Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (360454) > Сторінка 5849 з 6008

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 600 1200 1800 2400 3000 3600 4200 4800 5400 5844 5845 5846 5847 5848 5849 5850 5851 5852 5853 5854 6000 6008  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GBU4A-E3/45 GBU4A-E3/45 VISHAY gbu4a.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 4A; Ifsm: 150A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 150A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.86 грн
20+53.30 грн
100+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A-E3/51 GBU4A-E3/51 VISHAY gbu4a.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 4A; Ifsm: 150A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 150A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.50 грн
10+83.65 грн
50+70.52 грн
100+65.60 грн
250+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF VISHAY sihf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF VISHAY sihf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AC03000001007JAC00 AC03000001007JAC00 VISHAY ac_ac-at_ac-ni.pdf Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 100mΩ; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 0.1Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Operating temperature: -50...250°C
Temperature coefficient: 80ppm/°C
Length: 13mm
Leads: axial
Resistor features: non-flammable
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Diameter: 4.8mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.40 грн
13+31.98 грн
50+24.68 грн
100+22.06 грн
200+19.85 грн
500+17.30 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AF2211VARL GSC00AF2211VARL VISHAY GSC.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 220uF; 35VDC; ±20%; -55÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 220µF
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Dimensions: 8x10mm
Manufacturer series: GSC
Nominal life: 2000h
Height: 10mm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1111D100JXRAJ VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94D1D1E64081A0CE&compId=vjhifreqseries.pdf?ci_sign=234717e3b6edbad469f20dccf69f62576d02beab Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10pF; 1.5kV; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1111
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 10pF
Operating voltage: 1.5kV
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 1111
Case - mm: 3028
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C3V0-TAP BZX55C3V0-TAP VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C9DC6FD0F66469&compId=BZX55C10-TAP.pdf?ci_sign=1c457e90db8f9db19431e4453446789e4dc6d20d Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 19616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.18 грн
103+4.02 грн
122+3.36 грн
182+2.26 грн
1000+1.62 грн
5000+1.48 грн
10000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
WSL2512R3300FEA WSL2512R3300FEA VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BDE7373FBE4371BF&compId=wsl.pdf?ci_sign=31a158112628ae78e76ed7d0d814a84fdfe5b05a Category: SMD resistors
Description: Resistor: power metal; sensing; SMD; 2512; 330mΩ; 1W; ±1%; -60÷170°C
Type of resistor: power metal
Kind of resistor: sensing
Mounting: SMD
Case - inch: 2512
Case - mm: 6432
Resistance: 0.33Ω
Power: 1W
Tolerance: ±1%
Operating temperature: -60...170°C
Temperature coefficient: 75ppm/°C
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.85 грн
10+87.75 грн
50+77.91 грн
100+73.81 грн
250+68.88 грн
500+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF VISHAY irf830b.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF VISHAY sihf840.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF VISHAY sihf840l.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBF VISHAY sihf840l.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF VISHAY sihf840s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF VISHAY sihf9530.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRRPBF VISHAY sihf9530.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBF VISHAY tf-irfb13n50apbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5808DN-T1-GE3 VISHAY siss5808dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 66.6A
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 65.7W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C22-TAP BZX85C22-TAP VISHAY BZX85C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 22V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 22V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.36 грн
48+8.69 грн
57+7.30 грн
100+4.31 грн
500+3.21 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.76 грн
10+80.37 грн
25+74.63 грн
50+70.52 грн
100+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRRPBF VISHAY sihf640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZSC00AG6811CARL ZSC00AG6811CARL VISHAY ZSC.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; SMD; 680uF; 16VDC; Ø10x10mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: SMD
Capacitance: 680µF
Operating voltage: 16V DC
Body dimensions: Ø10x10mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Height: 10mm
Diameter: 10mm
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+23.49 грн
100+12.87 грн
500+9.84 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AP4702GARL VISHAY GSC.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 47uF; 400VDC; ±20%; -40÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 47µF
Operating voltage: 400V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: GSC
Height: 21.5mm
Nominal life: 2000h
Dimensions: 18x21.5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW08057K50JNTABC CRCW08057K50JNTABC VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC299F885208FA8&compId=Data%20Sheet%20CRCW_BCe3.pdf?ci_sign=08ed674bf2e2c4c7c988bbfb6d6d30495f8b11a7 Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 0805; 7.5kΩ; 0.125W; ±5%; 150V; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Resistance: 7.5kΩ
Power: 0.125W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 150V
Operating temperature: -55...155°C
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
300+1.89 грн
500+0.88 грн
1000+0.59 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
MRS16000C3300FCT00 MRS16000C3300FCT00 VISHAY mrs16m25.pdf Category: THT Resistors
Description: Resistor: thin film; THT; 330Ω; 400mW; ±1%; 200V; Ø0.5x29mm; L: 3.6mm
Mounting: THT
Power: 0.4W
Operating temperature: -55...155°C
Leads dimensions: Ø0.5x29mm
Diameter: 1.6mm
Body dimensions: Ø1.6x3.6mm
Length: 3.6mm
Tolerance: ±1%
Resistance: 330Ω
Temperature coefficient: 50ppm/°C
Operating voltage: 200V
Type of resistor: thin film
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.13 грн
46+8.92 грн
58+7.15 грн
100+5.17 грн
500+3.40 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBF VISHAY 91045.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBF-BE3 VISHAY 91045.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF VISHAY sihf730a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASTRLPBF VISHAY sihf730a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLPBF VISHAY sihf730s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603A180JXACW1BC VJ0603A180JXACW1BC VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3CA0A4115D58749&compId=vjw1bcbascomseries.pdf?ci_sign=5129a4891ac23440100ea18c8f8081641574be6a Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 18pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 18pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.18 грн
228+1.80 грн
336+1.22 грн
379+1.08 грн
500+0.92 грн
1000+0.80 грн
2000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0402V104ZXJCW2BC VJ0402V104ZXJCW2BC VISHAY 00306xVJW2BC.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 100nF; 16V; Y5V; -20÷80%; SMD; 0402
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 16V
Dielectric: Y5V
Tolerance: -20...80%
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Operating temperature: -25...85°C
Kind of capacitor: MLCC
на замовлення 7562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+0.94 грн
1000+0.45 грн
5000+0.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3 VISHAY si7852dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSOP39438 TSOP39438 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8ACD2A742E9FF6143&compId=TSOP39436.pdf?ci_sign=f10660b5f5c855bf068fb07726f92f5fb97afd4b Category: IR receiver modules
Description: Integrated IR receiver; 38kHz; 2.5÷5.5V; 45°
Type of photoelement: integrated IR receiver
Frequency: 38kHz
Mounting: THT
Supply voltage: 2.5...5.5V
Viewing angle: 45°
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.05 грн
9+48.71 грн
10+46.09 грн
25+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSOP4138 TSOP4138 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0BAF96C32129E27&compId=TSOP4138.pdf?ci_sign=7a03254831903f582a949bd5698a48bc95345eff Category: IR receiver modules
Description: Integrated IR receiver; 38kHz; 2.5÷5.5V; 45°
Type of photoelement: integrated IR receiver
Frequency: 38kHz
Mounting: THT
Supply voltage: 2.5...5.5V
Viewing angle: 45°
Connector variant: straight
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+53.87 грн
12+34.44 грн
13+32.72 грн
25+30.75 грн
50+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSOP4438 TSOP4438 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED884C9820DC80A0A18&compId=TSOP4438.pdf?ci_sign=3322f3cf8b1903174897ca0f14bf4f2d6a424066 Category: IR receiver modules
Description: Integrated IR receiver; 38kHz; 2.5÷5.5V; 45°
Type of photoelement: integrated IR receiver
Frequency: 38kHz
Mounting: THT
Supply voltage: 2.5...5.5V
Viewing angle: 45°
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+76.83 грн
10+46.33 грн
50+37.72 грн
90+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSOP58338 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED884C97E5F41D76A18&compId=TSOP58336.pdf?ci_sign=b4aecd88e119e00a0500410e8be1df59d3ed764b Category: IR receiver modules
Description: Integrated IR receiver; 38kHz; 2.5÷5.5V; 45°
Type of photoelement: integrated IR receiver
Frequency: 38kHz
Mounting: THT
Supply voltage: 2.5...5.5V
Viewing angle: 45°
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSOP6138TT TSOP6138TT VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0BB45F82B073E27&compId=TSOP6138TT.pdf?ci_sign=444e2347833381a899e8ee26ad28b87b0e86f6bf Category: IR receiver modules
Description: Integrated IR receiver; 38kHz; 2.5÷5.5V; 100°
Type of photoelement: integrated IR receiver
Frequency: 38kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.5...5.5V
Viewing angle: 100°
Connector variant: angled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSOP6238TT TSOP6238TT VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0BB490C0DEB1E27&compId=TSOP6238TT.pdf?ci_sign=b8dc249dbf5b67662b4df96ca20dcd25d047e783 Category: IR receiver modules
Description: Integrated IR receiver; 38kHz; 2.5÷5.5V; 100°
Type of photoelement: integrated IR receiver
Frequency: 38kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.5...5.5V
Viewing angle: 100°
Connector variant: angled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PA16NP472MAB15 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDBD9116D482AE80D5&compId=p16-series.pdf?ci_sign=8b114df350ec09dcb670f4c9ff70a4c3e5d03566 Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 4.7kΩ; ±20%; 500mW; linear; 16mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 4.7kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 0.5W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 16mm
Leads: solder lugs
Track material: plastic
Mechanical rotation angle: 300°
Electrical rotation angle: 270°
Operating temperature: -40...85°C
IP rating: IP67
Mechanical durability: 50000 cycles
Temperature coefficient: 500ppm/°C
Body material: plastic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PE30L0FL472KAB PE30L0FL472KAB VISHAY pe30.pdf Category: Cermet single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 4.7kΩ; 3W; ±10%; 6mm; linear
Resistance: 4.7kΩ
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Power: 3W
Mounting: on panel
Operating voltage: 300V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Shaft diameter: 6mm
Thread length: 12mm
Shaft length: 25mm
Electrical rotation angle: 270 ±10°
Mechanical rotation angle: 300 ±5°
Min. insulation resistance: 1TΩ
Leads: for soldering
Track material: cermet
Potentiometer features: for industrial use; for military use
IP rating: IP67
Shaft surface: smooth
Characteristics: linear
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1766.28 грн
5+1386.72 грн
10+1317.83 грн
20+1289.95 грн
50+1281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TS53YJ102MR10 TS53YJ102MR10 VISHAY ts53yj.pdf Category: Single turn SMD trimmers
Description: Potentiometer: mounting; single turn; 1kΩ; 250mW; SMD; ±20%; linear
Resistance: 1kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 5x5x2.7mm
Operating temperature: -55...155°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Mounting: SMD
Torque: 1.5Ncm
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Electrical rotation angle: 220 ±15°
Mechanical rotation angle: 270 ±10°
Operating voltage: 200V
Leads: YJ
Track material: cermet
Kind of potentiometer: single turn
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.21 грн
10+133.67 грн
50+109.07 грн
100+99.23 грн
200+89.39 грн
250+87.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBF VISHAY sihf644s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF VISHAY sihf644s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 VISHAY si2301cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRS25000C2324FCT00 MRS25000C2324FCT00 VISHAY MRS25.pdf Category: THT Resistors
Description: Resistor: thin film; THT; 2.32MΩ; 600mW; ±1%; 350V; Ø0.6x28mm
Mounting: THT
Type of resistor: thin film
Leads dimensions: Ø0.6x28mm
Diameter: 2.5mm
Body dimensions: Ø2.5x6.5mm
Length: 6.5mm
Power: 0.6W
Tolerance: ±1%
Temperature coefficient: 50ppm/°C
Operating voltage: 350V
Resistance: 2.32MΩ
на замовлення 9150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+18.81 грн
100+7.22 грн
1000+4.44 грн
5000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBF VISHAY sihl530s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRPBF VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE130CA-E3/54 1.5KE130CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 130.5V; 8.4A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 111V
Breakdown voltage: 130.5V
Max. forward impulse current: 8.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.11 грн
11+38.62 грн
100+26.65 грн
500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00JE6821A00L GRC00JE6821A00L VISHAY GRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 6800uF; 10VDC; ±20%; 2000h; -40÷105°C
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 6.8mF
Operating voltage: 10V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 16x20mm
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+62.26 грн
14+29.36 грн
50+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF VISHAY sihfr902.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60ATRLPBF VISHAY sihfr1n6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60ATRPBF VISHAY sihfr1n6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBF VISHAY sihfr1n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.16 грн
11+37.39 грн
20+32.97 грн
75+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 VISHAY si7850adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 35.7W
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A-E3/45 gbu4a.pdf
GBU4A-E3/45
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 4A; Ifsm: 150A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 150A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.86 грн
20+53.30 грн
100+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A-E3/51 gbu4a.pdf
GBU4A-E3/51
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 4A; Ifsm: 150A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 150A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.50 грн
10+83.65 грн
50+70.52 грн
100+65.60 грн
250+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF sihf540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AC03000001007JAC00 ac_ac-at_ac-ni.pdf
AC03000001007JAC00
Виробник: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 100mΩ; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 0.1Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Operating temperature: -50...250°C
Temperature coefficient: 80ppm/°C
Length: 13mm
Leads: axial
Resistor features: non-flammable
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Diameter: 4.8mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.40 грн
13+31.98 грн
50+24.68 грн
100+22.06 грн
200+19.85 грн
500+17.30 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AF2211VARL GSC.pdf
GSC00AF2211VARL
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 220uF; 35VDC; ±20%; -55÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 220µF
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Dimensions: 8x10mm
Manufacturer series: GSC
Nominal life: 2000h
Height: 10mm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1111D100JXRAJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94D1D1E64081A0CE&compId=vjhifreqseries.pdf?ci_sign=234717e3b6edbad469f20dccf69f62576d02beab
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10pF; 1.5kV; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1111
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 10pF
Operating voltage: 1.5kV
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 1111
Case - mm: 3028
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C3V0-TAP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C9DC6FD0F66469&compId=BZX55C10-TAP.pdf?ci_sign=1c457e90db8f9db19431e4453446789e4dc6d20d
BZX55C3V0-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 19616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.18 грн
103+4.02 грн
122+3.36 грн
182+2.26 грн
1000+1.62 грн
5000+1.48 грн
10000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
WSL2512R3300FEA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BDE7373FBE4371BF&compId=wsl.pdf?ci_sign=31a158112628ae78e76ed7d0d814a84fdfe5b05a
WSL2512R3300FEA
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: power metal; sensing; SMD; 2512; 330mΩ; 1W; ±1%; -60÷170°C
Type of resistor: power metal
Kind of resistor: sensing
Mounting: SMD
Case - inch: 2512
Case - mm: 6432
Resistance: 0.33Ω
Power: 1W
Tolerance: ±1%
Operating temperature: -60...170°C
Temperature coefficient: 75ppm/°C
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.85 грн
10+87.75 грн
50+77.91 грн
100+73.81 грн
250+68.88 грн
500+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF irf830b.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF sihf840.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF description sihf840l.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBF sihf840l.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF sihf840s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRRPBF sihf9530.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBF tf-irfb13n50apbf.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5808DN-T1-GE3 siss5808dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 66.6A
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 65.7W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C22-TAP BZX85C10-TAP.pdf
BZX85C22-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 22V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 22V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.36 грн
48+8.69 грн
57+7.30 грн
100+4.31 грн
500+3.21 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.76 грн
10+80.37 грн
25+74.63 грн
50+70.52 грн
100+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRRPBF sihf640s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZSC00AG6811CARL ZSC.pdf
ZSC00AG6811CARL
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; SMD; 680uF; 16VDC; Ø10x10mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: SMD
Capacitance: 680µF
Operating voltage: 16V DC
Body dimensions: Ø10x10mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Height: 10mm
Diameter: 10mm
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.49 грн
100+12.87 грн
500+9.84 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AP4702GARL GSC.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 47uF; 400VDC; ±20%; -40÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 47µF
Operating voltage: 400V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: GSC
Height: 21.5mm
Nominal life: 2000h
Dimensions: 18x21.5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW08057K50JNTABC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC299F885208FA8&compId=Data%20Sheet%20CRCW_BCe3.pdf?ci_sign=08ed674bf2e2c4c7c988bbfb6d6d30495f8b11a7
CRCW08057K50JNTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 0805; 7.5kΩ; 0.125W; ±5%; 150V; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Resistance: 7.5kΩ
Power: 0.125W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 150V
Operating temperature: -55...155°C
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
300+1.89 грн
500+0.88 грн
1000+0.59 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
MRS16000C3300FCT00 mrs16m25.pdf
MRS16000C3300FCT00
Виробник: VISHAY
Category: THT Resistors
Description: Resistor: thin film; THT; 330Ω; 400mW; ±1%; 200V; Ø0.5x29mm; L: 3.6mm
Mounting: THT
Power: 0.4W
Operating temperature: -55...155°C
Leads dimensions: Ø0.5x29mm
Diameter: 1.6mm
Body dimensions: Ø1.6x3.6mm
Length: 3.6mm
Tolerance: ±1%
Resistance: 330Ω
Temperature coefficient: 50ppm/°C
Operating voltage: 200V
Type of resistor: thin film
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.13 грн
46+8.92 грн
58+7.15 грн
100+5.17 грн
500+3.40 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBF 91045.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBF-BE3 91045.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF sihf730a.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASTRLPBF sihf730a.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730STRLPBF sihf730s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603A180JXACW1BC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3CA0A4115D58749&compId=vjw1bcbascomseries.pdf?ci_sign=5129a4891ac23440100ea18c8f8081641574be6a
VJ0603A180JXACW1BC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 18pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 18pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.18 грн
228+1.80 грн
336+1.22 грн
379+1.08 грн
500+0.92 грн
1000+0.80 грн
2000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0402V104ZXJCW2BC 00306xVJW2BC.pdf
VJ0402V104ZXJCW2BC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 100nF; 16V; Y5V; -20÷80%; SMD; 0402
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 16V
Dielectric: Y5V
Tolerance: -20...80%
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Operating temperature: -25...85°C
Kind of capacitor: MLCC
на замовлення 7562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+0.94 грн
1000+0.45 грн
5000+0.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3 si7852dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSOP39438 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8ACD2A742E9FF6143&compId=TSOP39436.pdf?ci_sign=f10660b5f5c855bf068fb07726f92f5fb97afd4b
TSOP39438
Виробник: VISHAY
Category: IR receiver modules
Description: Integrated IR receiver; 38kHz; 2.5÷5.5V; 45°
Type of photoelement: integrated IR receiver
Frequency: 38kHz
Mounting: THT
Supply voltage: 2.5...5.5V
Viewing angle: 45°
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.05 грн
9+48.71 грн
10+46.09 грн
25+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSOP4138 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0BAF96C32129E27&compId=TSOP4138.pdf?ci_sign=7a03254831903f582a949bd5698a48bc95345eff
TSOP4138
Виробник: VISHAY
Category: IR receiver modules
Description: Integrated IR receiver; 38kHz; 2.5÷5.5V; 45°
Type of photoelement: integrated IR receiver
Frequency: 38kHz
Mounting: THT
Supply voltage: 2.5...5.5V
Viewing angle: 45°
Connector variant: straight
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.87 грн
12+34.44 грн
13+32.72 грн
25+30.75 грн
50+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSOP4438 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED884C9820DC80A0A18&compId=TSOP4438.pdf?ci_sign=3322f3cf8b1903174897ca0f14bf4f2d6a424066
TSOP4438
Виробник: VISHAY
Category: IR receiver modules
Description: Integrated IR receiver; 38kHz; 2.5÷5.5V; 45°
Type of photoelement: integrated IR receiver
Frequency: 38kHz
Mounting: THT
Supply voltage: 2.5...5.5V
Viewing angle: 45°
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.83 грн
10+46.33 грн
50+37.72 грн
90+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSOP58338 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED884C97E5F41D76A18&compId=TSOP58336.pdf?ci_sign=b4aecd88e119e00a0500410e8be1df59d3ed764b
Виробник: VISHAY
Category: IR receiver modules
Description: Integrated IR receiver; 38kHz; 2.5÷5.5V; 45°
Type of photoelement: integrated IR receiver
Frequency: 38kHz
Mounting: THT
Supply voltage: 2.5...5.5V
Viewing angle: 45°
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSOP6138TT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0BB45F82B073E27&compId=TSOP6138TT.pdf?ci_sign=444e2347833381a899e8ee26ad28b87b0e86f6bf
TSOP6138TT
Виробник: VISHAY
Category: IR receiver modules
Description: Integrated IR receiver; 38kHz; 2.5÷5.5V; 100°
Type of photoelement: integrated IR receiver
Frequency: 38kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.5...5.5V
Viewing angle: 100°
Connector variant: angled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSOP6238TT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0BB490C0DEB1E27&compId=TSOP6238TT.pdf?ci_sign=b8dc249dbf5b67662b4df96ca20dcd25d047e783
TSOP6238TT
Виробник: VISHAY
Category: IR receiver modules
Description: Integrated IR receiver; 38kHz; 2.5÷5.5V; 100°
Type of photoelement: integrated IR receiver
Frequency: 38kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.5...5.5V
Viewing angle: 100°
Connector variant: angled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PA16NP472MAB15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDBD9116D482AE80D5&compId=p16-series.pdf?ci_sign=8b114df350ec09dcb670f4c9ff70a4c3e5d03566
Виробник: VISHAY
Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 4.7kΩ; ±20%; 500mW; linear; 16mm
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
Resistance: 4.7kΩ
Tolerance: ±20%
Power: 0.5W
Characteristics: linear
Shaft diameter: 16mm
Leads: solder lugs
Track material: plastic
Mechanical rotation angle: 300°
Electrical rotation angle: 270°
Operating temperature: -40...85°C
IP rating: IP67
Mechanical durability: 50000 cycles
Temperature coefficient: 500ppm/°C
Body material: plastic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PE30L0FL472KAB pe30.pdf
PE30L0FL472KAB
Виробник: VISHAY
Category: Cermet single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 4.7kΩ; 3W; ±10%; 6mm; linear
Resistance: 4.7kΩ
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Power: 3W
Mounting: on panel
Operating voltage: 300V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Shaft diameter: 6mm
Thread length: 12mm
Shaft length: 25mm
Electrical rotation angle: 270 ±10°
Mechanical rotation angle: 300 ±5°
Min. insulation resistance: 1TΩ
Leads: for soldering
Track material: cermet
Potentiometer features: for industrial use; for military use
IP rating: IP67
Shaft surface: smooth
Characteristics: linear
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1766.28 грн
5+1386.72 грн
10+1317.83 грн
20+1289.95 грн
50+1281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TS53YJ102MR10 ts53yj.pdf
TS53YJ102MR10
Виробник: VISHAY
Category: Single turn SMD trimmers
Description: Potentiometer: mounting; single turn; 1kΩ; 250mW; SMD; ±20%; linear
Resistance: 1kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 5x5x2.7mm
Operating temperature: -55...155°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Mounting: SMD
Torque: 1.5Ncm
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Electrical rotation angle: 220 ±15°
Mechanical rotation angle: 270 ±10°
Operating voltage: 200V
Leads: YJ
Track material: cermet
Kind of potentiometer: single turn
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.21 грн
10+133.67 грн
50+109.07 грн
100+99.23 грн
200+89.39 грн
250+87.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRS25000C2324FCT00 MRS25.pdf
MRS25000C2324FCT00
Виробник: VISHAY
Category: THT Resistors
Description: Resistor: thin film; THT; 2.32MΩ; 600mW; ±1%; 350V; Ø0.6x28mm
Mounting: THT
Type of resistor: thin film
Leads dimensions: Ø0.6x28mm
Diameter: 2.5mm
Body dimensions: Ø2.5x6.5mm
Length: 6.5mm
Power: 0.6W
Tolerance: ±1%
Temperature coefficient: 50ppm/°C
Operating voltage: 350V
Resistance: 2.32MΩ
на замовлення 9150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+18.81 грн
100+7.22 грн
1000+4.44 грн
5000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBF sihl530s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE130CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE130CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 130.5V; 8.4A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 111V
Breakdown voltage: 130.5V
Max. forward impulse current: 8.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.11 грн
11+38.62 грн
100+26.65 грн
500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00JE6821A00L GRC.pdf
GRC00JE6821A00L
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 6800uF; 10VDC; ±20%; 2000h; -40÷105°C
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 6.8mF
Operating voltage: 10V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 16x20mm
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+62.26 грн
14+29.36 грн
50+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60ATRLPBF sihfr1n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60ATRPBF sihfr1n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBF sihfr1n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
SIHFR1N60A-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.16 грн
11+37.39 грн
20+32.97 грн
75+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 35.7W
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 600 1200 1800 2400 3000 3600 4200 4800 5400 5844 5845 5846 5847 5848 5849 5850 5851 5852 5853 5854 6000 6008  [ Наступна Сторінка >> ]