Продукція > WOLFSPEED(CREE) > Всі товари виробника WOLFSPEED(CREE) (117) > Сторінка 2 з 2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C3M0040120D C3M0040120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9B1F344F7C820D6&compId=C3M0040120D.pdf?ci_sign=4d613cab2ea53e3303302cf48613fef58ae39c47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1222.65 грн
2+801.22 грн
4+756.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D C3M0040120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9B1F344F7C820D6&compId=C3M0040120D.pdf?ci_sign=4d613cab2ea53e3303302cf48613fef58ae39c47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1467.18 грн
2+998.44 грн
4+908.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0040120K_data_sheet.pdf C3M0040120K THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1887.69 грн
2+961.46 грн
4+909.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE324376D260C7&compId=C3M0060065J.pdf?ci_sign=953fac17f6be9c202c55c1a2bed92d206fbffa48 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 650V
Technology: C3M™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065K Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE3B5C3D84E0C7&compId=C3M0060065K.pdf?ci_sign=7bd6ebe8302a97f3d782690fd3eab12d91af64ff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Technology: C3M™; SiC
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD718264A622469&compId=C3M0065090D.pdf?ci_sign=fde0daf9047d08d1a65bc5ea94c32c1a17dd60c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 30.4nC
Reverse recovery time: 30ns
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1118.63 грн
3+982.52 грн
30+954.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD718264A622469&compId=C3M0065090D.pdf?ci_sign=fde0daf9047d08d1a65bc5ea94c32c1a17dd60c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 30.4nC
Reverse recovery time: 30ns
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1342.36 грн
3+1224.37 грн
30+1145.77 грн
90+1134.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD7144ECC456469&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=69c68af5243345ffa929c454a0a4ce08d0038760 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1022.29 грн
3+922.35 грн
50+886.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD7144ECC456469&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=69c68af5243345ffa929c454a0a4ce08d0038760 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
Technology: C3M™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1226.74 грн
3+1149.39 грн
50+1064.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D C3M0075120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE4421F6CA20C7&compId=c3m0075120d.pdf?ci_sign=4c2ea1493f3c8949a3ea77f9162d43dc7bd0cac5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 0.105Ω
Drain current: 19.7A
Power dissipation: 113.6W
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 80A
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1452.86 грн
2+808.34 грн
4+764.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D C3M0075120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE4421F6CA20C7&compId=c3m0075120d.pdf?ci_sign=4c2ea1493f3c8949a3ea77f9162d43dc7bd0cac5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 0.105Ω
Drain current: 19.7A
Power dissipation: 113.6W
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1743.43 грн
2+1007.32 грн
4+916.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J C3M0075120J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8BCB34104E1074A&compId=C3M0075120J.pdf?ci_sign=7b0b30cfe1d0c075abd16bebfc1880f04efdedbc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 14nC
Reverse recovery time: 18ns
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1224.36 грн
2+883.55 грн
3+835.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J C3M0075120J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8BCB34104E1074A&compId=C3M0075120J.pdf?ci_sign=7b0b30cfe1d0c075abd16bebfc1880f04efdedbc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 14nC
Reverse recovery time: 18ns
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1469.23 грн
2+1101.04 грн
3+1002.31 грн
50+974.76 грн
500+965.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF04C960EF31BF&compId=C3M0120090D-DTE.pdf?ci_sign=b6de96e852929b9963d0f9edee1cbf50d40ddc1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+686.36 грн
2+625.45 грн
5+591.41 грн
30+580.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF04C960EF31BF&compId=C3M0120090D-DTE.pdf?ci_sign=b6de96e852929b9963d0f9edee1cbf50d40ddc1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+823.63 грн
2+779.41 грн
5+709.69 грн
30+696.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF05A7818431BF&compId=C3M0120090J-DTE.pdf?ci_sign=a82241ac76a7cb4341ce2cb75b929df080cd7ded Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 24ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+855.17 грн
2+660.29 грн
3+659.50 грн
4+623.87 грн
10+621.50 грн
50+600.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J C3M0120090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF05A7818431BF&compId=C3M0120090J-DTE.pdf?ci_sign=a82241ac76a7cb4341ce2cb75b929df080cd7ded Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 24ns
Technology: C3M™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1026.21 грн
2+822.82 грн
3+791.40 грн
4+748.65 грн
10+745.80 грн
50+720.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J C3M0120100J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA99E471C33D274A&compId=C3M0120100J.pdf?ci_sign=7d2dfed152c90d934ac0e91263da481b3b6216c7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.35 грн
2+689.58 грн
4+651.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J C3M0120100J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA99E471C33D274A&compId=C3M0120100J.pdf?ci_sign=7d2dfed152c90d934ac0e91263da481b3b6216c7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
Technology: C3M™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1018.02 грн
2+859.33 грн
4+781.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf C3M0160120D THT N channel transistors
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+752.01 грн
3+457.93 грн
7+433.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF0841A2CBB1BF&compId=C3M0280090J-DTE.pdf?ci_sign=88ca97736aa7d9955a7c2277556b0aa39c2517a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+535.44 грн
3+323.81 грн
8+305.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF0841A2CBB1BF&compId=C3M0280090J-DTE.pdf?ci_sign=88ca97736aa7d9955a7c2277556b0aa39c2517a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
Technology: C3M™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+642.53 грн
3+403.52 грн
8+366.72 грн
50+353.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D02120A C4D02120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1B51BF&compId=C4D02120A-DTE.PDF?ci_sign=881f27b355c8c641b46d26cc0bad07ba2c51c1f5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 60W
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+207.19 грн
5+143.30 грн
10+125.09 грн
12+83.92 грн
31+79.17 грн
500+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C4D02120A C4D02120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1B51BF&compId=C4D02120A-DTE.PDF?ci_sign=881f27b355c8c641b46d26cc0bad07ba2c51c1f5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 60W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.62 грн
5+178.57 грн
10+150.11 грн
12+100.71 грн
31+95.01 грн
500+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C4D02120E C4D02120E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F4112D45014469&compId=C4D02120E.pdf?ci_sign=6a558db1aae32c064aaeb1ef3ed1193836956cea Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 52W
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+196.95 грн
5+144.09 грн
10+128.26 грн
11+87.09 грн
30+82.34 грн
525+79.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C4D02120E C4D02120E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F4112D45014469&compId=C4D02120E.pdf?ci_sign=6a558db1aae32c064aaeb1ef3ed1193836956cea Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 52W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 791 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.35 грн
5+179.56 грн
10+153.91 грн
11+104.51 грн
30+98.81 грн
525+95.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C4D05120A C4D05120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1CB1BF&compId=C4D05120A-DTE.PDF?ci_sign=d558eb8404672cd5cb309a9686b6cd42021dbc34 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Mounting: THT
Power dissipation: 81W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Manufacturer series: C4D
Technology: SiC; Z-Rec®
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Load current: 5A
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+396.47 грн
5+207.43 грн
13+196.35 грн
100+192.39 грн
200+189.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C4D05120E Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C4D05120E_data_sheet.pdf C4D05120E SMD Schottky diodes
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+539.19 грн
5+253.67 грн
13+239.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D10120A C4D10120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F20D1BF&compId=C4D10120A-DTE.PDF?ci_sign=7bb92391402f1ef6c40cd14568edc5769dd7bf5c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 136W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+674.42 грн
3+405.36 грн
7+383.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D10120A C4D10120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F20D1BF&compId=C4D10120A-DTE.PDF?ci_sign=7bb92391402f1ef6c40cd14568edc5769dd7bf5c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 136W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+809.30 грн
3+505.14 грн
7+459.83 грн
50+453.18 грн
100+441.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D10120D C4D10120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F2231BF&compId=C4D10120D-DTE.PDF?ci_sign=68a4300d43e7a2c9a042b9f0d66548b2e760e799 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; 187W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 187W
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+658.22 грн
3+399.02 грн
7+377.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D10120D C4D10120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F2231BF&compId=C4D10120D-DTE.PDF?ci_sign=68a4300d43e7a2c9a042b9f0d66548b2e760e799 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; 187W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 187W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+789.86 грн
3+497.25 грн
7+453.18 грн
120+436.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D10120E C4D10120E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F2391BF&compId=C4D10120E-DTE.PDF?ci_sign=ebc5d8f60b140bb3c169cd16b3af24b081e6bdfa Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 170W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 170W
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.61 грн
3+383.19 грн
7+361.81 грн
75+348.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D10120E C4D10120E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F2391BF&compId=C4D10120E-DTE.PDF?ci_sign=ebc5d8f60b140bb3c169cd16b3af24b081e6bdfa Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 170W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 170W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+571.94 грн
3+477.51 грн
7+434.18 грн
75+418.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D15120D Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C4D15120D_data_sheet.pdf C4D15120D THT Schottky diodes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+645.60 грн
5+623.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D20120A C4D20120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F41582FB702469&compId=C4D20120A.pdf?ci_sign=b649affb025cbb86f7a9e469db650031c84b9882 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; 242W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 242W
Manufacturer series: C4D
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1121.19 грн
2+825.76 грн
4+780.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D20120A C4D20120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F41582FB702469&compId=C4D20120A.pdf?ci_sign=b649affb025cbb86f7a9e469db650031c84b9882 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; 242W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 242W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1345.43 грн
2+1029.02 грн
4+936.76 грн
100+901.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D20120D C4D20120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3D70200131BF&compId=C4D20120D-DTE.PDF?ci_sign=a6ba1a17fbdebbb71ef095d3b3701cc5d4721a17 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 176W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 176W
Manufacturer series: C4D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C4D20120H Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE96D25FD2C0C7&compId=c4d20120h.pdf?ci_sign=9283d57b2162981a88c0f6ba860c7e2f18cabda5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 3V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 104A
Power dissipation: 106.5W
Manufacturer series: C4D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C5D10170H Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDEB3BD01B340C7&compId=c5d10170h.pdf?ci_sign=1abc45273dcf99a2d6f32bd4fc44340a2bf83dc8 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; 80W; C5D
Mounting: THT
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 41A
Power dissipation: 80W
Max. off-state voltage: 1.7kV
Manufacturer series: C5D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D04065A C6D04065A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8E9FE3C1C87840C4&compId=c6d04065a.pdf?ci_sign=96514f31e455a17541d4bb7f91042c49e386235a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; 26W; C6D
Case: TO220-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 26W
Load current: 4A
Max. off-state voltage: 650V
Manufacturer series: C6D
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+190.13 грн
10+132.22 грн
13+75.21 грн
35+71.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C6D04065A C6D04065A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8E9FE3C1C87840C4&compId=c6d04065a.pdf?ci_sign=96514f31e455a17541d4bb7f91042c49e386235a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; 26W; C6D
Case: TO220-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 26W
Load current: 4A
Max. off-state voltage: 650V
Manufacturer series: C6D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.16 грн
10+164.76 грн
13+90.26 грн
35+85.51 грн
1000+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C6D08065A C6D08065A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDEE50ED8DF00C7&compId=c6d08065a.pdf?ci_sign=beb9bebcfbb408a154c38de234334d38dfb6fa1d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 63A
Power dissipation: 40.1W
Manufacturer series: C6D
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.55 грн
7+145.68 грн
18+137.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C6D08065A C6D08065A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDEE50ED8DF00C7&compId=c6d08065a.pdf?ci_sign=beb9bebcfbb408a154c38de234334d38dfb6fa1d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 63A
Power dissipation: 40.1W
Manufacturer series: C6D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+294.66 грн
7+181.53 грн
18+165.31 грн
500+158.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C6D08065E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDEEFE934E460C7&compId=C6D08065E.pdf?ci_sign=d24caac4d2a93aed0464759272de58a7574eaf03 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; 37W; C6D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 57A
Power dissipation: 37W
Manufacturer series: C6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065A C6D10065A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDEFA5BF62E00C7&compId=c6d10065a.pdf?ci_sign=8d86b92f34663fad7ba8246a81225de9f65d7362 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; 47W; C6D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 47W
Manufacturer series: C6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065E C6D10065E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDF05666165E0C7&compId=C6D10065E.pdf?ci_sign=2fed657eaad203327cab1189f6ef2e9167f31f69 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 43W; C6D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 68A
Power dissipation: 43W
Manufacturer series: C6D
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+377.71 грн
5+190.01 грн
14+179.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065E C6D10065E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDF05666165E0C7&compId=C6D10065E.pdf?ci_sign=2fed657eaad203327cab1189f6ef2e9167f31f69 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 43W; C6D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 68A
Power dissipation: 43W
Manufacturer series: C6D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+453.25 грн
5+236.78 грн
14+215.66 грн
150+208.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB450M12XM3 Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A1FD5E1321E1E0E1&compId=CAB450M12XM3.pdf?ci_sign=8d503546f669052f5734b3c74a84705e0a0e28b0 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 438A; screw; Idm: 900A; SiC
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Polarisation: unipolar
Operating temperature: -40...175°C
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain current: 438A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 1.67kW
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2 CAS120M12BM2 Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58CA60E1D00BE2469&compId=CAS120M12BM2.pdf?ci_sign=6c509c2605ac641670e5d72a5fce9e583b9b8e93 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 138A; 62MM; screw; Idm: 480A
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Semiconductor structure: transistor/transistor
Polarisation: unipolar
Operating temperature: -40...125°C
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 138A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 925W
Case: 62MM
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAS300M12BM2 CAS300M12BM2 Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58CA619473C5E4469&compId=CAS300M12BM2.pdf?ci_sign=476acf97c80a74106e4d33004ebf6da1823c0367 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 285A; 62MM; screw; Idm: 1.5kA
Case: 62MM
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Semiconductor structure: transistor/transistor
Polarisation: unipolar
Operating temperature: -40...125°C
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 5mΩ
Drain current: 285A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 1.66kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CCB016M12GM3T Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_CCB016M12GM3_data_sheet.pdf Category: Transistors - Unclassified
Description: CCB016M12GM3T
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19740.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060A CSD01060A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAFB56304A0D1BF&compId=CSD01060A-DTE.pdf?ci_sign=456f5a062a1c15eb3742ebe4fdfac316203ca7b4 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; TO220-2; 21.4W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 21.4W
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.85 грн
10+91.05 грн
18+53.04 грн
48+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060A CSD01060A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAFB56304A0D1BF&compId=CSD01060A-DTE.pdf?ci_sign=456f5a062a1c15eb3742ebe4fdfac316203ca7b4 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; TO220-2; 21.4W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 21.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+195.42 грн
10+113.46 грн
18+63.65 грн
48+60.80 грн
1000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060E CSD01060E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAFB56304A0D1BF&compId=CSD01060A-DTE.pdf?ci_sign=456f5a062a1c15eb3742ebe4fdfac316203ca7b4 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 600V; 1A; 21.4W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOD-PWR-MM-C3M0060065K Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_SpeedVal_Kit_TO-247-4_Power_Daughter_Card_User_Guide.pdf Category: Unclassified
Description: MOD-PWR-MM-C3M0060065K
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12227.37 грн
3+10218.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WAS300M12BM2 Wolfspeed(CREE) Category: Unclassified
Description: WAS300M12BM2
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+47707.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9B1F344F7C820D6&compId=C3M0040120D.pdf?ci_sign=4d613cab2ea53e3303302cf48613fef58ae39c47
C3M0040120D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1222.65 грн
2+801.22 грн
4+756.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9B1F344F7C820D6&compId=C3M0040120D.pdf?ci_sign=4d613cab2ea53e3303302cf48613fef58ae39c47
C3M0040120D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1467.18 грн
2+998.44 грн
4+908.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K Wolfspeed_C3M0040120K_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0040120K THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1887.69 грн
2+961.46 грн
4+909.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE324376D260C7&compId=C3M0060065J.pdf?ci_sign=953fac17f6be9c202c55c1a2bed92d206fbffa48
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 650V
Technology: C3M™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE3B5C3D84E0C7&compId=C3M0060065K.pdf?ci_sign=7bd6ebe8302a97f3d782690fd3eab12d91af64ff
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Technology: C3M™; SiC
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD718264A622469&compId=C3M0065090D.pdf?ci_sign=fde0daf9047d08d1a65bc5ea94c32c1a17dd60c2
C3M0065090D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 30.4nC
Reverse recovery time: 30ns
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1118.63 грн
3+982.52 грн
30+954.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD718264A622469&compId=C3M0065090D.pdf?ci_sign=fde0daf9047d08d1a65bc5ea94c32c1a17dd60c2
C3M0065090D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 30.4nC
Reverse recovery time: 30ns
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1342.36 грн
3+1224.37 грн
30+1145.77 грн
90+1134.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD7144ECC456469&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=69c68af5243345ffa929c454a0a4ce08d0038760
C3M0065090J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1022.29 грн
3+922.35 грн
50+886.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD7144ECC456469&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=69c68af5243345ffa929c454a0a4ce08d0038760
C3M0065090J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
Technology: C3M™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1226.74 грн
3+1149.39 грн
50+1064.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE4421F6CA20C7&compId=c3m0075120d.pdf?ci_sign=4c2ea1493f3c8949a3ea77f9162d43dc7bd0cac5
C3M0075120D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 0.105Ω
Drain current: 19.7A
Power dissipation: 113.6W
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 80A
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1452.86 грн
2+808.34 грн
4+764.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE4421F6CA20C7&compId=c3m0075120d.pdf?ci_sign=4c2ea1493f3c8949a3ea77f9162d43dc7bd0cac5
C3M0075120D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 0.105Ω
Drain current: 19.7A
Power dissipation: 113.6W
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1743.43 грн
2+1007.32 грн
4+916.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8BCB34104E1074A&compId=C3M0075120J.pdf?ci_sign=7b0b30cfe1d0c075abd16bebfc1880f04efdedbc
C3M0075120J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 14nC
Reverse recovery time: 18ns
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1224.36 грн
2+883.55 грн
3+835.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8BCB34104E1074A&compId=C3M0075120J.pdf?ci_sign=7b0b30cfe1d0c075abd16bebfc1880f04efdedbc
C3M0075120J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 14nC
Reverse recovery time: 18ns
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1469.23 грн
2+1101.04 грн
3+1002.31 грн
50+974.76 грн
500+965.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF04C960EF31BF&compId=C3M0120090D-DTE.pdf?ci_sign=b6de96e852929b9963d0f9edee1cbf50d40ddc1b
C3M0120090D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.36 грн
2+625.45 грн
5+591.41 грн
30+580.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF04C960EF31BF&compId=C3M0120090D-DTE.pdf?ci_sign=b6de96e852929b9963d0f9edee1cbf50d40ddc1b
C3M0120090D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+823.63 грн
2+779.41 грн
5+709.69 грн
30+696.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF05A7818431BF&compId=C3M0120090J-DTE.pdf?ci_sign=a82241ac76a7cb4341ce2cb75b929df080cd7ded
C3M0120090J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 24ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+855.17 грн
2+660.29 грн
3+659.50 грн
4+623.87 грн
10+621.50 грн
50+600.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF05A7818431BF&compId=C3M0120090J-DTE.pdf?ci_sign=a82241ac76a7cb4341ce2cb75b929df080cd7ded
C3M0120090J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 24ns
Technology: C3M™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1026.21 грн
2+822.82 грн
3+791.40 грн
4+748.65 грн
10+745.80 грн
50+720.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA99E471C33D274A&compId=C3M0120100J.pdf?ci_sign=7d2dfed152c90d934ac0e91263da481b3b6216c7
C3M0120100J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+848.35 грн
2+689.58 грн
4+651.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA99E471C33D274A&compId=C3M0120100J.pdf?ci_sign=7d2dfed152c90d934ac0e91263da481b3b6216c7
C3M0120100J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
Technology: C3M™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1018.02 грн
2+859.33 грн
4+781.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0160120D THT N channel transistors
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+752.01 грн
3+457.93 грн
7+433.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF0841A2CBB1BF&compId=C3M0280090J-DTE.pdf?ci_sign=88ca97736aa7d9955a7c2277556b0aa39c2517a8
C3M0280090J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
Technology: C3M™; SiC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.44 грн
3+323.81 грн
8+305.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF0841A2CBB1BF&compId=C3M0280090J-DTE.pdf?ci_sign=88ca97736aa7d9955a7c2277556b0aa39c2517a8
C3M0280090J
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
Technology: C3M™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+642.53 грн
3+403.52 грн
8+366.72 грн
50+353.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D02120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1B51BF&compId=C4D02120A-DTE.PDF?ci_sign=881f27b355c8c641b46d26cc0bad07ba2c51c1f5
C4D02120A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 60W
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.19 грн
5+143.30 грн
10+125.09 грн
12+83.92 грн
31+79.17 грн
500+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C4D02120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1B51BF&compId=C4D02120A-DTE.PDF?ci_sign=881f27b355c8c641b46d26cc0bad07ba2c51c1f5
C4D02120A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 60W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.62 грн
5+178.57 грн
10+150.11 грн
12+100.71 грн
31+95.01 грн
500+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C4D02120E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F4112D45014469&compId=C4D02120E.pdf?ci_sign=6a558db1aae32c064aaeb1ef3ed1193836956cea
C4D02120E
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 52W
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+196.95 грн
5+144.09 грн
10+128.26 грн
11+87.09 грн
30+82.34 грн
525+79.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C4D02120E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F4112D45014469&compId=C4D02120E.pdf?ci_sign=6a558db1aae32c064aaeb1ef3ed1193836956cea
C4D02120E
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 52W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 791 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.35 грн
5+179.56 грн
10+153.91 грн
11+104.51 грн
30+98.81 грн
525+95.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C4D05120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1CB1BF&compId=C4D05120A-DTE.PDF?ci_sign=d558eb8404672cd5cb309a9686b6cd42021dbc34
C4D05120A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Mounting: THT
Power dissipation: 81W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Manufacturer series: C4D
Technology: SiC; Z-Rec®
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Load current: 5A
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+396.47 грн
5+207.43 грн
13+196.35 грн
100+192.39 грн
200+189.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C4D05120E Wolfspeed_C4D05120E_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D05120E SMD Schottky diodes
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.19 грн
5+253.67 грн
13+239.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D10120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F20D1BF&compId=C4D10120A-DTE.PDF?ci_sign=7bb92391402f1ef6c40cd14568edc5769dd7bf5c
C4D10120A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 136W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+674.42 грн
3+405.36 грн
7+383.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D10120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F20D1BF&compId=C4D10120A-DTE.PDF?ci_sign=7bb92391402f1ef6c40cd14568edc5769dd7bf5c
C4D10120A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 136W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+809.30 грн
3+505.14 грн
7+459.83 грн
50+453.18 грн
100+441.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D10120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F2231BF&compId=C4D10120D-DTE.PDF?ci_sign=68a4300d43e7a2c9a042b9f0d66548b2e760e799
C4D10120D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; 187W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 187W
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+658.22 грн
3+399.02 грн
7+377.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D10120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F2231BF&compId=C4D10120D-DTE.PDF?ci_sign=68a4300d43e7a2c9a042b9f0d66548b2e760e799
C4D10120D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; 187W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 187W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+789.86 грн
3+497.25 грн
7+453.18 грн
120+436.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D10120E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F2391BF&compId=C4D10120E-DTE.PDF?ci_sign=ebc5d8f60b140bb3c169cd16b3af24b081e6bdfa
C4D10120E
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 170W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 170W
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.61 грн
3+383.19 грн
7+361.81 грн
75+348.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D10120E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F2391BF&compId=C4D10120E-DTE.PDF?ci_sign=ebc5d8f60b140bb3c169cd16b3af24b081e6bdfa
C4D10120E
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 170W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Power dissipation: 170W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.94 грн
3+477.51 грн
7+434.18 грн
75+418.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D15120D Wolfspeed_C4D15120D_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D15120D THT Schottky diodes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+645.60 грн
5+623.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D20120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F41582FB702469&compId=C4D20120A.pdf?ci_sign=b649affb025cbb86f7a9e469db650031c84b9882
C4D20120A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; 242W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 242W
Manufacturer series: C4D
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1121.19 грн
2+825.76 грн
4+780.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D20120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F41582FB702469&compId=C4D20120A.pdf?ci_sign=b649affb025cbb86f7a9e469db650031c84b9882
C4D20120A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; 242W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 242W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1345.43 грн
2+1029.02 грн
4+936.76 грн
100+901.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C4D20120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3D70200131BF&compId=C4D20120D-DTE.PDF?ci_sign=a6ba1a17fbdebbb71ef095d3b3701cc5d4721a17
C4D20120D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 176W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 176W
Manufacturer series: C4D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C4D20120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE96D25FD2C0C7&compId=c4d20120h.pdf?ci_sign=9283d57b2162981a88c0f6ba860c7e2f18cabda5
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 3V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 104A
Power dissipation: 106.5W
Manufacturer series: C4D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C5D10170H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDEB3BD01B340C7&compId=c5d10170h.pdf?ci_sign=1abc45273dcf99a2d6f32bd4fc44340a2bf83dc8
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; 80W; C5D
Mounting: THT
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 41A
Power dissipation: 80W
Max. off-state voltage: 1.7kV
Manufacturer series: C5D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D04065A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8E9FE3C1C87840C4&compId=c6d04065a.pdf?ci_sign=96514f31e455a17541d4bb7f91042c49e386235a
C6D04065A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; 26W; C6D
Case: TO220-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 26W
Load current: 4A
Max. off-state voltage: 650V
Manufacturer series: C6D
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+190.13 грн
10+132.22 грн
13+75.21 грн
35+71.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C6D04065A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8E9FE3C1C87840C4&compId=c6d04065a.pdf?ci_sign=96514f31e455a17541d4bb7f91042c49e386235a
C6D04065A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; 26W; C6D
Case: TO220-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 26W
Load current: 4A
Max. off-state voltage: 650V
Manufacturer series: C6D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.16 грн
10+164.76 грн
13+90.26 грн
35+85.51 грн
1000+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C6D08065A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDEE50ED8DF00C7&compId=c6d08065a.pdf?ci_sign=beb9bebcfbb408a154c38de234334d38dfb6fa1d
C6D08065A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 63A
Power dissipation: 40.1W
Manufacturer series: C6D
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.55 грн
7+145.68 грн
18+137.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C6D08065A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDEE50ED8DF00C7&compId=c6d08065a.pdf?ci_sign=beb9bebcfbb408a154c38de234334d38dfb6fa1d
C6D08065A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 63A
Power dissipation: 40.1W
Manufacturer series: C6D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.66 грн
7+181.53 грн
18+165.31 грн
500+158.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C6D08065E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDEEFE934E460C7&compId=C6D08065E.pdf?ci_sign=d24caac4d2a93aed0464759272de58a7574eaf03
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; 37W; C6D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 57A
Power dissipation: 37W
Manufacturer series: C6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDEFA5BF62E00C7&compId=c6d10065a.pdf?ci_sign=8d86b92f34663fad7ba8246a81225de9f65d7362
C6D10065A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; 47W; C6D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 47W
Manufacturer series: C6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDF05666165E0C7&compId=C6D10065E.pdf?ci_sign=2fed657eaad203327cab1189f6ef2e9167f31f69
C6D10065E
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 43W; C6D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 68A
Power dissipation: 43W
Manufacturer series: C6D
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+377.71 грн
5+190.01 грн
14+179.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDF05666165E0C7&compId=C6D10065E.pdf?ci_sign=2fed657eaad203327cab1189f6ef2e9167f31f69
C6D10065E
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 43W; C6D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 68A
Power dissipation: 43W
Manufacturer series: C6D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.25 грн
5+236.78 грн
14+215.66 грн
150+208.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB450M12XM3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A1FD5E1321E1E0E1&compId=CAB450M12XM3.pdf?ci_sign=8d503546f669052f5734b3c74a84705e0a0e28b0
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 438A; screw; Idm: 900A; SiC
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Polarisation: unipolar
Operating temperature: -40...175°C
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain current: 438A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 1.67kW
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58CA60E1D00BE2469&compId=CAS120M12BM2.pdf?ci_sign=6c509c2605ac641670e5d72a5fce9e583b9b8e93
CAS120M12BM2
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 138A; 62MM; screw; Idm: 480A
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Semiconductor structure: transistor/transistor
Polarisation: unipolar
Operating temperature: -40...125°C
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 138A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 925W
Case: 62MM
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAS300M12BM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58CA619473C5E4469&compId=CAS300M12BM2.pdf?ci_sign=476acf97c80a74106e4d33004ebf6da1823c0367
CAS300M12BM2
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 285A; 62MM; screw; Idm: 1.5kA
Case: 62MM
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Semiconductor structure: transistor/transistor
Polarisation: unipolar
Operating temperature: -40...125°C
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 5mΩ
Drain current: 285A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 1.66kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CCB016M12GM3T Wolfspeed_CCB016M12GM3_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: Transistors - Unclassified
Description: CCB016M12GM3T
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19740.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAFB56304A0D1BF&compId=CSD01060A-DTE.pdf?ci_sign=456f5a062a1c15eb3742ebe4fdfac316203ca7b4
CSD01060A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; TO220-2; 21.4W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 21.4W
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.85 грн
10+91.05 грн
18+53.04 грн
48+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAFB56304A0D1BF&compId=CSD01060A-DTE.pdf?ci_sign=456f5a062a1c15eb3742ebe4fdfac316203ca7b4
CSD01060A
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; TO220-2; 21.4W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 21.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.42 грн
10+113.46 грн
18+63.65 грн
48+60.80 грн
1000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAFB56304A0D1BF&compId=CSD01060A-DTE.pdf?ci_sign=456f5a062a1c15eb3742ebe4fdfac316203ca7b4
CSD01060E
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 600V; 1A; 21.4W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOD-PWR-MM-C3M0060065K Wolfspeed_SpeedVal_Kit_TO-247-4_Power_Daughter_Card_User_Guide.pdf
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: Unclassified
Description: MOD-PWR-MM-C3M0060065K
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12227.37 грн
3+10218.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WAS300M12BM2
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: Unclassified
Description: WAS300M12BM2
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+47707.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2