Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (352636) > Сторінка 3528 з 5878

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 587 1174 1761 2348 2935 3522 3523 3524 3525 3526 3527 3528 3529 3530 3531 3532 3533 4109 4696 5283 5870 5878  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR638ADP-T1-UE3 SIR638ADP-T1-UE3 VISHAY Description: VISHAY - SIR638ADP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.42 грн
10+186.42 грн
100+134.32 грн
500+107.34 грн
1000+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-62CTQ030-M3 VS-62CTQ030-M3 VISHAY vs-62ctq030-m3.pdf Description: VISHAY - VS-62CTQ030-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 1.5kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.46 грн
10+154.67 грн
100+132.69 грн
500+102.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VLIN3333-02GHE3-08 VLIN3333-02GHE3-08 VISHAY 3327294.pdf Description: VISHAY - VLIN3333-02GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 57 V, SOD-323, 2 Pin(s), 33 V, 200 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 57V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.92 грн
59+14.00 грн
118+6.92 грн
500+5.44 грн
1000+2.86 грн
5000+2.65 грн
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
VLIN3333-02GHE3-08 VLIN3333-02GHE3-08 VISHAY 3327294.pdf Description: VISHAY - VLIN3333-02GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 57 V, SOD-323, 2 Pin(s), 33 V, 200 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 57V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.44 грн
1000+2.86 грн
5000+2.65 грн
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MBB02070C4751FRP00 MBB02070C4751FRP00 VISHAY 3122648.pdf Description: VISHAY - MBB02070C4751FRP00 - METAL FILM RESISTOR, 4.75KOHM, 600mW, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 600mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 4.75kohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MBB Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 300V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EAH02HM3/H VS-2EAH02HM3/H VISHAY 4334696.pdf Description: VISHAY - VS-2EAH02HM3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 10 ns, 54 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 54A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.55 грн
25+33.29 грн
100+17.91 грн
500+15.42 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EAH02-M3/H VS-2EAH02-M3/H VISHAY 4334697.pdf Description: VISHAY - VS-2EAH02-M3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 10 ns, 54 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 54A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.34 грн
24+34.03 грн
100+18.23 грн
500+15.72 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ1 ILQ1 VISHAY 2047194.pdf Description: VISHAY - ILQ1 - Optokoppler, Transistorausgang, 4 Kanäle, DIP, 16 Pin(s), 60 mA, 5.3 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
CTR, min.: 20%
Isolationsspannung: 5.3kV
euEccn: NLR
Durchlassstrom If, max.: 60mA
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.28 грн
10+119.66 грн
25+114.78 грн
50+101.29 грн
100+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080547K0JNEAC CRCW080547K0JNEAC VISHAY 3937398.pdf Description: VISHAY - CRCW080547K0JNEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 47 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 47kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 99430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
770+1.06 грн
1250+0.65 грн
1667+0.49 грн
2000+0.38 грн
2500+0.28 грн
5000+0.21 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402220RFKED CRCW0402220RFKED VISHAY 2310790.pdf Description: VISHAY - CRCW0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402220RFKED RCS0402220RFKED VISHAY 2848043.pdf Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+3.22 грн
472+1.73 грн
622+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402220RFKED RCS0402220RFKED VISHAY 2848043.pdf Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.73 грн
622+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402510KFKED. CRCW0402510KFKED. VISHAY 2310790.pdf Description: VISHAY - CRCW0402510KFKED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 510 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 510kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.87 грн
553+1.47 грн
944+0.86 грн
2500+0.60 грн
5000+0.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PR01000103301JR500. PR01000103301JR500. VISHAY 2049118.pdf Description: VISHAY - PR01000103301JR500. - METAL FILM RESISTOR, 3.3 KOHM, 1 W, 5%
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0
Widerstandstechnologie: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 0
Widerstandstyp: 0
Widerstand: 0
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: 0
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 0
Produktdurchmesser: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.87 грн
42+19.54 грн
60+13.59 грн
107+7.11 грн
250+5.28 грн
500+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 VISHAY si4103dy.pdf Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.60 грн
500+26.53 грн
1000+21.14 грн
5000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISA35DN-T1-GE3 SISA35DN-T1-GE3 VISHAY sisa35dn.pdf Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.87 грн
500+13.98 грн
1500+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AC07000002209JAC00 AC07000002209JAC00 VISHAY ac_ac-at_ac-ni.pdf Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.55 грн
13+66.75 грн
50+60.16 грн
100+49.74 грн
200+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AC07000002209JAC00 AC07000002209JAC00 VISHAY ac_ac-at_ac-ni.pdf Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MCT06030E7501BP100 MCT06030E7501BP100 VISHAY VISH-S-A0013915974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MCT06030E7501BP100 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Schwefelbeständig
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 15ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MCT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.07 грн
250+26.68 грн
500+22.75 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKEAC CRCW06037K50FKEAC VISHAY 3937398.pdf Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
527+1.55 грн
1112+0.73 грн
1429+0.57 грн
1667+0.45 грн
2500+0.35 грн
5000+0.21 грн
Мінімальне замовлення: 527
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKEAC CRCW06037K50FKEAC VISHAY 3937398.pdf Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
527+1.55 грн
1112+0.73 грн
1429+0.57 грн
1667+0.45 грн
2500+0.35 грн
5000+0.21 грн
Мінімальне замовлення: 527
В кошику  од. на суму  грн.
TNPW06037K50BEEA TNPW06037K50BEEA VISHAY 3924229.pdf Description: VISHAY - TNPW06037K50BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Stabilität
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 25ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.50 грн
100+14.73 грн
500+11.15 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKTA CRCW06037K50FKTA VISHAY 3924201.pdf Description: VISHAY - CRCW06037K50FKTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: NO
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+4.56 грн
304+2.69 грн
500+2.36 грн
1000+1.89 грн
2500+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 SIZF928DT-T1-GE3 VISHAY sizf928dt.pdf Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.12 грн
500+45.35 грн
1000+39.91 грн
5000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 SIZF928DT-T1-GE3 VISHAY sizf928dt.pdf Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.40 грн
13+66.10 грн
100+51.12 грн
500+45.35 грн
1000+39.91 грн
5000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.46 грн
50+34.27 грн
100+23.93 грн
500+17.39 грн
1500+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 VISHAY sir870adp.pdf Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.56 грн
10+141.64 грн
100+99.31 грн
500+75.06 грн
1000+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY sir826adp.pdf Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.14 грн
10+149.78 грн
100+113.15 грн
500+87.68 грн
1000+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034E_GE3 SQD50034E_GE3 VISHAY sqd50034e.pdf Description: VISHAY - SQD50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.76 грн
10+103.38 грн
100+76.76 грн
500+60.32 грн
1000+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462ADP-T1-GE3 SIJ462ADP-T1-GE3 VISHAY sij462adp.pdf Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 0.0057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.83 грн
10+92.80 грн
100+65.29 грн
500+48.38 грн
1000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P11H1F0GHFW10502KA P11H1F0GHFW10502KA VISHAY p11h.pdf Description: VISHAY - P11H1F0GHFW10502KA - Drehpotentiometer, Hohes Drehmoment, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 1 W, ± 10%, P11H Series
tariffCode: 85334090
Produkthöhe: 13.6mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Cermet
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Panelmontage
Nennleistung: 1W
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 6.35mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 10%
Temperaturkoeffizient: 150ppm/C
Produktlänge: 35.6mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Modular
Länge der Welle: 9.65mm
Produktpalette: P11H Series
productTraceability: No
Potentiometeranschlüsse: Leiterplattenstift
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 12.8mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+652.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 SI3129DV-T1-GE3 VISHAY 3183556.pdf Description: VISHAY - SI3129DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 5.4 A, 0.0689 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0689ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.49 грн
20+41.60 грн
100+28.65 грн
500+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3 SIZ260DT-T1-GE3 VISHAY siz260dt.pdf Description: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 20408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.52 грн
50+67.24 грн
100+54.22 грн
500+42.33 грн
1500+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 SQJA86EP-T1_GE3 VISHAY sqja86ep.pdf Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.87 грн
12+73.83 грн
100+50.96 грн
500+37.79 грн
1000+28.96 грн
5000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001113297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.76 грн
500+89.95 грн
1000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH800E-T1-GE3 SIJH800E-T1-GE3 VISHAY sijh800e.pdf Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+391.56 грн
10+291.43 грн
100+236.07 грн
500+198.05 грн
1000+156.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 SISS30DN-T1-GE3 VISHAY siss30dn.pdf Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.43 грн
13+67.57 грн
100+47.46 грн
500+35.53 грн
1000+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3 SISS30ADN-T1-GE3 VISHAY 3098124.pdf Description: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.59 грн
10+81.40 грн
100+63.58 грн
500+50.04 грн
1000+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 VISHAY sis126dn.pdf Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.52 грн
500+26.38 грн
1000+22.19 грн
5000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 37301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.23 грн
500+40.97 грн
1000+34.12 грн
5000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 VISHAY sij478dp.pdf Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.74 грн
500+52.91 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH800E-T1-GE3 SIJH800E-T1-GE3 VISHAY sijh800e.pdf Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.07 грн
500+198.05 грн
1000+156.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 SQJB80EP-T1_GE3 VISHAY sqjb80ep.pdf Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.22 грн
10+82.22 грн
100+53.56 грн
500+40.29 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0003603034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.54 грн
10+197.81 грн
100+144.90 грн
500+109.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 VISHAY sqsa80enw.pdf Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.27 грн
500+34.77 грн
1500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 SQJB80EP-T1_GE3 VISHAY sqjb80ep.pdf Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.56 грн
500+40.29 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 VISHAY sqsa80enw.pdf Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.91 грн
50+57.63 грн
100+48.27 грн
500+34.77 грн
1500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 SQJA86EP-T1_GE3 VISHAY sqja86ep.pdf Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.96 грн
500+37.79 грн
1000+28.96 грн
5000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0003603034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.90 грн
500+109.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3 SIS128LDN-T1-GE3 VISHAY sis128ldn.pdf Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.14 грн
500+28.42 грн
1500+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 SQD50P08-28_GE3 VISHAY sqd50p08.pdf Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.27 грн
500+77.10 грн
1000+67.12 грн
2000+65.80 грн
5000+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 VISHAY sij478dp.pdf Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.76 грн
10+106.64 грн
100+70.74 грн
500+52.91 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3 SQJQ184ER-T1_GE3 VISHAY sqjq184er.pdf Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+188.86 грн
500+161.01 грн
1000+134.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3 SQJQ184ER-T1_GE3 VISHAY sqjq184er.pdf Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.85 грн
10+205.14 грн
100+188.86 грн
500+161.01 грн
1000+134.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3 SQJQ186ER-T1_GE3 VISHAY sqjq186er.pdf Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 0.0017 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.73 грн
500+96.00 грн
1000+86.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3 SQJQ186ER-T1_GE3 VISHAY sqjq186er.pdf Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 0.0017 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.96 грн
10+170.14 грн
100+123.73 грн
500+96.00 грн
1000+86.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3 SQS181ELNW-T1_GE3 VISHAY 3973110.pdf Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.59 грн
11+75.22 грн
100+53.16 грн
500+39.31 грн
1000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 SIJH5800E-T1-GE3 VISHAY 3983286.pdf Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 970 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.38 грн
10+326.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 VISHAY sqsa82cenw.pdf Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0227 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.91 грн
500+18.29 грн
1000+15.28 грн
5000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 VISHAY sq1470aeh.pdf Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.01 грн
26+32.48 грн
100+23.36 грн
500+17.01 грн
1000+12.70 грн
5000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-UE3
SIR638ADP-T1-UE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR638ADP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+256.42 грн
10+186.42 грн
100+134.32 грн
500+107.34 грн
1000+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-62CTQ030-M3 vs-62ctq030-m3.pdf
VS-62CTQ030-M3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-62CTQ030-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 1.5kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.46 грн
10+154.67 грн
100+132.69 грн
500+102.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VLIN3333-02GHE3-08 3327294.pdf
VLIN3333-02GHE3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VLIN3333-02GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 57 V, SOD-323, 2 Pin(s), 33 V, 200 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 57V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+20.92 грн
59+14.00 грн
118+6.92 грн
500+5.44 грн
1000+2.86 грн
5000+2.65 грн
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
VLIN3333-02GHE3-08 3327294.pdf
VLIN3333-02GHE3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VLIN3333-02GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 57 V, SOD-323, 2 Pin(s), 33 V, 200 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 57V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.44 грн
1000+2.86 грн
5000+2.65 грн
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MBB02070C4751FRP00 3122648.pdf
MBB02070C4751FRP00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MBB02070C4751FRP00 - METAL FILM RESISTOR, 4.75KOHM, 600mW, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 600mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 4.75kohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MBB Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 300V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EAH02HM3/H 4334696.pdf
VS-2EAH02HM3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-2EAH02HM3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 10 ns, 54 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 54A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+43.55 грн
25+33.29 грн
100+17.91 грн
500+15.42 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
VS-2EAH02-M3/H 4334697.pdf
VS-2EAH02-M3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-2EAH02-M3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 10 ns, 54 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 54A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+45.34 грн
24+34.03 грн
100+18.23 грн
500+15.72 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ1 2047194.pdf
ILQ1
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - ILQ1 - Optokoppler, Transistorausgang, 4 Kanäle, DIP, 16 Pin(s), 60 mA, 5.3 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
CTR, min.: 20%
Isolationsspannung: 5.3kV
euEccn: NLR
Durchlassstrom If, max.: 60mA
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.28 грн
10+119.66 грн
25+114.78 грн
50+101.29 грн
100+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080547K0JNEAC 3937398.pdf
CRCW080547K0JNEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080547K0JNEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 47 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 47kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 99430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
770+1.06 грн
1250+0.65 грн
1667+0.49 грн
2000+0.38 грн
2500+0.28 грн
5000+0.21 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402220RFKED 2310790.pdf
CRCW0402220RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402220RFKED 2848043.pdf
RCS0402220RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+3.22 грн
472+1.73 грн
622+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402220RFKED 2848043.pdf
RCS0402220RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.73 грн
622+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402510KFKED. 2310790.pdf
CRCW0402510KFKED.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0402510KFKED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 510 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 510kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.87 грн
553+1.47 грн
944+0.86 грн
2500+0.60 грн
5000+0.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PR01000103301JR500. 2049118.pdf
PR01000103301JR500.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PR01000103301JR500. - METAL FILM RESISTOR, 3.3 KOHM, 1 W, 5%
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0
Widerstandstechnologie: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 0
Widerstandstyp: 0
Widerstand: 0
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: 0
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 0
Produktdurchmesser: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+22.87 грн
42+19.54 грн
60+13.59 грн
107+7.11 грн
250+5.28 грн
500+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 si4103dy.pdf
SI4103DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.60 грн
500+26.53 грн
1000+21.14 грн
5000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISA35DN-T1-GE3 sisa35dn.pdf
SISA35DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.87 грн
500+13.98 грн
1500+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AC07000002209JAC00 ac_ac-at_ac-ni.pdf
AC07000002209JAC00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.55 грн
13+66.75 грн
50+60.16 грн
100+49.74 грн
200+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AC07000002209JAC00 ac_ac-at_ac-ni.pdf
AC07000002209JAC00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MCT06030E7501BP100 VISH-S-A0013915974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MCT06030E7501BP100
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MCT06030E7501BP100 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Schwefelbeständig
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 15ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MCT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.07 грн
250+26.68 грн
500+22.75 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKEAC 3937398.pdf
CRCW06037K50FKEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
527+1.55 грн
1112+0.73 грн
1429+0.57 грн
1667+0.45 грн
2500+0.35 грн
5000+0.21 грн
Мінімальне замовлення: 527
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKEAC 3937398.pdf
CRCW06037K50FKEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
527+1.55 грн
1112+0.73 грн
1429+0.57 грн
1667+0.45 грн
2500+0.35 грн
5000+0.21 грн
Мінімальне замовлення: 527
В кошику  од. на суму  грн.
TNPW06037K50BEEA 3924229.pdf
TNPW06037K50BEEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TNPW06037K50BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Stabilität
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 25ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+17.50 грн
100+14.73 грн
500+11.15 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKTA 3924201.pdf
CRCW06037K50FKTA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06037K50FKTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: NO
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+4.56 грн
304+2.69 грн
500+2.36 грн
1000+1.89 грн
2500+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 sizf928dt.pdf
SIZF928DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.12 грн
500+45.35 грн
1000+39.91 грн
5000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 sizf928dt.pdf
SIZF928DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.40 грн
13+66.10 грн
100+51.12 грн
500+45.35 грн
1000+39.91 грн
5000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
SI2338DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.46 грн
50+34.27 грн
100+23.93 грн
500+17.39 грн
1500+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3 sir870adp.pdf
SIR870ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.56 грн
10+141.64 грн
100+99.31 грн
500+75.06 грн
1000+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 sir826adp.pdf
SIR826ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+205.14 грн
10+149.78 грн
100+113.15 грн
500+87.68 грн
1000+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034E_GE3 sqd50034e.pdf
SQD50034E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.76 грн
10+103.38 грн
100+76.76 грн
500+60.32 грн
1000+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462ADP-T1-GE3 sij462adp.pdf
SIJ462ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 0.0057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.83 грн
10+92.80 грн
100+65.29 грн
500+48.38 грн
1000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P11H1F0GHFW10502KA p11h.pdf
P11H1F0GHFW10502KA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - P11H1F0GHFW10502KA - Drehpotentiometer, Hohes Drehmoment, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 1 W, ± 10%, P11H Series
tariffCode: 85334090
Produkthöhe: 13.6mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Cermet
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Panelmontage
Nennleistung: 1W
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 6.35mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 10%
Temperaturkoeffizient: 150ppm/C
Produktlänge: 35.6mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Modular
Länge der Welle: 9.65mm
Produktpalette: P11H Series
productTraceability: No
Potentiometeranschlüsse: Leiterplattenstift
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 12.8mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+652.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 3183556.pdf
SI3129DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3129DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 5.4 A, 0.0689 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0689ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.49 грн
20+41.60 грн
100+28.65 грн
500+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3 siz260dt.pdf
SIZ260DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 20408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.52 грн
50+67.24 грн
100+54.22 грн
500+42.33 грн
1500+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 sqja86ep.pdf
SQJA86EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.87 грн
12+73.83 грн
100+50.96 грн
500+37.79 грн
1000+28.96 грн
5000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 VISH-S-A0001113297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR826ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.76 грн
500+89.95 грн
1000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH800E-T1-GE3 sijh800e.pdf
SIJH800E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+391.56 грн
10+291.43 грн
100+236.07 грн
500+198.05 грн
1000+156.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 siss30dn.pdf
SISS30DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.43 грн
13+67.57 грн
100+47.46 грн
500+35.53 грн
1000+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3 3098124.pdf
SISS30ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.59 грн
10+81.40 грн
100+63.58 грн
500+50.04 грн
1000+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 sis126dn.pdf
SIS126DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.52 грн
500+26.38 грн
1000+22.19 грн
5000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32LDN-T1-GE3 VISH-S-A0010924896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISS32LDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 37301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.23 грн
500+40.97 грн
1000+34.12 грн
5000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 sij478dp.pdf
SIJ478DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.74 грн
500+52.91 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH800E-T1-GE3 sijh800e.pdf
SIJH800E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+236.07 грн
500+198.05 грн
1000+156.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 sqjb80ep.pdf
SQJB80EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.22 грн
10+82.22 грн
100+53.56 грн
500+40.29 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 VISH-S-A0003603034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJQ480E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+286.54 грн
10+197.81 грн
100+144.90 грн
500+109.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 sqsa80enw.pdf
SQSA80ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.27 грн
500+34.77 грн
1500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 sqjb80ep.pdf
SQJB80EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.56 грн
500+40.29 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 sqsa80enw.pdf
SQSA80ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.91 грн
50+57.63 грн
100+48.27 грн
500+34.77 грн
1500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 sqja86ep.pdf
SQJA86EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.96 грн
500+37.79 грн
1000+28.96 грн
5000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 VISH-S-A0003603034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJQ480E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.90 грн
500+109.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3 sis128ldn.pdf
SIS128LDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.14 грн
500+28.42 грн
1500+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 sqd50p08.pdf
SQD50P08-28_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.27 грн
500+77.10 грн
1000+67.12 грн
2000+65.80 грн
5000+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 sij478dp.pdf
SIJ478DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.76 грн
10+106.64 грн
100+70.74 грн
500+52.91 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3 sqjq184er.pdf
SQJQ184ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+188.86 грн
500+161.01 грн
1000+134.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3 sqjq184er.pdf
SQJQ184ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+315.85 грн
10+205.14 грн
100+188.86 грн
500+161.01 грн
1000+134.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3 sqjq186er.pdf
SQJQ186ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 0.0017 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.73 грн
500+96.00 грн
1000+86.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3 sqjq186er.pdf
SQJQ186ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 0.0017 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+275.96 грн
10+170.14 грн
100+123.73 грн
500+96.00 грн
1000+86.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3 3973110.pdf
SQS181ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.59 грн
11+75.22 грн
100+53.16 грн
500+39.31 грн
1000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 3983286.pdf
SIJH5800E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 970 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+462.38 грн
10+326.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 sqsa82cenw.pdf
SQSA82CENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0227 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.91 грн
500+18.29 грн
1000+15.28 грн
5000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3 sq1470aeh.pdf
SQ1470AEH-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.01 грн
26+32.48 грн
100+23.36 грн
500+17.01 грн
1000+12.70 грн
5000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 587 1174 1761 2348 2935 3522 3523 3524 3525 3526 3527 3528 3529 3530 3531 3532 3533 4109 4696 5283 5870 5878  [ Наступна Сторінка >> ]