Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (358221) > Сторінка 1314 з 5971

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1194 1309 1310 1311 1312 1313 1314 1315 1316 1317 1318 1319 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5971  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY SIHG47N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 217 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+723.02 грн
25+661.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 VISHAY sihg73n60e.pdf SIHG73N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 381 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1218.16 грн
2+800.90 грн
5+757.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY SIHP065N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+516.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 VISHAY sihp100n60e.pdf SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 192 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+374.82 грн
4+302.56 грн
11+285.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+166.11 грн
5+131.43 грн
10+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+190.60 грн
5+139.64 грн
10+113.71 грн
50+89.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+352.46 грн
5+277.23 грн
10+258.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 889 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+326.90 грн
10+226.92 грн
25+202.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 343 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+364.17 грн
2+311.12 грн
3+278.83 грн
10+232.36 грн
20+211.60 грн
50+193.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 SIP32431DNP3-T1GE4 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TDFN4
On-state resistance: 0.105Ω
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+39.40 грн
12+25.98 грн
25+22.74 грн
100+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 SIP32431DR3-T1GE3 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+42.59 грн
12+27.31 грн
100+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 SIP32509DT-T1-GE3 VISHAY sip32508.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+159.72 грн
10+30.80 грн
25+15.62 грн
100+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 788 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+115.64 грн
30+39.35 грн
82+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+106.48 грн
19+63.28 грн
51+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+179.96 грн
16+74.16 грн
44+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+171.44 грн
14+87.01 грн
38+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf SIRA06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+121.18 грн
27+43.70 грн
74+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+71.34 грн
6+59.76 грн
10+53.49 грн
100+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+92.00 грн
49+24.03 грн
135+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+59.10 грн
64+18.29 грн
176+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+53.67 грн
53+22.35 грн
144+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 30.7W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.26 грн
5+99.60 грн
10+88.00 грн
25+77.12 грн
100+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+195.93 грн
18+65.26 грн
50+61.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+297.09 грн
9+137.44 грн
24+129.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+138.43 грн
16+73.17 грн
44+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+64.74 грн
26+46.67 грн
69+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+61.55 грн
36+32.53 грн
99+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY sis892adn.pdf SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+137.68 грн
25+47.46 грн
68+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+86.46 грн
35+33.52 грн
97+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 VISHAY siss05dn.pdf SISS05DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+97.96 грн
15+79.10 грн
41+75.15 грн
500+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 VISHAY siss23dn.pdf SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+107.76 грн
38+31.15 грн
104+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 VISHAY siss61dn.pdf SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+130.65 грн
29+41.23 грн
79+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 VISHAY siss80dn.pdf SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+205.51 грн
15+79.10 грн
41+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+37.38 грн
127+9.29 грн
349+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL02-GS08 VISHAY sl02.pdf SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
22+14.91 грн
169+6.92 грн
463+6.62 грн
30000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 VISHAY sl02.pdf SL03-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 21254 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+35.46 грн
176+6.72 грн
484+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL04-E3-08 VISHAY sl04.pdf SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+35.46 грн
163+7.22 грн
449+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T VISHAY sl12.pdf SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+24.38 грн
71+16.71 грн
194+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SL22-E3/52T VISHAY sl22.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 2A
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.4mA
Max. forward voltage: 0.44V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 20V
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
22+14.91 грн
24+13.14 грн
100+11.77 грн
250+11.26 грн
500+10.09 грн
750+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SL23-E3/52T VISHAY sl22.pdf SL23-E3/52T SMD Schottky diodes
на замовлення 507 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+39.40 грн
108+10.88 грн
297+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL42-E3/57T VISHAY sl42.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 8A
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.42V
Leakage current: 0.5mA
Max. forward impulse current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+50.05 грн
10+43.13 грн
100+38.56 грн
250+36.58 грн
500+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SL43-E3/57T VISHAY sl42.pdf SL43-E3/57T SMD Schottky diodes
на замовлення 834 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+100.09 грн
10+84.20 грн
15+82.07 грн
40+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY SL44-E3-57T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Mounting: SMD
Case: SMC
Load current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 40V
Quantity in set/package: 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.93 грн
7+44.77 грн
25+38.36 грн
100+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY SL44-E3-57T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Mounting: SMD
Case: SMC
Load current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 40V
Quantity in set/package: 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.93 грн
7+44.77 грн
25+38.36 грн
100+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33A-E3/57T VISHAY sm15t.pdf SM15T33A-E3/57T Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+50.90 грн
68+17.20 грн
187+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33CA-E3/57T VISHAY sm15t.pdf SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+48.13 грн
67+17.50 грн
184+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T100A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T100A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+24.81 грн
157+7.51 грн
431+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T12A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T12A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+24.54 грн
216+5.43 грн
594+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T15A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 787 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+26.62 грн
157+7.51 грн
431+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15CA-E3/52 SM6T15CA-E3/52 VISHAY sm6t.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+23.43 грн
15+20.74 грн
17+18.19 грн
100+11.34 грн
500+7.56 грн
750+6.89 грн
1500+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T18A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T18A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+42.70 грн
157+7.51 грн
431+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T33A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T33A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+36.42 грн
216+5.44 грн
591+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36A-E3/52 SM6T36A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.76 грн
100+9.20 грн
250+8.40 грн
500+7.81 грн
750+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36CA-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T36CA-E3/52 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+33.65 грн
175+6.72 грн
482+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T39A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T39A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+43.41 грн
197+5.97 грн
539+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8A-E3/52 SM6T6V8A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5386 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
28+11.71 грн
250+9.45 грн
500+8.11 грн
650+7.61 грн
750+7.42 грн
3000+5.34 грн
3750+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8CA-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T6V8CA-E3/52 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+22.57 грн
176+6.72 грн
484+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I VISHAY sm8s.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 807 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+254.49 грн
50+205.36 грн
100+177.98 грн
250+151.28 грн
500+136.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S36ATHE3/I SM8S36ATHE3/I VISHAY sm8s10atthrusm8s43at.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 40V; 114A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 114A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+290.70 грн
5+252.59 грн
25+215.55 грн
100+193.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J18A-E3/61 VISHAY sma6jm3.pdf SMA6J18A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+28.86 грн
87+13.45 грн
240+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E.pdf
SIHG47N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 217 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+723.02 грн
25+661.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 sihg73n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHG73N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 381 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1218.16 грн
2+800.90 грн
5+757.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E.pdf
SIHP065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 sihp100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 192 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.82 грн
4+302.56 грн
11+285.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.11 грн
5+131.43 грн
10+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.60 грн
5+139.64 грн
10+113.71 грн
50+89.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
SIHP22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.46 грн
5+277.23 грн
10+258.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 889 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.90 грн
10+226.92 грн
25+202.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 343 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.17 грн
2+311.12 грн
3+278.83 грн
10+232.36 грн
20+211.60 грн
50+193.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
SIP32431DNP3-T1GE4
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TDFN4
On-state resistance: 0.105Ω
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.40 грн
12+25.98 грн
25+22.74 грн
100+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 sip32431.pdf
SIP32431DR3-T1GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.59 грн
12+27.31 грн
100+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 sip32508.pdf
SIP32509DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.72 грн
10+30.80 грн
25+15.62 грн
100+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 788 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.64 грн
30+39.35 грн
82+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.48 грн
19+63.28 грн
51+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.96 грн
16+74.16 грн
44+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.44 грн
14+87.01 грн
38+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.18 грн
27+43.70 грн
74+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.34 грн
6+59.76 грн
10+53.49 грн
100+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.00 грн
49+24.03 грн
135+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 sira18adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.10 грн
64+18.29 грн
176+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.67 грн
53+22.35 грн
144+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 30.7W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.26 грн
5+99.60 грн
10+88.00 грн
25+77.12 грн
100+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.93 грн
18+65.26 грн
50+61.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.09 грн
9+137.44 грн
24+129.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.43 грн
16+73.17 грн
44+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.74 грн
26+46.67 грн
69+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
Виробник: VISHAY
SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.55 грн
36+32.53 грн
99+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.68 грн
25+47.46 грн
68+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.46 грн
35+33.52 грн
97+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 siss05dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS05DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.96 грн
15+79.10 грн
41+75.15 грн
500+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.76 грн
38+31.15 грн
104+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.65 грн
29+41.23 грн
79+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.51 грн
15+79.10 грн
41+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.38 грн
127+9.29 грн
349+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL02-GS08 sl02.pdf
Виробник: VISHAY
SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.91 грн
169+6.92 грн
463+6.62 грн
30000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 sl02.pdf
Виробник: VISHAY
SL03-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 21254 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.46 грн
176+6.72 грн
484+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL04-E3-08 sl04.pdf
Виробник: VISHAY
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.46 грн
163+7.22 грн
449+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T sl12.pdf
Виробник: VISHAY
SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.38 грн
71+16.71 грн
194+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SL22-E3/52T sl22.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 2A
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.4mA
Max. forward voltage: 0.44V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 20V
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.91 грн
24+13.14 грн
100+11.77 грн
250+11.26 грн
500+10.09 грн
750+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SL23-E3/52T sl22.pdf
Виробник: VISHAY
SL23-E3/52T SMD Schottky diodes
на замовлення 507 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.40 грн
108+10.88 грн
297+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL42-E3/57T sl42.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 8A
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.42V
Leakage current: 0.5mA
Max. forward impulse current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.05 грн
10+43.13 грн
100+38.56 грн
250+36.58 грн
500+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SL43-E3/57T sl42.pdf
Виробник: VISHAY
SL43-E3/57T SMD Schottky diodes
на замовлення 834 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.09 грн
10+84.20 грн
15+82.07 грн
40+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3-57T.pdf
SL44-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Mounting: SMD
Case: SMC
Load current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 40V
Quantity in set/package: 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.93 грн
7+44.77 грн
25+38.36 грн
100+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3-57T.pdf
SL44-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Mounting: SMD
Case: SMC
Load current: 4A
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 40V
Quantity in set/package: 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.93 грн
7+44.77 грн
25+38.36 грн
100+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33A-E3/57T sm15t.pdf
Виробник: VISHAY
SM15T33A-E3/57T Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.90 грн
68+17.20 грн
187+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33CA-E3/57T sm15t.pdf
Виробник: VISHAY
SM15T33CA-E3/57T Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.13 грн
67+17.50 грн
184+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T100A-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T100A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.81 грн
157+7.51 грн
431+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T12A-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T12A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.54 грн
216+5.43 грн
594+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15A-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T15A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 787 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.62 грн
157+7.51 грн
431+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15CA-E3/52 sm6t.pdf
SM6T15CA-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.43 грн
15+20.74 грн
17+18.19 грн
100+11.34 грн
500+7.56 грн
750+6.89 грн
1500+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T18A-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T18A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.70 грн
157+7.51 грн
431+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T33A-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T33A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.42 грн
216+5.44 грн
591+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36A-E3/52 sm6t.pdf
SM6T36A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
14+20.76 грн
100+9.20 грн
250+8.40 грн
500+7.81 грн
750+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36CA-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T36CA-E3/52 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.65 грн
175+6.72 грн
482+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T39A-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T39A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.41 грн
197+5.97 грн
539+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8A-E3/52 sm6t.pdf
SM6T6V8A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5386 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.71 грн
250+9.45 грн
500+8.11 грн
650+7.61 грн
750+7.42 грн
3000+5.34 грн
3750+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8CA-E3/52 sm6t.pdf
Виробник: VISHAY
SM6T6V8CA-E3/52 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.57 грн
176+6.72 грн
484+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 807 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.49 грн
50+205.36 грн
100+177.98 грн
250+151.28 грн
500+136.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S36ATHE3/I sm8s10atthrusm8s43at.pdf
SM8S36ATHE3/I
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 40V; 114A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 114A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Kind of package: 13 inch reel; tape
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Manufacturer series: SM8S
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.70 грн
5+252.59 грн
25+215.55 грн
100+193.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J18A-E3/61 sma6jm3.pdf
Виробник: VISHAY
SMA6J18A-E3/61 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.86 грн
87+13.45 грн
240+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 597 1194 1309 1310 1311 1312 1313 1314 1315 1316 1317 1318 1319 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5971  [ Наступна Сторінка >> ]