Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (265864) > Сторінка 4072 з 4432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 443 886 1329 1772 2215 2658 3101 3544 3987 4067 4068 4069 4070 4071 4072 4073 4074 4075 4076 4077 4430 4432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3460DDV-T1-BE3 SI3460DDV-T1-BE3 VISHAY si3460ddv.pdf Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-BE3 SI3440ADV-T1-BE3 VISHAY si3440adv.pdf Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.38 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3 SI3483DDV-T1-BE3 VISHAY si3483ddv.pdf Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-BE3 SI3460DDV-T1-BE3 VISHAY si3460ddv.pdf Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017721526-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
на замовлення 3481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHTH1125KZEB220M5A IHTH1125KZEB220M5A VISHAY VISH-S-A0024710869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IHTH1125KZEB220M5A - Induktivität, radial bedrahtet, Baureihe IHTH-1125KZ-5A, 22µH, 21A, 23A, 6830 µOhm, ± 20%
tariffCode: 85045000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 22µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 6830µohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 21A
Sättigungsstrom (Isat): 23A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IHTH-1125KZ-5A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHLE4040DDEW220M5A IHLE4040DDEW220M5A VISHAY VISH-S-A0024445233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IHLE4040DDEW220M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 22 µH, 5.1 A, Geschirmt, 5.4 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 22µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.07544ohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 5.1A
Sättigungsstrom (Isat): 5.4A
Produktlänge: 10.89mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.89mm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHLE4040DDEW220M5A IHLE4040DDEW220M5A VISHAY VISH-S-A0024445233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IHLE4040DDEW220M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 22 µH, 5.1 A, Geschirmt, 5.4 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 22µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.07544ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: 5.1A
Sättigungsstrom (Isat): 5.4A
Produktlänge: 10.89mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.89mm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHLP2020BZER220M51 IHLP2020BZER220M51 VISHAY 3672101.pdf Description: VISHAY - IHLP2020BZER220M51 - Leistungsinduktivität (SMD), 22 µH, 1.62 A, Geschirmt, 1.5 A, IHLP-2020BZ-51 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 22µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.433ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 5.49mm x 5.18mm x 2mm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 1.62A
Sättigungsstrom (Isat): 1.5A
Produktlänge: 5.49mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLP-2020BZ-51 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 5.18mm
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M39006/22-0631 M39006/22-0631 VISHAY m3900622m3900625.pdf Description: VISHAY - M39006/22-0631 - Tantalkondensator, nass, 22 µF, 100 V, ± 10%, Axial bedrahtet, 2.26 ohm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: R
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: MIL-PRF-39006/22
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2.26ohm
Produktlänge: 28.67mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 22µF
Spannung (DC): 100V
Rippelstrom: 965mA
Produktpalette: M39006 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: 7.92mm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
135D226X9100F6 135D226X9100F6 VISHAY 135d-135j-135l-135p-135s.pdf Description: VISHAY - 135D226X9100F6 - Tantalkondensator, Isolierhülse, 22 µF, 100 V, ± 10%, Axial bedrahtet, 4.8 ohm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: MIL-PRF-39006/22/25
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4.8ohm
Produktlänge: 19.94mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 22µF
Spannung (DC): 100V
Rippelstrom: 965mA
Produktpalette: 135D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: 7.92mm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
M39006/22-0411 M39006/22-0411 VISHAY m3900622m3900625.pdf Description: VISHAY - M39006/22-0411 - Tantalkondensator, nass, 22 µF, 100 V, ± 10%, Axial bedrahtet, 2.26 ohm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: P
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: MIL-PRF-39006/22
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2.26ohm
Produktlänge: 28.67mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 22µF
Spannung (DC): 100V
Rippelstrom: 965mA
Produktpalette: M39006 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: 7.92mm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BY228GP-E3/54 VISHAY by228gp.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; Ifsm: 50A; DO201AD; Ufmax: 1.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 2.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.6V
Reverse recovery time: 20µs
Max. load current: 10A
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 0.2mA
Capacitance: 40pF
Manufacturer standard package: 1400pcs.
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50D-E3 SIHF18N50D-E3 VISHAY sihf18n50d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF VISHAY IRFZ48RPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+243.03 грн
5+178.16 грн
10+156.95 грн
50+117.08 грн
100+105.20 грн
250+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460APBF IRFP460APBF VISHAY irfp460a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+378.26 грн
5+295.24 грн
10+261.31 грн
25+217.19 грн
50+190.04 грн
100+168.83 грн
200+153.56 грн
500+139.99 грн
750+135.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF VISHAY IRFP460LCPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+516.22 грн
5+394.51 грн
10+330.88 грн
25+254.52 грн
50+226.52 грн
100+217.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF IRFP460PBF VISHAY IRFP460PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+416.63 грн
5+330.88 грн
10+299.49 грн
25+264.70 грн
50+245.19 грн
100+232.46 грн
125+228.22 грн
150+225.67 грн
500+214.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.74 грн
10+56.93 грн
50+50.40 грн
100+47.76 грн
250+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY IRF520PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.27 грн
10+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N137-X007T 6N137-X007T VISHAY 6N137-X007T.pdf Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: logic; Uinsul: 5kV; 10Mbps; Uce: 7V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: logic
Insulation voltage: 5kV
Transfer rate: 10Mbps
Collector-emitter voltage: 7V
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 7ns
Output voltage: 7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/5AT SS14-E3/5AT VISHAY ss12.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer standard package: 7500pcs.
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.19 грн
30+14.42 грн
35+12.35 грн
100+9.23 грн
500+6.41 грн
1000+5.83 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/61T SS14-E3/61T VISHAY SS14-E3_61T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 10675 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.24 грн
20+21.55 грн
23+18.50 грн
50+12.51 грн
100+10.49 грн
500+7.04 грн
1000+5.96 грн
1800+5.22 грн
3600+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-M3/61T SS14-M3/61T VISHAY SS12-SS16.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB6S-E3/80 MB6S-E3/80 VISHAY MB6S-E3-80.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 0.5A; Ifsm: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: MBS; TO269AA
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.20 грн
18+24.26 грн
100+17.82 грн
500+14.42 грн
1000+13.15 грн
1300+12.73 грн
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06034K70FKTABC CRCW06034K70FKTABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 4.7kΩ; SMD; 0603; 0.1W; ±1%; CRCW0603; 75V
Type of resistor: thick film
Resistance: 4.7kΩ
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Power: 0.1W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 75V
Operating temperature: -55...155°C
Mounting: SMD
Manufacturer series: CRCW0603
на замовлення 719503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
374+1.22 грн
1502+0.28 грн
5000+0.18 грн
10000+0.16 грн
20000+0.14 грн
50000+0.12 грн
75000+0.11 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE100CA-E3/54 1.5KE100CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 100V; 10.9A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 10.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.46 грн
22+20.19 грн
100+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS24HE3_A/H SS24HE3_A/H VISHAY ss22.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 750pcs.
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HRC00FE1002WTNL HRC00FE1002WTNL VISHAY HRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 10uF; 450VDC; ±20%; 10000h; -25÷105°C
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -25...105°C
Dimensions: 12.5x20mm
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.87 грн
10+43.69 грн
50+31.65 грн
100+26.39 грн
300+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204217109E3 MAL204217109E3 VISHAY 041042043ash.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 10uF; 450VDC; Ø12.5x30mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Body dimensions: Ø12.5x30mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...85°C
Height: 30mm
Diameter: 12.5mm
Leads: axial
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+324.35 грн
5+257.07 грн
10+229.92 грн
20+204.46 грн
60+171.38 грн
100+159.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204272109E3 MAL204272109E3 VISHAY 041042043ash.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 10uF; 450VDC; Ø12.5x30mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Body dimensions: Ø12.5x30mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...105°C
Height: 30mm
Diameter: 12.5mm
Leads: axial
Kind of capacitor: low ESR
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+408.41 грн
5+271.49 грн
10+257.91 грн
25+246.04 грн
50+238.40 грн
100+232.46 грн
200+226.52 грн
400+224.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 VISHAY siss54dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -12...16V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 72nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 148.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKEA CRCW120610K0FKEA VISHAY dcrcwe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷125°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±1%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 28859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.76 грн
177+2.40 грн
292+1.46 грн
500+1.03 грн
1000+0.89 грн
5000+0.62 грн
10000+0.53 грн
15000+0.48 грн
25000+0.43 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKTABC CRCW120610K0FKTABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷155°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±1%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...155°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 206134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
693+0.66 грн
837+0.51 грн
955+0.44 грн
1174+0.36 грн
2000+0.30 грн
4000+0.25 грн
5000+0.24 грн
10000+0.23 грн
50000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNEA CRCW120610K0JNEA VISHAY dcrcwe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷125°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 7749 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
66+6.94 грн
138+3.08 грн
180+2.36 грн
220+1.93 грн
268+1.59 грн
500+1.01 грн
1000+0.84 грн
2500+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNTABC CRCW120610K0JNTABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷155°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...155°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
300+1.94 грн
1000+0.59 грн
5000+0.28 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4001-E3/54 1N4001-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
Manufacturer standard package: 5500pcs.
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.70 грн
46+9.42 грн
52+8.19 грн
100+5.82 грн
250+4.93 грн
500+4.51 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WS-E3-08 BAT54WS-E3-08 VISHAY bat54ws.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Max. load current: 0.3A
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.45 грн
41+10.44 грн
100+6.54 грн
500+4.97 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/54 1N4004-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
Manufacturer standard package: 5500pcs.
на замовлення 12638 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.70 грн
44+9.84 грн
100+7.64 грн
500+6.16 грн
1000+5.47 грн
2000+4.85 грн
5500+4.12 грн
11000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/73 1N4004-E3/73 VISHAY 1n4001.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
на замовлення 25616 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.45 грн
40+10.61 грн
100+7.24 грн
500+5.55 грн
1000+4.96 грн
3000+4.16 грн
6000+3.72 грн
9000+3.48 грн
24000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004GP-E3/54 1N4004GP-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
Manufacturer standard package: 5500pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.55 грн
23+18.66 грн
60+7.13 грн
100+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-E3-08 BAT54A-E3-08 VISHAY bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.14 грн
105+4.07 грн
124+3.44 грн
500+3.23 грн
1000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-HE3-08 BAT54A-HE3-08 VISHAY Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.85 грн
125+3.41 грн
500+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-E3-08 BAT54S-E3-08 VISHAY bat54-vi.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.24V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-HE3-08 BAT54S-HE3-08 VISHAY bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Power dissipation: 0.23W
Application: automotive industry
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY IRFP240PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T63XB103KT20 T63XB103KT20 VISHAY t63.pdf Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: T63XB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 13 ±2
Track material: cermet
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 15 ±5
Torque: 1Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+253.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T63YB103KT20 T63YB103KT20 VISHAY t63.pdf Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: T63YB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 13 ±2
Track material: cermet
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 15 ±5
Torque: 1Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.60 грн
10+176.47 грн
25+162.04 грн
50+152.71 грн
100+143.38 грн
250+136.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93XB103KT20 T93XB103KT20 VISHAY t93.pdf Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: T93XB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 19 ±2
Track material: cermet
Engineering PN: 64Z; 67Z; 3296Z
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 22 ±5
Torque: 1.5Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.81 грн
10+74.66 грн
50+69.57 грн
100+67.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93YB103KT20 T93YB103KT20 VISHAY t93.pdf Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: T93YB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 19 ±2
Track material: cermet
Engineering PN: 64Y; 67Y; 3296Y
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 22 ±5
Torque: 1.5Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.95 грн
5+93.32 грн
10+83.99 грн
25+72.11 грн
30+69.57 грн
50+65.33 грн
100+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT60 VS-36MT60 VISHAY VS-26MT_36MT.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 600V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1146.65 грн
5+973.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 VISHAY sihb12n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET1-GE3 SIHB12N60ET1-GE3 VISHAY doc?91486 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 VISHAY sihf12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 VISHAY sihp12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-BE3 si3460ddv.pdf
SI3460DDV-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-BE3 si3440adv.pdf
SI3440ADV-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.38 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3 si3483ddv.pdf
SI3483DDV-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-BE3 si3460ddv.pdf
SI3460DDV-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 VISH-S-A0017721526-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
на замовлення 3481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHTH1125KZEB220M5A VISH-S-A0024710869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHTH1125KZEB220M5A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHTH1125KZEB220M5A - Induktivität, radial bedrahtet, Baureihe IHTH-1125KZ-5A, 22µH, 21A, 23A, 6830 µOhm, ± 20%
tariffCode: 85045000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 22µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 6830µohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 21A
Sättigungsstrom (Isat): 23A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IHTH-1125KZ-5A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHLE4040DDEW220M5A VISH-S-A0024445233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHLE4040DDEW220M5A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW220M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 22 µH, 5.1 A, Geschirmt, 5.4 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 22µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.07544ohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 5.1A
Sättigungsstrom (Isat): 5.4A
Produktlänge: 10.89mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.89mm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHLE4040DDEW220M5A VISH-S-A0024445233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHLE4040DDEW220M5A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW220M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 22 µH, 5.1 A, Geschirmt, 5.4 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 22µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.07544ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: 5.1A
Sättigungsstrom (Isat): 5.4A
Produktlänge: 10.89mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.89mm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHLP2020BZER220M51 3672101.pdf
IHLP2020BZER220M51
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP2020BZER220M51 - Leistungsinduktivität (SMD), 22 µH, 1.62 A, Geschirmt, 1.5 A, IHLP-2020BZ-51 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 22µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.433ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 5.49mm x 5.18mm x 2mm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 1.62A
Sättigungsstrom (Isat): 1.5A
Produktlänge: 5.49mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLP-2020BZ-51 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 5.18mm
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M39006/22-0631 m3900622m3900625.pdf
M39006/22-0631
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - M39006/22-0631 - Tantalkondensator, nass, 22 µF, 100 V, ± 10%, Axial bedrahtet, 2.26 ohm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: R
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: MIL-PRF-39006/22
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2.26ohm
Produktlänge: 28.67mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 22µF
Spannung (DC): 100V
Rippelstrom: 965mA
Produktpalette: M39006 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: 7.92mm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
135D226X9100F6 135d-135j-135l-135p-135s.pdf
135D226X9100F6
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 135D226X9100F6 - Tantalkondensator, Isolierhülse, 22 µF, 100 V, ± 10%, Axial bedrahtet, 4.8 ohm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: MIL-PRF-39006/22/25
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4.8ohm
Produktlänge: 19.94mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 22µF
Spannung (DC): 100V
Rippelstrom: 965mA
Produktpalette: 135D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: 7.92mm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
M39006/22-0411 m3900622m3900625.pdf
M39006/22-0411
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - M39006/22-0411 - Tantalkondensator, nass, 22 µF, 100 V, ± 10%, Axial bedrahtet, 2.26 ohm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: P
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: MIL-PRF-39006/22
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2.26ohm
Produktlänge: 28.67mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 22µF
Spannung (DC): 100V
Rippelstrom: 965mA
Produktpalette: M39006 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: 7.92mm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BY228GP-E3/54 by228gp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; Ifsm: 50A; DO201AD; Ufmax: 1.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 2.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.6V
Reverse recovery time: 20µs
Max. load current: 10A
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 0.2mA
Capacitance: 40pF
Manufacturer standard package: 1400pcs.
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50D-E3 sihf18n50d.pdf
SIHF18N50D-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF.pdf
IRFZ48RPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+243.03 грн
5+178.16 грн
10+156.95 грн
50+117.08 грн
100+105.20 грн
250+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460APBF irfp460a.pdf
IRFP460APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+378.26 грн
5+295.24 грн
10+261.31 грн
25+217.19 грн
50+190.04 грн
100+168.83 грн
200+153.56 грн
500+139.99 грн
750+135.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF.pdf
IRFP460LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+516.22 грн
5+394.51 грн
10+330.88 грн
25+254.52 грн
50+226.52 грн
100+217.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF IRFP460PBF.pdf
IRFP460PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+416.63 грн
5+330.88 грн
10+299.49 грн
25+264.70 грн
50+245.19 грн
100+232.46 грн
125+228.22 грн
150+225.67 грн
500+214.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF.pdf
IRF510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+129.74 грн
10+56.93 грн
50+50.40 грн
100+47.76 грн
250+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF description IRF520PBF.pdf
IRF520PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.27 грн
10+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N137-X007T 6N137-X007T.pdf
6N137-X007T
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: logic; Uinsul: 5kV; 10Mbps; Uce: 7V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: logic
Insulation voltage: 5kV
Transfer rate: 10Mbps
Collector-emitter voltage: 7V
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 7ns
Output voltage: 7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/5AT ss12.pdf
SS14-E3/5AT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer standard package: 7500pcs.
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+19.19 грн
30+14.42 грн
35+12.35 грн
100+9.23 грн
500+6.41 грн
1000+5.83 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/61T SS14-E3_61T.pdf
SS14-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 10675 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.24 грн
20+21.55 грн
23+18.50 грн
50+12.51 грн
100+10.49 грн
500+7.04 грн
1000+5.96 грн
1800+5.22 грн
3600+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-M3/61T SS12-SS16.pdf
SS14-M3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB6S-E3/80 MB6S-E3-80.pdf
MB6S-E3/80
Виробник: VISHAY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 0.5A; Ifsm: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: MBS; TO269AA
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.20 грн
18+24.26 грн
100+17.82 грн
500+14.42 грн
1000+13.15 грн
1300+12.73 грн
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06034K70FKTABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW06034K70FKTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 4.7kΩ; SMD; 0603; 0.1W; ±1%; CRCW0603; 75V
Type of resistor: thick film
Resistance: 4.7kΩ
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Power: 0.1W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 75V
Operating temperature: -55...155°C
Mounting: SMD
Manufacturer series: CRCW0603
на замовлення 719503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
374+1.22 грн
1502+0.28 грн
5000+0.18 грн
10000+0.16 грн
20000+0.14 грн
50000+0.12 грн
75000+0.11 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE100CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE100CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 100V; 10.9A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 10.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.46 грн
22+20.19 грн
100+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS24HE3_A/H ss22.pdf
SS24HE3_A/H
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 750pcs.
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HRC00FE1002WTNL HRC.pdf
HRC00FE1002WTNL
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 10uF; 450VDC; ±20%; 10000h; -25÷105°C
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -25...105°C
Dimensions: 12.5x20mm
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.87 грн
10+43.69 грн
50+31.65 грн
100+26.39 грн
300+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204217109E3 041042043ash.pdf
MAL204217109E3
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 10uF; 450VDC; Ø12.5x30mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Body dimensions: Ø12.5x30mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...85°C
Height: 30mm
Diameter: 12.5mm
Leads: axial
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+324.35 грн
5+257.07 грн
10+229.92 грн
20+204.46 грн
60+171.38 грн
100+159.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204272109E3 041042043ash.pdf
MAL204272109E3
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 10uF; 450VDC; Ø12.5x30mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Body dimensions: Ø12.5x30mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...105°C
Height: 30mm
Diameter: 12.5mm
Leads: axial
Kind of capacitor: low ESR
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+408.41 грн
5+271.49 грн
10+257.91 грн
25+246.04 грн
50+238.40 грн
100+232.46 грн
200+226.52 грн
400+224.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -12...16V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 72nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 148.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKEA dcrcwe3.pdf
CRCW120610K0FKEA
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷125°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±1%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 28859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+5.76 грн
177+2.40 грн
292+1.46 грн
500+1.03 грн
1000+0.89 грн
5000+0.62 грн
10000+0.53 грн
15000+0.48 грн
25000+0.43 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKTABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW120610K0FKTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷155°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±1%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...155°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 206134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
693+0.66 грн
837+0.51 грн
955+0.44 грн
1174+0.36 грн
2000+0.30 грн
4000+0.25 грн
5000+0.24 грн
10000+0.23 грн
50000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNEA dcrcwe3.pdf
CRCW120610K0JNEA
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷125°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 7749 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+6.94 грн
138+3.08 грн
180+2.36 грн
220+1.93 грн
268+1.59 грн
500+1.01 грн
1000+0.84 грн
2500+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNTABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW120610K0JNTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 10kΩ; SMD; 1206; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷155°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...155°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+1.94 грн
1000+0.59 грн
5000+0.28 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4001-E3/54 1n400x.pdf
1N4001-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
Manufacturer standard package: 5500pcs.
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.70 грн
46+9.42 грн
52+8.19 грн
100+5.82 грн
250+4.93 грн
500+4.51 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WS-E3-08 bat54ws.pdf
BAT54WS-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
Max. load current: 0.3A
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.45 грн
41+10.44 грн
100+6.54 грн
500+4.97 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/54 1n400x.pdf
1N4004-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
Manufacturer standard package: 5500pcs.
на замовлення 12638 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.70 грн
44+9.84 грн
100+7.64 грн
500+6.16 грн
1000+5.47 грн
2000+4.85 грн
5500+4.12 грн
11000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/73 1n4001.pdf
1N4004-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
на замовлення 25616 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.45 грн
40+10.61 грн
100+7.24 грн
500+5.55 грн
1000+4.96 грн
3000+4.16 грн
6000+3.72 грн
9000+3.48 грн
24000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004GP-E3/54 1n400x.pdf
1N4004GP-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
Manufacturer standard package: 5500pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.55 грн
23+18.66 грн
60+7.13 грн
100+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBF IRF640S.pdf
IRF640STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-E3-08 bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf
BAT54A-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.14 грн
105+4.07 грн
124+3.44 грн
500+3.23 грн
1000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-HE3-08
BAT54A-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+5.85 грн
125+3.41 грн
500+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-E3-08 bat54-vi.pdf
BAT54S-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.24V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-HE3-08 bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf
BAT54S-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Power dissipation: 0.23W
Application: automotive industry
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF IRFP240PBF.pdf
IRFP240PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T63XB103KT20 t63.pdf
T63XB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: T63XB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 13 ±2
Track material: cermet
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 15 ±5
Torque: 1Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T63YB103KT20 t63.pdf
T63YB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: T63YB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 13 ±2
Track material: cermet
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 15 ±5
Torque: 1Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.60 грн
10+176.47 грн
25+162.04 грн
50+152.71 грн
100+143.38 грн
250+136.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93XB103KT20 t93.pdf
T93XB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: T93XB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 19 ±2
Track material: cermet
Engineering PN: 64Z; 67Z; 3296Z
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 22 ±5
Torque: 1.5Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+107.81 грн
10+74.66 грн
50+69.57 грн
100+67.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93YB103KT20 t93.pdf
T93YB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; multiturn; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: T93YB
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 19 ±2
Track material: cermet
Engineering PN: 64Y; 67Y; 3296Y
Characteristics: linear
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Kind of potentiometer: multiturn
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Number of mechanical turns: 22 ±5
Torque: 1.5Ncm
Operating voltage: 250V
IP rating: IP67
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+116.95 грн
5+93.32 грн
10+83.99 грн
25+72.11 грн
30+69.57 грн
50+65.33 грн
100+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT60 VS-26MT_36MT.pdf
VS-36MT60
Виробник: VISHAY
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 600V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1146.65 грн
5+973.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 sihb12n60.pdf
SIHB12N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET1-GE3 doc?91486
SIHB12N60ET1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 sihf12n6.pdf
SIHF12N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 443 886 1329 1772 2215 2658 3101 3544 3987 4067 4068 4069 4070 4071 4072 4073 4074 4075 4076 4077 4430 4432  [ Наступна Сторінка >> ]