| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
WSBS8536L0500JK20 | VISHAY |
Description: VISHAY - WSBS8536L0500JK20 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 50 µohm, WSBS8536-20 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 WtariffCode: 85332100 Produkthöhe: 3mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536] Widerstandstechnologie: Metallband hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 50W Widerstand: 50µohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: 5% Temperaturkoeffizient: 175ppm/C Produktlänge: 85mm euEccn: NLR Produktpalette: WSBS8536-20 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 36mm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WSBS8536L1000JK80 | VISHAY |
Description: VISHAY - WSBS8536L1000JK80 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, WSBS8536-80 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 WtariffCode: 85332100 Produkthöhe: 3mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536] Widerstandstechnologie: Metallband hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 50W Widerstand: 100µohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: 5% Temperaturkoeffizient: ± 165ppm/°C Produktlänge: 85mm euEccn: NLR Produktpalette: WSBS8536-80 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 36mm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WSBS8536L0250JK80 | VISHAY |
Description: VISHAY - WSBS8536L0250JK80 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 25 µohm, WSBS8536-80 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 WtariffCode: 85332100 Produkthöhe: 3mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536] Widerstandstechnologie: Metallband hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 50W Widerstand: 25µohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 85mm euEccn: NLR Produktpalette: WSBS8536-80 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 36mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WSBE8536L0500JKA2 | VISHAY |
Description: VISHAY - WSBE8536L0500JKA2 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 50 µohm, WSBE Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W, ± 5%tariffCode: 85332900 Produkthöhe: 3mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536] Widerstandstechnologie: Metallband hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 50W Widerstand: 50µohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C Produktlänge: 85mm euEccn: NLR Produktpalette: WSBE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 36mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WSBS8536L1250JK40 | VISHAY |
Description: VISHAY - WSBS8536L1250JK40 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 125 µohm, WSBS8536-40 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 WtariffCode: 85332100 Produkthöhe: 3mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536] Widerstandstechnologie: Metallband hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 50W Widerstand: 125µohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 165ppm/°C Produktlänge: 85mm euEccn: NLR Produktpalette: WSBS8536-40 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 36mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WSBE8518L1000JKA2 | VISHAY |
Description: VISHAY - WSBE8518L1000JKA2 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, WSBE Series, 3307 [Metrisch 8518], 36 W, ± 5%tariffCode: 85332900 Produkthöhe: 3mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3307 [Metrisch 8518] Widerstandstechnologie: Metallband hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 36W isCanonical: Y Widerstand: 100µohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C Produktlänge: 85mm euEccn: NLR Produktpalette: WSBE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 18mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WSBS8536L0250JK20 | VISHAY |
Description: VISHAY - WSBS8536L0250JK20 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 25 µohm, WSBS8536-20 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 WtariffCode: 85332100 Produkthöhe: 3mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536] Widerstandstechnologie: Metallband hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 50W Widerstand: 25µohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 85mm euEccn: NLR Produktpalette: WSBS8536-20 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 36mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WSBS8536L0500JK14 | VISHAY |
Description: VISHAY - WSBS8536L0500JK14 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 50 µohm, WSBS8536-14 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 WtariffCode: 85332100 Produkthöhe: 3mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536] Widerstandstechnologie: Metallband hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 50W Widerstand: 50µohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 175ppm/°C Produktlänge: 85mm euEccn: NLR Produktpalette: WSBS8536-14 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 36mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CPF21R0000FKE14. | VISHAY |
Description: VISHAY - CPF21R0000FKE14. - METAL FILM RESISTOR, 1 OHM, 2W, 1%tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded Widerstandstechnologie: Metal Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 Nennleistung: 2W Widerstandstyp: High Power, Precision Widerstand: 1ohm usEccn: EAR99 Netzsteckertyp: 0 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/C Produktlänge: 10.8mm euEccn: NLR Produktpalette: CPF Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 350V Produktdurchmesser: 3.68mm Betriebstemperatur, max.: 230°C Produktbreite: - directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
VS-90EPS08L-M3 | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-90EPS08L-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 90 A, Einfach, 1.2 V, 915 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247AD Durchlassstoßstrom: 915A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TR3D106K050C0550 | VISHAY |
Description: VISHAY - TR3D106K050C0550 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%tariffCode: 85322100 Produkthöhe: 2.8mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343] rohsCompliant: YES Ausfallrate: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm Produktlänge: 7.3mm euEccn: NLR Kapazität: 10µF Spannung (DC): 50V Rippelstrom: 520mA Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series Hersteller-Größencode: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 4.3mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP3D106K050C0550AS | VISHAY |
Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%, 0.55 ohm, D tariffCode: 85322100 Produkthöhe: 2.8mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343] rohsCompliant: YES Ausfallrate: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: AEC-Q200 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm Produktlänge: 7.3mm euEccn: NLR Kapazität: 10µF Spannung (DC): 50V Rippelstrom: 520mA Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series Hersteller-Größencode: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 4.3mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
593D106X9050E8T | VISHAY |
Description: VISHAY - 593D106X9050E8T - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE EtariffCode: 0 Produkthöhe: 4mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric] rohsCompliant: YES Ausfallrate: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Produktlänge: 7.3mm euEccn: NLR Kapazität: 10µF Spannung (DC): 50V Rippelstrom: 550mA Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series Hersteller-Größencode: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 4.3mm directShipCharge: 25 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP3D106K050C0550AS | VISHAY |
Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE DtariffCode: 0 Produkthöhe: 2.8mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric] rohsCompliant: YES Ausfallrate: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: AEC-Q200 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Produktlänge: 7.3mm euEccn: NLR Kapazität: 10µF Spannung (DC): 50V Rippelstrom: 520mA Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series Hersteller-Größencode: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 4.3mm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TR3D106K050C0450 | VISHAY |
Description: VISHAY - TR3D106K050C0450 - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE DtariffCode: 85322100 Produkthöhe: 2.8mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric] rohsCompliant: YES Ausfallrate: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: 0 Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.45ohm Produktlänge: 7.3mm euEccn: NLR Kapazität: 10µF Spannung (DC): 50V Rippelstrom: 580mA Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series Hersteller-Größencode: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 4.3mm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUD50N04-8M8P-4GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 48.1W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm |
на замовлення 48439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IHD3EB103L | VISHAY |
Description: VISHAY - IHD3EB103L - INDUCTOR, 10MH, 250MA, AXIAL LEADEDtariffCode: 85339000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivitätstoleranz: 0 Induktivität: 10mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 250mA DC-Widerstand, max.: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: IHD Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WSLP1206R0150FEA. | VISHAY |
Description: VISHAY - WSLP1206R0150FEA. - RESISTOR, CURRENT SENSE, 0.015 OHM, 1W 1% tariffCode: 85332100 Produkthöhe: 0.635mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [3216 Metric] Widerstandstechnologie: Metal Strip hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstand: 0.015ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: WSLP Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 1.6mm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIHA22N60EF-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MAL215299705E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - MAL215299705E3 - Aluminium-Elektrolytkondensatoren, SMD, Becher, radial - SMD, 15 µF, 450 VtariffCode: 85322200 Produkthöhe: 22mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD Polarität: Polarisiert rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: AEC-Q200 usEccn: EAR99 Lebensdauer bei Temperatur: 6000 Stunden bei 105°C Betriebstemperatur, min.: -40°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): - Produktlänge: - euEccn: NLR Kapazität: 15µF Spannung (DC): 450V Rippelstrom: 110mA Produktpalette: 152 CME Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: 16mm Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse Betriebstemperatur, max.: 105°C Produktbreite: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTCS0805E3104SMT | VISHAY |
Description: VISHAY - NTCS0805E3104SMT - NTC-Thermistor, 100 kOhm, Baureihe NTCS, 3590 K, SMD, 0805 [Metrisch 2012]tariffCode: 85334010 euEccn: NLR Thermistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX Thermistor: NTC Bauform - Thermistor: 0805 [Metrisch 2012] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Fühlerdurchmesser: - Qualifikation: - isCanonical: N Widerstand (25°C): 100kohm Betriebstemperatur, min.: -40°C Thermische Zeitkonstante (in Luft): - Anschlusslänge: - NTC-Montage: Oberflächenmontage B-Konstante: 3590K Toleranz B-Konstante: ±1% SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) NTC-Gehäusegröße: 0805 [Metrisch 2012] Produktpalette: NTCS0805E3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Widerstandstoleranz (25°C): ±1% Fühlermaterial: - Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 6128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
VJ1812Y474KXAAT | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ1812Y474KXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.47 µF, 50 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7RtariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532] euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - isCanonical: N Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 4.58mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kapazität: 0.47µF Spannung (DC): 50V Produktpalette: VJ Commercial Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Produktbreite: 3.2mm |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIRA99DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR680LDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 34134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIRA00DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR638DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR680DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 7180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR580DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIHD3N50D-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 2664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR872ADP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIRA20DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SIRA90DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 13477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR668DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR668ADP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 13339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR668ADP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 11381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIRA99DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR580DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR680DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 7180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR638DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 104W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIRA80DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA80DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIHD5N50D-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 104W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIHD3N50D-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 2664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 7346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 7346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR680LDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00233ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 34134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIR872ADP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 104W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIRA20DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SIR668DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIRA00DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
VJ0603A5R6CXACW1BC | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ0603A5R6CXACW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: C0G / NP0 Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Kapazität: 5.6pF Spannung (DC): 50V Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series productTraceability: No Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
VJ0603D5R6CXPAJ | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ0603D5R6CXPAJ - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 250 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: C0G / NP0 Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Kapazität: 5.6pF Spannung (DC): 250V Produktpalette: VJ HIFREQ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
VJ1206A100JXGAT5Z | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ1206A100JXGAT5Z - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 1 kV, 1206 [Metrisch: 3216], ± 5%, C0G / NP0tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch: 3216] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: 5% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: C0G / NP0 Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Kapazität: 10pF Spannung (DC): 1kV Produktpalette: VJ HVArc Guard Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 1.6mm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CRCW20101K00JNEF-DEL | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW20101K00JNEF-DEL - RES, THICK FILM, 1K, 5%, 0.75W, 2010 tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric] Widerstandstechnologie: Thick Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 0 Widerstandstyp: General Purpose Widerstand: 0 usEccn: EAR99 Netzsteckertyp: 0 Betriebstemperatur, min.: 0 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K Produktlänge: 0 euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Produktbreite: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CRCW20102R00JNEF | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW20102R00JNEF - RES, THICK FILM, 2R, 5%, 0.75W, 2010tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric] Widerstandstechnologie: Thick Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 750mW Widerstandstyp: General Purpose Widerstand: 2ohm usEccn: EAR99 Netzsteckertyp: 0 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 5% Temperaturkoeffizient: 200ppm/K Produktlänge: 5mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
VJ0603Y564KXQCW1BC | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7RtariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608] euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 1.6mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kapazität: 0.56µF Spannung (DC): 10V Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Produktbreite: 0.85mm |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
VJ0603Y473JXQPW1BC | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ0603Y473JXQPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, X7RtariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608] euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 5% Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 1.6mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kapazität: 0.047µF Spannung (DC): 10V Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Produktbreite: 0.85mm |
на замовлення 17889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
VJ0603Y564KXQCW1BC | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7RtariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608] euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 1.6mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kapazität: 0.56µF Spannung (DC): 10V Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Produktbreite: 0.85mm |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI4497DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| WSBS8536L0500JK20 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSBS8536L0500JK20 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 50 µohm, WSBS8536-20 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 50µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 175ppm/C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-20 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - WSBS8536L0500JK20 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 50 µohm, WSBS8536-20 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 50µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 175ppm/C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-20 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2241.12 грн |
| 2+ | 1960.88 грн |
| WSBS8536L1000JK80 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSBS8536L1000JK80 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, WSBS8536-80 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: ± 165ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-80 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - WSBS8536L1000JK80 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, WSBS8536-80 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: ± 165ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-80 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2469.22 грн |
| 2+ | 2078.19 грн |
| 3+ | 1837.05 грн |
| 5+ | 1573.45 грн |
| 10+ | 1358.84 грн |
| WSBS8536L0250JK80 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSBS8536L0250JK80 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 25 µohm, WSBS8536-80 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 25µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-80 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - WSBS8536L0250JK80 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 25 µohm, WSBS8536-80 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 25µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-80 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2628.89 грн |
| WSBE8536L0500JKA2 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSBE8536L0500JKA2 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 50 µohm, WSBE Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W, ± 5%
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 50W
Widerstand: 50µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - WSBE8536L0500JKA2 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 50 µohm, WSBE Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W, ± 5%
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 50W
Widerstand: 50µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2745.39 грн |
| 10+ | 1925.84 грн |
| 20+ | 1731.96 грн |
| WSBS8536L1250JK40 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSBS8536L1250JK40 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 125 µohm, WSBS8536-40 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 125µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 165ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-40 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - WSBS8536L1250JK40 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 125 µohm, WSBS8536-40 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 125µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 165ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-40 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1621.98 грн |
| WSBE8518L1000JKA2 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSBE8518L1000JKA2 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, WSBE Series, 3307 [Metrisch 8518], 36 W, ± 5%
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3307 [Metrisch 8518]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 36W
isCanonical: Y
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - WSBE8518L1000JKA2 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, WSBE Series, 3307 [Metrisch 8518], 36 W, ± 5%
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3307 [Metrisch 8518]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 36W
isCanonical: Y
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2032.56 грн |
| 10+ | 1521.78 грн |
| 20+ | 1491.63 грн |
| WSBS8536L0250JK20 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSBS8536L0250JK20 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 25 µohm, WSBS8536-20 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 25µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-20 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - WSBS8536L0250JK20 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 25 µohm, WSBS8536-20 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 25µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-20 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1888.37 грн |
| WSBS8536L0500JK14 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSBS8536L0500JK14 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 50 µohm, WSBS8536-14 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 50µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 175ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-14 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - WSBS8536L0500JK14 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 50 µohm, WSBS8536-14 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 50µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 175ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-14 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1673.30 грн |
| CPF21R0000FKE14. |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CPF21R0000FKE14. - METAL FILM RESISTOR, 1 OHM, 2W, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 2W
Widerstandstyp: High Power, Precision
Widerstand: 1ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 10.8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CPF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 3.68mm
Betriebstemperatur, max.: 230°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: VISHAY - CPF21R0000FKE14. - METAL FILM RESISTOR, 1 OHM, 2W, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 2W
Widerstandstyp: High Power, Precision
Widerstand: 1ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 10.8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CPF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 3.68mm
Betriebstemperatur, max.: 230°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 191.44 грн |
| 10+ | 155.60 грн |
| 25+ | 132.79 грн |
| 50+ | 105.15 грн |
| 100+ | 90.08 грн |
| VS-90EPS08L-M3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-90EPS08L-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 90 A, Einfach, 1.2 V, 915 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 915A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - VS-90EPS08L-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 90 A, Einfach, 1.2 V, 915 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 915A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 430.14 грн |
| 10+ | 230.55 грн |
| 100+ | 200.41 грн |
| TR3D106K050C0550 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TR3D106K050C0550 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - TR3D106K050C0550 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 225.66 грн |
| 10+ | 158.04 грн |
| 50+ | 131.16 грн |
| 100+ | 114.23 грн |
| 200+ | 94.97 грн |
| 500+ | 83.79 грн |
| TP3D106K050C0550AS |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%, 0.55 ohm, D
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%, 0.55 ohm, D
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 180.04 грн |
| 10+ | 123.01 грн |
| 50+ | 105.09 грн |
| 593D106X9050E8T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 593D106X9050E8T - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE E
tariffCode: 0
Produkthöhe: 4mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 550mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - 593D106X9050E8T - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE E
tariffCode: 0
Produkthöhe: 4mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 550mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 228.92 грн |
| TP3D106K050C0550AS |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE D
tariffCode: 0
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE D
tariffCode: 0
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 85.54 грн |
| TR3D106K050C0450 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TR3D106K050C0450 - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE D
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 0
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.45ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 580mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - TR3D106K050C0450 - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE D
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 0
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.45ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 580mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 270.47 грн |
| 10+ | 193.89 грн |
| 25+ | 186.56 грн |
| 50+ | 167.94 грн |
| 100+ | 136.16 грн |
| SUD50N04-8M8P-4GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 48.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 48.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 48439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 165.38 грн |
| 10+ | 83.91 грн |
| 100+ | 61.91 грн |
| 500+ | 39.26 грн |
| 1000+ | 31.56 грн |
| 5000+ | 25.91 грн |
| IHD3EB103L |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHD3EB103L - INDUCTOR, 10MH, 250MA, AXIAL LEADED
tariffCode: 85339000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivitätstoleranz: 0
Induktivität: 10mH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 250mA
DC-Widerstand, max.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: IHD Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: VISHAY - IHD3EB103L - INDUCTOR, 10MH, 250MA, AXIAL LEADED
tariffCode: 85339000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivitätstoleranz: 0
Induktivität: 10mH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 250mA
DC-Widerstand, max.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: IHD Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 815.47 грн |
| 10+ | 778.81 грн |
| 25+ | 672.91 грн |
| 50+ | 577.94 грн |
| 100+ | 473.43 грн |
| WSLP1206R0150FEA. |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSLP1206R0150FEA. - RESISTOR, CURRENT SENSE, 0.015 OHM, 1W 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [3216 Metric]
Widerstandstechnologie: Metal Strip
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstand: 0.015ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - WSLP1206R0150FEA. - RESISTOR, CURRENT SENSE, 0.015 OHM, 1W 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [3216 Metric]
Widerstandstechnologie: Metal Strip
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstand: 0.015ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 62.00 грн |
| 25+ | 35.03 грн |
| 50+ | 33.24 грн |
| SIHA22N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 293.28 грн |
| 10+ | 223.22 грн |
| 100+ | 160.49 грн |
| 500+ | 122.55 грн |
| MAL215299705E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MAL215299705E3 - Aluminium-Elektrolytkondensatoren, SMD, Becher, radial - SMD, 15 µF, 450 V
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 22mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 6000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 110mA
Produktpalette: 152 CME Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16mm
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - MAL215299705E3 - Aluminium-Elektrolytkondensatoren, SMD, Becher, radial - SMD, 15 µF, 450 V
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 22mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 6000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 110mA
Produktpalette: 152 CME Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16mm
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 341.34 грн |
| 5+ | 289.20 грн |
| NTCS0805E3104SMT |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - NTCS0805E3104SMT - NTC-Thermistor, 100 kOhm, Baureihe NTCS, 3590 K, SMD, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85334010
euEccn: NLR
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Thermistor: NTC
Bauform - Thermistor: 0805 [Metrisch 2012]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Fühlerdurchmesser: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
Widerstand (25°C): 100kohm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Thermische Zeitkonstante (in Luft): -
Anschlusslänge: -
NTC-Montage: Oberflächenmontage
B-Konstante: 3590K
Toleranz B-Konstante: ±1%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
NTC-Gehäusegröße: 0805 [Metrisch 2012]
Produktpalette: NTCS0805E3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Widerstandstoleranz (25°C): ±1%
Fühlermaterial: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: VISHAY - NTCS0805E3104SMT - NTC-Thermistor, 100 kOhm, Baureihe NTCS, 3590 K, SMD, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85334010
euEccn: NLR
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Thermistor: NTC
Bauform - Thermistor: 0805 [Metrisch 2012]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Fühlerdurchmesser: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
Widerstand (25°C): 100kohm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Thermische Zeitkonstante (in Luft): -
Anschlusslänge: -
NTC-Montage: Oberflächenmontage
B-Konstante: 3590K
Toleranz B-Konstante: ±1%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
NTC-Gehäusegröße: 0805 [Metrisch 2012]
Produktpalette: NTCS0805E3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Widerstandstoleranz (25°C): ±1%
Fühlermaterial: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 6128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 41.38 грн |
| 500+ | 37.47 грн |
| 1000+ | 33.36 грн |
| 2000+ | 29.19 грн |
| 4000+ | 27.58 грн |
| VJ1812Y474KXAAT |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y474KXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.47 µF, 50 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.58mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.47µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 3.2mm
Description: VISHAY - VJ1812Y474KXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.47 µF, 50 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.58mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.47µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 3.2mm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 36.33 грн |
| SIRA99DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 199.59 грн |
| 10+ | 146.64 грн |
| 100+ | 110.79 грн |
| 500+ | 96.07 грн |
| 1000+ | 81.70 грн |
| SIR680LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 34134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 281.06 грн |
| 50+ | 182.48 грн |
| 100+ | 127.90 грн |
| 500+ | 100.61 грн |
| 1500+ | 91.47 грн |
| SIRA00DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 225.66 грн |
| 10+ | 145.82 грн |
| 100+ | 107.53 грн |
| 500+ | 83.97 грн |
| 1000+ | 66.27 грн |
| SIR638DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 143.38 грн |
| 10+ | 115.68 грн |
| 25+ | 104.28 грн |
| 100+ | 84.72 грн |
| 500+ | 67.94 грн |
| 1000+ | 60.75 грн |
| SIR680DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 237.06 грн |
| 50+ | 158.86 грн |
| 100+ | 111.61 грн |
| 500+ | 84.72 грн |
| 1500+ | 75.41 грн |
| SIR580DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 161.30 грн |
| 10+ | 116.50 грн |
| 100+ | 89.61 грн |
| 500+ | 66.95 грн |
| SIHD3N50D-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 77.39 грн |
| 13+ | 63.46 грн |
| 100+ | 40.49 грн |
| 500+ | 31.39 грн |
| 1000+ | 21.23 грн |
| SIR872ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 166.19 грн |
| 10+ | 123.83 грн |
| 100+ | 108.35 грн |
| 500+ | 81.70 грн |
| 1000+ | 74.02 грн |
| SIRA20DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIRA90DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 74.38 грн |
| 500+ | 50.53 грн |
| 1500+ | 45.74 грн |
| SIR668DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 232.99 грн |
| 10+ | 152.34 грн |
| 100+ | 109.98 грн |
| 500+ | 80.19 грн |
| 1000+ | 69.69 грн |
| SIR668ADP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 175.15 грн |
| 10+ | 126.27 грн |
| 100+ | 87.98 грн |
| 500+ | 69.37 грн |
| 1000+ | 60.68 грн |
| SIR570DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 171.89 грн |
| 10+ | 145.01 грн |
| 100+ | 117.31 грн |
| 500+ | 93.05 грн |
| 1000+ | 74.72 грн |
| SIR668ADP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 96.13 грн |
| 500+ | 72.62 грн |
| 1000+ | 61.80 грн |
| SIRA99DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 110.79 грн |
| 500+ | 96.07 грн |
| 1000+ | 81.70 грн |
| SIR580DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 89.61 грн |
| 500+ | 66.95 грн |
| SIR680DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 111.61 грн |
| 500+ | 84.72 грн |
| 1500+ | 75.41 грн |
| SIR638DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 84.72 грн |
| 500+ | 67.94 грн |
| 1000+ | 60.75 грн |
| SIRA80DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA80DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIRA80DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 78.86 грн |
| 500+ | 58.55 грн |
| 1000+ | 49.79 грн |
| 5000+ | 45.18 грн |
| SIHD5N50D-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 51.16 грн |
| 500+ | 46.60 грн |
| 1000+ | 42.18 грн |
| SIHD3N50D-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 40.49 грн |
| 500+ | 31.39 грн |
| 1000+ | 21.23 грн |
| SIR510DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 151.53 грн |
| 10+ | 129.53 грн |
| 100+ | 94.50 грн |
| 500+ | 70.50 грн |
| 1000+ | 63.96 грн |
| SIR510DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 94.50 грн |
| 500+ | 70.50 грн |
| 1000+ | 63.96 грн |
| SIR570DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 117.31 грн |
| 500+ | 93.05 грн |
| 1000+ | 74.72 грн |
| SIR680LDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 34134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 127.90 грн |
| 500+ | 100.61 грн |
| 1500+ | 91.47 грн |
| SIR872ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 117.31 грн |
| 25+ | 96.94 грн |
| 100+ | 80.94 грн |
| 500+ | 68.85 грн |
| 1000+ | 64.24 грн |
| SIRA20DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIR668DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 109.98 грн |
| 500+ | 80.19 грн |
| 1000+ | 69.69 грн |
| SIRA00DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 107.53 грн |
| 500+ | 83.97 грн |
| 1000+ | 66.27 грн |
| VJ0603A5R6CXACW1BC |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603A5R6CXACW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - VJ0603A5R6CXACW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 228+ | 3.58 грн |
| 314+ | 2.60 грн |
| 500+ | 1.95 грн |
| 1000+ | 1.70 грн |
| 2000+ | 1.47 грн |
| VJ0603D5R6CXPAJ |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603D5R6CXPAJ - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 250 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 250V
Produktpalette: VJ HIFREQ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - VJ0603D5R6CXPAJ - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 250 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 250V
Produktpalette: VJ HIFREQ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 7.64 грн |
| VJ1206A100JXGAT5Z |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206A100JXGAT5Z - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 1 kV, 1206 [Metrisch: 3216], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch: 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ HVArc Guard Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - VJ1206A100JXGAT5Z - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 1 kV, 1206 [Metrisch: 3216], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch: 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ HVArc Guard Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 24.11 грн |
| CRCW20101K00JNEF-DEL |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW20101K00JNEF-DEL - RES, THICK FILM, 1K, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 0
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 0
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: VISHAY - CRCW20101K00JNEF-DEL - RES, THICK FILM, 1K, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 0
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 0
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 29.25 грн |
| 33+ | 25.17 грн |
| 50+ | 17.52 грн |
| 100+ | 9.15 грн |
| 250+ | 8.17 грн |
| 500+ | 7.75 грн |
| CRCW20102R00JNEF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW20102R00JNEF - RES, THICK FILM, 2R, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 2ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: VISHAY - CRCW20102R00JNEF - RES, THICK FILM, 2R, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 2ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 244+ | 3.34 грн |
| 278+ | 2.93 грн |
| 334+ | 2.44 грн |
| VJ0603Y564KXQCW1BC |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 0.85mm
Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 97+ | 8.47 грн |
| 121+ | 6.74 грн |
| 500+ | 5.73 грн |
| 1000+ | 4.83 грн |
| VJ0603Y473JXQPW1BC |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603Y473JXQPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 0.85mm
Description: VISHAY - VJ0603Y473JXQPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 17889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 271+ | 3.01 грн |
| 372+ | 2.19 грн |
| 500+ | 1.65 грн |
| 2500+ | 1.23 грн |
| 7500+ | 0.89 грн |
| 15000+ | 0.87 грн |
| VJ0603Y564KXQCW1BC |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 0.85mm
Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.47 грн |
| 121+ | 6.74 грн |
| 500+ | 5.73 грн |
| 1000+ | 4.83 грн |
| SI4497DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 101.02 грн |
| 500+ | 75.12 грн |
| 1000+ | 67.73 грн |































