Продукція > BASIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника BASIC SEMICONDUCTOR (133) > Сторінка 2 з 3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B2D20065F1 B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
Load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.54 грн
5+219.37 грн
12+207.49 грн
25+198.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1 B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
Load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+316.25 грн
5+273.37 грн
12+248.99 грн
25+238.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1 B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA1EFBEB21E93E0D3&compId=B2D20065H1.pdf?ci_sign=3f7130369d03a0e405cfbe19a8192968486d052c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 130W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.18 грн
3+279.56 грн
5+214.62 грн
12+202.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1 B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA1EFBEB21E93E0D3&compId=B2D20065H1.pdf?ci_sign=3f7130369d03a0e405cfbe19a8192968486d052c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 130W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+402.22 грн
3+348.37 грн
5+257.54 грн
12+243.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1 B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Power dissipation: 74W
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.18 грн
5+224.91 грн
12+213.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1 B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Power dissipation: 74W
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+402.22 грн
5+280.28 грн
12+255.64 грн
150+248.99 грн
600+246.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065K1 B2D20065K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF812E876BF640D4&compId=B2D20065K1.pdf?ci_sign=8b5226dfbf0093784f47eca6bdc9a4f5cb95ea40 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Power dissipation: 33W
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.22 грн
5+199.57 грн
30+197.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Power dissipation: 33W
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+290.66 грн
5+248.70 грн
30+237.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120F1 B2D20120F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 33µA
Power dissipation: 122W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 159W
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+373.56 грн
5+312.03 грн
30+275.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 159W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+448.27 грн
5+388.84 грн
30+330.72 грн
150+299.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1 B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Max. load current: 20A
Power dissipation: 60W
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+373.56 грн
5+312.03 грн
30+275.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1 B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Max. load current: 20A
Power dissipation: 60W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+448.27 грн
5+388.84 грн
30+330.72 грн
150+290.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+681.62 грн
3+459.97 грн
7+434.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+636.58 грн
3+386.79 грн
8+365.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120H1 B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.20 грн
2+572.58 грн
5+540.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120H1 B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+979.44 грн
2+713.53 грн
5+649.09 грн
30+647.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1 B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Power dissipation: 95W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+626.01 грн
3+412.61 грн
7+390.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1 B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Power dissipation: 95W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+751.21 грн
3+514.17 грн
7+468.52 грн
150+464.72 грн
600+450.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+938.50 грн
2+663.34 грн
5+627.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120H1 B2D40120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81267214BE60D4&compId=B2D40120H1.pdf?ci_sign=32c5702f82c4d32737b9ecef7293349bc1f35419 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+969.72 грн
3+812.54 грн
10+723.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120H1 B2D40120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81267214BE60D4&compId=B2D40120H1.pdf?ci_sign=32c5702f82c4d32737b9ecef7293349bc1f35419 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1163.66 грн
3+1012.56 грн
10+868.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1 B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84DEE1E441C0D2&compId=B2D40120HC1.pdf?ci_sign=da4731e4ec8c883a2a17a3c28e41161f5fd46b38 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.92V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 112W
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+746.26 грн
5+625.64 грн
30+553.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1 B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84DEE1E441C0D2&compId=B2D40120HC1.pdf?ci_sign=da4731e4ec8c883a2a17a3c28e41161f5fd46b38 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.92V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 112W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+895.52 грн
5+779.65 грн
30+664.29 грн
150+604.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1 B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC995F9210C0D5&compId=B2D60120H1.pdf?ci_sign=a79feabe1bc83a0b768a3cf6a1d58dacb379e46e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 340A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 361W
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1210.23 грн
3+1013.70 грн
10+897.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1 B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC995F9210C0D5&compId=B2D60120H1.pdf?ci_sign=a79feabe1bc83a0b768a3cf6a1d58dacb379e46e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 340A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 361W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1452.27 грн
3+1263.23 грн
10+1076.74 грн
30+1040.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120Y B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1141.14 грн
3+957.47 грн
10+842.64 грн
30+786.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120Y B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1369.37 грн
3+1193.16 грн
10+1011.17 грн
30+943.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1000.93 грн
2+692.80 грн
5+654.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+863.96 грн
3+730.18 грн
10+645.44 грн
30+577.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1036.75 грн
3+909.92 грн
10+774.53 грн
30+692.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120Z B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+744.56 грн
2+561.50 грн
5+530.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120Z B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+893.47 грн
2+699.71 грн
5+636.73 грн
30+612.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HF BGH40N120HF BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+664.39 грн
3+556.74 грн
10+491.80 грн
30+441.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+797.27 грн
3+693.79 грн
10+590.16 грн
30+530.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+890.40 грн
5+748.40 грн
30+658.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1068.48 грн
5+932.62 грн
30+790.69 грн
150+662.39 грн
600+656.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.94 грн
5+677.91 грн
30+598.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+974.32 грн
5+844.78 грн
30+718.46 грн
150+688.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+716.41 грн
5+598.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+859.70 грн
5+746.09 грн
30+634.83 грн
150+614.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N120HF1 BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECCECE227760D5&compId=BGH75N120HF1.pdf?ci_sign=949d4a4e398410fc506a42f8d5813cc0c24ea047 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Collector current: 75A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 568W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 443ns
Gate charge: 398nC
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.62 грн
3+639.90 грн
10+565.46 грн
30+508.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N120HF1 BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECCECE227760D5&compId=BGH75N120HF1.pdf?ci_sign=949d4a4e398410fc506a42f8d5813cc0c24ea047 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Collector current: 75A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 568W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 443ns
Gate charge: 398nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+913.94 грн
3+797.41 грн
10+678.55 грн
30+610.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65HF1 BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811ECE5D64E0D4&compId=BGH75N65HF1.pdf?ci_sign=3a179e4fb72070de62aa7ee1cebaf82200144ccd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 376ns
Turn-on time: 104ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+967.16 грн
5+805.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1160.59 грн
5+1003.67 грн
30+850.56 грн
150+712.76 грн
600+708.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520EAPR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOP16
Output current: -6...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...18V DC
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520EAWR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOW14; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOW14
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...4A
Insulation voltage: 5kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520EBPR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOP16
Output current: -6...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...18V DC
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520EBWR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOW14; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOW14
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...4A
Insulation voltage: 5kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520MAPR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOP16
Output current: -6...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...18V DC
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520MAWR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOW14; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOW14
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...4A
Insulation voltage: 5kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520MBPR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOP16
Output current: -6...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...18V DC
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520MBWR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOW14; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOW14
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...4A
Insulation voltage: 5kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520SAPR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOP16
Output current: -6...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...18V DC
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520SAWR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOW14; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOW14
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...4A
Insulation voltage: 5kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520SBPR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOP16
Output current: -6...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...18V DC
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520SBWR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOW14; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOW14
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...4A
Insulation voltage: 5kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0
B2D20065F1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
Load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.54 грн
5+219.37 грн
12+207.49 грн
25+198.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0
B2D20065F1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
Load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+316.25 грн
5+273.37 грн
12+248.99 грн
25+238.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA1EFBEB21E93E0D3&compId=B2D20065H1.pdf?ci_sign=3f7130369d03a0e405cfbe19a8192968486d052c
B2D20065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 130W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.18 грн
3+279.56 грн
5+214.62 грн
12+202.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA1EFBEB21E93E0D3&compId=B2D20065H1.pdf?ci_sign=3f7130369d03a0e405cfbe19a8192968486d052c
B2D20065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 130W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.22 грн
3+348.37 грн
5+257.54 грн
12+243.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e
B2D20065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Power dissipation: 74W
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.18 грн
5+224.91 грн
12+213.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e
B2D20065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Power dissipation: 74W
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.22 грн
5+280.28 грн
12+255.64 грн
150+248.99 грн
600+246.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF812E876BF640D4&compId=B2D20065K1.pdf?ci_sign=8b5226dfbf0093784f47eca6bdc9a4f5cb95ea40
B2D20065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a
B2D20065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Power dissipation: 33W
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.22 грн
5+199.57 грн
30+197.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a
B2D20065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Power dissipation: 33W
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.66 грн
5+248.70 грн
30+237.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7
B2D20120F1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 33µA
Power dissipation: 122W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319
B2D20120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 159W
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+373.56 грн
5+312.03 грн
30+275.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319
B2D20120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 159W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.27 грн
5+388.84 грн
30+330.72 грн
150+299.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9
B2D20120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Max. load current: 20A
Power dissipation: 60W
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+373.56 грн
5+312.03 грн
30+275.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9
B2D20120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Max. load current: 20A
Power dissipation: 60W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.27 грн
5+388.84 грн
30+330.72 грн
150+290.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+681.62 грн
3+459.97 грн
7+434.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+636.58 грн
3+386.79 грн
8+365.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301
B2D30120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+816.20 грн
2+572.58 грн
5+540.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301
B2D30120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+979.44 грн
2+713.53 грн
5+649.09 грн
30+647.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644
B2D30120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Power dissipation: 95W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+626.01 грн
3+412.61 грн
7+390.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644
B2D30120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Power dissipation: 95W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+751.21 грн
3+514.17 грн
7+468.52 грн
150+464.72 грн
600+450.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+938.50 грн
2+663.34 грн
5+627.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81267214BE60D4&compId=B2D40120H1.pdf?ci_sign=32c5702f82c4d32737b9ecef7293349bc1f35419
B2D40120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+969.72 грн
3+812.54 грн
10+723.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81267214BE60D4&compId=B2D40120H1.pdf?ci_sign=32c5702f82c4d32737b9ecef7293349bc1f35419
B2D40120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1163.66 грн
3+1012.56 грн
10+868.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84DEE1E441C0D2&compId=B2D40120HC1.pdf?ci_sign=da4731e4ec8c883a2a17a3c28e41161f5fd46b38
B2D40120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.92V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 112W
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+746.26 грн
5+625.64 грн
30+553.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84DEE1E441C0D2&compId=B2D40120HC1.pdf?ci_sign=da4731e4ec8c883a2a17a3c28e41161f5fd46b38
B2D40120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.92V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 112W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+895.52 грн
5+779.65 грн
30+664.29 грн
150+604.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC995F9210C0D5&compId=B2D60120H1.pdf?ci_sign=a79feabe1bc83a0b768a3cf6a1d58dacb379e46e
B2D60120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 340A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 361W
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1210.23 грн
3+1013.70 грн
10+897.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC995F9210C0D5&compId=B2D60120H1.pdf?ci_sign=a79feabe1bc83a0b768a3cf6a1d58dacb379e46e
B2D60120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 340A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 361W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1452.27 грн
3+1263.23 грн
10+1076.74 грн
30+1040.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120Y pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078
B2M032120Y
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1141.14 грн
3+957.47 грн
10+842.64 грн
30+786.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120Y pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078
B2M032120Y
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1369.37 грн
3+1193.16 грн
10+1011.17 грн
30+943.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120H THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1000.93 грн
2+692.80 грн
5+654.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0
B2M065120R
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.96 грн
3+730.18 грн
10+645.44 грн
30+577.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0
B2M065120R
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1036.75 грн
3+909.92 грн
10+774.53 грн
30+692.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74
B2M065120Z
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+744.56 грн
2+561.50 грн
5+530.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74
B2M065120Z
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+893.47 грн
2+699.71 грн
5+636.73 грн
30+612.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HF
BGH40N120HF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+664.39 грн
3+556.74 грн
10+491.80 грн
30+441.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+797.27 грн
3+693.79 грн
10+590.16 грн
30+530.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+890.40 грн
5+748.40 грн
30+658.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1068.48 грн
5+932.62 грн
30+790.69 грн
150+662.39 грн
600+656.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+811.94 грн
5+677.91 грн
30+598.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+974.32 грн
5+844.78 грн
30+718.46 грн
150+688.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+716.41 грн
5+598.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+859.70 грн
5+746.09 грн
30+634.83 грн
150+614.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N120HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECCECE227760D5&compId=BGH75N120HF1.pdf?ci_sign=949d4a4e398410fc506a42f8d5813cc0c24ea047
BGH75N120HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Collector current: 75A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 568W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 443ns
Gate charge: 398nC
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+761.62 грн
3+639.90 грн
10+565.46 грн
30+508.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N120HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECCECE227760D5&compId=BGH75N120HF1.pdf?ci_sign=949d4a4e398410fc506a42f8d5813cc0c24ea047
BGH75N120HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Collector current: 75A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 568W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 443ns
Gate charge: 398nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+913.94 грн
3+797.41 грн
10+678.55 грн
30+610.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811ECE5D64E0D4&compId=BGH75N65HF1.pdf?ci_sign=3a179e4fb72070de62aa7ee1cebaf82200144ccd
BGH75N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 376ns
Turn-on time: 104ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+967.16 грн
5+805.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1160.59 грн
5+1003.67 грн
30+850.56 грн
150+712.76 грн
600+708.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520EAPR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOP16
Output current: -6...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...18V DC
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520EAWR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOW14; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOW14
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...4A
Insulation voltage: 5kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520EBPR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOP16
Output current: -6...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...18V DC
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520EBWR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOW14; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOW14
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...4A
Insulation voltage: 5kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520MAPR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOP16
Output current: -6...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...18V DC
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520MAWR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOW14; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOW14
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...4A
Insulation voltage: 5kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520MBPR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOP16
Output current: -6...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...18V DC
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520MBWR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOW14; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOW14
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...4A
Insulation voltage: 5kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520SAPR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOP16
Output current: -6...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...18V DC
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520SAWR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOW14; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOW14
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...4A
Insulation voltage: 5kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520SBPR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOP16
Output current: -6...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...18V DC
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTD21520SBWR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOW14; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Number of channels: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOW14
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...4A
Insulation voltage: 5kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]