Продукція > WOLFSPEED(CREE) > Всі товари виробника WOLFSPEED(CREE) (157) > Сторінка 2 з 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C3D12065A | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C3D16060D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO247-3 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Power dissipation: 100W Manufacturer series: C3D |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3D16060D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO247-3 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Power dissipation: 100W Manufacturer series: C3D кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C3D16065D | Wolfspeed(CREE) | C3D16065D THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3D16065D1 | Wolfspeed(CREE) | C3D16065D1 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C3D20060D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W Type of diode: Schottky rectifying Case: TO247-3 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Power dissipation: 250W Manufacturer series: C3D |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3D20060D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W Type of diode: Schottky rectifying Case: TO247-3 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Power dissipation: 250W Manufacturer series: C3D кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3D20065D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Power dissipation: 250W Type of diode: Schottky rectifying Manufacturer series: C3D Technology: SiC; Z-Rec® Case: TO247-3 |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3D20065D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Power dissipation: 250W Type of diode: Schottky rectifying Manufacturer series: C3D Technology: SiC; Z-Rec® Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3D30065D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; 150W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Power dissipation: 150W Manufacturer series: C3D |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
C3D30065D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; 150W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Power dissipation: 150W Manufacturer series: C3D кількість в упаковці: 450 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
C3M0015065K | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0016120K | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C3M0030090K | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 40A Power dissipation: 149W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...15V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 62ns |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0030090K | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 40A Power dissipation: 149W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...15V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 62ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C3M0040120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0040120K | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0045065D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0060065D | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0060065J | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0060065K | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C3M0065090D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns Case: TO247-3 Technology: C3M™; SiC Mounting: THT Power dissipation: 125W Gate charge: 30.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 36A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0065090D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns Case: TO247-3 Technology: C3M™; SiC Mounting: THT Power dissipation: 125W Gate charge: 30.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 36A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0065090J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 35A Power dissipation: 113W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.4nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 16ns |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0065090J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 35A Power dissipation: 113W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.4nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 16ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0065090J-TR | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Case: D2PAK-7 Reverse recovery time: 16ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 35A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 30.4nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
C3M0065090J-TR | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Case: D2PAK-7 Reverse recovery time: 16ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 35A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 30.4nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Mounting: SMD кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
C3M0065100J | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C3M0075120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W Case: TO247-3 Technology: C3M™; SiC Mounting: THT Power dissipation: 113.6W Gate charge: 54nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 19.7A On-state resistance: 0.105Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0075120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W Case: TO247-3 Technology: C3M™; SiC Mounting: THT Power dissipation: 113.6W Gate charge: 54nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 19.7A On-state resistance: 0.105Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0075120J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Power dissipation: 113.6W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 18ns |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0075120J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Power dissipation: 113.6W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 18ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C3M0075120K | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
C3M0120090D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns Case: TO247-3 Technology: C3M™; SiC Mounting: THT Power dissipation: 97W Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Reverse recovery time: 24ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 23A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0120090D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns Case: TO247-3 Technology: C3M™; SiC Mounting: THT Power dissipation: 97W Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Reverse recovery time: 24ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 23A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0120090J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns Case: D2PAK-7 Technology: C3M™; SiC Mounting: SMD Power dissipation: 83W Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Reverse recovery time: 24ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 22A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0120090J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns Case: D2PAK-7 Technology: C3M™; SiC Mounting: SMD Power dissipation: 83W Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Reverse recovery time: 24ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 22A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0120100J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 22A Power dissipation: 83W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 16ns |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0120100J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 22A Power dissipation: 83W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 16ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C3M0120100K | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C3M0160120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A On-state resistance: 256mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 97W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 34A Mounting: THT Case: TO247-3 |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0160120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A On-state resistance: 256mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 97W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 34A Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 443 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C3M0160120J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A On-state resistance: 256mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 24nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 34A Mounting: SMD Case: D2PAK-7 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0160120J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A On-state resistance: 256mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 24nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 34A Mounting: SMD Case: D2PAK-7 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0280090D | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
C3M0280090J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11A Power dissipation: 50W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 20ns |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0280090J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11A Power dissipation: 50W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 20ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C3M0350120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0350120J | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C4D02120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 60W Manufacturer series: C4D |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C4D02120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 60W Manufacturer series: C4D кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C4D02120E | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 52W Manufacturer series: C4D |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C4D02120E | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 52W Manufacturer series: C4D кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 846 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C4D05120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 81W Manufacturer series: C4D |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C4D05120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 81W Manufacturer series: C4D кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 521 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C4D05120E | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
C4D08120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C4D08120E | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C4D10120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 136W Manufacturer series: C4D |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C4D10120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 136W Manufacturer series: C4D кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
C3D12065A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D12065A THT Schottky diodes
C3D12065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3D16060D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 100W
Manufacturer series: C3D
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 100W
Manufacturer series: C3D
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 574.32 грн |
4+ | 287.58 грн |
9+ | 272.08 грн |
C3D16060D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 100W
Manufacturer series: C3D
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 100W
Manufacturer series: C3D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 689.19 грн |
4+ | 358.37 грн |
9+ | 326.49 грн |
C3D16065D |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D16065D THT Schottky diodes
C3D16065D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3D16065D1 |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D16065D1 THT Schottky diodes
C3D16065D1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3D20060D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Manufacturer series: C3D
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Manufacturer series: C3D
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 732.09 грн |
2+ | 524.77 грн |
5+ | 496.09 грн |
C3D20060D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Manufacturer series: C3D
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Manufacturer series: C3D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 878.51 грн |
2+ | 653.95 грн |
5+ | 595.31 грн |
C3D20065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Case: TO247-3
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Case: TO247-3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 506.71 грн |
3+ | 372.84 грн |
7+ | 352.69 грн |
30+ | 339.51 грн |
C3D20065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 608.05 грн |
3+ | 464.62 грн |
7+ | 423.23 грн |
30+ | 407.42 грн |
C3D30065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; 150W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 150W
Manufacturer series: C3D
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; 150W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 150W
Manufacturer series: C3D
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3D30065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; 150W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 150W
Manufacturer series: C3D
кількість в упаковці: 450 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; 150W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 150W
Manufacturer series: C3D
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0015065K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0015065K THT N channel transistors
C3M0015065K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0016120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0016120K THT N channel transistors
C3M0016120K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0030090K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2631.20 грн |
C3M0030090K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3157.43 грн |
C3M0040120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0040120D THT N channel transistors
C3M0040120D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0040120K THT N channel transistors
C3M0040120K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0045065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0060065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0060065D THT N channel transistors
C3M0060065D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0060065J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0060065J SMD N channel transistors
C3M0060065J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0060065K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0060065K THT N channel transistors
C3M0060065K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1114.42 грн |
3+ | 978.23 грн |
C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1337.30 грн |
3+ | 1219.03 грн |
120+ | 1126.44 грн |
C3M0065090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1023.43 грн |
3+ | 898.39 грн |
10+ | 892.19 грн |
C3M0065090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1228.11 грн |
3+ | 1119.53 грн |
10+ | 1070.63 грн |
C3M0065090J-TR |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0065090J-TR |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0065100J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0065100J SMD N channel transistors
C3M0065100J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0075120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1321.44 грн |
2+ | 815.45 грн |
4+ | 771.27 грн |
C3M0075120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1585.73 грн |
2+ | 1016.18 грн |
4+ | 925.52 грн |
C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 18ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 18ns
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1177.03 грн |
2+ | 878.24 грн |
3+ | 830.18 грн |
C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1412.43 грн |
2+ | 1094.42 грн |
3+ | 996.21 грн |
C3M0075120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0075120K THT N channel transistors
C3M0075120K THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1213.09 грн |
2+ | 703.21 грн |
5+ | 665.07 грн |
C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 819.74 грн |
2+ | 610.04 грн |
3+ | 609.26 грн |
5+ | 575.93 грн |
30+ | 564.30 грн |
C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 983.69 грн |
2+ | 760.20 грн |
3+ | 731.12 грн |
5+ | 691.12 грн |
30+ | 677.17 грн |
C3M0120090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 854.80 грн |
2+ | 642.59 грн |
3+ | 641.82 грн |
4+ | 606.94 грн |
50+ | 583.68 грн |
C3M0120090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1025.77 грн |
2+ | 800.77 грн |
3+ | 770.18 грн |
4+ | 728.32 грн |
50+ | 700.42 грн |
C3M0120100J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 758.81 грн |
2+ | 672.05 грн |
4+ | 634.84 грн |
10+ | 634.07 грн |
C3M0120100J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 910.57 грн |
2+ | 837.48 грн |
4+ | 761.81 грн |
10+ | 760.88 грн |
30+ | 732.98 грн |
C3M0120100K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0120100K THT N channel transistors
C3M0120100K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 648.62 грн |
3+ | 368.97 грн |
7+ | 349.59 грн |
C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 778.34 грн |
3+ | 459.79 грн |
7+ | 419.51 грн |
C3M0160120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 24nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 24nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0160120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 24nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 24nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0280090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0280090D THT N channel transistors
C3M0280090D THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 504.87 грн |
4+ | 360.91 грн |
9+ | 340.44 грн |
C3M0280090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 535.92 грн |
3+ | 315.48 грн |
8+ | 297.66 грн |
C3M0280090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 643.11 грн |
3+ | 393.14 грн |
8+ | 357.19 грн |
50+ | 344.16 грн |
C3M0350120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0350120D THT N channel transistors
C3M0350120D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0350120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0350120J SMD N channel transistors
C3M0350120J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C4D02120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 197.01 грн |
12+ | 81.39 грн |
31+ | 76.74 грн |
250+ | 75.19 грн |
500+ | 73.64 грн |
C4D02120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 236.41 грн |
12+ | 101.42 грн |
31+ | 92.09 грн |
250+ | 90.23 грн |
500+ | 88.37 грн |
C4D02120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 157.77 грн |
10+ | 131.00 грн |
11+ | 84.49 грн |
30+ | 79.84 грн |
525+ | 79.06 грн |
C4D02120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.33 грн |
10+ | 163.25 грн |
11+ | 101.39 грн |
30+ | 95.81 грн |
525+ | 94.88 грн |
1050+ | 92.09 грн |
C4D05120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 81W
Manufacturer series: C4D
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 81W
Manufacturer series: C4D
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 373.98 грн |
5+ | 203.09 грн |
13+ | 191.46 грн |
250+ | 187.58 грн |
500+ | 186.81 грн |
C4D05120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 81W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 81W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 521 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 448.77 грн |
5+ | 253.08 грн |
13+ | 229.75 грн |
250+ | 225.10 грн |
500+ | 224.17 грн |
C4D05120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D05120E SMD Schottky diodes
C4D05120E SMD Schottky diodes
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 375.65 грн |
5+ | 251.17 грн |
12+ | 237.47 грн |
C4D08120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D08120A THT Schottky diodes
C4D08120A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C4D08120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D08120E SMD Schottky diodes
C4D08120E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C4D10120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 136W
Manufacturer series: C4D
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 136W
Manufacturer series: C4D
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 520.90 грн |
3+ | 397.65 грн |
7+ | 375.94 грн |
C4D10120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 136W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 136W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 625.08 грн |
3+ | 495.53 грн |
7+ | 451.13 грн |