Продукція > YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD > Всі товари виробника YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD (1715) > Сторінка 11 з 29

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GBU608-B1-0000 GBU608-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU6005%20THRU%20GBU610.pdf Description: RECT BRIDGE 800V 6A GBU
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.33 грн
10+61.47 грн
100+47.16 грн
500+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GBU610A GBU610A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU6005A%20THRU%20GBU610A.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 6A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU610A-B1-0000 GBU610A-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU6005A%20THRU%20GBU610A.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 6A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU610-B1-0000 GBU610-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU6005%20THRU%20GBU610.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 6A GBU
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.83 грн
10+66.24 грн
100+50.81 грн
500+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GBU806A GBU806A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU8005A%20THRU%20GBU810A.pdf Description: RECT BRIDGE 600V 8A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU808-B1-0000 GBU808-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU8005%20THRU%20GBU810.pdf Description: RECT BRIDGE 800V 8A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU810A GBU810A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU8005A%20THRU%20GBU810A.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 8A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU810A-B1-0000 GBU810A-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU8005A%20THRU%20GBU810A.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 8A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU810-B1-3000 GBU810-B1-3000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU8005%20THRU%20GBU810.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 8A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR1D GR1D Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR1A%20THRU%20GR1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR1D GR1D Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR1A%20THRU%20GR1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR1D-F1-0000HF GR1D-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR1A%20THRU%20GR1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR1D-F1-0000HF GR1D-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR1A%20THRU%20GR1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR1M-F1-0000HF GR1M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR1A%20THRU%20GR1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR1M-F1-0000HF GR1M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR1A%20THRU%20GR1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2JA-F1-3000HF GR2JA-F1-3000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2JA-F1-3000HF GR2JA-F1-3000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2M GR2M Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR2A%20THRU%20GR2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2M GR2M Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR2A%20THRU%20GR2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2MA GR2MA Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2MA GR2MA Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2M-F1-0000HF GR2M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR2A%20THRU%20GR2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2M-F1-0000HF GR2M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR2A%20THRU%20GR2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3K GR3K Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3A%20THRU%20GR3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3K GR3K Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3A%20THRU%20GR3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3M GR3M Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3A%20THRU%20GR3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3M GR3M Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3A%20THRU%20GR3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3MB GR3MB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3MB GR3MB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.94 грн
17+18.70 грн
100+10.60 грн
500+6.59 грн
1000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GR3MB-F1-0000HF GR3MB-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AA
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.09 грн
15+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GR3MB-F1-0000HF GR3MB-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3M-F1-0000 GR3M-F1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3A%20THRU%20GR3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3M-F1-0000 GR3M-F1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3A%20THRU%20GR3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR5J-F1-0000 GR5J-F1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR5A%20THRU%20GR5M.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR5J-F1-0000 GR5J-F1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR5A%20THRU%20GR5M.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1G-F1-0000HF GS1G-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1G-F1-0000HF GS1G-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1J-F1-0000HF GS1J-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1J-F1-0000HF GS1J-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1K-F1-3000HF GS1K-F1-3000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1K-F1-3000HF GS1K-F1-3000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1M-F1-0000HF GS1M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1M-F1-0000HF GS1M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.51 грн
24+13.10 грн
100+6.91 грн
500+4.27 грн
1000+2.90 грн
2000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GS2D-F1-0000HF GS2D-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2A%20THRU%20GS2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS2D-F1-0000HF GS2D-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2A%20THRU%20GS2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS2MA-F1-0000HF GS2MA-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS2MA-F1-0000HF GS2MA-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.94 грн
17+18.62 грн
100+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GS2M-F1-0000HF GS2M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2A%20THRU%20GS2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS2M-F1-0000HF GS2M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2A%20THRU%20GS2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3G GS3G Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3A%20THRU%20GS3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3G GS3G Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3A%20THRU%20GS3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3GB GS3GB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3GB GS3GB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3JB GS3JB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3JB GS3JB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3JB-F1-3000HF GS3JB-F1-3000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3JB-F1-3000HF GS3JB-F1-3000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3KB GS3KB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3KB GS3KB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3KB-F1-3000HF GS3KB-F1-3000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU608-B1-0000 GBU6005%20THRU%20GBU610.pdf
GBU608-B1-0000
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 800V 6A GBU
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.33 грн
10+61.47 грн
100+47.16 грн
500+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GBU610A GBU6005A%20THRU%20GBU610A.pdf
GBU610A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 6A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU610A-B1-0000 GBU6005A%20THRU%20GBU610A.pdf
GBU610A-B1-0000
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 6A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU610-B1-0000 GBU6005%20THRU%20GBU610.pdf
GBU610-B1-0000
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 6A GBU
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.83 грн
10+66.24 грн
100+50.81 грн
500+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GBU806A GBU8005A%20THRU%20GBU810A.pdf
GBU806A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 600V 8A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU808-B1-0000 GBU8005%20THRU%20GBU810.pdf
GBU808-B1-0000
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 800V 8A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU810A GBU8005A%20THRU%20GBU810A.pdf
GBU810A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 8A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU810A-B1-0000 GBU8005A%20THRU%20GBU810A.pdf
GBU810A-B1-0000
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 8A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU810-B1-3000 GBU8005%20THRU%20GBU810.pdf
GBU810-B1-3000
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 8A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR1D GR1A%20THRU%20GR1M.pdf
GR1D
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR1D GR1A%20THRU%20GR1M.pdf
GR1D
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR1D-F1-0000HF GR1A%20THRU%20GR1M.pdf
GR1D-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR1D-F1-0000HF GR1A%20THRU%20GR1M.pdf
GR1D-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR1M-F1-0000HF GR1A%20THRU%20GR1M.pdf
GR1M-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR1M-F1-0000HF GR1A%20THRU%20GR1M.pdf
GR1M-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2JA-F1-3000HF GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf
GR2JA-F1-3000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2JA-F1-3000HF GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf
GR2JA-F1-3000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2M GR2A%20THRU%20GR2M.pdf
GR2M
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2M GR2A%20THRU%20GR2M.pdf
GR2M
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2MA GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf
GR2MA
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2MA GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf
GR2MA
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2M-F1-0000HF GR2A%20THRU%20GR2M.pdf
GR2M-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR2M-F1-0000HF GR2A%20THRU%20GR2M.pdf
GR2M-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3K GR3A%20THRU%20GR3M.pdf
GR3K
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3K GR3A%20THRU%20GR3M.pdf
GR3K
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3M GR3A%20THRU%20GR3M.pdf
GR3M
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3M GR3A%20THRU%20GR3M.pdf
GR3M
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3MB GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf
GR3MB
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3MB GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf
GR3MB
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.94 грн
17+18.70 грн
100+10.60 грн
500+6.59 грн
1000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GR3MB-F1-0000HF GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf
GR3MB-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AA
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.09 грн
15+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GR3MB-F1-0000HF GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf
GR3MB-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3M-F1-0000 GR3A%20THRU%20GR3M.pdf
GR3M-F1-0000
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR3M-F1-0000 GR3A%20THRU%20GR3M.pdf
GR3M-F1-0000
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR5J-F1-0000 GR5A%20THRU%20GR5M.pdf
GR5J-F1-0000
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GR5J-F1-0000 GR5A%20THRU%20GR5M.pdf
GR5J-F1-0000
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1G-F1-0000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1G-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1G-F1-0000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1G-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1J-F1-0000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1J-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1J-F1-0000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1J-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1K-F1-3000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1K-F1-3000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1K-F1-3000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1K-F1-3000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1M-F1-0000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1M-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS1M-F1-0000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1M-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.51 грн
24+13.10 грн
100+6.91 грн
500+4.27 грн
1000+2.90 грн
2000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GS2D-F1-0000HF GS2A%20THRU%20GS2M.pdf
GS2D-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS2D-F1-0000HF GS2A%20THRU%20GS2M.pdf
GS2D-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS2MA-F1-0000HF GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf
GS2MA-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS2MA-F1-0000HF GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf
GS2MA-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.94 грн
17+18.62 грн
100+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GS2M-F1-0000HF GS2A%20THRU%20GS2M.pdf
GS2M-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS2M-F1-0000HF GS2A%20THRU%20GS2M.pdf
GS2M-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3G GS3A%20THRU%20GS3M.pdf
GS3G
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3G GS3A%20THRU%20GS3M.pdf
GS3G
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3GB GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf
GS3GB
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3GB GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf
GS3GB
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3JB GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf
GS3JB
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3JB GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf
GS3JB
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3JB-F1-3000HF GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf
GS3JB-F1-3000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3JB-F1-3000HF GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf
GS3JB-F1-3000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3KB GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf
GS3KB
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3KB GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf
GS3KB
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3KB-F1-3000HF GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf
GS3KB-F1-3000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]