Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (358221) > Сторінка 1312 з 5971

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1194 1307 1308 1309 1310 1311 1312 1313 1314 1315 1316 1317 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5971  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1443EDH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3 VISHAY si1443edh.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; ESD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -4A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf SI1902CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+29.28 грн
103+11.37 грн
283+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5383 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+50.05 грн
11+29.78 грн
15+25.21 грн
20+22.74 грн
50+16.71 грн
100+13.64 грн
500+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7921 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+53.24 грн
10+35.12 грн
50+24.42 грн
100+21.26 грн
500+15.42 грн
1000+13.45 грн
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY si2302dds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+41.53 грн
12+27.52 грн
25+21.85 грн
100+16.51 грн
500+12.36 грн
1000+10.78 грн
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf SI2303CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.81 грн
102+11.57 грн
280+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY SI2304DDS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+31.94 грн
16+20.23 грн
50+14.44 грн
100+12.76 грн
500+9.69 грн
1000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6558 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+33.01 грн
13+24.34 грн
20+20.57 грн
100+15.13 грн
500+11.87 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 VISHAY si2306bd.pdf SI2306BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+62.29 грн
43+27.29 грн
100+26.18 грн
119+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY si2307cds.pdf SI2307CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+38.33 грн
89+13.35 грн
243+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 VISHAY SI2308BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+57.18 грн
74+16.00 грн
202+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf SI2308CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 14780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+36.84 грн
108+10.88 грн
297+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY si2309cd.pdf SI2309CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 15215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.13 грн
80+14.63 грн
220+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+44.72 грн
10+34.09 грн
11+28.97 грн
100+18.59 грн
500+13.55 грн
1000+11.87 грн
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 VISHAY si2315bd.pdf SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+47.92 грн
52+22.74 грн
142+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+69.53 грн
61+19.28 грн
167+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY si2318cds.pdf SI2318CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5059 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+48.66 грн
91+12.85 грн
250+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+53.24 грн
10+36.55 грн
100+24.32 грн
500+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf SI2319DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+44.51 грн
96+12.16 грн
264+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 515 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+98.60 грн
34+35.00 грн
92+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf SI2319DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+69.21 грн
38+31.15 грн
104+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+45.79 грн
10+33.88 грн
100+26.60 грн
500+23.14 грн
1000+21.85 грн
3000+19.97 грн
6000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY SI2323DDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+55.37 грн
10+39.63 грн
50+28.38 грн
100+24.92 грн
250+20.86 грн
500+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 VISHAY si2324ds.pdf SI2324DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 9403 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+44.94 грн
53+22.54 грн
144+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+96.90 грн
58+20.37 грн
159+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 VISHAY si2329ds.pdf SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.82 грн
44+27.19 грн
119+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf SI2333CDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 944 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.93 грн
43+27.78 грн
116+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf SI2333CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+96.69 грн
79+14.93 грн
216+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf SI2333DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+56.97 грн
72+16.31 грн
198+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 VISHAY si2336ds.pdf SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+56.44 грн
111+10.58 грн
304+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY si2337ds.pdf SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+112.23 грн
31+38.27 грн
85+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+68.15 грн
67+17.50 грн
184+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+58.88 грн
68+17.40 грн
186+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.70 грн
61+19.48 грн
166+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+25.13 грн
108+10.88 грн
297+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+45.26 грн
114+10.28 грн
313+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf SI2365EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+34.50 грн
152+7.71 грн
417+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf SI2366DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+60.91 грн
88+13.45 грн
240+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+57.18 грн
69+17.01 грн
190+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+41.42 грн
96+12.26 грн
263+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY si2377eds.pdf SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 187 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+60.06 грн
69+17.01 грн
190+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+68.79 грн
66+17.90 грн
180+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+51.96 грн
90+13.05 грн
247+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 VISHAY si3407dv.pdf SI3407DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+39.40 грн
51+23.24 грн
139+22.05 грн
500+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.81 грн
61+19.28 грн
167+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 VISHAY si3440dv.pdf SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.23 грн
36+32.53 грн
99+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 VISHAY 72749.pdf description SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+30.13 грн
67+17.65 грн
183+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY SI3457CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 15nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 962 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+58.57 грн
10+42.41 грн
50+30.55 грн
100+26.80 грн
500+19.97 грн
1000+17.60 грн
3000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.87 грн
40+29.56 грн
110+27.88 грн
6000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+76.77 грн
60+19.78 грн
163+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5615 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+41.21 грн
114+10.28 грн
313+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+92.96 грн
50+23.73 грн
136+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 856 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+97.75 грн
47+25.41 грн
127+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+107.44 грн
36+33.32 грн
97+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY si3585cd.pdf SI3585CDV-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+69.75 грн
67+17.70 грн
183+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 SI3865DDV-T1-GE3 VISHAY Si3865DDV.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP6
On-state resistance: 45mΩ
Supply voltage: 1.5...12V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+61.76 грн
10+42.51 грн
25+33.32 грн
50+28.38 грн
100+24.22 грн
500+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6871 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+100.63 грн
59+19.87 грн
163+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 VISHAY si4162dy.pdf SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 767 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+105.31 грн
44+27.19 грн
119+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+76.67 грн
34+35.40 грн
91+33.52 грн
1000+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 VISHAY si4178dy.pdf SI4178DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 468 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+48.34 грн
53+22.44 грн
144+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
SI1443EDH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; ESD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -4A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1902CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.28 грн
103+11.37 грн
283+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cds.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5383 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.05 грн
11+29.78 грн
15+25.21 грн
20+22.74 грн
50+16.71 грн
100+13.64 грн
500+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7921 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.24 грн
10+35.12 грн
50+24.42 грн
100+21.26 грн
500+15.42 грн
1000+13.45 грн
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.53 грн
12+27.52 грн
25+21.85 грн
100+16.51 грн
500+12.36 грн
1000+10.78 грн
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2303CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.81 грн
102+11.57 грн
280+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.94 грн
16+20.23 грн
50+14.44 грн
100+12.76 грн
500+9.69 грн
1000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6558 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.01 грн
13+24.34 грн
20+20.57 грн
100+15.13 грн
500+11.87 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 si2306bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2306BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.29 грн
43+27.29 грн
100+26.18 грн
119+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 si2307cds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2307CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.33 грн
89+13.35 грн
243+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
SI2308BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.18 грн
74+16.00 грн
202+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2308CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 14780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.84 грн
108+10.88 грн
297+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2309CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 15215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.13 грн
80+14.63 грн
220+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.72 грн
10+34.09 грн
11+28.97 грн
100+18.59 грн
500+13.55 грн
1000+11.87 грн
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.92 грн
52+22.74 грн
142+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.53 грн
61+19.28 грн
167+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 si2318cds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2318CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5059 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.66 грн
91+12.85 грн
250+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cds.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.24 грн
10+36.55 грн
100+24.32 грн
500+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.51 грн
96+12.16 грн
264+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 515 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.60 грн
34+35.00 грн
92+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.21 грн
38+31.15 грн
104+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.79 грн
10+33.88 грн
100+26.60 грн
500+23.14 грн
1000+21.85 грн
3000+19.97 грн
6000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.37 грн
10+39.63 грн
50+28.38 грн
100+24.92 грн
250+20.86 грн
500+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 si2324ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2324DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 9403 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.94 грн
53+22.54 грн
144+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 si2328ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.90 грн
58+20.37 грн
159+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.82 грн
44+27.19 грн
119+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2333CDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 944 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.93 грн
43+27.78 грн
116+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2333CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.69 грн
79+14.93 грн
216+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2333DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.97 грн
72+16.31 грн
198+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.44 грн
111+10.58 грн
304+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 si2337ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.23 грн
31+38.27 грн
85+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.15 грн
67+17.50 грн
184+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.88 грн
68+17.40 грн
186+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.70 грн
61+19.48 грн
166+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.13 грн
108+10.88 грн
297+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.26 грн
114+10.28 грн
313+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2365EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.50 грн
152+7.71 грн
417+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2366DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.91 грн
88+13.45 грн
240+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
Виробник: VISHAY
SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.18 грн
69+17.01 грн
190+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.42 грн
96+12.26 грн
263+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 187 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.06 грн
69+17.01 грн
190+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
Виробник: VISHAY
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.79 грн
66+17.90 грн
180+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.96 грн
90+13.05 грн
247+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3407DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.40 грн
51+23.24 грн
139+22.05 грн
500+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.81 грн
61+19.28 грн
167+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 si3440dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.23 грн
36+32.53 грн
99+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 description 72749.pdf
Виробник: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.13 грн
67+17.65 грн
183+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 15nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 962 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.57 грн
10+42.41 грн
50+30.55 грн
100+26.80 грн
500+19.97 грн
1000+17.60 грн
3000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.87 грн
40+29.56 грн
110+27.88 грн
6000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.77 грн
60+19.78 грн
163+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5615 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.21 грн
114+10.28 грн
313+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.96 грн
50+23.73 грн
136+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3 si3483cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 856 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.75 грн
47+25.41 грн
127+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.44 грн
36+33.32 грн
97+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 si3585cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI3585CDV-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.75 грн
67+17.70 грн
183+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
SI3865DDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP6
On-state resistance: 45mΩ
Supply voltage: 1.5...12V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.76 грн
10+42.51 грн
25+33.32 грн
50+28.38 грн
100+24.22 грн
500+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6871 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.63 грн
59+19.87 грн
163+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 767 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.31 грн
44+27.19 грн
119+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.67 грн
34+35.40 грн
91+33.52 грн
1000+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 si4178dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4178DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 468 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.34 грн
53+22.44 грн
144+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1194 1307 1308 1309 1310 1311 1312 1313 1314 1315 1316 1317 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5971  [ Наступна Сторінка >> ]