Продукція > BASIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника BASIC SEMICONDUCTOR (65) > Сторінка 1 з 2

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065KS THT Schottky diodes
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+137.04 грн
15+83.85 грн
39+78.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065K THT Schottky diodes
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+318.71 грн
11+112.46 грн
29+106.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065KS THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+180.60 грн
11+112.46 грн
29+106.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065H THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+220.97 грн
9+144.02 грн
23+136.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065KS THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+227.34 грн
9+138.11 грн
24+130.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D15065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+215.13 грн
5+179.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D15065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+258.15 грн
5+223.32 грн
25+196.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D16065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D16065HC THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+368.64 грн
6+230.83 грн
14+218.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D20065HC THT Schottky diodes
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+513.12 грн
4+322.58 грн
11+304.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR B1D30065TF THT Schottky diodes
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+660.78 грн
3+413.33 грн
8+391.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D40065H THT Schottky diodes
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+877.50 грн
3+551.44 грн
6+521.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1361.33 грн
3+1287.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1448.14 грн
3+1369.22 грн
600+1366.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.40 грн
8+55.08 грн
25+48.50 грн
100+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+79.68 грн
5+68.64 грн
25+58.20 грн
100+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065E1 SMD Schottky diodes
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+94.55 грн
22+55.24 грн
59+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+100.92 грн
21+58.20 грн
56+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065E1 B2D06065E1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.34 грн
25+64.12 грн
100+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065E1 B2D06065E1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+105.17 грн
5+90.15 грн
25+76.94 грн
100+73.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+143.42 грн
14+86.81 грн
38+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065K THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+178.48 грн
11+108.51 грн
30+102.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+158.29 грн
11+109.50 грн
30+103.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065KS THT Schottky diodes
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+180.60 грн
11+108.51 грн
30+102.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+198.66 грн
10+120.35 грн
27+114.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065KS THT Schottky diodes
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+227.34 грн
9+140.08 грн
23+133.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+292.15 грн
7+177.56 грн
19+167.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+276.21 грн
7+174.61 грн
19+164.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D15120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D15120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+518.43 грн
4+361.05 грн
9+341.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+368.64 грн
5+256.48 грн
13+242.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.34 грн
5+249.08 грн
30+221.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+358.01 грн
5+310.40 грн
30+265.36 грн
150+232.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065F1 SMD Schottky diodes
на замовлення 520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+342.08 грн
5+277.20 грн
12+262.40 грн
100+262.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+439.81 грн
5+267.33 грн
13+252.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+439.81 грн
5+285.09 грн
12+269.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+377.14 грн
5+276.21 грн
12+260.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+547.11 грн
4+345.26 грн
10+325.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+547.11 грн
4+332.44 грн
10+314.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+694.78 грн
3+481.40 грн
7+454.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+660.78 грн
3+401.49 грн
9+379.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1046.42 грн
2+722.10 грн
5+682.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+821.20 грн
3+520.86 грн
7+492.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+957.18 грн
2+694.48 грн
5+656.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1376.81 грн
2+998.31 грн
4+944.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1094.22 грн
2+695.46 грн
5+656.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D60120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1203.49 грн
3+1137.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR B2M032120Y THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1573.34 грн
2+1085.12 грн
3+1025.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1018.80 грн
2+726.04 грн
5+686.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120R SMD N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1188.77 грн
2+741.83 грн
5+701.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120Z THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+957.18 грн
2+707.30 грн
5+668.83 грн
30+667.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HF BGH40N120HF BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+665.74 грн
3+557.36 грн
10+492.41 грн
30+459.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+798.89 грн
3+694.55 грн
10+590.90 грн
30+551.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+924.25 грн
5+776.85 грн
30+683.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1109.10 грн
5+968.07 грн
30+820.74 грн
150+687.57 грн
600+681.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+948.15 грн
5+791.64 грн
30+699.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1137.78 грн
5+986.51 грн
30+839.49 грн
150+718.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+836.60 грн
5+698.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1003.92 грн
5+870.75 грн
30+741.83 грн
150+643.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N120HF1 THT IGBT transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1028.36 грн
2+701.38 грн
5+662.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65HF1 BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 376ns
Turn-on time: 104ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D06065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065KS THT Schottky diodes
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.04 грн
15+83.85 грн
39+78.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D08065K THT Schottky diodes
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.71 грн
11+112.46 грн
29+106.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D08065KS THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.60 грн
11+112.46 грн
29+106.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065H THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.97 грн
9+144.02 грн
23+136.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065KS THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.34 грн
9+138.11 грн
24+130.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D15065K B1D15065K.pdf
B1D15065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+215.13 грн
5+179.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B1D15065K B1D15065K.pdf
B1D15065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.15 грн
5+223.32 грн
25+196.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B1D16065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D16065HC THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.64 грн
6+230.83 грн
14+218.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D20065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D20065HC THT Schottky diodes
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.12 грн
4+322.58 грн
11+304.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D30065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D30065TF THT Schottky diodes
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.78 грн
3+413.33 грн
8+391.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D40065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D40065H THT Schottky diodes
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+877.50 грн
3+551.44 грн
6+521.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HC THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1361.33 грн
3+1287.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HK
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HK THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1448.14 грн
3+1369.22 грн
600+1366.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 B2D02120E1.pdf
B2D02120E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.40 грн
8+55.08 грн
25+48.50 грн
100+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 B2D02120E1.pdf
B2D02120E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.68 грн
5+68.64 грн
25+58.20 грн
100+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065E1 SMD Schottky diodes
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.55 грн
22+55.24 грн
59+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.92 грн
21+58.20 грн
56+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065E1
B2D06065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.34 грн
25+64.12 грн
100+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065E1
B2D06065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.17 грн
5+90.15 грн
25+76.94 грн
100+73.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.42 грн
14+86.81 грн
38+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D08065K THT Schottky diodes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.48 грн
11+108.51 грн
30+102.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D08065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.29 грн
11+109.50 грн
30+103.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D08065KS THT Schottky diodes
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.60 грн
11+108.51 грн
30+102.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.66 грн
10+120.35 грн
27+114.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065KS THT Schottky diodes
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.34 грн
9+140.08 грн
23+133.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.15 грн
7+177.56 грн
19+167.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.21 грн
7+174.61 грн
19+164.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D15120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D15120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.43 грн
4+361.05 грн
9+341.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D16065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.64 грн
5+256.48 грн
13+242.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 B2D16120HC1.pdf
B2D16120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.34 грн
5+249.08 грн
30+221.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 B2D16120HC1.pdf
B2D16120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.01 грн
5+310.40 грн
30+265.36 грн
150+232.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065F1 SMD Schottky diodes
на замовлення 520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.08 грн
5+277.20 грн
12+262.40 грн
100+262.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.81 грн
5+267.33 грн
13+252.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.81 грн
5+285.09 грн
12+269.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065TF THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.14 грн
5+276.21 грн
12+260.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.11 грн
4+345.26 грн
10+325.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.11 грн
4+332.44 грн
10+314.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+694.78 грн
3+481.40 грн
7+454.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30065HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.78 грн
3+401.49 грн
9+379.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1046.42 грн
2+722.10 грн
5+682.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+821.20 грн
3+520.86 грн
7+492.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40065H1 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+957.18 грн
2+694.48 грн
5+656.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1376.81 грн
2+998.31 грн
4+944.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40120HC1 THT Schottky diodes
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1094.22 грн
2+695.46 грн
5+656.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D60120H1 THT Schottky diodes
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1203.49 грн
3+1137.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M032120Y
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M032120Y THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1573.34 грн
2+1085.12 грн
3+1025.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120H THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1018.80 грн
2+726.04 грн
5+686.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120R SMD N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1188.77 грн
2+741.83 грн
5+701.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120Z
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120Z THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+957.18 грн
2+707.30 грн
5+668.83 грн
30+667.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HF
BGH40N120HF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+665.74 грн
3+557.36 грн
10+492.41 грн
30+459.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+798.89 грн
3+694.55 грн
10+590.90 грн
30+551.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1.pdf
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+924.25 грн
5+776.85 грн
30+683.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1.pdf
BGH50N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1109.10 грн
5+968.07 грн
30+820.74 грн
150+687.57 грн
600+681.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+948.15 грн
5+791.64 грн
30+699.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1137.78 грн
5+986.51 грн
30+839.49 грн
150+718.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+836.60 грн
5+698.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1003.92 грн
5+870.75 грн
30+741.83 грн
150+643.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N120HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
BGH75N120HF1 THT IGBT transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1028.36 грн
2+701.38 грн
5+662.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65HF1 BGH75N65HF1.pdf
BGH75N65HF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 376ns
Turn-on time: 104ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]