Продукція > BASIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника BASIC SEMICONDUCTOR (192) > Сторінка 2 з 4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B2D10065F BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065F1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065F1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065K1 B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBABDF5F15240D2&compId=B2D10065K1.pdf?ci_sign=eb152733b23c5971bcfe50fb9713da408f300aff Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.95 грн
5+124.32 грн
10+95.57 грн
25+94.80 грн
27+90.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065K1 B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBABDF5F15240D2&compId=B2D10065K1.pdf?ci_sign=eb152733b23c5971bcfe50fb9713da408f300aff Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.74 грн
5+154.92 грн
10+114.69 грн
25+113.75 грн
27+108.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065KF1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065KS B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE8E3E5D040D2&compId=B2D10065KS.pdf?ci_sign=a14e9efcff747493ab72c10a0ac27c9e27c97d84 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.87 грн
5+142.19 грн
9+108.78 грн
23+103.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065KS B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE8E3E5D040D2&compId=B2D10065KS.pdf?ci_sign=a14e9efcff747493ab72c10a0ac27c9e27c97d84 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.84 грн
5+177.19 грн
9+130.54 грн
23+124.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065Q BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065Q SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120E1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120H1 B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB0CFE937500D2&compId=B2D10120H1.pdf?ci_sign=ec3d224460fd00af2f59bdfa6bd42d5b68f5eb8c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.40 грн
5+183.37 грн
7+139.86 грн
18+132.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120H1 B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB0CFE937500D2&compId=B2D10120H1.pdf?ci_sign=ec3d224460fd00af2f59bdfa6bd42d5b68f5eb8c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.08 грн
5+228.51 грн
7+167.83 грн
18+158.51 грн
600+156.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120HC1 B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84B7DCE42CE0D2&compId=B2D10120HC1.pdf?ci_sign=4385f3ca73508b5cd0d475e3b72c254e897634f2 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 20µA
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+206.69 грн
5+172.50 грн
7+134.42 грн
19+127.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120HC1 B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84B7DCE42CE0D2&compId=B2D10120HC1.pdf?ci_sign=4385f3ca73508b5cd0d475e3b72c254e897634f2 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.02 грн
5+214.96 грн
7+161.31 грн
19+152.92 грн
600+148.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120K1 B2D10120K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAC2AED9D8A0D2&compId=B2D10120K1.pdf?ci_sign=8c0048882842d4f86f909551e1635eb8c2689a4b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120K1 B2D10120K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAC2AED9D8A0D2&compId=B2D10120K1.pdf?ci_sign=8c0048882842d4f86f909551e1635eb8c2689a4b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.32 грн
5+231.42 грн
14+211.66 грн
500+203.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D15120H1 B2D15120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD348D82E6180D4&compId=B2D15120H1.pdf?ci_sign=944d45a4fe5c7d2166b4f109a519915fcbb438c2 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+405.00 грн
3+338.78 грн
4+278.95 грн
9+264.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D15120H1 B2D15120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD348D82E6180D4&compId=B2D15120H1.pdf?ci_sign=944d45a4fe5c7d2166b4f109a519915fcbb438c2 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+486.00 грн
3+422.17 грн
4+334.74 грн
9+317.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16065HC1 B2D16065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.02 грн
3+239.32 грн
5+198.14 грн
13+188.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16065HC1 B2D16065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+344.42 грн
3+298.23 грн
5+237.77 грн
13+225.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84BF5FDE4280D2&compId=B2D16120HC1.pdf?ci_sign=1a8df8e905b79df416f91145a0c003af01848789 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 74W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.47 грн
5+202.02 грн
13+191.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84BF5FDE4280D2&compId=B2D16120HC1.pdf?ci_sign=1a8df8e905b79df416f91145a0c003af01848789 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 74W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+378.56 грн
5+251.75 грн
13+229.37 грн
600+225.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1 B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.26 грн
5+214.46 грн
12+202.80 грн
25+196.58 грн
100+195.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1 B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+318.31 грн
5+267.24 грн
12+243.36 грн
25+235.90 грн
100+234.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1 B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+418.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1 B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+394.63 грн
3+341.80 грн
5+252.68 грн
12+238.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1 B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Power dissipation: 74W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.86 грн
5+220.67 грн
12+208.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1 B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Power dissipation: 74W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+394.63 грн
5+274.99 грн
12+249.89 грн
150+244.29 грн
600+240.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+379.56 грн
5+263.87 грн
12+248.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.65 грн
5+195.81 грн
30+194.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.18 грн
5+244.01 грн
30+233.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120F1 B2D20120F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120F1 B2D20120F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+409.19 грн
4+266.51 грн
10+251.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+491.02 грн
4+332.12 грн
10+302.10 грн
600+292.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1 B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+409.19 грн
4+261.85 грн
10+247.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1 B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+491.02 грн
4+326.31 грн
10+297.44 грн
600+292.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065H1 B2D30065H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811A69DED3E0D4&compId=B2D30065H1.pdf?ci_sign=1266e701f66eb8868a25e20de2ce93551ed9146a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.26 грн
3+374.52 грн
7+354.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065H1 B2D30065H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811A69DED3E0D4&compId=B2D30065H1.pdf?ci_sign=1266e701f66eb8868a25e20de2ce93551ed9146a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+656.71 грн
3+466.71 грн
7+425.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065HC1 B2D30065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3775C9F08C0D4&compId=B2D30065HC1.pdf?ci_sign=9d7b0e65f2796bdfe200af683ac98c51da68438d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.54 грн
3+316.24 грн
8+299.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065HC1 B2D30065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3775C9F08C0D4&compId=B2D30065HC1.pdf?ci_sign=9d7b0e65f2796bdfe200af683ac98c51da68438d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+593.45 грн
3+394.09 грн
8+358.98 грн
600+354.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120H1 B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.54 грн
2+558.67 грн
5+528.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120H1 B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+981.04 грн
2+696.19 грн
5+634.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1 B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 95W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+614.20 грн
3+402.49 грн
7+380.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1 B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 95W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+737.04 грн
3+501.57 грн
7+456.88 грн
150+455.95 грн
600+440.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065H1 B2D40065H1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+747.25 грн
2+537.69 грн
3+536.91 грн
5+508.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065H1 B2D40065H1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+896.70 грн
2+670.05 грн
3+644.30 грн
5+609.80 грн
30+594.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+734.02 грн
3+463.41 грн
7+438.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1475.08 грн
2+928.68 грн
4+877.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1 B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84DEE1E441C0D2&compId=B2D40120HC1.pdf?ci_sign=da4731e4ec8c883a2a17a3c28e41161f5fd46b38 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.92V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 180A
Leakage current: 30µA
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+818.37 грн
2+537.69 грн
5+508.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1 B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84DEE1E441C0D2&compId=B2D40120HC1.pdf?ci_sign=da4731e4ec8c883a2a17a3c28e41161f5fd46b38 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.92V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 180A
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+982.05 грн
2+670.05 грн
5+609.80 грн
600+588.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1 B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC995F9210C0D5&compId=B2D60120H1.pdf?ci_sign=a79feabe1bc83a0b768a3cf6a1d58dacb379e46e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 361W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1002.46 грн
3+880.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1 B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC995F9210C0D5&compId=B2D60120H1.pdf?ci_sign=a79feabe1bc83a0b768a3cf6a1d58dacb379e46e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 361W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1202.96 грн
3+1097.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120Y B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1229.23 грн
2+839.17 грн
3+793.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120Y B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1475.08 грн
2+1045.74 грн
3+951.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M035120YP BASiC SEMICONDUCTOR B2M035120YP THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120H B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC9E916572C0D5&compId=B2M065120H.pdf?ci_sign=ce1d9f3ba05c916d6d50f1392ef645c96272536b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+782.39 грн
2+593.64 грн
3+592.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120H B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC9E916572C0D5&compId=B2M065120H.pdf?ci_sign=ce1d9f3ba05c916d6d50f1392ef645c96272536b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+938.87 грн
2+739.76 грн
3+711.43 грн
5+673.20 грн
30+647.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+776.53 грн
2+578.10 грн
5+546.24 грн
30+525.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+931.84 грн
2+720.40 грн
5+655.49 грн
30+630.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120Z B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+747.25 грн
2+547.79 грн
5+517.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065F1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065F1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBABDF5F15240D2&compId=B2D10065K1.pdf?ci_sign=eb152733b23c5971bcfe50fb9713da408f300aff
B2D10065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.95 грн
5+124.32 грн
10+95.57 грн
25+94.80 грн
27+90.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBABDF5F15240D2&compId=B2D10065K1.pdf?ci_sign=eb152733b23c5971bcfe50fb9713da408f300aff
B2D10065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.74 грн
5+154.92 грн
10+114.69 грн
25+113.75 грн
27+108.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065KF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065KF1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE8E3E5D040D2&compId=B2D10065KS.pdf?ci_sign=a14e9efcff747493ab72c10a0ac27c9e27c97d84
B2D10065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.87 грн
5+142.19 грн
9+108.78 грн
23+103.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE8E3E5D040D2&compId=B2D10065KS.pdf?ci_sign=a14e9efcff747493ab72c10a0ac27c9e27c97d84
B2D10065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.84 грн
5+177.19 грн
9+130.54 грн
23+124.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065Q
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065Q SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120E1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB0CFE937500D2&compId=B2D10120H1.pdf?ci_sign=ec3d224460fd00af2f59bdfa6bd42d5b68f5eb8c
B2D10120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.40 грн
5+183.37 грн
7+139.86 грн
18+132.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB0CFE937500D2&compId=B2D10120H1.pdf?ci_sign=ec3d224460fd00af2f59bdfa6bd42d5b68f5eb8c
B2D10120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.08 грн
5+228.51 грн
7+167.83 грн
18+158.51 грн
600+156.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84B7DCE42CE0D2&compId=B2D10120HC1.pdf?ci_sign=4385f3ca73508b5cd0d475e3b72c254e897634f2
B2D10120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 20µA
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+206.69 грн
5+172.50 грн
7+134.42 грн
19+127.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84B7DCE42CE0D2&compId=B2D10120HC1.pdf?ci_sign=4385f3ca73508b5cd0d475e3b72c254e897634f2
B2D10120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.02 грн
5+214.96 грн
7+161.31 грн
19+152.92 грн
600+148.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAC2AED9D8A0D2&compId=B2D10120K1.pdf?ci_sign=8c0048882842d4f86f909551e1635eb8c2689a4b
B2D10120K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAC2AED9D8A0D2&compId=B2D10120K1.pdf?ci_sign=8c0048882842d4f86f909551e1635eb8c2689a4b
B2D10120K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+320.32 грн
5+231.42 грн
14+211.66 грн
500+203.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D15120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD348D82E6180D4&compId=B2D15120H1.pdf?ci_sign=944d45a4fe5c7d2166b4f109a519915fcbb438c2
B2D15120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+405.00 грн
3+338.78 грн
4+278.95 грн
9+264.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D15120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD348D82E6180D4&compId=B2D15120H1.pdf?ci_sign=944d45a4fe5c7d2166b4f109a519915fcbb438c2
B2D15120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.00 грн
3+422.17 грн
4+334.74 грн
9+317.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16065HC1
B2D16065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.02 грн
3+239.32 грн
5+198.14 грн
13+188.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16065HC1
B2D16065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.42 грн
3+298.23 грн
5+237.77 грн
13+225.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84BF5FDE4280D2&compId=B2D16120HC1.pdf?ci_sign=1a8df8e905b79df416f91145a0c003af01848789
B2D16120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 74W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.47 грн
5+202.02 грн
13+191.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84BF5FDE4280D2&compId=B2D16120HC1.pdf?ci_sign=1a8df8e905b79df416f91145a0c003af01848789
B2D16120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 74W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.56 грн
5+251.75 грн
13+229.37 грн
600+225.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0
B2D20065F1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.26 грн
5+214.46 грн
12+202.80 грн
25+196.58 грн
100+195.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0
B2D20065F1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.31 грн
5+267.24 грн
12+243.36 грн
25+235.90 грн
100+234.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1 B2D20065H1.pdf
B2D20065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1 B2D20065H1.pdf
B2D20065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.63 грн
3+341.80 грн
5+252.68 грн
12+238.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e
B2D20065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Power dissipation: 74W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.86 грн
5+220.67 грн
12+208.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e
B2D20065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Power dissipation: 74W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.63 грн
5+274.99 грн
12+249.89 грн
150+244.29 грн
600+240.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.56 грн
5+263.87 грн
12+248.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a
B2D20065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.65 грн
5+195.81 грн
30+194.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a
B2D20065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.18 грн
5+244.01 грн
30+233.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7
B2D20120F1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7
B2D20120F1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319
B2D20120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+409.19 грн
4+266.51 грн
10+251.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319
B2D20120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.02 грн
4+332.12 грн
10+302.10 грн
600+292.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9
B2D20120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+409.19 грн
4+261.85 грн
10+247.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9
B2D20120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.02 грн
4+326.31 грн
10+297.44 грн
600+292.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811A69DED3E0D4&compId=B2D30065H1.pdf?ci_sign=1266e701f66eb8868a25e20de2ce93551ed9146a
B2D30065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.26 грн
3+374.52 грн
7+354.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811A69DED3E0D4&compId=B2D30065H1.pdf?ci_sign=1266e701f66eb8868a25e20de2ce93551ed9146a
B2D30065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+656.71 грн
3+466.71 грн
7+425.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3775C9F08C0D4&compId=B2D30065HC1.pdf?ci_sign=9d7b0e65f2796bdfe200af683ac98c51da68438d
B2D30065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.54 грн
3+316.24 грн
8+299.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3775C9F08C0D4&compId=B2D30065HC1.pdf?ci_sign=9d7b0e65f2796bdfe200af683ac98c51da68438d
B2D30065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+593.45 грн
3+394.09 грн
8+358.98 грн
600+354.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301
B2D30120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+817.54 грн
2+558.67 грн
5+528.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301
B2D30120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+981.04 грн
2+696.19 грн
5+634.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644
B2D30120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 95W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+614.20 грн
3+402.49 грн
7+380.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644
B2D30120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 95W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+737.04 грн
3+501.57 грн
7+456.88 грн
150+455.95 грн
600+440.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065H1
B2D40065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+747.25 грн
2+537.69 грн
3+536.91 грн
5+508.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065H1
B2D40065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+896.70 грн
2+670.05 грн
3+644.30 грн
5+609.80 грн
30+594.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+734.02 грн
3+463.41 грн
7+438.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1475.08 грн
2+928.68 грн
4+877.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84DEE1E441C0D2&compId=B2D40120HC1.pdf?ci_sign=da4731e4ec8c883a2a17a3c28e41161f5fd46b38
B2D40120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.92V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 180A
Leakage current: 30µA
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+818.37 грн
2+537.69 грн
5+508.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84DEE1E441C0D2&compId=B2D40120HC1.pdf?ci_sign=da4731e4ec8c883a2a17a3c28e41161f5fd46b38
B2D40120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.92V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 180A
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+982.05 грн
2+670.05 грн
5+609.80 грн
600+588.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC995F9210C0D5&compId=B2D60120H1.pdf?ci_sign=a79feabe1bc83a0b768a3cf6a1d58dacb379e46e
B2D60120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 361W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1002.46 грн
3+880.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC995F9210C0D5&compId=B2D60120H1.pdf?ci_sign=a79feabe1bc83a0b768a3cf6a1d58dacb379e46e
B2D60120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 361W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1202.96 грн
3+1097.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120Y pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078
B2M032120Y
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1229.23 грн
2+839.17 грн
3+793.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120Y pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078
B2M032120Y
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1475.08 грн
2+1045.74 грн
3+951.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M035120YP
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M035120YP THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC9E916572C0D5&compId=B2M065120H.pdf?ci_sign=ce1d9f3ba05c916d6d50f1392ef645c96272536b
B2M065120H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+782.39 грн
2+593.64 грн
3+592.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC9E916572C0D5&compId=B2M065120H.pdf?ci_sign=ce1d9f3ba05c916d6d50f1392ef645c96272536b
B2M065120H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+938.87 грн
2+739.76 грн
3+711.43 грн
5+673.20 грн
30+647.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0
B2M065120R
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+776.53 грн
2+578.10 грн
5+546.24 грн
30+525.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0
B2M065120R
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+931.84 грн
2+720.40 грн
5+655.49 грн
30+630.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74
B2M065120Z
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+747.25 грн
2+547.79 грн
5+517.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]