Продукція > ALLIANCE MEMORY > Всі товари виробника ALLIANCE MEMORY (2330) > Сторінка 21 з 39
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AS6C2008-55SIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; SOP32; parallel Operating voltage: 3...3.6V Kind of memory: asynchronous; SRAM Mounting: SMD Access time: 55ns IC width: 450mils Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: LPC Memory: 2Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx8bit Case: SOP32 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2008-55SINTR | Alliance Memory |
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2008-55SINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; SOP32; parallel Operating voltage: 3.3V Kind of memory: asynchronous; SRAM Mounting: SMD Access time: 55ns IC width: 450mils Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: LPC Memory: 2Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx8bit Case: SOP32 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2008-55STIN | Alliance Memory |
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 20 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS6C2008-55STINTR | Alliance Memory |
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2008-55TIN | Alliance Memory |
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 121 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS6C2008-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32; parallel Operating voltage: 3...3.6V Kind of memory: asynchronous; SRAM Mounting: SMD Access time: 55ns Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: LPC Memory: 2Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx8bit Case: TSOP32 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2008-55TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TSOP32; parallel Operating voltage: 3.3V Kind of memory: asynchronous; SRAM Mounting: SMD Access time: 55ns Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: LPC Memory: 2Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx8bit Case: TSOP32 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2008-55TINTR | Alliance Memory |
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS6C2008A-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Operating voltage: 2.7...5.5V Access time: 55ns Case: TFBGA36 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AS6C2008A-55BIN | Alliance Memory |
SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AS6C2008A-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Operating voltage: 2.7...5.5V Access time: 55ns Case: TFBGA36 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AS6C2008A-55BINTR | Alliance Memory |
SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS6C2008A-55SIN | Alliance Memory |
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 49 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS6C2008A-55SIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: LPC Memory: 2Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx8bit Case: SOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Kind of memory: asynchronous; SRAM Access time: 55ns IC width: 450mils Type of integrated circuit: SRAM memory |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2008A-55SINTR | Alliance Memory |
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2008A-55SINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: LPC Memory: 2Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx8bit Case: SOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Kind of memory: asynchronous; SRAM Access time: 55ns IC width: 450mils Type of integrated circuit: SRAM memory |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2008A-55STIN | Alliance Memory |
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 234 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2008A-55STINTR | Alliance Memory |
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2008A-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 55ns Case: TSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS6C2008A-55TIN | Alliance Memory |
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 37 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS6C2008A-55TINTR | Alliance Memory |
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2016-55BIN | Alliance Memory |
SRAM LP SRAM, 2Mb, 128 x 16, 2.7 - 5.5V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp - Tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS6C201655BIN | Alliance Memory | 2Mb, LP SRAM, 128K x 16, 27 - 55V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS6C2016-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 128kx16bit Operating voltage: 2.7...5.5V Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C2016-55BINTR | Alliance Memory |
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS6C2016-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 128kx16bit Operating voltage: 2.7...5.5V Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS6C2016-55ZINTR | Alliance Memory |
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C3216-55BIN | Alliance Memory |
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048kx16 Asynch SRAM |
на замовлення 201 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C3216-55BINTR | Alliance Memory |
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048kx16 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C3216A-55BIN | Alliance Memory |
SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C3216A-55BINTR | Alliance Memory |
SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C3216A-55TIN | Alliance Memory |
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM |
на замовлення 1324 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS6C3216A-55TINTR | Alliance Memory |
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C4008-55BIN | Alliance Memory |
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS6C4008-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 2.7...5V Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS6C4008-55BINTR | Alliance Memory |
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS6C4008-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 2.7...5V Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS6C4008-55PCN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55PCN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, DIP, 32 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DIP Speicherdichte: 4Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS6C400855PCN | Alliance Memory | LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 27 - 55V, 32pin 600mil DIP, 55ns, Commercial Temp |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS6C4008-55PCN | Alliance Memory |
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS6C4008-55PCN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 2.7...5V Access time: 55ns Case: DIP32 Kind of interface: parallel Mounting: THT Integrated circuit features: LPC IC width: 600mils Operating temperature: 0...70°C |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AS6C4008-55PCNTR | Alliance Memory |
SRAM LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin 600mil DIP, 55ns, Commercial Temp, T&R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS6C4008-55PIN | Alliance Memory |
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 245 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS6C4008-55PIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel Mounting: THT Case: DIP32 IC width: 600mils Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: LPC Memory: 4Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 2.7...5V Kind of memory: asynchronous; SRAM Access time: 55ns |
на замовлення 114 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AS6C4008-55PINTR | Alliance Memory |
SRAM LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin 600mil DIP, 55ns, industrial Temp, T&R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS6C4008-55SIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55SIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C4008-55SIN | Alliance Memory |
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C4008-55SIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 2.7...5V Access time: 55ns Case: SOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils Operating temperature: -40...85°C |
на замовлення 197 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AS6C400855SIN | Alliance Memory | LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 27 - 55V, 32pin 450 mil SOP, 55ns, Industrial Temp |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS6C4008-55SINTR | Alliance Memory |
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS6C4008-55STIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 2.7...5V Access time: 55ns Case: STSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating temperature: -40...85°C |
на замовлення 327 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS6C4008-55STIN | Alliance Memory |
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 378 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS6C4008-55STINR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 2.7...5V Access time: 55ns Case: STSOP32 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AS6C4008-55STINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 2.7...5V Access time: 55ns Case: STSOP32 Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AS6C4008-55STINTR | Alliance Memory |
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C4008-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 2.7...5V Access time: 55ns Case: TSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C4008-55TIN | Alliance Memory |
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 544 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AS6C4008-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55TIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AS6C4008-55TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 2.7...5V Access time: 55ns Case: TSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
| AS6C2008-55SIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; SOP32; parallel
Operating voltage: 3...3.6V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Mounting: SMD
Access time: 55ns
IC width: 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 2Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx8bit
Case: SOP32
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; SOP32; parallel
Operating voltage: 3...3.6V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Mounting: SMD
Access time: 55ns
IC width: 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 2Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx8bit
Case: SOP32
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008-55SINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008-55SINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; SOP32; parallel
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Mounting: SMD
Access time: 55ns
IC width: 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 2Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx8bit
Case: SOP32
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; SOP32; parallel
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Mounting: SMD
Access time: 55ns
IC width: 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 2Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx8bit
Case: SOP32
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008-55STIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 714.49 грн |
| 10+ | 655.83 грн |
| 25+ | 552.23 грн |
| 50+ | 539.44 грн |
| 100+ | 461.95 грн |
| 234+ | 440.88 грн |
| 468+ | 391.23 грн |
| AS6C2008-55STINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008-55TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 121 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 672.36 грн |
| 10+ | 616.90 грн |
| 25+ | 519.88 грн |
| 50+ | 507.09 грн |
| 100+ | 495.05 грн |
| 250+ | 467.97 грн |
| 468+ | 466.46 грн |
| AS6C2008-55TIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32; parallel
Operating voltage: 3...3.6V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Mounting: SMD
Access time: 55ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 2Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx8bit
Case: TSOP32
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32; parallel
Operating voltage: 3...3.6V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Mounting: SMD
Access time: 55ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 2Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx8bit
Case: TSOP32
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008-55TINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TSOP32; parallel
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Mounting: SMD
Access time: 55ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 2Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx8bit
Case: TSOP32
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TSOP32; parallel
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Mounting: SMD
Access time: 55ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 2Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx8bit
Case: TSOP32
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008-55TINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008A-55BIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008A-55BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM
SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008A-55BINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008A-55BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM
SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008A-55SIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 49 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 809.29 грн |
| 10+ | 741.49 грн |
| 25+ | 625.21 грн |
| 50+ | 582.33 грн |
| 72+ | 484.52 грн |
| AS6C2008A-55SIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 2Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx8bit
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Access time: 55ns
IC width: 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 2Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx8bit
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Access time: 55ns
IC width: 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008A-55SINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008A-55SINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 2Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx8bit
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Access time: 55ns
IC width: 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 2Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx8bit
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Access time: 55ns
IC width: 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008A-55STIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008A-55STINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008A-55TIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 365.73 грн |
| 5+ | 321.78 грн |
| 25+ | 275.08 грн |
| AS6C2008A-55TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 37 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 317.75 грн |
| 10+ | 283.79 грн |
| 100+ | 212.92 грн |
| 250+ | 210.66 грн |
| 468+ | 205.39 грн |
| 1092+ | 201.63 грн |
| 2652+ | 199.38 грн |
| AS6C2008A-55TINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2016-55BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 2Mb, 128 x 16, 2.7 - 5.5V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp - Tray
SRAM LP SRAM, 2Mb, 128 x 16, 2.7 - 5.5V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp - Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C201655BIN |
Виробник: Alliance Memory
2Mb, LP SRAM, 128K x 16, 27 - 55V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp
2Mb, LP SRAM, 128K x 16, 27 - 55V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2016-55BIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2016-55BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2016-55BINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2016-55ZINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C3216-55BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048kx16 Asynch SRAM
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048kx16 Asynch SRAM
на замовлення 201 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| AS6C3216-55BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048kx16 Asynch SRAM
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048kx16 Asynch SRAM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C3216A-55BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C3216A-55BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C3216A-55TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1859.96 грн |
| 10+ | 1707.07 грн |
| 25+ | 1432.49 грн |
| 100+ | 1257.19 грн |
| 250+ | 1181.96 грн |
| 1092+ | 1139.07 грн |
| AS6C3216A-55TINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM
SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55BIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55BINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55PCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55PCN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, DIP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55PCN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, DIP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS6C400855PCN |
Виробник: Alliance Memory
LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 27 - 55V, 32pin 600mil DIP, 55ns, Commercial Temp
LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 27 - 55V, 32pin 600mil DIP, 55ns, Commercial Temp
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55PCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1000.64 грн |
| 10+ | 916.26 грн |
| 26+ | 771.92 грн |
| 52+ | 735.81 грн |
| 104+ | 717.75 грн |
| 260+ | 707.22 грн |
| 507+ | 689.16 грн |
| AS6C4008-55PCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: DIP32
Kind of interface: parallel
Mounting: THT
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
Operating temperature: 0...70°C
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: DIP32
Kind of interface: parallel
Mounting: THT
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
Operating temperature: 0...70°C
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 690.32 грн |
| 2+ | 593.46 грн |
| 5+ | 560.35 грн |
| AS6C4008-55PCNTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin 600mil DIP, 55ns, Commercial Temp, T&R
SRAM LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin 600mil DIP, 55ns, Commercial Temp, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55PIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 245 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1304.34 грн |
| 10+ | 1182.75 грн |
| 26+ | 1003.65 грн |
| 52+ | 978.82 грн |
| 104+ | 954.74 грн |
| 260+ | 923.90 грн |
| 507+ | 901.33 грн |
| AS6C4008-55PIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel
Mounting: THT
Case: DIP32
IC width: 600mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 4Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Access time: 55ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; parallel
Mounting: THT
Case: DIP32
IC width: 600mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
Memory: 4Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Access time: 55ns
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1184.97 грн |
| 2+ | 677.52 грн |
| 4+ | 640.16 грн |
| AS6C4008-55PINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin 600mil DIP, 55ns, industrial Temp, T&R
SRAM LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin 600mil DIP, 55ns, industrial Temp, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55SIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55SIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55SIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS6C4008-55SIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55SIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: SOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Operating temperature: -40...85°C
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; SOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: SOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 595.23 грн |
| 2+ | 510.26 грн |
| 6+ | 482.24 грн |
| AS6C400855SIN |
Виробник: Alliance Memory
LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 27 - 55V, 32pin 450 mil SOP, 55ns, Industrial Temp
LP SRAM, 4Mb, 512K x 8, 27 - 55V, 32pin 450 mil SOP, 55ns, Industrial Temp
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55SINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 420.44 грн |
| 10+ | 365.99 грн |
| 100+ | 285.14 грн |
| 500+ | 274.61 грн |
| 1000+ | 260.32 грн |
| 2000+ | 252.79 грн |
| 5000+ | 240.76 грн |
| AS6C4008-55STIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 648.26 грн |
| 3+ | 431.30 грн |
| 7+ | 407.53 грн |
| AS6C4008-55STIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 378 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 421.32 грн |
| 10+ | 331.38 грн |
| 100+ | 287.40 грн |
| 234+ | 268.59 грн |
| 1170+ | 257.31 грн |
| 2574+ | 252.79 грн |
| 5148+ | 235.49 грн |
| AS6C4008-55STINR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55STINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; STSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55STINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55TIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C4008-55TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 544 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 421.32 грн |
| 10+ | 369.45 грн |
| 100+ | 288.15 грн |
| 250+ | 276.12 грн |
| 468+ | 268.59 грн |
| 1092+ | 257.31 грн |
| 2652+ | 255.05 грн |
| AS6C4008-55TIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55TIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55TIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS6C4008-55TINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.






















