Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (234538) > Сторінка 3180 з 3909

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 390 780 1170 1560 1950 2340 2730 3120 3175 3176 3177 3178 3179 3180 3181 3182 3183 3184 3185 3510 3900 3909  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0014347816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.40 грн
50+84.60 грн
100+56.37 грн
500+41.17 грн
1000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0014347816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.37 грн
500+41.17 грн
1000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CW02BR1500JE70 CW02BR1500JE70 VISHAY 2237770.pdf Description: VISHAY - CW02BR1500JE70 - RESISTOR WIREWOUND, 0.15 OHM, 3W, 5%
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Wirewound
Qualifikation: -
Nennleistung: 3
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 0.15
Betriebstemperatur, min.: -65
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 90ppm/°C
Produktlänge: 15.8
Produktpalette: CW Series
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 4.78
Betriebstemperatur, max.: 350
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICTE5-E3/54 ICTE5-E3/54 VISHAY 2045927.pdf Description: VISHAY - ICTE5-E3/54 - TVS-Diode, TRANSZORB, Unidirektional, 5 V, 7.5 V, DO-201, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-201
Durchbruchspannung, min.: 6
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: -
Sperrspannung: 5
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: TRANSZORB
Klemmspannung, max.: 7.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSSD10X50A10R0JS06 RSSD10X50A10R0JS06 VISHAY 2050712.pdf Description: VISHAY - RSSD10X50A10R0JS06 - Widerstand, Lötfahne, 10 ohm, RSSD, 25 W, ± 5%, Lötfahne
Produkthöhe: -
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
Widerstandsmontage: Panelmontage
Qualifikation: -
Nennleistung: 25
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Widerstandsanschlüsse: Lötfahne
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 50
Produktpalette: RSSD
Nennspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 450
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTO025C10R00JTE3 DTO025C10R00JTE3 VISHAY VISH-S-A0013891890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - DTO025C10R00JTE3 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 10 ohm, ± 5%, 25 W, TO-252 (DPAK)
Bauform/Gehäuse des Widerstands: TO-252 (DPAK)
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 25
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 150ppm/°C
Produktlänge: 8.2
Produktpalette: DTO25
Nennspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktbreite: 7.3
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VY2101K29Y5SS63V0 VY2101K29Y5SS63V0 VISHAY VISH-S-A0014510944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VY2101K29Y5SS63V0 - Funkentstörkondensator (Keramik), 100 pF, ± 10%, X1 / Y2, 440 V, 300 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y2
Nennspannung Y: 300V
euEccn: NLR
Kapazität: 100pF
Produktpalette: VY2 Series
Nennspannung X: 440V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.88 грн
64+12.85 грн
100+11.39 грн
250+9.52 грн
500+7.81 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
VY2221K29Y5SS63V7 VY2221K29Y5SS63V7 VISHAY vy2series.pdf Description: VISHAY - VY2221K29Y5SS63V7 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibe, 220 pF, ± 10%, X1 / Y2, 440 V, 300 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 7.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y2
Nennspannung Y: 300V
euEccn: NLR
Kapazität: 220pF
Produktpalette: VY2 Series
Nennspannung X: 440V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.54 грн
53+15.62 грн
100+14.64 грн
250+11.78 грн
500+10.04 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BY206GP-E3/54 BY206GP-E3/54 VISHAY 2313398.pdf Description: VISHAY - BY206GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 350 V, 400 mA, Einfach, 1.5 V, 1 µs, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 1µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 400mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 350V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.15 грн
56+14.64 грн
100+14.32 грн
500+11.48 грн
1000+10.46 грн
5000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233860563 BFC233860563 VISHAY VISH-S-A0014180312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BFC233860563 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.065 µF, ± 20%, Y2
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 15mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: Y2
Nennspannung Y: 300VAC
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 65000pF
Produktpalette: MKP338 6 Series
Nennspannung X: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.84 грн
10+92.73 грн
50+88.67 грн
100+76.29 грн
200+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AC05AT0004708JAC00 AC05AT0004708JAC00 VISHAY VISH-S-A0019859725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - AC05AT0004708JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 4.7 ohm, AC-AT Series, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 4.7ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 18mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC-AT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.55 грн
14+61.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AC05000002000JAC00 AC05000002000JAC00 VISHAY VISH-S-A0019859725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - AC05000002000JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 200 ohm, AC Series, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 200ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 18mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: No
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.99 грн
13+62.72 грн
50+48.16 грн
100+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.69 грн
28+30.02 грн
100+25.05 грн
500+19.87 грн
1000+16.39 грн
5000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3 SI5468DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001241168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5468DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7mW
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.69 грн
500+13.14 грн
1000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.05 грн
500+19.87 грн
1000+16.39 грн
5000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.036 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 76236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.17 грн
500+14.50 грн
1000+13.11 грн
5000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.036 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 76236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.49 грн
32+25.62 грн
100+20.17 грн
500+14.50 грн
1000+13.11 грн
5000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.06 грн
23+35.55 грн
100+27.49 грн
500+22.13 грн
1000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 SI5403DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001109467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.65 грн
50+59.22 грн
100+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI5448DU-T1-GE3 SI5448DU-T1-GE3 VISHAY si5448du.pdf Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.25 грн
22+37.17 грн
100+26.68 грн
500+18.73 грн
1000+14.99 грн
5000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3 SI5476DU-T1-GE3 VISHAY VISHS96242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5476DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.49 грн
500+22.13 грн
1000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 VISHAY sir426dp.pdf Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.46 грн
11+78.58 грн
100+52.47 грн
500+39.88 грн
1000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-E3 SIR402DP-T1-E3 VISHAY 2050520.pdf Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.68 грн
10+82.16 грн
100+68.17 грн
500+54.91 грн
1000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3 SIR404DP-T1-GE3 VISHAY sir404dp.pdf Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.86 грн
500+71.00 грн
1000+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 37562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.11 грн
10+95.99 грн
100+62.96 грн
500+46.45 грн
1000+40.93 грн
5000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 SIR414DP-T1-GE3 VISHAY sir414dp.pdf Description: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.23 грн
10+126.08 грн
100+85.41 грн
500+63.52 грн
1000+57.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 SIR401DP-T1-GE3 VISHAY sir401dp.pdf Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.02 грн
11+77.68 грн
100+52.14 грн
500+37.99 грн
1000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.11 грн
50+59.95 грн
100+45.47 грн
500+34.44 грн
1500+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001798713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.91 грн
14+59.30 грн
100+49.54 грн
500+41.77 грн
1000+35.21 грн
5000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 VISHAY sir416dp.pdf Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.88 грн
500+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 VISHAY sir416dp.pdf Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.42 грн
10+94.36 грн
100+62.88 грн
500+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 VISHAY sir424dp.pdf Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.47 грн
500+34.44 грн
1500+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 SIR401DP-T1-GE3 VISHAY sir401dp.pdf Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.97 грн
500+35.65 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4604LDP-T1-GE3 SIR4604LDP-T1-GE3 VISHAY sir4604ldp.pdf Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 8900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.56 грн
11+80.94 грн
100+59.95 грн
500+40.64 грн
1000+34.51 грн
5000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.42 грн
10+144.79 грн
25+136.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CPF215R000FKE14 CPF215R000FKE14 VISHAY 2045686.pdf Description: VISHAY - CPF215R000FKE14 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2W, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 2W
Widerstandstyp: High Power, Precision
Widerstand: 15ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 10.8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CPF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 3.68mm
Betriebstemperatur, max.: 230°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.86 грн
10+457.97 грн
25+440.89 грн
50+392.02 грн
100+346.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PR02000201509JR500 PR02000201509JR500 VISHAY 2049118.pdf Description: VISHAY - PR02000201509JR500 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2 W, 5%
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 2
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 15
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 250ppm/K
Produktlänge: 12
Produktpalette: PR02 Series
Produktdurchmesser: 3.9
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26E-TR BYV26E-TR VISHAY VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BYV26E-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYV26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 16059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.27 грн
35+23.26 грн
100+22.45 грн
500+19.34 грн
1000+16.87 грн
5000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR BYV26C-TR VISHAY VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - BYV26C-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 30 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 18117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.65 грн
43+19.28 грн
100+19.20 грн
500+17.67 грн
1000+16.25 грн
5000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SFR16S0005609JA500 SFR16S0005609JA500 VISHAY VISH-S-A0002471251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SFR16S0005609JA500 - Widerstand für Durchsteckmontage, 56 ohm, SFR16S Series, 500 mW, ± 5%, Axial bedrahtet, 200 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 4.1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SFR16S Series
productTraceability: No
Nennspannung: 200V
Produktdurchmesser: 1.9mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+4.72 грн
237+3.44 грн
500+2.81 грн
1000+2.11 грн
2500+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EEQ-T1-GE4 DG604EEQ-T1-GE4 VISHAY dg604e.pdf Description: VISHAY - DG604EEQ-T1-GE4 - Analoger Multiplexer/Demultiplexer, 2 Schaltungen, 1:1, 101 Ohm, 3V-16V, ± 3V bis ± 8V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V
Einschaltwiderstand, max.: 101ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 64ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 1:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 101ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.37 грн
11+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3 SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY 3750963.pdf Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.49 грн
10+170.01 грн
100+118.76 грн
500+89.89 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3 SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY 3750963.pdf Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.76 грн
500+89.89 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
597D156X9050E2T 597D156X9050E2T VISHAY VISH-S-A0013856978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10%
Qualifikation: -
Rippelstrom: 900
Ausfallrate: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
597D156X9050E2T 597D156X9050E2T VISHAY VISH-S-A0013856978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10%
Produkthöhe: 4
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch: 7343]
Baugröße: 2917
Ausfallrate: -
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -55
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.3
Produktlänge: 7.3
Kapazität: 15
Spannung (DC): 50
Rippelstrom: 900
Produktpalette: 597D
Hersteller-Größencode: E
Name der Serie: 597D
Betriebstemperatur, max.: 85
Produktbreite: 4.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE6.8CA-E3/54 1.5KE6.8CA-E3/54 VISHAY 2045671.pdf Description: VISHAY - 1.5KE6.8CA-E3/54 - TVS DIODE, 1.5KW, 6.8V, 1.5KE
tariffCode: 85363030
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299575-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.02 грн
10+322.94 грн
100+235.08 грн
500+169.20 грн
1000+153.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 524W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1385.29 грн
5+1111.97 грн
10+838.66 грн
50+743.25 грн
100+652.61 грн
250+640.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 SIHG80N60EF-GE3 VISHAY sihg80n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHG80N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+758.13 грн
5+733.72 грн
10+710.13 грн
50+636.75 грн
100+586.37 грн
250+574.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60AEF-GE3 SIHG70N60AEF-GE3 VISHAY sihg70n60aef.pdf Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.041 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+984.26 грн
5+837.84 грн
10+690.61 грн
50+614.85 грн
100+543.15 грн
250+531.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+510.03 грн
5+421.36 грн
10+331.88 грн
50+283.25 грн
100+211.96 грн
250+207.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 VISHAY sihg17n80ae.pdf Description: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.96 грн
10+163.50 грн
100+133.40 грн
500+120.85 грн
1000+103.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG44N65EF-GE3 SIHG44N65EF-GE3 VISHAY 3672787.pdf Description: VISHAY - SIHG44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.063 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+736.16 грн
5+683.29 грн
10+630.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N65EF-GE3 SIHG21N65EF-GE3 VISHAY sihg21n65ef.pdf Description: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+404.28 грн
10+305.85 грн
100+247.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3 SIHG039N60EF-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG039N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+719.08 грн
5+621.47 грн
10+523.86 грн
50+427.52 грн
100+339.55 грн
250+332.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.84 грн
10+270.88 грн
100+236.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3 SIHG186N60EF-GE3 VISHAY VISH-S-A0011831067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.74 грн
10+213.94 грн
100+149.67 грн
500+123.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N80AEF-GE3 SIHG15N80AEF-GE3 VISHAY vs-30wq06fn.pdf Description: VISHAY - SIHG15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.02 грн
10+117.95 грн
100+112.25 грн
500+102.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PH6012LHN3 VS-E5PH6012LHN3 VISHAY vs-e5ph6012lhn3.pdf Description: VISHAY - VS-E5PH6012LHN3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 60 A, Einfach, 2.3 V, 100 ns, 460 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 460A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.3V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt G5 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.03 грн
10+238.34 грн
100+216.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 VISH-S-A0014347816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ9945BEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.40 грн
50+84.60 грн
100+56.37 грн
500+41.17 грн
1000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 VISH-S-A0014347816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ9945BEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.37 грн
500+41.17 грн
1000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CW02BR1500JE70 2237770.pdf
CW02BR1500JE70
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CW02BR1500JE70 - RESISTOR WIREWOUND, 0.15 OHM, 3W, 5%
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Wirewound
Qualifikation: -
Nennleistung: 3
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 0.15
Betriebstemperatur, min.: -65
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 90ppm/°C
Produktlänge: 15.8
Produktpalette: CW Series
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 4.78
Betriebstemperatur, max.: 350
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICTE5-E3/54 2045927.pdf
ICTE5-E3/54
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - ICTE5-E3/54 - TVS-Diode, TRANSZORB, Unidirektional, 5 V, 7.5 V, DO-201, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-201
Durchbruchspannung, min.: 6
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: -
Sperrspannung: 5
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: TRANSZORB
Klemmspannung, max.: 7.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSSD10X50A10R0JS06 2050712.pdf
RSSD10X50A10R0JS06
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RSSD10X50A10R0JS06 - Widerstand, Lötfahne, 10 ohm, RSSD, 25 W, ± 5%, Lötfahne
Produkthöhe: -
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
Widerstandsmontage: Panelmontage
Qualifikation: -
Nennleistung: 25
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Widerstandsanschlüsse: Lötfahne
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 50
Produktpalette: RSSD
Nennspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 450
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTO025C10R00JTE3 VISH-S-A0013891890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTO025C10R00JTE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DTO025C10R00JTE3 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 10 ohm, ± 5%, 25 W, TO-252 (DPAK)
Bauform/Gehäuse des Widerstands: TO-252 (DPAK)
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 25
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 150ppm/°C
Produktlänge: 8.2
Produktpalette: DTO25
Nennspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktbreite: 7.3
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VY2101K29Y5SS63V0 VISH-S-A0014510944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VY2101K29Y5SS63V0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VY2101K29Y5SS63V0 - Funkentstörkondensator (Keramik), 100 pF, ± 10%, X1 / Y2, 440 V, 300 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y2
Nennspannung Y: 300V
euEccn: NLR
Kapazität: 100pF
Produktpalette: VY2 Series
Nennspannung X: 440V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.88 грн
64+12.85 грн
100+11.39 грн
250+9.52 грн
500+7.81 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
VY2221K29Y5SS63V7 vy2series.pdf
VY2221K29Y5SS63V7
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VY2221K29Y5SS63V7 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibe, 220 pF, ± 10%, X1 / Y2, 440 V, 300 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 7.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y2
Nennspannung Y: 300V
euEccn: NLR
Kapazität: 220pF
Produktpalette: VY2 Series
Nennspannung X: 440V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+25.54 грн
53+15.62 грн
100+14.64 грн
250+11.78 грн
500+10.04 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BY206GP-E3/54 2313398.pdf
BY206GP-E3/54
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BY206GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 350 V, 400 mA, Einfach, 1.5 V, 1 µs, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 1µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 400mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 350V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.15 грн
56+14.64 грн
100+14.32 грн
500+11.48 грн
1000+10.46 грн
5000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233860563 VISH-S-A0014180312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFC233860563
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BFC233860563 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.065 µF, ± 20%, Y2
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 15mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: Y2
Nennspannung Y: 300VAC
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 65000pF
Produktpalette: MKP338 6 Series
Nennspannung X: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+135.84 грн
10+92.73 грн
50+88.67 грн
100+76.29 грн
200+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AC05AT0004708JAC00 VISH-S-A0019859725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AC05AT0004708JAC00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AC05AT0004708JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 4.7 ohm, AC-AT Series, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 4.7ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 18mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC-AT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.55 грн
14+61.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AC05000002000JAC00 VISH-S-A0019859725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AC05000002000JAC00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AC05000002000JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 200 ohm, AC Series, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 200ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 18mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: No
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.99 грн
13+62.72 грн
50+48.16 грн
100+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5419DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.69 грн
28+30.02 грн
100+25.05 грн
500+19.87 грн
1000+16.39 грн
5000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SI5468DC-T1-GE3 VISH-S-A0001241168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5468DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5468DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7mW
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.69 грн
500+13.14 грн
1000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5419DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.05 грн
500+19.87 грн
1000+16.39 грн
5000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 VISH-S-A0001142018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5457DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.036 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 76236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.17 грн
500+14.50 грн
1000+13.11 грн
5000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 VISH-S-A0001142018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5457DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.036 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 76236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.49 грн
32+25.62 грн
100+20.17 грн
500+14.50 грн
1000+13.11 грн
5000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3 VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5471DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.06 грн
23+35.55 грн
100+27.49 грн
500+22.13 грн
1000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 VISH-S-A0001109467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5403DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.65 грн
50+59.22 грн
100+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI5448DU-T1-GE3 si5448du.pdf
SI5448DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.25 грн
22+37.17 грн
100+26.68 грн
500+18.73 грн
1000+14.99 грн
5000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3 VISHS96242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5476DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5476DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5471DC-T1-GE3 VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5471DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.49 грн
500+22.13 грн
1000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 sir426dp.pdf
SIR426DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.46 грн
11+78.58 грн
100+52.47 грн
500+39.88 грн
1000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-E3 2050520.pdf
SIR402DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+101.68 грн
10+82.16 грн
100+68.17 грн
500+54.91 грн
1000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3 sir404dp.pdf
SIR404DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.86 грн
500+71.00 грн
1000+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 37562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.11 грн
10+95.99 грн
100+62.96 грн
500+46.45 грн
1000+40.93 грн
5000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 sir414dp.pdf
SIR414DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.23 грн
10+126.08 грн
100+85.41 грн
500+63.52 грн
1000+57.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 sir401dp.pdf
SIR401DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.02 грн
11+77.68 грн
100+52.14 грн
500+37.99 грн
1000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 VISH-S-A0000184326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR424DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+91.11 грн
50+59.95 грн
100+45.47 грн
500+34.44 грн
1500+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 VISH-S-A0001798713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR466DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.91 грн
14+59.30 грн
100+49.54 грн
500+41.77 грн
1000+35.21 грн
5000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 sir416dp.pdf
SIR416DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.88 грн
500+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 sir416dp.pdf
SIR416DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.42 грн
10+94.36 грн
100+62.88 грн
500+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 sir424dp.pdf
SIR424DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.47 грн
500+34.44 грн
1500+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 sir401dp.pdf
SIR401DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.97 грн
500+35.65 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4604LDP-T1-GE3 sir4604ldp.pdf
SIR4604LDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 8900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.56 грн
11+80.94 грн
100+59.95 грн
500+40.64 грн
1000+34.51 грн
5000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.42 грн
10+144.79 грн
25+136.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CPF215R000FKE14 2045686.pdf
CPF215R000FKE14
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CPF215R000FKE14 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2W, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 2W
Widerstandstyp: High Power, Precision
Widerstand: 15ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 10.8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CPF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 3.68mm
Betriebstemperatur, max.: 230°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+475.86 грн
10+457.97 грн
25+440.89 грн
50+392.02 грн
100+346.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PR02000201509JR500 2049118.pdf
PR02000201509JR500
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PR02000201509JR500 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2 W, 5%
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 2
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 15
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 250ppm/K
Produktlänge: 12
Produktpalette: PR02 Series
Produktdurchmesser: 3.9
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26E-TR VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BYV26E-TR
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BYV26E-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYV26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 16059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+26.27 грн
35+23.26 грн
100+22.45 грн
500+19.34 грн
1000+16.87 грн
5000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR description VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BYV26C-TR
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BYV26C-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 30 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 18117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.65 грн
43+19.28 грн
100+19.20 грн
500+17.67 грн
1000+16.25 грн
5000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SFR16S0005609JA500 VISH-S-A0002471251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SFR16S0005609JA500
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SFR16S0005609JA500 - Widerstand für Durchsteckmontage, 56 ohm, SFR16S Series, 500 mW, ± 5%, Axial bedrahtet, 200 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 4.1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SFR16S Series
productTraceability: No
Nennspannung: 200V
Produktdurchmesser: 1.9mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+4.72 грн
237+3.44 грн
500+2.81 грн
1000+2.11 грн
2500+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EEQ-T1-GE4 dg604e.pdf
DG604EEQ-T1-GE4
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG604EEQ-T1-GE4 - Analoger Multiplexer/Demultiplexer, 2 Schaltungen, 1:1, 101 Ohm, 3V-16V, ± 3V bis ± 8V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V
Einschaltwiderstand, max.: 101ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 64ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 1:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 101ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.37 грн
11+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3 3750963.pdf
SQJQ186E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+259.49 грн
10+170.01 грн
100+118.76 грн
500+89.89 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3 3750963.pdf
SQJQ186E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.76 грн
500+89.89 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
597D156X9050E2T VISH-S-A0013856978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
597D156X9050E2T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10%
Qualifikation: -
Rippelstrom: 900
Ausfallrate: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
597D156X9050E2T VISH-S-A0013856978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
597D156X9050E2T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10%
Produkthöhe: 4
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch: 7343]
Baugröße: 2917
Ausfallrate: -
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -55
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.3
Produktlänge: 7.3
Kapazität: 15
Spannung (DC): 50
Rippelstrom: 900
Produktpalette: 597D
Hersteller-Größencode: E
Name der Serie: 597D
Betriebstemperatur, max.: 85
Produktbreite: 4.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE6.8CA-E3/54 2045671.pdf
1.5KE6.8CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1.5KE6.8CA-E3/54 - TVS DIODE, 1.5KW, 6.8V, 1.5KE
tariffCode: 85363030
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-GE3 VISH-S-A0011299575-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG24N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+449.02 грн
10+322.94 грн
100+235.08 грн
500+169.20 грн
1000+153.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 VISH-S-A0011299567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG018N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 524W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1385.29 грн
5+1111.97 грн
10+838.66 грн
50+743.25 грн
100+652.61 грн
250+640.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
SIHG80N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG80N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+758.13 грн
5+733.72 грн
10+710.13 грн
50+636.75 грн
100+586.37 грн
250+574.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60AEF-GE3 sihg70n60aef.pdf
SIHG70N60AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.041 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+984.26 грн
5+837.84 грн
10+690.61 грн
50+614.85 грн
100+543.15 грн
250+531.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 VISH-S-A0011299529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+510.03 грн
5+421.36 грн
10+331.88 грн
50+283.25 грн
100+211.96 грн
250+207.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 sihg17n80ae.pdf
SIHG17N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+287.96 грн
10+163.50 грн
100+133.40 грн
500+120.85 грн
1000+103.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG44N65EF-GE3 3672787.pdf
SIHG44N65EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.063 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+736.16 грн
5+683.29 грн
10+630.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N65EF-GE3 sihg21n65ef.pdf
SIHG21N65EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+404.28 грн
10+305.85 грн
100+247.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3 VISH-S-A0011299447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG039N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG039N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+719.08 грн
5+621.47 грн
10+523.86 грн
50+427.52 грн
100+339.55 грн
250+332.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 VISH-S-A0011299547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+401.84 грн
10+270.88 грн
100+236.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3 VISH-S-A0011831067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG186N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.74 грн
10+213.94 грн
100+149.67 грн
500+123.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N80AEF-GE3 vs-30wq06fn.pdf
SIHG15N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.02 грн
10+117.95 грн
100+112.25 грн
500+102.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PH6012LHN3 vs-e5ph6012lhn3.pdf
VS-E5PH6012LHN3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-E5PH6012LHN3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 60 A, Einfach, 2.3 V, 100 ns, 460 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 460A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.3V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt G5 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+401.03 грн
10+238.34 грн
100+216.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 390 780 1170 1560 1950 2340 2730 3120 3175 3176 3177 3178 3179 3180 3181 3182 3183 3184 3185 3510 3900 3909  [ Наступна Сторінка >> ]