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WSL27261L000FEA WSL27261L000FEA VISHAY 4397281.pdf Description: VISHAY - WSL27261L000FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.001 ohm, WSL Series, 2726 [Metrisch 6966], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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WSL27261L000FEA WSL27261L000FEA VISHAY 4397281.pdf Description: VISHAY - WSL27261L000FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.001 ohm, WSL Series, 2726 [Metrisch 6966], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.1055mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2726 [Metrisch 6966]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.001ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 6.9mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 6.6mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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WSL2512R5000DEA WSL2512R5000DEA VISHAY VISH-S-A0019274861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - WSL2512R5000DEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.5 ohm, WSL Series, 2512 [Metrisch 6432], 1 W, ± 0.5%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
isCanonical: Y
Widerstand: 0.5ohm
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 0.5%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: WSL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SIR588DP-T1-RE3 SIR588DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024174149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 59.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR586DP-T1-RE3 SIR586DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024174148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR586DP-T1-RE3 SIR586DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024174148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIDR570EP-T1-RE3 SIDR570EP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019271721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 7900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 5334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIDR610EP-T1-RE3 SIDR610EP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019267796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIDR610EP-T1-RE3 SIDR610EP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019267796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIDR570EP-T1-RE3 SIDR570EP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019271721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 7900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 5334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CRCW060315K0FKEAC CRCW060315K0FKEAC VISHAY crcwce3.pdf Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 15kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
на замовлення 65137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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CRCW060315K0FKEAC CRCW060315K0FKEAC VISHAY crcwce3.pdf Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: N
Widerstand: 15kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
на замовлення 65137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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MAL212518471E3 MAL212518471E3 VISHAY VISH-S-A0020212764-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MAL212518471E3 - Elektrolytkondensator, 470 µF, 63 V, ± 20%, Axial bedrahtet, 10000 Stunden bei 105°C, Polarisiert
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Axial bedrahtet
Polarität: Polarisiert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Lebensdauer bei Temperatur: 10000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.226ohm
Produktlänge: 30mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 470µF
Spannung (DC): 63V
Rippelstrom: 660mA
Produktpalette: 125 ALS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: 12.5mm
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Produktbreite: -
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IHLP2020CZER3R3M8A IHLP2020CZER3R3M8A VISHAY VISH-S-A0025625133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IHLP2020CZER3R3M8A - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 5.3 A, Geschirmt, 5.5 A, IHLP-2020CZ-8A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.047ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 5.49mm x 5.18mm x 3mm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 5.3A
Sättigungsstrom (Isat): 5.5A
Produktlänge: 5.49mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IHLP-2020CZ-8A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 5.18mm
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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PTF565K0000BZEK PTF565K0000BZEK VISHAY 4397265.pdf Description: VISHAY - PTF565K0000BZEK - Widerstand für Durchsteckmontage, 5 kohm, PTF Series, 125 mW, ± 0.1%, Axial bedrahtet, 300 V
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Genauigkeit, hohe Stabilität
isCanonical: Y
Widerstand: 5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 5ppm/°C
Produktlänge: 7.62mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produktpalette: PTF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 300V
Produktdurchmesser: 2.31mm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: -
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SISA12BDN-T1-GE3 SISA12BDN-T1-GE3 VISHAY sisa10bdn.pdf Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SISS30DN-T1-GE3 SISS30DN-T1-GE3 VISHAY 2786201.pdf Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 VISHAY si7212dn.pdf Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 VISHAY si7212dn.pdf Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SISA12BDN-T1-GE3 SISA12BDN-T1-GE3 VISHAY sisa10bdn.pdf Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIS888DN-T1-GE3 SIS888DN-T1-GE3 VISHAY 3672820.pdf Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SISA18BDN-T1-GE3 SISA18BDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0018324943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SSA34-E3/61T SSA34-E3/61T VISHAY VISH-S-A0010476739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SSA34-E3/61T - Schottky-Gleichrichterdiode, Baureihe SS, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 490 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 75A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 490mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SSA34
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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RCS0603220RFKEA RCS0603220RFKEA VISHAY 4632263.pdf Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
isCanonical: N
Widerstand: 220ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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RCS0603220RFKEA RCS0603220RFKEA VISHAY 4632263.pdf Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
isCanonical: Y
Widerstand: 220ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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VOIH063AT VOIH063AT VISHAY 4000021.pdf Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VOIH063AT VOIH063AT VISHAY 4000021.pdf Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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PEP0402Y1002WNTA PEP0402Y1002WNTA VISHAY VISH-S-A0017726495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PEP0402Y1002WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
isCanonical: N
Widerstand: 10kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.05%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 1mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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PEP0402Y1502WNTA PEP0402Y1502WNTA VISHAY 3669926.pdf Description: VISHAY - PEP0402Y1502WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.05%
Temperaturkoeffizient: 10ppm/C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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CRCW0402464KFKED CRCW0402464KFKED VISHAY VISH-S-A0025774688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - CRCW0402464KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 464 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 464kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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A104M15X7RF5UAA A104M15X7RF5UAA VISHAY 4461482.pdf Description: VISHAY - A104M15X7RF5UAA - Keramikvielschichtkondensator, 0.1 µF, 50 V, ± 20%, Axial bedrahtet, X7R
tariffCode: 85322400
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.8mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 2.6mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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SQJ140ELP-T1_GE3 SQJ140ELP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0018693758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 20555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IFDC5050JZER1R8N IFDC5050JZER1R8N VISHAY 4420466.pdf Description: VISHAY - IFDC5050JZER1R8N - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 10.2 A, Geschirmt, IFDC5050JZ Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 10mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 30%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 8000µohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 10.2A
Sättigungsstrom (Isat): -
Produktlänge: 12.5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IFDC5050JZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 12.5mm
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IFSC2020DZER1R8M01 IFSC2020DZER1R8M01 VISHAY 4420455.pdf Description: VISHAY - IFSC2020DZER1R8M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 4.3 A, Geschirmt, 6.4 A, IFSC2020DZ-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.021ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 4.3A
Sättigungsstrom (Isat): 6.4A
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFSC2020DZ-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VDMG10C0 VDMG10C0 VISHAY VISH-S-A0001108912-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VDMG10C0 - 7-Segment-LED-Anzeige, Grün, 20 mA, 2 V, 4.4 mcd, 1, 10 mm
tariffCode: 85312020
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemeinsame Verbindung: Gemeinsame Kathode
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If: 20mA
Lichtstärke: 4.4mcd
Zeichengröße: 10mm
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 2V
LED-Farbe: Grün
Produktpalette: VDM.10.0
productTraceability: No
Anzahl der Ziffern / Zeichen: 1
SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (07-Nov-2024)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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CRCW2010301RFKEF CRCW2010301RFKEF VISHAY 2111203.pdf Description: VISHAY - CRCW2010301RFKEF - RES, THICK FILM, 301R, 1%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 673 шт
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RCS0402301RFKED RCS0402301RFKED VISHAY 2848043.pdf Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402301RFKED RCS0402301RFKED VISHAY 2848043.pdf Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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SQA470CEJW-T1_GE3 SQA470CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa470cejw.pdf Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 8106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 VISHAY sia817edj.pdf Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SQA470CEJW-T1_GE3 SQA470CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa470cejw.pdf Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIZF5300DT-T1-GE3 SIZF5300DT-T1-GE3 VISHAY 3747846.pdf Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIZF5300DT-T1-GE3 SIZF5300DT-T1-GE3 VISHAY 3747846.pdf Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SQM30010EL_GE3 SQM30010EL_GE3 VISHAY 2786216.pdf Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIS415DNT-T1-GE3 SIS415DNT-T1-GE3 VISHAY sis415dnt.pdf Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924878-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 93 шт
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SIHG075N65E-GE3 SIHG075N65E-GE3 VISHAY sihg075n65e.pdf Description: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHB075N65E-GE3 SIHB075N65E-GE3 VISHAY sihb075n65e.pdf Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IHLE4040DDEW6R8M5A IHLE4040DDEW6R8M5A VISHAY VISH-S-A0024445233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.89mm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IHLE4040DDEW6R8M5A IHLE4040DDEW6R8M5A VISHAY VISH-S-A0024445233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.89mm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VJ1812Y102KBGTW1HV VJ1812Y102KBGTW1HV VISHAY vjw1hvmlcccommseries.pdf Description: VISHAY - VJ1812Y102KBGTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 1 kV, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Produktbreite: 3.2mm
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VJ1812Y102KBLTW1HV VJ1812Y102KBLTW1HV VISHAY vjw1hvmlcccommseries.pdf Description: VISHAY - VJ1812Y102KBLTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 630 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 630V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Produktbreite: 3.2mm
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VJ1812Y102KBETW1HV VJ1812Y102KBETW1HV VISHAY doc?28580 Description: VISHAY - VJ1812Y102KBETW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 500 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 500V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Produktbreite: 3.2mm
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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293D156X9016B2TE3 293D156X9016B2TE3 VISHAY VISH-S-A0025250064-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 293D156X9016B2TE3 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 16 V, 1411 [Metrisch 3528], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1411 [Metrisch 3528]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2ohm
Produktlänge: 3.5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: 210mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 293D Series
Hersteller-Größencode: B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 2.8mm
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRS25000C8259FCT00 MRS25000C8259FCT00 VISHAY VISH-S-A0002281164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MRS25000C8259FCT00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 82.5 ohm, MRS25 Series, 600 mW, ± 1%, Axial bedrahtet, 350 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 600mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 82.5ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MRS25 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3 SQJQ144AE-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0014753810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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DG447DV-T1-E3 DG447DV-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0016250072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - DG447DV-T1-E3 - SCHALTER, LOW POWER, HIGH V, SPST,447
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 4.5V bis ± 20V
Einschaltwiderstand, max.: 45ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 17ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST - NC
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 45ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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ES1PC-M3/84A ES1PC-M3/84A VISHAY VISH-S-A0014899863-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - ES1PC-M3/84A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1PC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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WSL27261L000FEA 4397281.pdf
WSL27261L000FEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSL27261L000FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.001 ohm, WSL Series, 2726 [Metrisch 6966], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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WSL27261L000FEA 4397281.pdf
WSL27261L000FEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSL27261L000FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.001 ohm, WSL Series, 2726 [Metrisch 6966], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.1055mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2726 [Metrisch 6966]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.001ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 6.9mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 6.6mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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WSL2512R5000DEA VISH-S-A0019274861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WSL2512R5000DEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSL2512R5000DEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.5 ohm, WSL Series, 2512 [Metrisch 6432], 1 W, ± 0.5%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
isCanonical: Y
Widerstand: 0.5ohm
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 0.5%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: WSL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SIR588DP-T1-RE3 VISH-S-A0024174149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR588DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 59.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR586DP-T1-RE3 VISH-S-A0024174148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR586DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR586DP-T1-RE3 VISH-S-A0024174148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR586DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIDR570EP-T1-RE3 VISH-S-A0019271721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIDR570EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 7900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 5334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIDR610EP-T1-RE3 VISH-S-A0019267796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIDR610EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIDR610EP-T1-RE3 VISH-S-A0019267796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIDR610EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIDR570EP-T1-RE3 VISH-S-A0019271721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIDR570EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 7900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 5334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CRCW060315K0FKEAC crcwce3.pdf
CRCW060315K0FKEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 15kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
на замовлення 65137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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CRCW060315K0FKEAC crcwce3.pdf
CRCW060315K0FKEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: N
Widerstand: 15kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
на замовлення 65137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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SI2328DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2328DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL212518471E3 VISH-S-A0020212764-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MAL212518471E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MAL212518471E3 - Elektrolytkondensator, 470 µF, 63 V, ± 20%, Axial bedrahtet, 10000 Stunden bei 105°C, Polarisiert
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Axial bedrahtet
Polarität: Polarisiert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Lebensdauer bei Temperatur: 10000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.226ohm
Produktlänge: 30mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 470µF
Spannung (DC): 63V
Rippelstrom: 660mA
Produktpalette: 125 ALS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: 12.5mm
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Produktbreite: -
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IHLP2020CZER3R3M8A VISH-S-A0025625133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHLP2020CZER3R3M8A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP2020CZER3R3M8A - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 5.3 A, Geschirmt, 5.5 A, IHLP-2020CZ-8A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.047ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 5.49mm x 5.18mm x 3mm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 5.3A
Sättigungsstrom (Isat): 5.5A
Produktlänge: 5.49mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IHLP-2020CZ-8A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 5.18mm
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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PTF565K0000BZEK 4397265.pdf
PTF565K0000BZEK
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PTF565K0000BZEK - Widerstand für Durchsteckmontage, 5 kohm, PTF Series, 125 mW, ± 0.1%, Axial bedrahtet, 300 V
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Genauigkeit, hohe Stabilität
isCanonical: Y
Widerstand: 5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 5ppm/°C
Produktlänge: 7.62mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produktpalette: PTF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 300V
Produktdurchmesser: 2.31mm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: -
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SISA12BDN-T1-GE3 sisa10bdn.pdf
SISA12BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SISS30DN-T1-GE3 2786201.pdf
SISS30DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
SI7212DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
SI7212DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SISA12BDN-T1-GE3 sisa10bdn.pdf
SISA12BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIS888DN-T1-GE3 3672820.pdf
SIS888DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SISA18BDN-T1-GE3 VISH-S-A0018324943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISA18BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SSA34-E3/61T VISH-S-A0010476739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SSA34-E3/61T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SSA34-E3/61T - Schottky-Gleichrichterdiode, Baureihe SS, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 490 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 75A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 490mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SSA34
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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RCS0603220RFKEA 4632263.pdf
RCS0603220RFKEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
isCanonical: N
Widerstand: 220ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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RCS0603220RFKEA 4632263.pdf
RCS0603220RFKEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
isCanonical: Y
Widerstand: 220ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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VOIH063AT 4000021.pdf
VOIH063AT
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VOIH063AT 4000021.pdf
VOIH063AT
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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PEP0402Y1002WNTA VISH-S-A0017726495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PEP0402Y1002WNTA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PEP0402Y1002WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
isCanonical: N
Widerstand: 10kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.05%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 1mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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PEP0402Y1502WNTA 3669926.pdf
PEP0402Y1502WNTA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PEP0402Y1502WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.05%
Temperaturkoeffizient: 10ppm/C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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CRCW0402464KFKED VISH-S-A0025774688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CRCW0402464KFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0402464KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 464 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 464kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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A104M15X7RF5UAA 4461482.pdf
A104M15X7RF5UAA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - A104M15X7RF5UAA - Keramikvielschichtkondensator, 0.1 µF, 50 V, ± 20%, Axial bedrahtet, X7R
tariffCode: 85322400
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.8mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 2.6mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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SQJ140ELP-T1_GE3 VISH-S-A0018693758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ140ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 20555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IFDC5050JZER1R8N 4420466.pdf
IFDC5050JZER1R8N
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IFDC5050JZER1R8N - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 10.2 A, Geschirmt, IFDC5050JZ Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 10mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 30%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 8000µohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 10.2A
Sättigungsstrom (Isat): -
Produktlänge: 12.5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IFDC5050JZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 12.5mm
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IFSC2020DZER1R8M01 4420455.pdf
IFSC2020DZER1R8M01
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IFSC2020DZER1R8M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 4.3 A, Geschirmt, 6.4 A, IFSC2020DZ-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.021ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 4.3A
Sättigungsstrom (Isat): 6.4A
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFSC2020DZ-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VDMG10C0 VISH-S-A0001108912-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VDMG10C0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VDMG10C0 - 7-Segment-LED-Anzeige, Grün, 20 mA, 2 V, 4.4 mcd, 1, 10 mm
tariffCode: 85312020
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemeinsame Verbindung: Gemeinsame Kathode
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If: 20mA
Lichtstärke: 4.4mcd
Zeichengröße: 10mm
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 2V
LED-Farbe: Grün
Produktpalette: VDM.10.0
productTraceability: No
Anzahl der Ziffern / Zeichen: 1
SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (07-Nov-2024)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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CRCW2010301RFKEF 2111203.pdf
CRCW2010301RFKEF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW2010301RFKEF - RES, THICK FILM, 301R, 1%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 673 шт
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RCS0402301RFKED 2848043.pdf
RCS0402301RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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RCS0402301RFKED 2848043.pdf
RCS0402301RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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SQA470CEJW-T1_GE3 sqa470cejw.pdf
SQA470CEJW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SI4459ADY-T1-GE3 VISH-S-A0002474623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 8106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIA817EDJ-T1-GE3 sia817edj.pdf
SIA817EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SQA470CEJW-T1_GE3 sqa470cejw.pdf
SQA470CEJW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIZF5300DT-T1-GE3 3747846.pdf
SIZF5300DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIZF5300DT-T1-GE3 3747846.pdf
SIZF5300DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SQM30010EL_GE3 2786216.pdf
SQM30010EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIS415DNT-T1-GE3 sis415dnt.pdf
SIS415DNT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SISH410DN-T1-GE3 VISH-S-A0010924878-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISH410DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 93 шт
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SIHG075N65E-GE3 sihg075n65e.pdf
SIHG075N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHB075N65E-GE3 sihb075n65e.pdf
SIHB075N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IHLE4040DDEW6R8M5A VISH-S-A0024445233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHLE4040DDEW6R8M5A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.89mm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IHLE4040DDEW6R8M5A VISH-S-A0024445233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHLE4040DDEW6R8M5A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.89mm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VJ1812Y102KBGTW1HV vjw1hvmlcccommseries.pdf
VJ1812Y102KBGTW1HV
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBGTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 1 kV, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Produktbreite: 3.2mm
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VJ1812Y102KBLTW1HV vjw1hvmlcccommseries.pdf
VJ1812Y102KBLTW1HV
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBLTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 630 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 630V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Produktbreite: 3.2mm
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1812Y102KBETW1HV doc?28580
VJ1812Y102KBETW1HV
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBETW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 500 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 500V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Produktbreite: 3.2mm
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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293D156X9016B2TE3 VISH-S-A0025250064-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
293D156X9016B2TE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 293D156X9016B2TE3 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 16 V, 1411 [Metrisch 3528], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1411 [Metrisch 3528]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2ohm
Produktlänge: 3.5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: 210mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 293D Series
Hersteller-Größencode: B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 2.8mm
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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MRS25000C8259FCT00 VISH-S-A0002281164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MRS25000C8259FCT00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MRS25000C8259FCT00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 82.5 ohm, MRS25 Series, 600 mW, ± 1%, Axial bedrahtet, 350 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 600mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 82.5ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MRS25 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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SQJQ144AE-T1_GE3 VISH-S-A0014753810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJQ144AE-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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DG447DV-T1-E3 VISH-S-A0016250072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DG447DV-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG447DV-T1-E3 - SCHALTER, LOW POWER, HIGH V, SPST,447
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 4.5V bis ± 20V
Einschaltwiderstand, max.: 45ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 17ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST - NC
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 45ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ES1PC-M3/84A VISH-S-A0014899863-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ES1PC-M3/84A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - ES1PC-M3/84A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1PC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.