Продукція > WOLFSPEED(CREE) > Всі товари виробника WOLFSPEED(CREE) (155) > Сторінка 2 з 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C3D12065A | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C3D16060D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO247-3 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Power dissipation: 100W Manufacturer series: C3D |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3D16060D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO247-3 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Power dissipation: 100W Manufacturer series: C3D кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C3D16065D | Wolfspeed(CREE) | C3D16065D THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3D16065D1 | Wolfspeed(CREE) | C3D16065D1 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C3D20060D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Type of diode: Schottky rectifying Manufacturer series: C3D Technology: SiC; Z-Rec® Max. off-state voltage: 0.6kV |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3D20060D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Type of diode: Schottky rectifying Manufacturer series: C3D Technology: SiC; Z-Rec® Max. off-state voltage: 0.6kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3D20065D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Type of diode: Schottky rectifying Manufacturer series: C3D Technology: SiC; Z-Rec® Max. off-state voltage: 650V |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3D20065D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Type of diode: Schottky rectifying Manufacturer series: C3D Technology: SiC; Z-Rec® Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C3D30065D | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0015065K | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0016120K | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C3M0030090K | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 40A Power dissipation: 149W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...15V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 62ns |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0030090K | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 40A Power dissipation: 149W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...15V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 62ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C3M0040120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W Case: TO247-3 Mounting: THT Reverse recovery time: 75ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A On-state resistance: 68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 326W Polarisation: unipolar Gate charge: 101nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 223A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0040120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W Case: TO247-3 Mounting: THT Reverse recovery time: 75ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A On-state resistance: 68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 326W Polarisation: unipolar Gate charge: 101nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 223A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0040120K | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W Case: TO247-4 Mounting: THT Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A On-state resistance: 68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 326W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 99nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 223A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0040120K | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W Case: TO247-4 Mounting: THT Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A On-state resistance: 68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 326W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 99nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 223A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0045065D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0060065D | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0060065J | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0060065K | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C3M0065090D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns Case: TO247-3 Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 36A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 30.4nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Mounting: THT |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0065090D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns Case: TO247-3 Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 36A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 30.4nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0065090J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 35A Power dissipation: 113W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.4nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 16ns |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0065090J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 35A Power dissipation: 113W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.4nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 16ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0065090J-TR | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Case: D2PAK-7 Reverse recovery time: 16ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 35A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 30.4nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
C3M0065090J-TR | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Case: D2PAK-7 Reverse recovery time: 16ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 35A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 30.4nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Mounting: SMD кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
C3M0065100J | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C3M0075120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W Case: TO247-3 Technology: C3M™; SiC Mounting: THT Power dissipation: 113.6W Gate charge: 54nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 19.7A On-state resistance: 0.105Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0075120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W Case: TO247-3 Technology: C3M™; SiC Mounting: THT Power dissipation: 113.6W Gate charge: 54nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 19.7A On-state resistance: 0.105Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C3M0075120J | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
C3M0075120K | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
C3M0120090D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns Case: TO247-3 Technology: C3M™; SiC Mounting: THT Power dissipation: 97W Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Reverse recovery time: 24ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 23A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0120090D | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns Case: TO247-3 Technology: C3M™; SiC Mounting: THT Power dissipation: 97W Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Reverse recovery time: 24ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 23A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0120090J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 22A Power dissipation: 83W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 24ns |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0120090J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 22A Power dissipation: 83W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 24ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0120100J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 22A Power dissipation: 83W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 16ns |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0120100J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 22A Power dissipation: 83W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 16ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C3M0120100K | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0160120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0160120J | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0280090D | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
C3M0280090J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11A Power dissipation: 50W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 20ns |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C3M0280090J | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11A Power dissipation: 50W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 20ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C3M0350120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C3M0350120J | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C4D02120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 60W Manufacturer series: C4D |
на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C4D02120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 60W Manufacturer series: C4D кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1114 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C4D02120E | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 52W Manufacturer series: C4D |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C4D02120E | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 52W Manufacturer series: C4D кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 851 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C4D05120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D Mounting: THT Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 81W Type of diode: Schottky rectifying Manufacturer series: C4D Technology: SiC; Z-Rec® |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C4D05120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D Mounting: THT Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 81W Type of diode: Schottky rectifying Manufacturer series: C4D Technology: SiC; Z-Rec® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 521 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C4D05120E | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
C4D08120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
C4D08120E | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
C4D10120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 136W Manufacturer series: C4D |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C4D10120A | Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 136W Manufacturer series: C4D кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
C4D10120D | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
C4D10120E | Wolfspeed(CREE) |
![]() |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
C3D12065A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D12065A THT Schottky diodes
C3D12065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3D16060D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 100W
Manufacturer series: C3D
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 100W
Manufacturer series: C3D
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 562.51 грн |
4+ | 281.19 грн |
9+ | 265.32 грн |
C3D16060D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 100W
Manufacturer series: C3D
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 100W
Manufacturer series: C3D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 675.01 грн |
4+ | 350.41 грн |
9+ | 318.38 грн |
C3D16065D |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D16065D THT Schottky diodes
C3D16065D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3D16065D1 |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D16065D1 THT Schottky diodes
C3D16065D1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3D20060D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 713.92 грн |
2+ | 510.23 грн |
5+ | 482.26 грн |
C3D20060D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 856.70 грн |
2+ | 635.83 грн |
5+ | 578.72 грн |
C3D20065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 650V
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 503.89 грн |
3+ | 367.37 грн |
7+ | 346.96 грн |
30+ | 333.35 грн |
C3D20065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 604.67 грн |
3+ | 457.80 грн |
7+ | 416.35 грн |
30+ | 400.02 грн |
C3D30065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D30065D THT Schottky diodes
C3D30065D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0015065K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0015065K THT N channel transistors
C3M0015065K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0016120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0016120K THT N channel transistors
C3M0016120K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0030090K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2579.71 грн |
C3M0030090K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3095.65 грн |
C3M0040120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0040120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0045065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0060065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0060065D THT N channel transistors
C3M0060065D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0060065J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0060065J SMD N channel transistors
C3M0060065J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0060065K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0060065K THT N channel transistors
C3M0060065K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1104.66 грн |
3+ | 969.82 грн |
C3M0065090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1325.59 грн |
3+ | 1208.54 грн |
120+ | 1119.34 грн |
C3M0065090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1002.90 грн |
3+ | 880.62 грн |
C3M0065090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1203.48 грн |
3+ | 1097.39 грн |
C3M0065090J-TR |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0065090J-TR |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0065100J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0065100J SMD N channel transistors
C3M0065100J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0075120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1288.63 грн |
2+ | 795.21 грн |
4+ | 752.12 грн |
C3M0075120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1546.36 грн |
2+ | 990.95 грн |
4+ | 902.54 грн |
C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0075120J SMD N channel transistors
C3M0075120J SMD N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1106.64 грн |
3+ | 1046.77 грн |
C3M0075120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0075120K THT N channel transistors
C3M0075120K THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1182.97 грн |
2+ | 685.75 грн |
5+ | 648.56 грн |
C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 813.23 грн |
2+ | 598.67 грн |
5+ | 566.17 грн |
30+ | 559.37 грн |
C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 975.88 грн |
2+ | 746.04 грн |
5+ | 679.40 грн |
30+ | 671.24 грн |
C3M0120090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 24ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 24ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 845.79 грн |
2+ | 630.42 грн |
4+ | 595.65 грн |
50+ | 574.48 грн |
C3M0120090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1014.95 грн |
2+ | 785.60 грн |
4+ | 714.78 грн |
50+ | 689.38 грн |
C3M0120100J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 749.74 грн |
2+ | 658.39 грн |
4+ | 622.86 грн |
C3M0120100J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 899.68 грн |
2+ | 820.45 грн |
4+ | 747.43 грн |
30+ | 717.50 грн |
C3M0120100K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0120100K THT N channel transistors
C3M0120100K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0160120D THT N channel transistors
C3M0160120D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0160120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0160120J SMD N channel transistors
C3M0160120J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0280090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0280090D THT N channel transistors
C3M0280090D THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 492.33 грн |
4+ | 351.95 грн |
9+ | 331.99 грн |
C3M0280090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 529.13 грн |
3+ | 309.16 грн |
8+ | 291.78 грн |
C3M0280090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 634.96 грн |
3+ | 385.26 грн |
8+ | 350.13 грн |
50+ | 337.43 грн |
C3M0350120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0350120D THT N channel transistors
C3M0350120D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C3M0350120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0350120J SMD N channel transistors
C3M0350120J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C4D02120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 194.56 грн |
12+ | 80.13 грн |
31+ | 75.59 грн |
250+ | 74.08 грн |
500+ | 72.57 грн |
C4D02120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 233.47 грн |
12+ | 99.85 грн |
31+ | 90.71 грн |
250+ | 88.89 грн |
500+ | 87.08 грн |
C4D02120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 156.30 грн |
10+ | 130.01 грн |
11+ | 83.15 грн |
30+ | 78.61 грн |
525+ | 77.86 грн |
C4D02120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 851 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 187.56 грн |
10+ | 162.02 грн |
11+ | 99.78 грн |
30+ | 94.34 грн |
525+ | 93.43 грн |
1050+ | 90.71 грн |
C4D05120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 81W
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C4D
Technology: SiC; Z-Rec®
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 81W
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C4D
Technology: SiC; Z-Rec®
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 370.39 грн |
5+ | 198.80 грн |
13+ | 188.22 грн |
250+ | 185.95 грн |
500+ | 185.20 грн |
C4D05120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 81W
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C4D
Technology: SiC; Z-Rec®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 81W
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C4D
Technology: SiC; Z-Rec®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 521 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 444.47 грн |
5+ | 247.74 грн |
13+ | 225.86 грн |
250+ | 223.14 грн |
500+ | 222.23 грн |
C4D05120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D05120E SMD Schottky diodes
C4D05120E SMD Schottky diodes
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 366.32 грн |
5+ | 244.94 грн |
12+ | 231.58 грн |
C4D08120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D08120A THT Schottky diodes
C4D08120A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C4D08120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D08120E SMD Schottky diodes
C4D08120E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
C4D10120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 136W
Manufacturer series: C4D
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 136W
Manufacturer series: C4D
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 507.96 грн |
3+ | 387.78 грн |
7+ | 366.61 грн |
C4D10120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 136W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 136W
Manufacturer series: C4D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 609.56 грн |
3+ | 483.23 грн |
7+ | 439.93 грн |
C4D10120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D10120D THT Schottky diodes
C4D10120D THT Schottky diodes
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 679.89 грн |
3+ | 455.35 грн |
7+ | 430.86 грн |
C4D10120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D10120E SMD Schottky diodes
C4D10120E SMD Schottky diodes
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 637.89 грн |
3+ | 493.45 грн |
6+ | 466.24 грн |