Продукція > BASIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника BASIC SEMICONDUCTOR (192) > Сторінка 1 з 4

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B1D03120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D03120E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D05120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D05120E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D06065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065KS THT Schottky diodes
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.61 грн
13+88.58 грн
35+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065F B1D08065F BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA72075F3300D2&compId=B1D08065F.pdf?ci_sign=f6a9406d66683fce5d9928ab358db31976f2ee94 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065F B1D08065F BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA72075F3300D2&compId=B1D08065F.pdf?ci_sign=f6a9406d66683fce5d9928ab358db31976f2ee94 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065K B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA968A0F2C60D2&compId=B1D08065K.pdf?ci_sign=3061af04d3be58c30253f2df789d29c30c2c0e6c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065K B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA968A0F2C60D2&compId=B1D08065K.pdf?ci_sign=3061af04d3be58c30253f2df789d29c30c2c0e6c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+150.62 грн
5+122.97 грн
11+105.36 грн
29+99.77 грн
100+96.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065KS B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAD64EDFF680D2&compId=B1D08065KS.pdf?ci_sign=62b8df5bd7b6e7b60abc24d92c60c3028facdcf1 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+134.72 грн
5+112.67 грн
11+87.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065KS B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAD64EDFF680D2&compId=B1D08065KS.pdf?ci_sign=62b8df5bd7b6e7b60abc24d92c60c3028facdcf1 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.67 грн
5+140.40 грн
11+105.36 грн
29+99.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065E BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065H B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB01C05127E0D2&compId=B1D10065H.pdf?ci_sign=23bf46e00b9a3e44ae93dc37042289f98ac3c210 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065H B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB01C05127E0D2&compId=B1D10065H.pdf?ci_sign=23bf46e00b9a3e44ae93dc37042289f98ac3c210 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.82 грн
5+172.35 грн
9+133.34 грн
23+125.88 грн
150+123.08 грн
600+121.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065KS B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBADD0C0C0F00D2&compId=B1D10065KS.pdf?ci_sign=1522eea78d724b5cbcc87ff09d06d7e114ee711c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.09 грн
5+119.66 грн
9+106.45 грн
24+101.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065KS B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBADD0C0C0F00D2&compId=B1D10065KS.pdf?ci_sign=1522eea78d724b5cbcc87ff09d06d7e114ee711c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.71 грн
5+149.11 грн
9+127.74 грн
24+121.21 грн
100+116.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D10120E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA9F20CFCD60D2&compId=B1D15065K.pdf?ci_sign=b4b2037f60b059832a4fec1348d9db7a74db0c8b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.60 грн
5+189.59 грн
6+167.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA9F20CFCD60D2&compId=B1D15065K.pdf?ci_sign=b4b2037f60b059832a4fec1348d9db7a74db0c8b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+273.13 грн
5+236.26 грн
6+200.47 грн
15+190.21 грн
100+182.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D16065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D16065HC THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+348.44 грн
5+223.78 грн
14+211.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D20065HC B1D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF812AD8B48DE0D4&compId=B1D20065HC.pdf?ci_sign=1c693b7082dae76927e69fb2b7bff8c3a76b548d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.00 грн
4+249.42 грн
11+235.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D20065HC B1D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF812AD8B48DE0D4&compId=B1D20065HC.pdf?ci_sign=1c693b7082dae76927e69fb2b7bff8c3a76b548d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+387.60 грн
4+310.82 грн
11+282.52 грн
150+272.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D30065TF B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84E44D240AA0D2&compId=B1D30065TF.pdf?ci_sign=d6d738def4307ec3ae9f4f268712819bb817a2f3 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+416.72 грн
3+321.68 грн
8+304.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D30065TF B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84E44D240AA0D2&compId=B1D30065TF.pdf?ci_sign=d6d738def4307ec3ae9f4f268712819bb817a2f3 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+500.06 грн
3+400.87 грн
8+365.51 грн
150+351.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D40065H B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB07E2722C00D2&compId=B1D40065H.pdf?ci_sign=be279d29bcbc17407e33f538411607b9a33a00f0 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.28 грн
3+426.58 грн
6+403.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D40065H B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB07E2722C00D2&compId=B1D40065H.pdf?ci_sign=be279d29bcbc17407e33f538411607b9a33a00f0 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+662.73 грн
3+531.58 грн
6+483.92 грн
150+465.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HC B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8136B7B479E0D4&compId=B1M080120HC.pdf?ci_sign=0907b4299a0384db3809e52a040d6882159a5e2b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1133.84 грн
3+995.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HC B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8136B7B479E0D4&compId=B1M080120HC.pdf?ci_sign=0907b4299a0384db3809e52a040d6882159a5e2b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1360.61 грн
3+1240.36 грн
150+1186.96 грн
600+1149.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HK B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1216.68 грн
3+1067.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HK B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1460.02 грн
3+1330.41 грн
150+1231.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA632ACD8DC0D2&compId=B2D02120E1.pdf?ci_sign=f67a22142b5f85752af86cae5ef3f31f479e8230 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.13 грн
7+59.83 грн
19+48.95 грн
52+45.84 грн
500+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA632ACD8DC0D2&compId=B2D02120E1.pdf?ci_sign=f67a22142b5f85752af86cae5ef3f31f479e8230 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.35 грн
5+74.56 грн
19+58.74 грн
52+55.01 грн
500+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120K1 B2D02120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120K1 B2D02120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065D BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065D SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065D1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065D1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065E1 B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81328EB92840D4&compId=B2D04065E1.pdf?ci_sign=9e37320e76902e635baf49b6314cdd1d23cf77a3 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.92 грн
8+51.28 грн
21+44.29 грн
57+41.96 грн
100+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065E1 B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81328EB92840D4&compId=B2D04065E1.pdf?ci_sign=9e37320e76902e635baf49b6314cdd1d23cf77a3 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.91 грн
21+53.15 грн
57+50.35 грн
100+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065K1 B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAA7EB63A240D2&compId=B2D04065K1.pdf?ci_sign=d5f4f524c391ffe2f98a665841cc7b6a7c207245 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 39W
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.66 грн
7+62.16 грн
20+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065K1 B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAA7EB63A240D2&compId=B2D04065K1.pdf?ci_sign=d5f4f524c391ffe2f98a665841cc7b6a7c207245 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 39W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.39 грн
5+77.46 грн
20+56.88 грн
53+54.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065KF1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065V BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065V SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065V1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065V1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D05120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D05120E1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D05120K1 B2D05120K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAAC12176420D2&compId=B2D05120K1.pdf?ci_sign=4f8ddf9f9a2b2deb8eade5bd1c420033dcd9ff73 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.97 грн
5+94.80 грн
11+83.92 грн
30+79.26 грн
100+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D05120K1 B2D05120K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAAC12176420D2&compId=B2D05120K1.pdf?ci_sign=4f8ddf9f9a2b2deb8eade5bd1c420033dcd9ff73 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.56 грн
5+118.13 грн
11+100.70 грн
30+95.11 грн
100+92.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065E1 B2D06065E1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.05 грн
6+76.92 грн
15+63.71 грн
40+59.83 грн
500+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065E1 B2D06065E1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.46 грн
5+95.86 грн
15+76.46 грн
40+71.80 грн
500+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.63 грн
12+92.31 грн
33+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065KF1 B2D06065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.11 грн
5+89.36 грн
12+80.81 грн
25+78.48 грн
32+76.15 грн
100+73.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065KF1 B2D06065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.53 грн
5+111.35 грн
12+96.97 грн
25+94.17 грн
32+91.38 грн
100+87.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065KS THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065Q BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065Q SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K B2D08065K BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAB64305A260D2&compId=B2D08065K.pdf?ci_sign=7ed7ea60629032222bae9db89d33b650494da846 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.13 грн
5+94.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K B2D08065K BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAB64305A260D2&compId=B2D08065K.pdf?ci_sign=7ed7ea60629032222bae9db89d33b650494da846 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.55 грн
5+117.16 грн
11+100.70 грн
25+99.77 грн
30+95.11 грн
100+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K1 B2D08065K1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.82 грн
5+98.68 грн
11+84.69 грн
30+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K1 B2D08065K1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.59 грн
5+122.97 грн
11+101.63 грн
30+96.04 грн
100+95.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065KS B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE107319300D2&compId=B2D08065KS.pdf?ci_sign=81fd319a09c8c318c3ed608ead29194e7bb546b6 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.80 грн
5+94.80 грн
11+83.92 грн
30+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065KS B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE107319300D2&compId=B2D08065KS.pdf?ci_sign=81fd319a09c8c318c3ed608ead29194e7bb546b6 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.56 грн
5+118.13 грн
11+100.70 грн
30+95.11 грн
100+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065E1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D03120E
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D03120E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D05120E
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D05120E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D06065F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D06065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065KS THT Schottky diodes
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.61 грн
13+88.58 грн
35+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA72075F3300D2&compId=B1D08065F.pdf?ci_sign=f6a9406d66683fce5d9928ab358db31976f2ee94
B1D08065F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA72075F3300D2&compId=B1D08065F.pdf?ci_sign=f6a9406d66683fce5d9928ab358db31976f2ee94
B1D08065F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA968A0F2C60D2&compId=B1D08065K.pdf?ci_sign=3061af04d3be58c30253f2df789d29c30c2c0e6c
B1D08065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA968A0F2C60D2&compId=B1D08065K.pdf?ci_sign=3061af04d3be58c30253f2df789d29c30c2c0e6c
B1D08065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+150.62 грн
5+122.97 грн
11+105.36 грн
29+99.77 грн
100+96.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAD64EDFF680D2&compId=B1D08065KS.pdf?ci_sign=62b8df5bd7b6e7b60abc24d92c60c3028facdcf1
B1D08065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+134.72 грн
5+112.67 грн
11+87.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAD64EDFF680D2&compId=B1D08065KS.pdf?ci_sign=62b8df5bd7b6e7b60abc24d92c60c3028facdcf1
B1D08065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.67 грн
5+140.40 грн
11+105.36 грн
29+99.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065E
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB01C05127E0D2&compId=B1D10065H.pdf?ci_sign=23bf46e00b9a3e44ae93dc37042289f98ac3c210
B1D10065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB01C05127E0D2&compId=B1D10065H.pdf?ci_sign=23bf46e00b9a3e44ae93dc37042289f98ac3c210
B1D10065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.82 грн
5+172.35 грн
9+133.34 грн
23+125.88 грн
150+123.08 грн
600+121.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBADD0C0C0F00D2&compId=B1D10065KS.pdf?ci_sign=1522eea78d724b5cbcc87ff09d06d7e114ee711c
B1D10065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.09 грн
5+119.66 грн
9+106.45 грн
24+101.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBADD0C0C0F00D2&compId=B1D10065KS.pdf?ci_sign=1522eea78d724b5cbcc87ff09d06d7e114ee711c
B1D10065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.71 грн
5+149.11 грн
9+127.74 грн
24+121.21 грн
100+116.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10120E
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10120E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D15065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA9F20CFCD60D2&compId=B1D15065K.pdf?ci_sign=b4b2037f60b059832a4fec1348d9db7a74db0c8b
B1D15065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.60 грн
5+189.59 грн
6+167.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D15065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA9F20CFCD60D2&compId=B1D15065K.pdf?ci_sign=b4b2037f60b059832a4fec1348d9db7a74db0c8b
B1D15065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.13 грн
5+236.26 грн
6+200.47 грн
15+190.21 грн
100+182.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D16065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D16065HC THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.44 грн
5+223.78 грн
14+211.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D20065HC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF812AD8B48DE0D4&compId=B1D20065HC.pdf?ci_sign=1c693b7082dae76927e69fb2b7bff8c3a76b548d
B1D20065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.00 грн
4+249.42 грн
11+235.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D20065HC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF812AD8B48DE0D4&compId=B1D20065HC.pdf?ci_sign=1c693b7082dae76927e69fb2b7bff8c3a76b548d
B1D20065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.60 грн
4+310.82 грн
11+282.52 грн
150+272.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D30065TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84E44D240AA0D2&compId=B1D30065TF.pdf?ci_sign=d6d738def4307ec3ae9f4f268712819bb817a2f3
B1D30065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+416.72 грн
3+321.68 грн
8+304.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D30065TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84E44D240AA0D2&compId=B1D30065TF.pdf?ci_sign=d6d738def4307ec3ae9f4f268712819bb817a2f3
B1D30065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.06 грн
3+400.87 грн
8+365.51 грн
150+351.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D40065H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB07E2722C00D2&compId=B1D40065H.pdf?ci_sign=be279d29bcbc17407e33f538411607b9a33a00f0
B1D40065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.28 грн
3+426.58 грн
6+403.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D40065H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB07E2722C00D2&compId=B1D40065H.pdf?ci_sign=be279d29bcbc17407e33f538411607b9a33a00f0
B1D40065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+662.73 грн
3+531.58 грн
6+483.92 грн
150+465.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8136B7B479E0D4&compId=B1M080120HC.pdf?ci_sign=0907b4299a0384db3809e52a040d6882159a5e2b
B1M080120HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1133.84 грн
3+995.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8136B7B479E0D4&compId=B1M080120HC.pdf?ci_sign=0907b4299a0384db3809e52a040d6882159a5e2b
B1M080120HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1360.61 грн
3+1240.36 грн
150+1186.96 грн
600+1149.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HK B1M080120HK.pdf
B1M080120HK
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1216.68 грн
3+1067.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HK B1M080120HK.pdf
B1M080120HK
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1460.02 грн
3+1330.41 грн
150+1231.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA632ACD8DC0D2&compId=B2D02120E1.pdf?ci_sign=f67a22142b5f85752af86cae5ef3f31f479e8230
B2D02120E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+71.13 грн
7+59.83 грн
19+48.95 грн
52+45.84 грн
500+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA632ACD8DC0D2&compId=B2D02120E1.pdf?ci_sign=f67a22142b5f85752af86cae5ef3f31f479e8230
B2D02120E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.35 грн
5+74.56 грн
19+58.74 грн
52+55.01 грн
500+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120K1 B2D02120K1.pdf
B2D02120K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120K1 B2D02120K1.pdf
B2D02120K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065D
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065D SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065D1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065D1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065E1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81328EB92840D4&compId=B2D04065E1.pdf?ci_sign=9e37320e76902e635baf49b6314cdd1d23cf77a3
B2D04065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.92 грн
8+51.28 грн
21+44.29 грн
57+41.96 грн
100+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065E1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81328EB92840D4&compId=B2D04065E1.pdf?ci_sign=9e37320e76902e635baf49b6314cdd1d23cf77a3
B2D04065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.91 грн
21+53.15 грн
57+50.35 грн
100+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAA7EB63A240D2&compId=B2D04065K1.pdf?ci_sign=d5f4f524c391ffe2f98a665841cc7b6a7c207245
B2D04065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 39W
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.66 грн
7+62.16 грн
20+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAA7EB63A240D2&compId=B2D04065K1.pdf?ci_sign=d5f4f524c391ffe2f98a665841cc7b6a7c207245
B2D04065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 39W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.39 грн
5+77.46 грн
20+56.88 грн
53+54.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065KF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065KF1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065V
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065V SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065V1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065V1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D05120E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D05120E1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D05120K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAAC12176420D2&compId=B2D05120K1.pdf?ci_sign=4f8ddf9f9a2b2deb8eade5bd1c420033dcd9ff73
B2D05120K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.97 грн
5+94.80 грн
11+83.92 грн
30+79.26 грн
100+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D05120K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAAC12176420D2&compId=B2D05120K1.pdf?ci_sign=4f8ddf9f9a2b2deb8eade5bd1c420033dcd9ff73
B2D05120K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.56 грн
5+118.13 грн
11+100.70 грн
30+95.11 грн
100+92.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065E1
B2D06065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.05 грн
6+76.92 грн
15+63.71 грн
40+59.83 грн
500+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065E1
B2D06065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.46 грн
5+95.86 грн
15+76.46 грн
40+71.80 грн
500+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.63 грн
12+92.31 грн
33+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065KF1
B2D06065KF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.11 грн
5+89.36 грн
12+80.81 грн
25+78.48 грн
32+76.15 грн
100+73.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065KF1
B2D06065KF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.53 грн
5+111.35 грн
12+96.97 грн
25+94.17 грн
32+91.38 грн
100+87.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065KS THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065Q
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065Q SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAB64305A260D2&compId=B2D08065K.pdf?ci_sign=7ed7ea60629032222bae9db89d33b650494da846
B2D08065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.13 грн
5+94.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAB64305A260D2&compId=B2D08065K.pdf?ci_sign=7ed7ea60629032222bae9db89d33b650494da846
B2D08065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.55 грн
5+117.16 грн
11+100.70 грн
25+99.77 грн
30+95.11 грн
100+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K1
B2D08065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.82 грн
5+98.68 грн
11+84.69 грн
30+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K1
B2D08065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.59 грн
5+122.97 грн
11+101.63 грн
30+96.04 грн
100+95.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE107319300D2&compId=B2D08065KS.pdf?ci_sign=81fd319a09c8c318c3ed608ead29194e7bb546b6
B2D08065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.80 грн
5+94.80 грн
11+83.92 грн
30+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE107319300D2&compId=B2D08065KS.pdf?ci_sign=81fd319a09c8c318c3ed608ead29194e7bb546b6
B2D08065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.56 грн
5+118.13 грн
11+100.70 грн
30+95.11 грн
100+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065E1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]