Продукція > WOLFSPEED(CREE) > Всі товари виробника WOLFSPEED(CREE) (70) > Сторінка 1 з 2
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C2M0040120D | Wolfspeed(CREE) |
C2M0040120D THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
C2M0160120D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -10...25V Reverse recovery time: 23ns Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 Technology: SiC; Z-FET™ On-state resistance: 196mΩ Power dissipation: 125W Drain current: 17.7A Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C2M0160120D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -10...25V Reverse recovery time: 23ns Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 Technology: SiC; Z-FET™ On-state resistance: 196mΩ Power dissipation: 125W Drain current: 17.7A Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3D02060E | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 600V; 2A; 39.5W; C3D Mounting: SMD Case: TO252-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C3D Load current: 2A Power dissipation: 39.5W Max. off-state voltage: 0.6kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 2187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3D02060E | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 600V; 2A; 39.5W; C3D Mounting: SMD Case: TO252-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C3D Load current: 2A Power dissipation: 39.5W Max. off-state voltage: 0.6kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2187 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3D02060F | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 2A; TO220FP-2; 10.8W Mounting: THT Case: TO220FP-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C3D Load current: 2A Power dissipation: 10.8W Max. off-state voltage: 0.6kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3D02060F | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 2A; TO220FP-2; 10.8W Mounting: THT Case: TO220FP-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C3D Load current: 2A Power dissipation: 10.8W Max. off-state voltage: 0.6kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 252 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3D02065E | Wolfspeed(CREE) |
C3D02065E SMD Schottky diodes |
на замовлення 250 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3D03060A | Wolfspeed(CREE) |
C3D03060A THT Schottky diodes |
на замовлення 88 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3D03060E | Wolfspeed(CREE) |
C3D03060E SMD Schottky diodes |
на замовлення 148 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3D03060F | Wolfspeed(CREE) |
C3D03060F THT Schottky diodes |
на замовлення 37 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
C3D04060A | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 4A; TO220-2; 75W; C3D Mounting: THT Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C3D Load current: 4A Power dissipation: 75W Max. off-state voltage: 0.6kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3D04060A | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 4A; TO220-2; 75W; C3D Mounting: THT Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C3D Load current: 4A Power dissipation: 75W Max. off-state voltage: 0.6kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 635 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3D04060E | Wolfspeed(CREE) |
C3D04060E SMD Schottky diodes |
на замовлення 212 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3D04065A | Wolfspeed(CREE) |
C3D04065A THT Schottky diodes |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3D04065E | Wolfspeed(CREE) |
C3D04065E SMD Schottky diodes |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
C3D06060A | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 6A; TO220-2; 79W; C3D Mounting: THT Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C3D Load current: 6A Power dissipation: 79W Max. off-state voltage: 0.6kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3D06060A | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 6A; TO220-2; 79W; C3D Mounting: THT Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C3D Load current: 6A Power dissipation: 79W Max. off-state voltage: 0.6kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3D06060G | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 600V; 6A; 91W; C3D Mounting: SMD Case: TO263-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C3D Load current: 6A Power dissipation: 91W Max. off-state voltage: 0.6kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3D06060G | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 600V; 6A; 91W; C3D Mounting: SMD Case: TO263-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C3D Load current: 6A Power dissipation: 91W Max. off-state voltage: 0.6kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3D06065A | Wolfspeed(CREE) |
C3D06065A THT Schottky diodes |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3D08065A | Wolfspeed(CREE) |
C3D08065A THT Schottky diodes |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
C3D10060A | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10A; TO220-2; 136W; C3D Mounting: THT Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C3D Load current: 10A Power dissipation: 136W Max. off-state voltage: 0.6kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3D10060A | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10A; TO220-2; 136W; C3D Mounting: THT Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C3D Load current: 10A Power dissipation: 136W Max. off-state voltage: 0.6kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 394 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3D10060G | Wolfspeed(CREE) |
C3D10060G SMD Schottky diodes |
на замовлення 656 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3D10065A | Wolfspeed(CREE) |
C3D10065A THT Schottky diodes |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3D10065I | Wolfspeed(CREE) |
C3D10065I THT Schottky diodes |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
C3D16060D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D Mounting: THT Semiconductor structure: common cathode; double Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Power dissipation: 100W Load current: 8A x2 Max. off-state voltage: 0.6kV Case: TO247-3 Manufacturer series: C3D |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3D16060D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D Mounting: THT Semiconductor structure: common cathode; double Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Power dissipation: 100W Load current: 8A x2 Max. off-state voltage: 0.6kV Case: TO247-3 Manufacturer series: C3D кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 141 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3D20065D | Wolfspeed(CREE) |
C3D20065D THT Schottky diodes |
на замовлення 88 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3M0021120K | Wolfspeed(CREE) |
C3M0021120K THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3M0040120D | Wolfspeed(CREE) |
C3M0040120D THT N channel transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3M0040120K | Wolfspeed(CREE) |
C3M0040120K THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3M0060065D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W Technology: C3M™; SiC Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 46nC On-state resistance: 80mΩ Drain current: 27A Pulsed drain current: 99A Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 650V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| C3M0060065J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W Technology: C3M™; SiC Case: D2PAK-7 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 46nC On-state resistance: 80mΩ Drain current: 26A Pulsed drain current: 99A Power dissipation: 136W Drain-source voltage: 650V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| C3M0060065K | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W Technology: C3M™; SiC Case: TO247-4 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 46nC On-state resistance: 80mΩ Drain current: 27A Pulsed drain current: 99A Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 650V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
C3M0065090J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Reverse recovery time: 16ns Gate charge: 30.4nC Kind of channel: enhancement Case: D2PAK-7 Technology: C3M™; SiC On-state resistance: 78mΩ Power dissipation: 113W Drain current: 35A Drain-source voltage: 900V Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3M0065090J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Reverse recovery time: 16ns Gate charge: 30.4nC Kind of channel: enhancement Case: D2PAK-7 Technology: C3M™; SiC On-state resistance: 78mΩ Power dissipation: 113W Drain current: 35A Drain-source voltage: 900V Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3M0075120D | Wolfspeed(CREE) |
C3M0075120D THT N channel transistors |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
C3M0075120J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7 Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Reverse recovery time: 18ns On-state resistance: 75mΩ Drain current: 30A Drain-source voltage: 1.2kV Power dissipation: 113.6W Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 14nC |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3M0075120J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7 Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Reverse recovery time: 18ns On-state resistance: 75mΩ Drain current: 30A Drain-source voltage: 1.2kV Power dissipation: 113.6W Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 14nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3M0120090D | Wolfspeed(CREE) |
C3M0120090D THT N channel transistors |
на замовлення 64 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
C3M0120090J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Reverse recovery time: 24ns On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 22A Drain-source voltage: 900V Power dissipation: 83W Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 17.3nC |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3M0120090J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Reverse recovery time: 24ns On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 22A Drain-source voltage: 900V Power dissipation: 83W Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 17.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3M0120100J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Reverse recovery time: 16ns On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 22A Drain-source voltage: 1kV Power dissipation: 83W Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 21.5nC |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3M0120100J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Reverse recovery time: 16ns On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 22A Drain-source voltage: 1kV Power dissipation: 83W Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 21.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3M0160120D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 38nC Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 Technology: C3M™; SiC On-state resistance: 256mΩ Power dissipation: 97W Drain current: 12A Pulsed drain current: 34A Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3M0160120D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 38nC Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 Technology: C3M™; SiC On-state resistance: 256mΩ Power dissipation: 97W Drain current: 12A Pulsed drain current: 34A Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 431 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3M0280090J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Reverse recovery time: 20ns On-state resistance: 0.28Ω Drain current: 11A Drain-source voltage: 900V Power dissipation: 50W Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 9.5nC |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C3M0280090J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Reverse recovery time: 20ns On-state resistance: 0.28Ω Drain current: 11A Drain-source voltage: 900V Power dissipation: 50W Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -8...19V Gate charge: 9.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C4D02120A | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D Mounting: THT Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C4D Load current: 2A Power dissipation: 60W Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C4D02120A | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D Mounting: THT Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C4D Load current: 2A Power dissipation: 60W Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 664 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C4D02120E | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D Mounting: SMD Case: TO252-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C4D Load current: 2A Power dissipation: 52W Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C4D02120E | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D Mounting: SMD Case: TO252-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C4D Load current: 2A Power dissipation: 52W Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 621 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C4D05120A | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D Mounting: THT Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C4D Load current: 5A Power dissipation: 81W Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
C4D05120A | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D Mounting: THT Case: TO220-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C4D Load current: 5A Power dissipation: 81W Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 986 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C4D05120E | Wolfspeed(CREE) |
C4D05120E SMD Schottky diodes |
на замовлення 149 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C4D10120A | Wolfspeed(CREE) |
C4D10120A THT Schottky diodes |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C4D10120D | Wolfspeed(CREE) |
C4D10120D THT Schottky diodes |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
C4D10120E | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 170W; C4D Mounting: SMD Case: TO252-2 Technology: SiC; Z-Rec® Manufacturer series: C4D Load current: 10A Power dissipation: 170W Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| C2M0040120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C2M0040120D THT N channel transistors
C2M0040120D THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3551.64 грн |
| C2M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 23ns
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-FET™
On-state resistance: 196mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 17.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 23ns
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-FET™
On-state resistance: 196mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 17.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 784.42 грн |
| C2M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 23ns
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-FET™
On-state resistance: 196mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 17.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 23ns
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-FET™
On-state resistance: 196mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 17.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 941.30 грн |
| C3D02060E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 600V; 2A; 39.5W; C3D
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 2A
Power dissipation: 39.5W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 600V; 2A; 39.5W; C3D
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 2A
Power dissipation: 39.5W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 137.54 грн |
| 5+ | 93.11 грн |
| 25+ | 55.37 грн |
| 50+ | 49.44 грн |
| 75+ | 46.39 грн |
| 150+ | 41.69 грн |
| 300+ | 37.82 грн |
| 525+ | 35.51 грн |
| C3D02060E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 600V; 2A; 39.5W; C3D
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 2A
Power dissipation: 39.5W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 600V; 2A; 39.5W; C3D
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 2A
Power dissipation: 39.5W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.05 грн |
| 3+ | 116.03 грн |
| 25+ | 66.44 грн |
| 50+ | 59.33 грн |
| 75+ | 55.67 грн |
| 150+ | 50.03 грн |
| 300+ | 45.38 грн |
| C3D02060F |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 2A; TO220FP-2; 10.8W
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 2A
Power dissipation: 10.8W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 2A; TO220FP-2; 10.8W
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 2A
Power dissipation: 10.8W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 112.69 грн |
| 10+ | 61.14 грн |
| 50+ | 42.52 грн |
| 100+ | 39.06 грн |
| C3D02060F |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 2A; TO220FP-2; 10.8W
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 2A
Power dissipation: 10.8W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 2A; TO220FP-2; 10.8W
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 2A
Power dissipation: 10.8W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.23 грн |
| 10+ | 76.19 грн |
| 50+ | 51.02 грн |
| 100+ | 46.87 грн |
| 500+ | 42.62 грн |
| C3D02065E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D02065E SMD Schottky diodes
C3D02065E SMD Schottky diodes
на замовлення 250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.37 грн |
| 25+ | 48.25 грн |
| 68+ | 45.58 грн |
| C3D03060A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D03060A THT Schottky diodes
C3D03060A THT Schottky diodes
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.35 грн |
| 17+ | 71.19 грн |
| 46+ | 67.24 грн |
| C3D03060E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D03060E SMD Schottky diodes
C3D03060E SMD Schottky diodes
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.40 грн |
| 17+ | 72.18 грн |
| 45+ | 68.22 грн |
| 525+ | 67.77 грн |
| C3D03060F |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D03060F THT Schottky diodes
C3D03060F THT Schottky diodes
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.46 грн |
| 17+ | 70.20 грн |
| 47+ | 66.25 грн |
| C3D04060A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 4A; TO220-2; 75W; C3D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 4A
Power dissipation: 75W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 4A; TO220-2; 75W; C3D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 4A
Power dissipation: 75W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 116.24 грн |
| 10+ | 76.63 грн |
| 50+ | 68.39 грн |
| C3D04060A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 4A; TO220-2; 75W; C3D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 4A
Power dissipation: 75W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 4A; TO220-2; 75W; C3D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 4A
Power dissipation: 75W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.49 грн |
| 10+ | 95.49 грн |
| 50+ | 82.07 грн |
| C3D04060E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D04060E SMD Schottky diodes
C3D04060E SMD Schottky diodes
на замовлення 212 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.46 грн |
| 14+ | 89.98 грн |
| 37+ | 85.03 грн |
| C3D04065A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D04065A THT Schottky diodes
C3D04065A THT Schottky diodes
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.95 грн |
| 12+ | 101.84 грн |
| 32+ | 95.91 грн |
| C3D04065E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D04065E SMD Schottky diodes
C3D04065E SMD Schottky diodes
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 210.84 грн |
| 13+ | 95.91 грн |
| 34+ | 89.98 грн |
| C3D06060A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 6A; TO220-2; 79W; C3D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 6A
Power dissipation: 79W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 6A; TO220-2; 79W; C3D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 6A
Power dissipation: 79W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.08 грн |
| 50+ | 116.18 грн |
| 100+ | 112.06 грн |
| 500+ | 101.35 грн |
| 1000+ | 98.88 грн |
| C3D06060A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 6A; TO220-2; 79W; C3D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 6A
Power dissipation: 79W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 6A; TO220-2; 79W; C3D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 6A
Power dissipation: 79W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.89 грн |
| 50+ | 144.78 грн |
| 100+ | 134.47 грн |
| 500+ | 121.62 грн |
| 1000+ | 118.65 грн |
| C3D06060G |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 600V; 6A; 91W; C3D
Mounting: SMD
Case: TO263-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 6A
Power dissipation: 91W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 600V; 6A; 91W; C3D
Mounting: SMD
Case: TO263-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 6A
Power dissipation: 91W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 113.71 грн |
| 10+ | 112.06 грн |
| C3D06060G |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 600V; 6A; 91W; C3D
Mounting: SMD
Case: TO263-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 6A
Power dissipation: 91W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 600V; 6A; 91W; C3D
Mounting: SMD
Case: TO263-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 6A
Power dissipation: 91W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.72 грн |
| 3+ | 141.70 грн |
| 10+ | 134.47 грн |
| C3D06065A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D06065A THT Schottky diodes
C3D06065A THT Schottky diodes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 283.24 грн |
| 8+ | 148.31 грн |
| 22+ | 140.40 грн |
| C3D08065A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D08065A THT Schottky diodes
C3D08065A THT Schottky diodes
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 309.86 грн |
| 6+ | 199.73 грн |
| 17+ | 188.85 грн |
| C3D10060A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10A; TO220-2; 136W; C3D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 10A
Power dissipation: 136W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10A; TO220-2; 136W; C3D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 10A
Power dissipation: 136W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 378.90 грн |
| 10+ | 186.22 грн |
| 50+ | 172.21 грн |
| 100+ | 171.39 грн |
| C3D10060A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10A; TO220-2; 136W; C3D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 10A
Power dissipation: 136W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10A; TO220-2; 136W; C3D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C3D
Load current: 10A
Power dissipation: 136W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 454.68 грн |
| 10+ | 232.06 грн |
| 50+ | 206.65 грн |
| 100+ | 205.66 грн |
| C3D10060G |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D10060G SMD Schottky diodes
C3D10060G SMD Schottky diodes
на замовлення 656 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 405.70 грн |
| 6+ | 231.37 грн |
| 15+ | 218.52 грн |
| C3D10065A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D10065A THT Schottky diodes
C3D10065A THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 512.18 грн |
| 5+ | 248.18 грн |
| 14+ | 234.34 грн |
| 200+ | 234.11 грн |
| C3D10065I |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D10065I THT Schottky diodes
C3D10065I THT Schottky diodes
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 413.15 грн |
| 5+ | 267.96 грн |
| 13+ | 253.12 грн |
| C3D16060D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Power dissipation: 100W
Load current: 8A x2
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: TO247-3
Manufacturer series: C3D
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Power dissipation: 100W
Load current: 8A x2
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: TO247-3
Manufacturer series: C3D
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 535.07 грн |
| 30+ | 318.05 грн |
| 120+ | 285.09 грн |
| C3D16060D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Power dissipation: 100W
Load current: 8A x2
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: TO247-3
Manufacturer series: C3D
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Power dissipation: 100W
Load current: 8A x2
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: TO247-3
Manufacturer series: C3D
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 642.09 грн |
| 30+ | 396.34 грн |
| 120+ | 342.11 грн |
| 510+ | 337.17 грн |
| C3D20065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3D20065D THT Schottky diodes
C3D20065D THT Schottky diodes
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 794.36 грн |
| 3+ | 484.49 грн |
| 7+ | 457.80 грн |
| C3M0021120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0021120K THT N channel transistors
C3M0021120K THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2162.43 грн |
| 2+ | 2044.77 грн |
| C3M0040120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0040120D THT N channel transistors
C3M0040120D THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1577.00 грн |
| 2+ | 1015.46 грн |
| 4+ | 960.09 грн |
| C3M0040120K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0040120K THT N channel transistors
C3M0040120K THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1920.94 грн |
| 2+ | 1009.53 грн |
| 4+ | 954.16 грн |
| C3M0060065D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 650V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| C3M0060065J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Technology: C3M™; SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 650V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Technology: C3M™; SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| C3M0060065K |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-4
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 650V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-4
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| C3M0065090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 16ns
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 16ns
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1002.71 грн |
| C3M0065090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 16ns
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 16ns
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1203.25 грн |
| C3M0075120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0075120D THT N channel transistors
C3M0075120D THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1859.18 грн |
| 2+ | 983.82 грн |
| 4+ | 930.43 грн |
| C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 18ns
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 14nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 18ns
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 14nC
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1164.21 грн |
| 5+ | 957.45 грн |
| 10+ | 888.24 грн |
| C3M0075120J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 18ns
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 18ns
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1397.05 грн |
| 5+ | 1193.13 грн |
| 10+ | 1065.89 грн |
| 50+ | 990.74 грн |
| C3M0120090D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C3M0120090D THT N channel transistors
C3M0120090D THT N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 878.48 грн |
| 2+ | 792.00 грн |
| 5+ | 748.49 грн |
| C3M0120090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 819.03 грн |
| 3+ | 667.42 грн |
| 10+ | 628.69 грн |
| C3M0120090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 982.83 грн |
| 3+ | 831.70 грн |
| 10+ | 754.43 грн |
| C3M0120100J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 16ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 21.5nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 16ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 21.5nC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 811.93 грн |
| 10+ | 679.78 грн |
| C3M0120100J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 16ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 21.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 16ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 21.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 974.31 грн |
| 10+ | 847.11 грн |
| 30+ | 787.06 грн |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 559.92 грн |
| 10+ | 466.37 грн |
| 30+ | 400.45 грн |
| C3M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 671.90 грн |
| 10+ | 581.17 грн |
| 30+ | 480.54 грн |
| 510+ | 436.05 грн |
| C3M0280090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 20ns
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 50W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 9.5nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 20ns
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 50W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 9.5nC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 552.82 грн |
| C3M0280090J |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 20ns
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 50W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 9.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 20ns
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 50W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 9.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 663.39 грн |
| 50+ | 382.99 грн |
| C4D02120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 2A
Power dissipation: 60W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 2A
Power dissipation: 60W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 188.12 грн |
| 5+ | 130.19 грн |
| 10+ | 113.71 грн |
| 25+ | 95.58 грн |
| 50+ | 85.69 грн |
| 100+ | 80.75 грн |
| C4D02120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 2A
Power dissipation: 60W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 2A
Power dissipation: 60W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 664 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.74 грн |
| 5+ | 162.23 грн |
| 10+ | 136.45 грн |
| 25+ | 114.70 грн |
| 50+ | 102.83 грн |
| 100+ | 96.90 грн |
| C4D02120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 2A
Power dissipation: 52W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 2A
Power dissipation: 52W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 178.36 грн |
| 5+ | 131.01 грн |
| 10+ | 116.18 грн |
| 40+ | 92.28 грн |
| 75+ | 83.22 грн |
| 150+ | 82.40 грн |
| C4D02120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 2A
Power dissipation: 52W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 2A
Power dissipation: 52W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 621 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.03 грн |
| 5+ | 163.26 грн |
| 10+ | 139.42 грн |
| 40+ | 110.74 грн |
| 75+ | 99.87 грн |
| 150+ | 98.88 грн |
| C4D05120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 5A
Power dissipation: 81W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 5A
Power dissipation: 81W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 374.46 грн |
| 10+ | 207.64 грн |
| 40+ | 184.57 грн |
| 50+ | 181.27 грн |
| 100+ | 179.63 грн |
| C4D05120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 5A
Power dissipation: 81W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Mounting: THT
Case: TO220-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 5A
Power dissipation: 81W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 986 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 449.36 грн |
| 10+ | 258.75 грн |
| 40+ | 221.48 грн |
| 50+ | 217.53 грн |
| 100+ | 215.55 грн |
| C4D05120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D05120E SMD Schottky diodes
C4D05120E SMD Schottky diodes
на замовлення 149 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 548.38 грн |
| 5+ | 265.98 грн |
| 13+ | 251.15 грн |
| C4D10120A |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D10120A THT Schottky diodes
C4D10120A THT Schottky diodes
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 867.83 грн |
| 3+ | 512.18 грн |
| 7+ | 484.49 грн |
| 100+ | 483.62 грн |
| C4D10120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
C4D10120D THT Schottky diodes
C4D10120D THT Schottky diodes
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 846.53 грн |
| 3+ | 505.26 грн |
| 7+ | 477.57 грн |
| 120+ | 476.43 грн |
| C4D10120E |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 170W; C4D
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 10A
Power dissipation: 170W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 170W; C4D
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Manufacturer series: C4D
Load current: 10A
Power dissipation: 170W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 433.92 грн |
| 5+ | 361.72 грн |
| 25+ | 359.25 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]









