Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (265864) > Сторінка 4074 з 4432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 443 886 1329 1772 2215 2658 3101 3544 3987 4069 4070 4071 4072 4073 4074 4075 4076 4077 4078 4079 4430 4432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GRC00JE1021H00L GRC00JE1021H00L VISHAY GRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; Pitch: 7.5mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Terminal pitch: 7.5mm
Dimensions: 16x20mm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.11 грн
11+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL215031102E3 MAL215031102E3 VISHAY 150rmi.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; Ø16x25mm; Pitch: 7.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Body dimensions: Ø16x25mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Height: 25mm
Diameter: 16mm
Terminal pitch: 7.5mm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.18 грн
5+132.35 грн
10+121.32 грн
25+113.69 грн
50+108.60 грн
100+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZRC00JG1021H00L ZRC00JG1021H00L VISHAY ZRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; ±20%; 10000h; 16x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -55...105°C
Dimensions: 16x25mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3 VISHAY si7852dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 16.5mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS26S-E3/5AT SS26S-E3/5AT VISHAY ss26s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 2A; 13 inch reel
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 7500pcs.
Max. forward voltage: 0.62V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 2A
Kind of package: 13 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10mA
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS26S-E3/61T SS26S-E3/61T VISHAY ss26s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 1800pcs.
Max. forward voltage: 0.62V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10mA
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.67 грн
26+16.88 грн
31+14.08 грн
50+12.30 грн
100+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY IRF840AL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+190.96 грн
10+109.44 грн
50+96.72 грн
100+89.93 грн
250+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.52 грн
5+144.23 грн
10+128.11 грн
50+98.41 грн
100+89.93 грн
250+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF VISHAY irf840as_IRF840al.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.56 грн
10+140.83 грн
25+115.38 грн
50+96.72 грн
100+82.29 грн
250+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.17 грн
10+75.51 грн
50+67.02 грн
100+65.33 грн
250+61.93 грн
500+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBF IRF840STRLPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05-E3-08 BAS40-05-E3-08 VISHAY BAS40-00_to_BAS40-06_Rev2.2_2-13-18.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Features of semiconductor devices: small signal
Reverse recovery time: 5ns
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.88 грн
57+7.55 грн
100+4.31 грн
500+3.13 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27CA-E3/54 1.5KE27CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 27.05V
Max. forward impulse current: 40A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.67 грн
100+20.87 грн
500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822-E3/54 1N5822-E3/54 VISHAY 1n5820-22.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.525V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer standard package: 1400pcs.
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.84 грн
25+17.31 грн
100+15.87 грн
500+14.17 грн
1000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TAP BYV26C-TAP VISHAY byv26.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; SOD57; Ammo Pack; 30ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.96 грн
12+36.31 грн
100+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR BYV26C-TR VISHAY byv26.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; SOD57; 10 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Kind of package: 10 inch reel
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Manufacturer standard package: 5000pcs.
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.32 грн
18+24.60 грн
25+23.59 грн
100+22.31 грн
250+21.38 грн
500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE400A-E3/54 1.5KE400A-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 400V; 2.7A; unidirectional; DO201; TransZorb®
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 2.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.56 грн
10+42.42 грн
100+37.58 грн
250+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.42 грн
10+90.78 грн
50+80.60 грн
100+73.81 грн
250+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.66 грн
5+143.38 грн
10+121.32 грн
25+97.57 грн
50+86.54 грн
100+78.05 грн
250+72.96 грн
1000+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.31 грн
10+124.71 грн
25+101.81 грн
50+89.93 грн
100+79.75 грн
250+71.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY IRF740PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.75 грн
10+92.48 грн
40+79.75 грн
50+78.05 грн
100+71.27 грн
250+63.63 грн
500+59.39 грн
1000+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+246.69 грн
10+158.65 грн
25+134.05 грн
50+117.93 грн
100+106.90 грн
150+100.96 грн
250+95.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18CA-E3/54 1.5KE18CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.70 грн
9+49.21 грн
11+40.64 грн
25+30.71 грн
50+26.13 грн
100+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180CA-E3/54 1.5KE180CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 6.1A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 6.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.65 грн
10+43.01 грн
100+29.86 грн
500+24.69 грн
1000+22.91 грн
1400+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54 1.5KE18A-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.37 грн
14+31.82 грн
50+30.03 грн
100+28.93 грн
250+27.74 грн
500+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE200A-E3/54 P6KE200A-E3/54 VISHAY p6ke.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; DO15,DO204AC; P6KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Breakdown voltage: 200V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15; DO204AC
Mounting: THT
Manufacturer series: P6KE
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 2.2A
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. off-state voltage: 171V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/54 1N5817-E3/54 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+21.01 грн
26+16.80 грн
29+15.10 грн
100+10.52 грн
250+8.65 грн
500+7.64 грн
1000+6.79 грн
2000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1N5817-E3/73 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.27 грн
36+11.88 грн
100+9.50 грн
500+7.97 грн
1000+7.21 грн
3000+6.11 грн
6000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/54 1N5819-E3/54 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 25A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: 13 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.67 грн
23+18.50 грн
27+15.95 грн
100+10.18 грн
500+7.64 грн
1000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/73 1N5819-E3/73 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 25A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: Ammo Pack
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.19 грн
33+13.15 грн
100+9.08 грн
500+7.21 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-E3-08BAV99-E3-08
BAV99-E3-08BAV99-E3-08
 BAV99-E3-08 VISHAY bav99.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.70 грн
63+6.79 грн
112+3.82 грн
500+2.81 грн
1000+2.43 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-HE3-08 BAV99-HE3-08 VISHAY bav99.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/54 1N4007GP-E3/54 VISHAY 1n4001gp.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
Manufacturer standard package: 5500pcs.
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.93 грн
50+17.05 грн
100+15.44 грн
250+12.98 грн
500+10.86 грн
1000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
357B0102MXB251S22 357B0102MXB251S22 VISHAY 357.pdf Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 1kΩ; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 1W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 6.35mm
Track material: plastic
Mechanical durability: 10000000 cycles
L shaft length: 22mm
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
Potentiometer features: without limiters
Shaft surface: smooth
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
Manufacturer series: 357
Linearity tolerance: ±2%
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2775.71 грн
3+2247.41 грн
10+2048.89 грн
25+1943.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
357B2102MAB251S22 357B2102MAB251S22 VISHAY 357.pdf Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 1kΩ; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 1W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 6.35mm
Track material: plastic
Electrical rotation angle: 340°
Mechanical durability: 10000000 cycles
L shaft length: 22mm
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
Shaft surface: smooth
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
Manufacturer series: 357
Linearity tolerance: ±2%
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2632.26 грн
3+2156.64 грн
10+2115.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100KXAAC VJ1206A100KXAAC VISHAY vjcommercialseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10pF; 50V; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 10pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±10%
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+7.31 грн
100+6.87 грн
500+6.05 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS08 BAS85-GS08 VISHAY bas85.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.24V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Max. load current: 0.3A
Kind of package: 7 inch reel
на замовлення 98096 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.24 грн
25+16.97 грн
100+10.45 грн
500+7.50 грн
1000+6.52 грн
2500+5.40 грн
5000+4.72 грн
7500+4.35 грн
12500+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS18 BAS85-GS18 VISHAY bas85.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Power dissipation: 0.2W
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.14 грн
77+5.51 грн
100+4.34 грн
500+3.51 грн
1000+3.19 грн
2500+3.04 грн
5000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTCLE100E3472JB0 NTCLE100E3472JB0 VISHAY ntcle100.pdf Category: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 4.7kΩ; THT; 3977K; -40÷125°C; 500mW
Resistance: 4.7kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Material constant B: 3977K
Type of sensor: NTC thermistor
на замовлення 6734 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.15 грн
18+24.60 грн
19+22.65 грн
25+20.02 грн
50+18.24 грн
100+16.80 грн
200+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE47CA-E3/54 1.5KE47CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47.05V; 23.1A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40.2V
Breakdown voltage: 47.05V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 801 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.34 грн
12+36.14 грн
50+32.07 грн
100+30.46 грн
250+28.85 грн
500+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 SIHA25N50E-GE3 VISHAY siha25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB25N50E-GE3 SIHB25N50E-GE3 VISHAY sihb25n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 VISHAY sihg25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 VISHAY tf-sihp25n50e-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100-E3/4W MBR10100-E3/4W VISHAY MBR10100-E3-4W.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10A; TO220AC; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Manufacturer standard package: 50pcs.
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.17 грн
10+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-TAP BZX85C12-TAP VISHAY BZX85C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; DO41; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 12V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 9262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+20.10 грн
52+8.31 грн
65+6.53 грн
100+4.75 грн
500+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C5V1-TAP BZX85C5V1-TAP VISHAY BZX85C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 5.1V; DO41; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 7306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.76 грн
50+8.65 грн
56+7.64 грн
100+6.71 грн
500+5.29 грн
1000+4.82 грн
2500+4.35 грн
5000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY IRF540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.28 грн
10+72.96 грн
50+71.27 грн
100+66.18 грн
250+61.93 грн
500+55.99 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF IRF540SPBF VISHAY irf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.37 грн
10+77.20 грн
50+63.63 грн
100+59.39 грн
250+56.84 грн
500+51.75 грн
1000+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400 TLLR4400 VISHAY TLLx440x-DTE.pdf Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Type of diode: LED
LED colour: red
Luminosity: 0.63...1.2mcd
Viewing angle: 50°
Wavelength: 612...625nm
LED current: 2mA
Mounting: THT
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
LED diameter: 3mm
LED lens: diffused; red
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Number of terminals: 2
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.98 грн
18+24.43 грн
21+20.87 грн
27+16.29 грн
50+13.66 грн
100+11.79 грн
250+10.35 грн
500+9.84 грн
1000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400-AS12Z TLLR4400-AS12Z VISHAY TLLR4400-AS12Z.pdf Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 25°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Type of diode: LED
LED colour: red
Luminosity: 0.63...1.2mcd
Viewing angle: 25°
Wavelength: 612...625nm
LED current: 2mA
Mounting: THT
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
LED diameter: 3mm
LED lens: diffused; red
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Number of terminals: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4401 TLLR4401 VISHAY TLLx440x-DTE.pdf Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 1÷2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC; No.of term: 2
Type of diode: LED
LED colour: red
Luminosity: 1...2mcd
Viewing angle: 50°
Wavelength: 612...625nm
LED current: 2mA
Mounting: THT
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
LED diameter: 3mm
LED lens: diffused; red
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Number of terminals: 2
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.41 грн
22+19.94 грн
25+17.82 грн
50+16.29 грн
100+14.93 грн
250+13.24 грн
500+12.05 грн
1000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C8V2-TAP BZX55C8V2-TAP VISHAY BZX55C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; DO35; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 20879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.48 грн
136+3.14 грн
179+2.38 грн
250+2.02 грн
500+1.76 грн
1000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206G107MXYTW1BC VJ1206G107MXYTW1BC VISHAY vjw1bcbascomseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100uF; 6.3V; X5R; ±20%; SMD; 1206
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 100µF
Tolerance: ±20%
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...85°C
Operating voltage: 6.3V
Dielectric: X5R
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/61T B340A-E3/61T VISHAY b330la.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
Max. forward voltage: 0.55V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 65A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS12-E3/61T SS12-E3/61T VISHAY SS14-E3_61T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 20V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.31 грн
84+5.09 грн
93+4.58 грн
106+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ24A-E3/52 SMBJ24A-E3/52 VISHAY smbjA-CA_ser.pdf description Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 26.7÷29.5V; 15.4A; unidirectional; ±5%; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7...29.5V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Tolerance: ±5%
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 7633 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.32 грн
29+14.93 грн
31+13.83 грн
100+10.01 грн
250+8.40 грн
500+7.47 грн
750+7.04 грн
1500+6.36 грн
2250+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00JE1021H00L GRC.pdf
GRC00JE1021H00L
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; Pitch: 7.5mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Terminal pitch: 7.5mm
Dimensions: 16x20mm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.11 грн
11+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL215031102E3 150rmi.pdf
MAL215031102E3
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; Ø16x25mm; Pitch: 7.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Body dimensions: Ø16x25mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Height: 25mm
Diameter: 16mm
Terminal pitch: 7.5mm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+199.18 грн
5+132.35 грн
10+121.32 грн
25+113.69 грн
50+108.60 грн
100+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZRC00JG1021H00L ZRC.pdf
ZRC00JG1021H00L
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; ±20%; 10000h; 16x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -55...105°C
Dimensions: 16x25mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3 si7852dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 16.5mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS26S-E3/5AT ss26s.pdf
SS26S-E3/5AT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 2A; 13 inch reel
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 7500pcs.
Max. forward voltage: 0.62V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 2A
Kind of package: 13 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10mA
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS26S-E3/61T ss26s.pdf
SS26S-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 1800pcs.
Max. forward voltage: 0.62V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10mA
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.67 грн
26+16.88 грн
31+14.08 грн
50+12.30 грн
100+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840AL.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+190.96 грн
10+109.44 грн
50+96.72 грн
100+89.93 грн
250+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+195.52 грн
5+144.23 грн
10+128.11 грн
50+98.41 грн
100+89.93 грн
250+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF irf840as_IRF840al.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+184.56 грн
10+140.83 грн
25+115.38 грн
50+96.72 грн
100+82.29 грн
250+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.17 грн
10+75.51 грн
50+67.02 грн
100+65.33 грн
250+61.93 грн
500+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05-E3-08 BAS40-00_to_BAS40-06_Rev2.2_2-13-18.pdf
BAS40-05-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Features of semiconductor devices: small signal
Reverse recovery time: 5ns
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.88 грн
57+7.55 грн
100+4.31 грн
500+3.13 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE27CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 27.05V
Max. forward impulse current: 40A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.67 грн
100+20.87 грн
500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822-E3/54 1n5820-22.pdf
1N5822-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.525V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer standard package: 1400pcs.
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.84 грн
25+17.31 грн
100+15.87 грн
500+14.17 грн
1000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TAP byv26.pdf
BYV26C-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; SOD57; Ammo Pack; 30ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.96 грн
12+36.31 грн
100+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR description byv26.pdf
BYV26C-TR
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; SOD57; 10 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Kind of package: 10 inch reel
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Manufacturer standard package: 5000pcs.
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.32 грн
18+24.60 грн
25+23.59 грн
100+22.31 грн
250+21.38 грн
500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE400A-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE400A-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 400V; 2.7A; unidirectional; DO201; TransZorb®
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 2.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.56 грн
10+42.42 грн
100+37.58 грн
250+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.42 грн
10+90.78 грн
50+80.60 грн
100+73.81 грн
250+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+204.66 грн
5+143.38 грн
10+121.32 грн
25+97.57 грн
50+86.54 грн
100+78.05 грн
250+72.96 грн
1000+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.31 грн
10+124.71 грн
25+101.81 грн
50+89.93 грн
100+79.75 грн
250+71.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF.pdf
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+150.75 грн
10+92.48 грн
40+79.75 грн
50+78.05 грн
100+71.27 грн
250+63.63 грн
500+59.39 грн
1000+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF.pdf
IRF740SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.69 грн
10+158.65 грн
25+134.05 грн
50+117.93 грн
100+106.90 грн
150+100.96 грн
250+95.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740SPBF.pdf
IRF740STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE18CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.70 грн
9+49.21 грн
11+40.64 грн
25+30.71 грн
50+26.13 грн
100+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE180CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 6.1A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 6.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+56.65 грн
10+43.01 грн
100+29.86 грн
500+24.69 грн
1000+22.91 грн
1400+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE18A-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.37 грн
14+31.82 грн
50+30.03 грн
100+28.93 грн
250+27.74 грн
500+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE200A-E3/54 p6ke.pdf
P6KE200A-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; DO15,DO204AC; P6KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Breakdown voltage: 200V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15; DO204AC
Mounting: THT
Manufacturer series: P6KE
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 2.2A
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. off-state voltage: 171V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/54 1n5817-19.pdf
1N5817-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+21.01 грн
26+16.80 грн
29+15.10 грн
100+10.52 грн
250+8.65 грн
500+7.64 грн
1000+6.79 грн
2000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1n5817-19.pdf
1N5817-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.27 грн
36+11.88 грн
100+9.50 грн
500+7.97 грн
1000+7.21 грн
3000+6.11 грн
6000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/54 1n5817-19.pdf
1N5819-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 25A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: 13 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.67 грн
23+18.50 грн
27+15.95 грн
100+10.18 грн
500+7.64 грн
1000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/73 1n5817-19.pdf
1N5819-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 25A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: Ammo Pack
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+19.19 грн
33+13.15 грн
100+9.08 грн
500+7.21 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-E3-08 bav99.pdf
BAV99-E3-08BAV99-E3-08
BAV99-E3-08BAV99-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.70 грн
63+6.79 грн
112+3.82 грн
500+2.81 грн
1000+2.43 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-HE3-08 bav99.pdf
BAV99-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/54 1n4001gp.pdf
1N4007GP-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
Manufacturer standard package: 5500pcs.
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.93 грн
50+17.05 грн
100+15.44 грн
250+12.98 грн
500+10.86 грн
1000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
357B0102MXB251S22 357.pdf
357B0102MXB251S22
Виробник: VISHAY
Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 1kΩ; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 1W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 6.35mm
Track material: plastic
Mechanical durability: 10000000 cycles
L shaft length: 22mm
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
Potentiometer features: without limiters
Shaft surface: smooth
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
Manufacturer series: 357
Linearity tolerance: ±2%
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2775.71 грн
3+2247.41 грн
10+2048.89 грн
25+1943.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
357B2102MAB251S22 357.pdf
357B2102MAB251S22
Виробник: VISHAY
Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 1kΩ; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 1W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 6.35mm
Track material: plastic
Electrical rotation angle: 340°
Mechanical durability: 10000000 cycles
L shaft length: 22mm
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
Shaft surface: smooth
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
Manufacturer series: 357
Linearity tolerance: ±2%
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2632.26 грн
3+2156.64 грн
10+2115.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100KXAAC vjcommercialseries.pdf
VJ1206A100KXAAC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10pF; 50V; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 10pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±10%
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+7.31 грн
100+6.87 грн
500+6.05 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS08 bas85.pdf
BAS85-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.24V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Max. load current: 0.3A
Kind of package: 7 inch reel
на замовлення 98096 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.24 грн
25+16.97 грн
100+10.45 грн
500+7.50 грн
1000+6.52 грн
2500+5.40 грн
5000+4.72 грн
7500+4.35 грн
12500+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS18 bas85.pdf
BAS85-GS18
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Power dissipation: 0.2W
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.14 грн
77+5.51 грн
100+4.34 грн
500+3.51 грн
1000+3.19 грн
2500+3.04 грн
5000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTCLE100E3472JB0 ntcle100.pdf
NTCLE100E3472JB0
Виробник: VISHAY
Category: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 4.7kΩ; THT; 3977K; -40÷125°C; 500mW
Resistance: 4.7kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Material constant B: 3977K
Type of sensor: NTC thermistor
на замовлення 6734 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.15 грн
18+24.60 грн
19+22.65 грн
25+20.02 грн
50+18.24 грн
100+16.80 грн
200+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE47CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE47CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47.05V; 23.1A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40.2V
Breakdown voltage: 47.05V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 801 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.34 грн
12+36.14 грн
50+32.07 грн
100+30.46 грн
250+28.85 грн
500+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 siha25n50e.pdf
SIHA25N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB25N50E-GE3 sihb25n50e.pdf
SIHB25N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 sihg25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 tf-sihp25n50e-ge3.pdf
SIHP25N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100-E3/4W MBR10100-E3-4W.pdf
MBR10100-E3/4W
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10A; TO220AC; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Manufacturer standard package: 50pcs.
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.17 грн
10+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-TAP BZX85C10-TAP.pdf
BZX85C12-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; DO41; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 12V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 9262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+20.10 грн
52+8.31 грн
65+6.53 грн
100+4.75 грн
500+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C5V1-TAP BZX85C10-TAP.pdf
BZX85C5V1-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 5.1V; DO41; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 7306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.76 грн
50+8.65 грн
56+7.64 грн
100+6.71 грн
500+5.29 грн
1000+4.82 грн
2500+4.35 грн
5000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF.pdf
IRF540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.28 грн
10+72.96 грн
50+71.27 грн
100+66.18 грн
250+61.93 грн
500+55.99 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF irf540s.pdf
IRF540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+165.37 грн
10+77.20 грн
50+63.63 грн
100+59.39 грн
250+56.84 грн
500+51.75 грн
1000+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400 TLLx440x-DTE.pdf
TLLR4400
Виробник: VISHAY
Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Type of diode: LED
LED colour: red
Luminosity: 0.63...1.2mcd
Viewing angle: 50°
Wavelength: 612...625nm
LED current: 2mA
Mounting: THT
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
LED diameter: 3mm
LED lens: diffused; red
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Number of terminals: 2
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.98 грн
18+24.43 грн
21+20.87 грн
27+16.29 грн
50+13.66 грн
100+11.79 грн
250+10.35 грн
500+9.84 грн
1000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400-AS12Z TLLR4400-AS12Z.pdf
TLLR4400-AS12Z
Виробник: VISHAY
Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 25°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Type of diode: LED
LED colour: red
Luminosity: 0.63...1.2mcd
Viewing angle: 25°
Wavelength: 612...625nm
LED current: 2mA
Mounting: THT
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
LED diameter: 3mm
LED lens: diffused; red
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Number of terminals: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4401 TLLx440x-DTE.pdf
TLLR4401
Виробник: VISHAY
Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 1÷2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC; No.of term: 2
Type of diode: LED
LED colour: red
Luminosity: 1...2mcd
Viewing angle: 50°
Wavelength: 612...625nm
LED current: 2mA
Mounting: THT
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
LED diameter: 3mm
LED lens: diffused; red
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Number of terminals: 2
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.41 грн
22+19.94 грн
25+17.82 грн
50+16.29 грн
100+14.93 грн
250+13.24 грн
500+12.05 грн
1000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C8V2-TAP BZX55C10-TAP.pdf
BZX55C8V2-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; DO35; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 20879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+5.48 грн
136+3.14 грн
179+2.38 грн
250+2.02 грн
500+1.76 грн
1000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206G107MXYTW1BC vjw1bcbascomseries.pdf
VJ1206G107MXYTW1BC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100uF; 6.3V; X5R; ±20%; SMD; 1206
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 100µF
Tolerance: ±20%
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...85°C
Operating voltage: 6.3V
Dielectric: X5R
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/61T b330la.pdf
B340A-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
Max. forward voltage: 0.55V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 65A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS12-E3/61T SS14-E3_61T.pdf
SS12-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 20V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.31 грн
84+5.09 грн
93+4.58 грн
106+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ24A-E3/52 description smbjA-CA_ser.pdf
SMBJ24A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 26.7÷29.5V; 15.4A; unidirectional; ±5%; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7...29.5V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Tolerance: ±5%
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 7633 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.32 грн
29+14.93 грн
31+13.83 грн
100+10.01 грн
250+8.40 грн
500+7.47 грн
750+7.04 грн
1500+6.36 грн
2250+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 443 886 1329 1772 2215 2658 3101 3544 3987 4069 4070 4071 4072 4073 4074 4075 4076 4077 4078 4079 4430 4432  [ Наступна Сторінка >> ]