Продукція > ALLIANCE MEMORY > Всі товари виробника ALLIANCE MEMORY (3604) > Сторінка 29 з 61
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AS6C1616B-45BIN | Alliance Memory | Alliance Memory |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616B-45BINTR | Alliance Memory | Alliance Memory |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616B-45TIN | Alliance Memory | SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616B-45TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 45ns Case: TSOP48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616B-45TINTR | Alliance Memory | SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616B-45TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 45ns Case: TSOP48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616B-55BIN | Alliance Memory | SRAM LP SRAM, 16Mb, 1M x 16, 2.7 - 3.6V, 48 ball TFBGA, 45ns, Industrial Temp - Tray |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1616B-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 480 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616B-55BINTR | Alliance Memory | SRAM 16Mb, LP SRAM, 1024K x 16, 2.7 - 3.6V, 48ball 6mmx8mm FBGA, 55ns, Industrial Temp, B Die, T&R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616B-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616B-55TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 55ns Case: TSOP48 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616C-45TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit/2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 45ns Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit/2Mx8bit Access time: 45ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating voltage: 2.7...3.6V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616C-45TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit/2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 45ns Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit/2Mx8bit Access time: 45ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating voltage: 2.7...3.6V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616C-45TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit/2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 45ns Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit/2Mx8bit Access time: 45ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1616C-45TINTR | Alliance Memory | SRAM 16Mb 1M x 16 Bit Low Power CMOS SRAM with switchable IO options x16 or x8 Reel |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1616C-45TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit/2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 45ns Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit/2Mx8bit Access time: 45ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating voltage: 2.7...3.6V кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TFBGA36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Case: TFBGA36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 3...3.6V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TFBGA36; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Case: TFBGA36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 3.3V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55SIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; SOP32; parallel Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 2Mb SRAM Case: SOP32 Operating voltage: 3...3.6V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55SINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; SOP32; parallel Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 2Mb SRAM Case: SOP32 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55STINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; STSOP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Case: STSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 3.3V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32; parallel Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 2Mb SRAM Case: TSOP32 Operating voltage: 3...3.6V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TSOP32; parallel Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 2Mb SRAM Case: TSOP32 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55BIN | Alliance Memory | SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TFBGA36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Case: TFBGA36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 3...3.6V кількість в упаковці: 480 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55BINTR | Alliance Memory | SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TFBGA36; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Case: TFBGA36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55SIN | Alliance Memory | SRAM LP SRAM, 2Mb, 256K x 8, 3V, 32pin 450 mil SOP, 55ns, Industrial Temp - Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55SIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; SOP32; parallel Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 2Mb SRAM Case: SOP32 Operating voltage: 3...3.6V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55SINTR | Alliance Memory | SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55SINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; SOP32; parallel Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 2Mb SRAM Case: SOP32 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55STIN | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C2008-55STINTR | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55STINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; STSOP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Case: STSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55TIN | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C2008-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32; parallel Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 2Mb SRAM Case: TSOP32 Operating voltage: 3...3.6V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55TINTR | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008-55TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TSOP32; parallel Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 2Mb SRAM Case: TSOP32 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55BIN | Alliance Memory | SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55BIN | ALLIANCE MEMORY | AS6C2008A-55BIN Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55BINTR | Alliance Memory | SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55BINTR | ALLIANCE MEMORY | AS6C2008A-55BINTR Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55SIN | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C2008A-55SIN | ALLIANCE MEMORY | AS6C2008A-55SIN Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55SINTR | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55SINTR | ALLIANCE MEMORY | AS6C2008A-55SINTR Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55STIN | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55STIN | ALLIANCE MEMORY | AS6C2008A-55STIN Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55STINTR | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55STINTR | ALLIANCE MEMORY | AS6C2008A-55STINTR Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55TIN | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C2008A-55TIN | ALLIANCE MEMORY | AS6C2008A-55TIN Parallel SRAM memories - integ. circ. |
на замовлення 202 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C2008A-55TINTR | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2008A-55TINTR | ALLIANCE MEMORY | AS6C2008A-55TINTR Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2016-55BIN | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM |
на замовлення 604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
AS6C2016-55BINTR | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2016-55BINTR | ALLIANCE MEMORY | AS6C2016-55BINTR Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2016-55ZIN | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C2016-55ZIN | ALLIANCE MEMORY | AS6C2016-55ZIN Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C2016-55ZINTR | Alliance Memory | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM |
товар відсутній |
AS6C1616B-45TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS6C1616B-45TINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1500 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C1616B-55BIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 16Mb, 1M x 16, 2.7 - 3.6V, 48 ball TFBGA, 45ns, Industrial Temp - Tray
SRAM LP SRAM, 16Mb, 1M x 16, 2.7 - 3.6V, 48 ball TFBGA, 45ns, Industrial Temp - Tray
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 801.47 грн |
10+ | 731.67 грн |
25+ | 622.22 грн |
100+ | 544.77 грн |
250+ | 522.74 грн |
480+ | 511.39 грн |
960+ | 502.04 грн |
AS6C1616B-55BIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 480 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
AS6C1616B-55BINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16Mb, LP SRAM, 1024K x 16, 2.7 - 3.6V, 48ball 6mmx8mm FBGA, 55ns, Industrial Temp, B Die, T&R
SRAM 16Mb, LP SRAM, 1024K x 16, 2.7 - 3.6V, 48ball 6mmx8mm FBGA, 55ns, Industrial Temp, B Die, T&R
товар відсутній
AS6C1616B-55BINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS6C1616B-55TINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1500 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C1616C-45TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit/2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 45ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit/2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit/2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 45ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit/2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616C-45TINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit/2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 45ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit/2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit/2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 45ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit/2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616C-45TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit/2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 45ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit/2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit/2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 45ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit/2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS6C1616C-45TINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16Mb 1M x 16 Bit Low Power CMOS SRAM with switchable IO options x16 or x8 Reel
SRAM 16Mb 1M x 16 Bit Low Power CMOS SRAM with switchable IO options x16 or x8 Reel
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 854.43 грн |
10+ | 780.04 грн |
25+ | 662.94 грн |
100+ | 580.82 грн |
250+ | 552.12 грн |
500+ | 546.11 грн |
1000+ | 528.08 грн |
AS6C1616C-45TINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit/2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 45ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit/2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1500 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit/2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 45ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit/2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C2008-55BIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3...3.6V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3...3.6V
товар відсутній
AS6C2008-55BINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TFBGA36; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3.3V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TFBGA36; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS6C2008-55SIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; SOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; SOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
товар відсутній
AS6C2008-55SINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; SOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; SOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
товар відсутній
AS6C2008-55STINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3.3V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS6C2008-55TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
товар відсутній
AS6C2008-55TINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TSOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TSOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
товар відсутній
AS6C2008-55BIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C2008-55BIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3...3.6V
кількість в упаковці: 480 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3...3.6V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
AS6C2008-55BINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C2008-55BINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TFBGA36; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TFBGA36; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
AS6C2008-55SIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 2Mb, 256K x 8, 3V, 32pin 450 mil SOP, 55ns, Industrial Temp - Tray
SRAM LP SRAM, 2Mb, 256K x 8, 3V, 32pin 450 mil SOP, 55ns, Industrial Temp - Tray
товар відсутній
AS6C2008-55SIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; SOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; SOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS6C2008-55SINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C2008-55SINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; SOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; SOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS6C2008-55STIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 281.96 грн |
10+ | 251.82 грн |
100+ | 207.63 грн |
234+ | 175.58 грн |
5148+ | 172.91 грн |
10062+ | 170.24 грн |
AS6C2008-55STINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1500 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C2008-55TIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 281.96 грн |
10+ | 251.82 грн |
100+ | 195.61 грн |
250+ | 188.93 грн |
468+ | 184.93 грн |
1092+ | 180.26 грн |
2652+ | 175.58 грн |
AS6C2008-55TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS6C2008-55TINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TSOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
кількість в упаковці: 1500 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TSOP32; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 2Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C2008A-55BIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C2008A-55BIN Parallel SRAM memories - integ. circ.
AS6C2008A-55BIN Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C2008A-55BINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM
SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM
товар відсутній
AS6C2008A-55BINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C2008A-55BINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
AS6C2008A-55BINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C2008A-55SIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 281.96 грн |
10+ | 239.54 грн |
72+ | 194.94 грн |
288+ | 192.94 грн |
504+ | 188.93 грн |
1008+ | 184.26 грн |
2520+ | 180.92 грн |
AS6C2008A-55SIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C2008A-55SIN Parallel SRAM memories - integ. circ.
AS6C2008A-55SIN Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C2008A-55SINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C2008A-55SINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
AS6C2008A-55SINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C2008A-55STIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C2008A-55STIN Parallel SRAM memories - integ. circ.
AS6C2008A-55STIN Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C2008A-55STINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C2008A-55STINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C2008A-55STINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
AS6C2008A-55STINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C2008A-55TIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 281.96 грн |
10+ | 251.82 грн |
100+ | 188.93 грн |
250+ | 186.93 грн |
468+ | 182.26 грн |
1092+ | 178.92 грн |
2652+ | 176.92 грн |
AS6C2008A-55TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C2008A-55TIN Parallel SRAM memories - integ. circ.
AS6C2008A-55TIN Parallel SRAM memories - integ. circ.
на замовлення 202 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 350.5 грн |
5+ | 226.15 грн |
12+ | 213.64 грн |
AS6C2008A-55TINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C2008A-55TINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
AS6C2008A-55TINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C2016-55BIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)AS6C2016-55BINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C2016-55BINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
AS6C2016-55BINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C2016-55ZIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 281.96 грн |
10+ | 245.68 грн |
100+ | 174.91 грн |
270+ | 171.58 грн |
540+ | 167.57 грн |
5130+ | 150.88 грн |
10125+ | 149.55 грн |
AS6C2016-55ZIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C2016-55ZIN Parallel SRAM memories - integ. circ.
AS6C2016-55ZIN Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній