Продукція > YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD > Всі товари виробника YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD (1715) > Сторінка 8 з 29
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTC143ECA-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23- |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DTC143ECA-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23- |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DTC143ZCA-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23- |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DTC143ZCA-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23- |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E1D | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E1D | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E1D-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E1D-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E1JF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAFPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E1JF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
E1JF-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
E1JF-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E1JFS | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E1JFS | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E2GF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A SMAFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E2GF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A SMAFPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E2JF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SMAFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
E2JF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SMAFPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E2JF-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SMAF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
E2JF-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SMAF |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ES1B-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES1B-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES1D-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES1D-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES1J-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
на замовлення 4888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ES1J-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES1K | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES1K | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES1K-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES1K-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2DA-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2DA-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2D-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2D-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2GA-F1-3000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2GA-F1-3000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2G-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2G-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2JA-F1-3000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2JA-F1-3000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2J-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2J-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2K | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2K | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2KA | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2KA | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2K-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES2K-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES3DB-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES3DB-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES3D-F1-0000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES3D-F1-0000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ES3GB-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: FAST DIODE 400V 3A SMB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| ES3GB-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: FAST DIODE 400V 3A SMB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| ES3G-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: FAST DIODE 400V 3A SMC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| ES3G-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: FAST DIODE 400V 3A SMC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
ES3JB-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES3JB-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES3J-F1-3000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ES3J-F1-3000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| DTC143ECA-F2-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DTC143ECA-F2-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DTC143ZCA-F2-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DTC143ZCA-F2-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E1D |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E1D |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E1D-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E1D-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E1JF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E1JF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.58 грн |
| 27+ | 11.28 грн |
| 100+ | 6.13 грн |
| 500+ | 3.54 грн |
| 1000+ | 2.41 грн |
| E1JF-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.01 грн |
| 18+ | 17.41 грн |
| 100+ | 9.22 грн |
| 500+ | 5.69 грн |
| 1000+ | 3.87 грн |
| E1JF-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E1JFS |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E1JFS |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E2GF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A SMAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A SMAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E2GF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A SMAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A SMAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E2JF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SMAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SMAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.30 грн |
| 23+ | 13.40 грн |
| 100+ | 7.11 грн |
| 500+ | 4.39 грн |
| E2JF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SMAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SMAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E2JF-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SMAF
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SMAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| E2JF-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SMAF
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SMAF
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.16 грн |
| 12+ | 25.82 грн |
| 100+ | 14.66 грн |
| 500+ | 9.11 грн |
| 1000+ | 6.98 грн |
| ES1B-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1B-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1D-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1D-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1J-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.16 грн |
| 12+ | 26.12 грн |
| 100+ | 14.82 грн |
| 500+ | 9.21 грн |
| 1000+ | 7.06 грн |
| 2000+ | 6.14 грн |
| ES1J-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1K |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1K |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1K-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1K-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2DA-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2DA-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2D-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2D-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2GA-F1-3000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2GA-F1-3000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2G-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2G-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2JA-F1-3000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2JA-F1-3000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2J-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2J-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2K |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2K |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2KA |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2KA |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2K-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES2K-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES3DB-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES3DB-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES3D-F1-0000 |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES3D-F1-0000 |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES3GB-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: FAST DIODE 400V 3A SMB
Description: FAST DIODE 400V 3A SMB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES3GB-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: FAST DIODE 400V 3A SMB
Description: FAST DIODE 400V 3A SMB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES3G-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: FAST DIODE 400V 3A SMC
Description: FAST DIODE 400V 3A SMC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES3G-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: FAST DIODE 400V 3A SMC
Description: FAST DIODE 400V 3A SMC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES3JB-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES3JB-F1-0000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES3J-F1-3000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES3J-F1-3000HF |
![]() |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






