Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (289969) > Сторінка 664 з 4833

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 483 659 660 661 662 663 664 665 666 667 668 669 966 1449 1932 2415 2898 3381 3864 4347 4830 4833  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFRC20TRRPBF VISHAY sihfrc20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF VISHAY IRFS11N50A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+169.46 грн
3+ 146.56 грн
9+ 111.93 грн
24+ 105.45 грн
250+ 104.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+169.46 грн
3+ 146.56 грн
9+ 108.69 грн
24+ 103.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFS9N60ATRRPBF VISHAY sihs9n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF VISHAY IRFSL11N50APBF-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 656 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+154.61 грн
3+ 134.77 грн
10+ 98.96 грн
26+ 94.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFSL9N60APBF VISHAY sihsl9n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU014PBF VISHAY sihfr014.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU024PBF VISHAY sihfr024.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU110PBF IRFU110PBF VISHAY IRFU110.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.26 грн
9+ 29.65 грн
25+ 24.58 грн
39+ 24.19 грн
75+ 22.47 грн
300+ 21.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU120PBF IRFU120PBF VISHAY IRFR120.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+64.64 грн
6+ 46.83 грн
25+ 39.91 грн
28+ 34.57 грн
75+ 32.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU1N60APBF VISHAY sihfr1n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU210PBF VISHAY sihfr210.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU214PBF VISHAY sihfr214.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 538 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.88 грн
8+ 34.03 грн
25+ 29.12 грн
38+ 25.17 грн
103+ 23.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU310PBF IRFU310PBF VISHAY IRFU310PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+87.35 грн
5+ 50.54 грн
25+ 30.9 грн
36+ 26.77 грн
97+ 25.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU320PBF IRFU320PBF VISHAY IRFU320PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+57.65 грн
6+ 44.81 грн
25+ 40.07 грн
27+ 34.88 грн
74+ 33.26 грн
300+ 32.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU420APBF IRFU420APBF VISHAY IRFR420A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFU420PBF IRFU420PBF VISHAY IRFR420PBF.pdf IRFU420PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.25 грн
8+ 34.37 грн
25+ 30.82 грн
36+ 26.77 грн
98+ 25.14 грн
300+ 24.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU430APBF VISHAY sihfr430.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9014PBF IRFU9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.01 грн
8+ 34.03 грн
25+ 28.96 грн
37+ 25.72 грн
101+ 24.32 грн
300+ 24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU9020PBF VISHAY sihfr902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.9A; Idm: -40A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -9.9A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY IRFU9024PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+57.91 грн
25+ 31.67 грн
40+ 23.91 грн
108+ 22.61 грн
750+ 21.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU9110PBF VISHAY sihfr911.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9120PBF IRFU9120PBF VISHAY IRFx9120.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9210PBF VISHAY sihfr921.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9214PBF VISHAY sihfr921.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.7A; Idm: -11A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9220PBF VISHAY sihfr922.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9310PBF IRFU9310PBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+48.65 грн
25+ 42.45 грн
31+ 30.82 грн
83+ 29.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFUC20PBF IRFUC20PBF VISHAY IRFRC20TRPBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 346 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.77 грн
6+ 45.65 грн
25+ 38.53 грн
26+ 36.5 грн
72+ 34.07 грн
300+ 33.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ10PBF VISHAY irfz10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY IRFZ14.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+57.65 грн
7+ 39.84 грн
10+ 34.39 грн
36+ 26.25 грн
99+ 24.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ20PBF VISHAY packaging.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 15A; Idm: 60A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY packaging.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+89.97 грн
10+ 79.85 грн
29+ 33.17 грн
78+ 31.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ34PBF IRFZ34PBF VISHAY IRFZ34.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ40PBF VISHAY irfz40.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IRFZ44PBF IRFZ44PBF VISHAY IRFZ44.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 514 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.85 грн
4+ 78.34 грн
10+ 66.51 грн
15+ 62.46 грн
42+ 59.21 грн
250+ 56.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ44RPBF VISHAY irfz44r.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ44SPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ44STRLPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFZ48PBF VISHAY irfz48.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF VISHAY IRFZ48RPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+142.38 грн
3+ 124.66 грн
10+ 105.45 грн
11+ 91.66 грн
29+ 86.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFZ48RSPBF VISHAY sihfz48rs.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IRFZ48SPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ48STRLPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL510PBF IRL510PBF VISHAY IRL510.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL510STRLPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 18A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL520PBF IRL520PBF VISHAY IRL520.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL530PBF VISHAY IRL530%2CSiHL530.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL530STRRPBF VISHAY sihl530s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL540PBF IRL540PBF VISHAY IRL540.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL540SPBF VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL540STRLPBF VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL620PBF VISHAY packaging.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IRL620SPBF VISHAY sihl620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL620STRLPBF VISHAY sihl620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL630PBF IRL630PBF VISHAY IRL630.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+72.5 грн
5+ 61.24 грн
10+ 51.75 грн
21+ 46.23 грн
57+ 42.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL630SPBF VISHAY sihl630s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL630STRLPBF VISHAY sihl630s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 36A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL630STRRPBF VISHAY sihl630s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 36A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFRC20TRRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFS11N50APBF IRFS11N50A.pdf
IRFS11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.46 грн
3+ 146.56 грн
9+ 111.93 грн
24+ 105.45 грн
250+ 104.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60A.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.46 грн
3+ 146.56 грн
9+ 108.69 грн
24+ 103.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60A.pdf
IRFS9N60ATRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFS9N60ATRRPBF sihs9n60.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF-dte.pdf
IRFSL11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 656 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.61 грн
3+ 134.77 грн
10+ 98.96 грн
26+ 94.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFSL9N60APBF sihsl9n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU014PBF sihfr014.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU024PBF sihfr024.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU110PBF IRFU110.pdf
IRFU110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.26 грн
9+ 29.65 грн
25+ 24.58 грн
39+ 24.19 грн
75+ 22.47 грн
300+ 21.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU120PBF description IRFR120.pdf
IRFU120PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.64 грн
6+ 46.83 грн
25+ 39.91 грн
28+ 34.57 грн
75+ 32.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU1N60APBF sihfr1n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU210PBF sihfr210.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU214PBF sihfr214.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 538 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.88 грн
8+ 34.03 грн
25+ 29.12 грн
38+ 25.17 грн
103+ 23.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU310PBF IRFU310PBF.pdf
IRFU310PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+87.35 грн
5+ 50.54 грн
25+ 30.9 грн
36+ 26.77 грн
97+ 25.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU320PBF IRFU320PBF.pdf
IRFU320PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.65 грн
6+ 44.81 грн
25+ 40.07 грн
27+ 34.88 грн
74+ 33.26 грн
300+ 32.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU420APBF IRFR420A.pdf
IRFU420APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFU420PBF IRFR420PBF.pdf IRFU420PBF.pdf
IRFU420PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.25 грн
8+ 34.37 грн
25+ 30.82 грн
36+ 26.77 грн
98+ 25.14 грн
300+ 24.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU430APBF description sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9014PBF IRFx9014.pdf
IRFU9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.01 грн
8+ 34.03 грн
25+ 28.96 грн
37+ 25.72 грн
101+ 24.32 грн
300+ 24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU9020PBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.9A; Idm: -40A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -9.9A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9024PBF IRFU9024PBF.pdf
IRFU9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.91 грн
25+ 31.67 грн
40+ 23.91 грн
108+ 22.61 грн
750+ 21.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU9110PBF sihfr911.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9120PBF IRFx9120.pdf
IRFU9120PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9210PBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9214PBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.7A; Idm: -11A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9220PBF sihfr922.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9310PBF IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf
IRFU9310PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.65 грн
25+ 42.45 грн
31+ 30.82 грн
83+ 29.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFUC20PBF description IRFRC20TRPBF.pdf
IRFUC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 346 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.77 грн
6+ 45.65 грн
25+ 38.53 грн
26+ 36.5 грн
72+ 34.07 грн
300+ 33.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ10PBF irfz10.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ14PBF IRFZ14.pdf
IRFZ14PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.65 грн
7+ 39.84 грн
10+ 34.39 грн
36+ 26.25 грн
99+ 24.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ20PBF packaging.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 15A; Idm: 60A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ24PBF description packaging.pdf
IRFZ24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+89.97 грн
10+ 79.85 грн
29+ 33.17 грн
78+ 31.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ34PBF IRFZ34.pdf
IRFZ34PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ40PBF irfz40.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IRFZ44PBF description IRFZ44.pdf
IRFZ44PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 514 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+90.85 грн
4+ 78.34 грн
10+ 66.51 грн
15+ 62.46 грн
42+ 59.21 грн
250+ 56.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ44RPBF irfz44r.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ44SPBF sihfz44s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ44STRLPBF sihfz44s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFZ48PBF irfz48.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF.pdf
IRFZ48RPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142.38 грн
3+ 124.66 грн
10+ 105.45 грн
11+ 91.66 грн
29+ 86.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFZ48RSPBF sihfz48rs.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IRFZ48SPBF sihfz48s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ48STRLPBF sihfz48s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL510PBF IRL510.pdf
IRL510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL510STRLPBF sihf510s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 18A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL520PBF IRL520.pdf
IRL520PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL530PBF IRL530%2CSiHL530.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL530STRRPBF sihl530s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL540PBF IRL540.pdf
IRL540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL540SPBF sihl540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL540STRLPBF sihl540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL620PBF packaging.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IRL620SPBF sihl620s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL620STRLPBF sihl620s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL630PBF IRL630.pdf
IRL630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.5 грн
5+ 61.24 грн
10+ 51.75 грн
21+ 46.23 грн
57+ 42.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL630SPBF sihl630s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL630STRLPBF sihl630s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 36A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL630STRRPBF sihl630s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 36A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 483 659 660 661 662 663 664 665 666 667 668 669 966 1449 1932 2415 2898 3381 3864 4347 4830 4833  [ Наступна Сторінка >> ]