Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (358221) > Сторінка 1313 з 5971

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1194 1308 1309 1310 1311 1312 1313 1314 1315 1316 1317 1318 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5971  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4288DY-T1-GE3 VISHAY si4288dy.pdf SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.93 грн
17+73.17 грн
45+69.21 грн
1000+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 VISHAY si4401bd.pdf SI4401BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+137.36 грн
13+92.94 грн
35+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf SI4401DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+107.23 грн
44+27.19 грн
119+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf SI4403CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+91.89 грн
30+39.25 грн
83+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY si4403ddy.pdf SI4403DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+54.84 грн
39+30.65 грн
105+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY si4425ddy.pdf SI4425DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+100.20 грн
40+29.86 грн
108+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf SI4431BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+121.39 грн
22+53.89 грн
60+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+70.28 грн
10+56.88 грн
20+50.72 грн
50+45.29 грн
100+41.13 грн
200+36.98 грн
500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+71.34 грн
10+53.29 грн
50+37.57 грн
100+32.93 грн
500+25.02 грн
1000+22.74 грн
2500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY si4435fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+38.33 грн
11+29.78 грн
50+21.16 грн
100+18.29 грн
500+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY si4447ad.pdf SI4447ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 339 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+82.10 грн
43+27.49 грн
118+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY Si4459ADY.PDF SI4459ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+271.53 грн
17+69.21 грн
47+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY si4463cd.pdf SI4463CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+124.26 грн
26+45.29 грн
72+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY si4483ad.pdf SI4483ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+104.35 грн
15+80.09 грн
41+76.13 грн
500+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 VISHAY si4497dy.pdf SI4497DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+225.74 грн
11+113.71 грн
29+107.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf SI4532CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+88.59 грн
51+23.14 грн
140+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf SI4599DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+110.64 грн
44+26.70 грн
121+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 VISHAY si4686dy.pdf SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+69.11 грн
34+35.20 грн
92+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+115.32 грн
26+46.18 грн
70+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.34 грн
30+40.04 грн
81+37.87 грн
2500+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 VISHAY si4840bdy.pdf SI4840BDY-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 549 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+158.66 грн
23+51.32 грн
63+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 VISHAY si4848dy.pdf SI4848DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+134.17 грн
17+70.20 грн
46+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3 VISHAY 71146.pdf SI4850EY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 962 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+184.21 грн
26+45.19 грн
72+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY SI4925DDY-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+116.07 грн
5+80.50 грн
10+70.00 грн
50+54.78 грн
100+48.84 грн
500+35.79 грн
1000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY si4936cdy.pdf SI4936CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.82 грн
40+29.86 грн
108+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY si4948be.pdf SI4948BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+131.19 грн
35+33.82 грн
96+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+240.65 грн
15+82.07 грн
40+78.11 грн
3000+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.19 грн
44+27.19 грн
119+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY si7149adp.pdf SI7149ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+110.42 грн
34+35.40 грн
91+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 VISHAY si7153dn.pdf SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+74.64 грн
47+25.31 грн
128+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.83 грн
18+68.22 грн
47+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf SI7461DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 4493 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+289.63 грн
11+111.73 грн
29+105.80 грн
3000+105.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+159.72 грн
18+68.22 грн
48+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.02 грн
10+51.03 грн
50+38.36 грн
100+34.21 грн
500+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.37 грн
25+48.55 грн
67+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf SI7655ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+123.41 грн
30+40.24 грн
80+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+203.38 грн
5+159.15 грн
10+138.43 грн
50+106.79 грн
100+94.92 грн
500+71.19 грн
1000+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf SI7938DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+194.86 грн
14+85.03 грн
38+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+81.88 грн
54+21.75 грн
149+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+149.08 грн
34+35.10 грн
92+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.26 грн
41+28.97 грн
112+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+143.33 грн
34+35.20 грн
92+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 VISHAY si9926cd.pdf SI9926CDY-E3 Multi channel transistors
на замовлення 636 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+159.62 грн
36+32.53 грн
99+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+86.25 грн
45+26.50 грн
122+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+82.31 грн
50+23.93 грн
135+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+50.58 грн
72+16.31 грн
198+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+64.74 грн
64+18.49 грн
175+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf SIA517DJ-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+78.80 грн
49+24.03 грн
135+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+283.24 грн
5+219.73 грн
10+187.87 грн
25+160.18 грн
50+148.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA24N80AE-GE3 VISHAY siha24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+226.92 грн
5+206.65 грн
10+199.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB100N60E-GE3 VISHAY sihb100n60e.pdf SIHB100N60E-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+521.76 грн
4+308.49 грн
11+291.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 VISHAY sihd14n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+175.70 грн
5+140.67 грн
10+124.58 грн
75+122.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 VISHAY tf-sihd2n80ae-ge3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 2.5Ω
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+132.04 грн
5+115.00 грн
25+97.89 грн
75+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY sihf22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+374.82 грн
5+288.53 грн
10+243.24 грн
25+215.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3 VISHAY SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.26 грн
17+72.18 грн
45+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3 VISHAY SIHF9530S-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 909 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+78.37 грн
27+44.49 грн
73+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY IRFR1N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+53.24 грн
7+46.82 грн
20+39.75 грн
75+35.60 грн
300+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 VISHAY sihfr220.pdf SIHFR220TRL-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+76.35 грн
36+32.63 грн
100+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+323.71 грн
5+266.97 грн
10+228.40 грн
25+203.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 VISHAY sihg20n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+269.02 грн
5+229.39 грн
10+203.69 грн
20+177.98 грн
100+168.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.93 грн
17+73.17 грн
45+69.21 грн
1000+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 si4401bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4401BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.36 грн
13+92.94 грн
35+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4401DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.23 грн
44+27.19 грн
119+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4403CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.89 грн
30+39.25 грн
83+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 si4403ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4403DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.84 грн
39+30.65 грн
105+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 si4425ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4425DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.20 грн
40+29.86 грн
108+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4431BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.39 грн
22+53.89 грн
60+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.28 грн
10+56.88 грн
20+50.72 грн
50+45.29 грн
100+41.13 грн
200+36.98 грн
500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.34 грн
10+53.29 грн
50+37.57 грн
100+32.93 грн
500+25.02 грн
1000+22.74 грн
2500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.33 грн
11+29.78 грн
50+21.16 грн
100+18.29 грн
500+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI4447ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 339 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.10 грн
43+27.49 грн
118+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 Si4459ADY.PDF
Виробник: VISHAY
SI4459ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.53 грн
17+69.21 грн
47+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4463CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.26 грн
26+45.29 грн
72+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 si4483ad.pdf
Виробник: VISHAY
SI4483ADY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.35 грн
15+80.09 грн
41+76.13 грн
500+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 si4497dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4497DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.74 грн
11+113.71 грн
29+107.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI4532CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.59 грн
51+23.14 грн
140+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4599DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.64 грн
44+26.70 грн
121+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 si4686dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.11 грн
34+35.20 грн
92+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.32 грн
26+46.18 грн
70+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.34 грн
30+40.04 грн
81+37.87 грн
2500+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 si4840bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4840BDY-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 549 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.66 грн
23+51.32 грн
63+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 si4848dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4848DY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.17 грн
17+70.20 грн
46+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3 71146.pdf
Виробник: VISHAY
SI4850EY-T1-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 962 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.21 грн
26+45.19 грн
72+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.07 грн
5+80.50 грн
10+70.00 грн
50+54.78 грн
100+48.84 грн
500+35.79 грн
1000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 si4936cdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4936CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.82 грн
40+29.86 грн
108+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
Виробник: VISHAY
SI4948BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.19 грн
35+33.82 грн
96+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.65 грн
15+82.07 грн
40+78.11 грн
3000+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.19 грн
44+27.19 грн
119+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7149ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.42 грн
34+35.40 грн
91+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 si7153dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.64 грн
47+25.31 грн
128+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.83 грн
18+68.22 грн
47+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7461DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 4493 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.63 грн
11+111.73 грн
29+105.80 грн
3000+105.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
Виробник: VISHAY
SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.72 грн
18+68.22 грн
48+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.02 грн
10+51.03 грн
50+38.36 грн
100+34.21 грн
500+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 si7617dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.37 грн
25+48.55 грн
67+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7655ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.41 грн
30+40.24 грн
80+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.38 грн
5+159.15 грн
10+138.43 грн
50+106.79 грн
100+94.92 грн
500+71.19 грн
1000+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7938DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.86 грн
14+85.03 грн
38+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.88 грн
54+21.75 грн
149+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.08 грн
34+35.10 грн
92+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.26 грн
41+28.97 грн
112+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.33 грн
34+35.20 грн
92+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 si9926cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9926CDY-E3 Multi channel transistors
на замовлення 636 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.62 грн
36+32.53 грн
99+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9933CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.25 грн
45+26.50 грн
122+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.31 грн
50+23.93 грн
135+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.58 грн
72+16.31 грн
198+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.74 грн
64+18.49 грн
175+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA517DJ-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.80 грн
49+24.03 грн
135+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.24 грн
5+219.73 грн
10+187.87 грн
25+160.18 грн
50+148.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA24N80AE-GE3 siha24n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.92 грн
5+206.65 грн
10+199.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB100N60E-GE3 sihb100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHB100N60E-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.76 грн
4+308.49 грн
11+291.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.70 грн
5+140.67 грн
10+124.58 грн
75+122.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 tf-sihd2n80ae-ge3.pdf
SIHD2N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 2.5Ω
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.04 грн
5+115.00 грн
25+97.89 грн
75+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.82 грн
5+288.53 грн
10+243.24 грн
25+215.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.26 грн
17+72.18 грн
45+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF9530S-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 909 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.37 грн
27+44.49 грн
73+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 IRFR1N60A.pdf
SIHFR1N60A-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.24 грн
7+46.82 грн
20+39.75 грн
75+35.60 грн
300+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
Виробник: VISHAY
SIHFR220TRL-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.35 грн
36+32.63 грн
100+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.71 грн
5+266.97 грн
10+228.40 грн
25+203.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 sihg20n50e.pdf
SIHG20N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.02 грн
5+229.39 грн
10+203.69 грн
20+177.98 грн
100+168.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1194 1308 1309 1310 1311 1312 1313 1314 1315 1316 1317 1318 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5971  [ Наступна Сторінка >> ]