Продукція > BASIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника BASIC SEMICONDUCTOR (67) > Сторінка 1 з 2

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065KS THT Schottky diodes
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+112.25 грн
15+84.19 грн
39+80.18 грн
500+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065K THT Schottky diodes
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+323.79 грн
11+114.25 грн
29+108.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065KS THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+183.48 грн
11+114.25 грн
29+108.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065H THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+224.49 грн
9+145.32 грн
23+137.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065KS THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+184.56 грн
9+139.31 грн
24+131.29 грн
500+131.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D15065K THT Schottky diodes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+307.60 грн
6+218.48 грн
15+206.46 грн
500+206.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D16065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D16065HC THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+298.97 грн
6+233.51 грн
14+220.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D20065HC THT Schottky diodes
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+416.61 грн
4+325.72 грн
11+307.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR B1D30065TF THT Schottky diodes
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+536.41 грн
3+417.92 грн
8+395.87 грн
600+394.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D40065H THT Schottky diodes
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+711.26 грн
3+558.23 грн
6+527.16 грн
600+526.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1376.03 грн
3+1300.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1463.23 грн
3+1384.05 грн
600+1382.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.47 грн
25+55.12 грн
100+50.11 грн
500+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+89.58 грн
5+79.10 грн
25+66.15 грн
100+60.13 грн
500+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065E1 B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 39W
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.76 грн
8+53.45 грн
25+47.60 грн
100+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065E1 B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 39W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.61 грн
25+57.13 грн
100+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065K1 B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 39W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+73.75 грн
8+57.63 грн
25+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065K1 B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 39W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+88.50 грн
5+71.81 грн
25+61.13 грн
100+56.12 грн
500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065E1 SMD Schottky diodes
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+125.20 грн
15+83.18 грн
40+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+145.71 грн
14+88.19 грн
37+83.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065K THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+144.63 грн
11+109.24 грн
30+104.23 грн
500+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+160.82 грн
11+110.24 грн
30+104.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065KS THT Schottky diodes
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+146.79 грн
11+109.24 грн
30+104.23 грн
500+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+201.83 грн
10+122.27 грн
27+116.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065KS THT Schottky diodes
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+230.97 грн
9+142.31 грн
23+134.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+296.81 грн
7+180.40 грн
19+170.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+280.62 грн
7+176.39 грн
19+166.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D15120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D15120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+527.78 грн
4+364.80 грн
9+344.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+374.52 грн
5+259.57 грн
13+245.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.10 грн
5+253.06 грн
30+224.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+363.72 грн
5+315.35 грн
30+269.59 грн
150+236.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065F1 SMD Schottky diodes
на замовлення 520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+347.54 грн
5+280.62 грн
12+265.59 грн
100+264.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+445.75 грн
5+270.60 грн
13+256.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+445.75 грн
5+288.64 грн
12+272.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+306.52 грн
5+278.61 грн
12+263.58 грн
30+263.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 1.78V
Power dissipation: 159W
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 190A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+393.95 грн
5+329.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 1.78V
Power dissipation: 159W
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 190A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+472.73 грн
5+410.06 грн
30+348.77 грн
150+315.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+554.76 грн
4+336.74 грн
10+318.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+706.94 грн
3+487.07 грн
7+460.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+670.25 грн
3+406.90 грн
9+384.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1065.27 грн
2+729.61 грн
5+690.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+833.22 грн
3+526.16 грн
7+497.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+973.53 грн
2+702.55 грн
5+663.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1402.01 грн
2+1009.22 грн
4+954.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1109.52 грн
2+702.55 грн
5+664.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D60120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1216.68 грн
3+1150.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR B2M032120Y THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1601.68 грн
2+1096.42 грн
3+1036.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1038.29 грн
2+733.62 грн
5+693.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120R SMD N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1210.98 грн
2+749.65 грн
5+708.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120Z THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1182.92 грн
2+718.58 грн
5+679.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HF BGH40N120HF BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.66 грн
3+571.26 грн
10+505.28 грн
30+466.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+819.19 грн
3+711.88 грн
10+606.34 грн
30+559.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+938.99 грн
5+789.24 грн
30+694.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1126.79 грн
5+983.51 грн
30+833.84 грн
150+698.54 грн
600+692.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+856.25 грн
5+714.91 грн
30+631.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1027.50 грн
5+890.89 грн
30+757.67 грн
150+729.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+755.51 грн
5+631.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+906.61 грн
5+786.81 грн
30+669.48 грн
150+653.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N120HF1 THT IGBT transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1046.92 грн
2+708.56 грн
5+669.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D06065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065KS THT Schottky diodes
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.25 грн
15+84.19 грн
39+80.18 грн
500+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D08065K THT Schottky diodes
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.79 грн
11+114.25 грн
29+108.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D08065KS THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.48 грн
11+114.25 грн
29+108.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065H THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.49 грн
9+145.32 грн
23+137.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065KS THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.56 грн
9+139.31 грн
24+131.29 грн
500+131.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D15065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D15065K THT Schottky diodes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.60 грн
6+218.48 грн
15+206.46 грн
500+206.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D16065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D16065HC THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.97 грн
6+233.51 грн
14+220.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D20065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D20065HC THT Schottky diodes
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.61 грн
4+325.72 грн
11+307.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D30065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D30065TF THT Schottky diodes
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+536.41 грн
3+417.92 грн
8+395.87 грн
600+394.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D40065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D40065H THT Schottky diodes
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.26 грн
3+558.23 грн
6+527.16 грн
600+526.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HC THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1376.03 грн
3+1300.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HK
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HK THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1463.23 грн
3+1384.05 грн
600+1382.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 B2D02120E1.pdf
B2D02120E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.47 грн
25+55.12 грн
100+50.11 грн
500+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 B2D02120E1.pdf
B2D02120E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.58 грн
5+79.10 грн
25+66.15 грн
100+60.13 грн
500+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065E1 B2D04065E1.pdf
B2D04065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 39W
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.76 грн
8+53.45 грн
25+47.60 грн
100+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065E1 B2D04065E1.pdf
B2D04065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 39W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.61 грн
25+57.13 грн
100+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065K1 B2D04065K1.pdf
B2D04065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 39W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+73.75 грн
8+57.63 грн
25+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065K1 B2D04065K1.pdf
B2D04065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 39W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.50 грн
5+71.81 грн
25+61.13 грн
100+56.12 грн
500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065E1 SMD Schottky diodes
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.20 грн
15+83.18 грн
40+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.71 грн
14+88.19 грн
37+83.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D08065K THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.63 грн
11+109.24 грн
30+104.23 грн
500+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D08065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.82 грн
11+110.24 грн
30+104.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D08065KS THT Schottky diodes
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.79 грн
11+109.24 грн
30+104.23 грн
500+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.83 грн
10+122.27 грн
27+116.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065KS THT Schottky diodes
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.97 грн
9+142.31 грн
23+134.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.81 грн
7+180.40 грн
19+170.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.62 грн
7+176.39 грн
19+166.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D15120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D15120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.78 грн
4+364.80 грн
9+344.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D16065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.52 грн
5+259.57 грн
13+245.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 B2D16120HC1.pdf
B2D16120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.10 грн
5+253.06 грн
30+224.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 B2D16120HC1.pdf
B2D16120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.72 грн
5+315.35 грн
30+269.59 грн
150+236.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065F1 SMD Schottky diodes
на замовлення 520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.54 грн
5+280.62 грн
12+265.59 грн
100+264.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.75 грн
5+270.60 грн
13+256.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.75 грн
5+288.64 грн
12+272.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065TF THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.52 грн
5+278.61 грн
12+263.58 грн
30+263.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 B2D20120H1.pdf
B2D20120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 1.78V
Power dissipation: 159W
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 190A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+393.95 грн
5+329.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 B2D20120H1.pdf
B2D20120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 1.78V
Power dissipation: 159W
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 190A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.73 грн
5+410.06 грн
30+348.77 грн
150+315.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+554.76 грн
4+336.74 грн
10+318.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+706.94 грн
3+487.07 грн
7+460.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+670.25 грн
3+406.90 грн
9+384.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1065.27 грн
2+729.61 грн
5+690.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+833.22 грн
3+526.16 грн
7+497.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+973.53 грн
2+702.55 грн
5+663.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1402.01 грн
2+1009.22 грн
4+954.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1109.52 грн
2+702.55 грн
5+664.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D60120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1216.68 грн
3+1150.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120Y
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M032120Y THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1601.68 грн
2+1096.42 грн
3+1036.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120H THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1038.29 грн
2+733.62 грн
5+693.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120R SMD N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1210.98 грн
2+749.65 грн
5+708.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120Z
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120Z THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1182.92 грн
2+718.58 грн
5+679.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HF
BGH40N120HF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.66 грн
3+571.26 грн
10+505.28 грн
30+466.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+819.19 грн
3+711.88 грн
10+606.34 грн
30+559.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1.pdf
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+938.99 грн
5+789.24 грн
30+694.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1.pdf
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1126.79 грн
5+983.51 грн
30+833.84 грн
150+698.54 грн
600+692.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+856.25 грн
5+714.91 грн
30+631.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1027.50 грн
5+890.89 грн
30+757.67 грн
150+729.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+755.51 грн
5+631.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+906.61 грн
5+786.81 грн
30+669.48 грн
150+653.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N120HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
BGH75N120HF1 THT IGBT transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1046.92 грн
2+708.56 грн
5+669.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]