 грн
500+8.80 грн
750+7.74 грн
1500+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8A-E3/52 SM6T6V8A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.47 грн
30+10.25 грн
31+9.58 грн
50+8.62 грн
100+8.13 грн
250+7.65 грн
500+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.77 грн
6+54.69 грн
25+46.47 грн
100+41.82 грн
500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
SIHFR1N60A-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.13 грн
7+45.84 грн
20+38.92 грн
75+34.85 грн
300+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
SIHFR220TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.68 грн
7+44.44 грн
25+38.53 грн
100+33.98 грн
500+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.29 грн
5+264.41 грн
10+227.51 грн
25+199.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E.pdf
SIHG47N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+705.83 грн
10+647.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E.pdf
SIHG73N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+995.67 грн
5+834.44 грн
10+714.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E.pdf
SIHP065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 sihp100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.06 грн
4+296.24 грн
11+280.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.41 грн
5+103.55 грн
10+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.62 грн
5+136.73 грн
10+111.33 грн
50+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
SIHP22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.06 грн
5+341.82 грн
25+290.44 грн
100+260.42 грн
500+246.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.75 грн
5+239.27 грн
10+209.11 грн
25+197.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.41 грн
3+247.32 грн
10+200.40 грн
25+188.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
SIP32431DNP3-T1GE4
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 sip32431.pdf
SIP32431DR3-T1GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.70 грн
11+28.35 грн
25+24.49 грн
100+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 sip32508.pdf
SIP32509DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.11 грн
17+17.79 грн
25+15.39 грн
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 sip32510.pdf
SIP32510DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Integrated circuit features: output discharge
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.19 грн
5+60.32 грн
10+29.04 грн
25+15.49 грн
100+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.98 грн
30+38.43 грн
82+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.09 грн
19+62.93 грн
25+60.32 грн
51+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.79 грн
16+72.61 грн
44+68.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.86 грн
14+85.19 грн
37+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.24 грн
10+61.13 грн
100+47.53 грн
500+39.79 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.85 грн
6+58.51 грн
10+52.38 грн
100+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.60 грн
10+45.64 грн
100+29.82 грн
500+23.23 грн
1000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 sira18adp.pdf
SIRA18ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.70 грн
10+32.57 грн
11+27.98 грн
100+18.59 грн
500+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
SIRA28BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.37 грн
25+27.78 грн
100+22.46 грн
500+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.77 грн
5+97.52 грн
10+86.16 грн
25+75.51 грн
100+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
SIRA90DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.79 грн
10+102.55 грн
50+77.45 грн
100+70.67 грн
250+61.96 грн
500+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -156A; Idm: -400A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -156A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -20...16V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.56 грн
5+209.11 грн
10+179.10 грн
25+151.03 грн
100+121.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.54 грн
16+71.64 грн
44+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.24 грн
25+45.79 грн
69+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
Виробник: VISHAY
SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.36 грн
36+31.95 грн
99+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS413DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.36 грн
50+23.14 грн
136+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.05 грн
18+63.90 грн
50+60.99 грн
1000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.99 грн
25+46.57 грн
68+44.05 грн
1000+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.32 грн
35+32.92 грн
96+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763
SISS05DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.92 грн
5+82.44 грн
25+71.64 грн
100+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 8495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.30 грн
38+30.59 грн
103+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
SISS61DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -89.6A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 231nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 42.1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.09 грн
10+65.35 грн
100+43.86 грн
250+38.43 грн
500+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
SISS80DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.64 грн
10+84.45 грн
100+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.43 грн
127+9.00 грн
348+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL02-GS08 sl02.pdf
Виробник: VISHAY
SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.99 грн
169+6.78 грн
463+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB23880EF2D8143&compId=sl02_sl03.pdf?ci_sign=02f3fe37c37a0a075905c920a578739cd24b1bcd
SL03-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO219AB; SMD; 20V; 1.1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO219AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.19 грн
15+20.81 грн
100+13.84 грн
500+10.75 грн
1000+9.58 грн
3000+8.13 грн
6000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL04-E3-08 sl04.pdf
Виробник: VISHAY
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.72 грн
162+7.07 грн
444+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T sl12.pdf
Виробник: VISHAY
SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.92 грн
17+18.00 грн
70+16.36 грн
193+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL23-E3/52T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB2BC114CB5E143&compId=sl22.pdf?ci_sign=d845a15d49585f496119e949b942c35363b8de2e
SL23-E3/52T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.32V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 750pcs.
Case: SMB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.36 грн
14+22.02 грн
100+17.91 грн
250+16.75 грн
500+15.68 грн
750+15.10 грн
1500+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL43-E3/57T sl42.pdf
SL43-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.45 грн
10+75.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3-57T.pdf
SL44-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.24 грн
7+43.83 грн
25+37.56 грн
100+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3-57T.pdf
SL44-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.24 грн
7+43.83 грн
25+37.56 грн
100+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33A-E3/57T sm15t.pdf
Виробник: VISHAY
SM15T33A-E3/57T Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.03 грн
68+16.94 грн
186+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33CA-E3/57T sm15t.pdf
Виробник: VISHAY
SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.91 грн
67+17.14 грн
183+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T100A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T100A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 100V; 4.4A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 4.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.11 грн
100+8.81 грн
750+7.26 грн
5250+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T12A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T12A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 12V; 36A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.64 грн
25+12.47 грн
100+7.81 грн
750+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T15A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.15 грн
14+22.72 грн
15+19.65 грн
100+11.91 грн
500+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15CA-E3/52 sm6t.pdf
SM6T15CA-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.94 грн
15+20.31 грн
17+17.81 грн
100+11.10 грн
500+7.41 грн
750+6.75 грн
1500+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T33A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T33A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.11 грн
16+19.60 грн
25+16.26 грн
50+14.23 грн
100+12.49 грн
250+10.26 грн
500+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T36A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.51 грн
26+11.66 грн
28+10.65 грн
100+9.00 грн
250+8.23 грн
500+7.65 грн
750+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36CA-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T36CA-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.32 грн
17+17.90 грн
19+16.07 грн
100+12.59 грн
500+10.55 грн
750+10.07 грн
1500+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T39A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T39A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.53 грн
11+28.95 грн
12+24.40 грн
100+14.07 грн
500+8.80 грн
750+7.74 грн
1500+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T6V8A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.47 грн
30+10.25 грн
31+9.58 грн
50+8.62 грн
100+8.13 грн
250+7.65 грн
500+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1208 1253 1254 1255 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6045  [ Наступна Сторінка >> ]