Продукція > BASIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника BASIC SEMICONDUCTOR (193) > Сторінка 1 з 4

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
B1D03120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D03120E SMD Schottky diodes
товар відсутній
B1D04065KF B1D04065KF BASiC SEMICONDUCTOR B1D04065KF.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 13W; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 13W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D04065KF B1D04065KF BASiC SEMICONDUCTOR B1D04065KF.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 13W; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 13W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+134.13 грн
5+ 66.82 грн
21+ 47.33 грн
56+ 44.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D05120E B1D05120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D05120E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.78V
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 60A
Power dissipation: 53W
товар відсутній
B1D05120E B1D05120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D05120E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.78V
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 60A
Power dissipation: 53W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D06065F B1D06065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065F.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO263-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO263-2
Power dissipation: 38W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
товар відсутній
B1D06065F B1D06065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065F.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO263-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO263-2
Power dissipation: 38W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D06065K B1D06065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 42W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Power dissipation: 42W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.64 грн
5+ 79.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
B1D06065KF B1D06065KF BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065KF.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 23W; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Power dissipation: 23W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 45A
Max. forward voltage: 1.73V
Leakage current: 20µA
товар відсутній
B1D06065KS B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 30W; TO220ISO; tube
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Power dissipation: 30W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.81 грн
5+ 87.88 грн
13+ 64.35 грн
35+ 60.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
B1D06065KS B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 30W; TO220ISO; tube
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Power dissipation: 30W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+126.98 грн
5+ 109.51 грн
13+ 77.22 грн
35+ 73.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D08065F B1D08065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065F.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
товар відсутній
B1D08065F B1D08065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065F.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D08065K B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.81 грн
5+ 87.88 грн
11+ 76.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
B1D08065K B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+126.98 грн
5+ 109.51 грн
11+ 92.17 грн
29+ 87.18 грн
100+ 84.69 грн
500+ 83.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D08065KF B1D08065KF BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065KF.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 20W; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.69V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D08065KF B1D08065KF BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065KF.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 20W; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.69V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+133.23 грн
5+ 115.54 грн
11+ 92.17 грн
29+ 87.18 грн
500+ 83.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D08065KS B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 32W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.97 грн
5+ 100.33 грн
11+ 76.8 грн
29+ 72.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
B1D08065KS B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 32W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+143.97 грн
5+ 125.03 грн
11+ 92.17 грн
29+ 87.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D10065E B1D10065E BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 50W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
товар відсутній
B1D10065E B1D10065E BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 50W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D10065F B1D10065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065F.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO263-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 58W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
товар відсутній
B1D10065F B1D10065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065F.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO263-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 58W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D10065H B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 68W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.54 грн
5+ 123.16 грн
9+ 98.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D10065H B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 68W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.05 грн
5+ 153.48 грн
9+ 118.74 грн
23+ 112.09 грн
150+ 109.6 грн
600+ 107.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D10065KS B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 38W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 38W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.27 грн
5+ 126.62 грн
9+ 98.95 грн
23+ 93.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D10065KS B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 38W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 38W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+181.52 грн
5+ 157.79 грн
9+ 118.74 грн
23+ 112.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D10120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D10120E SMD Schottky diodes
товар відсутній
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D15065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; 84W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.12 грн
5+ 177.83 грн
6+ 148.07 грн
15+ 140.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D15065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; 84W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+255.74 грн
5+ 221.6 грн
6+ 177.69 грн
15+ 168.56 грн
500+ 161.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D16065HC B1D16065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D16065HC.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 73W; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 73W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 16A
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.57 грн
5+ 163.99 грн
14+ 155.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D16065HC B1D16065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D16065HC.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 73W; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 73W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+310.29 грн
5+ 204.36 грн
14+ 186.82 грн
600+ 185.16 грн
B1D20065HC B1D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D20065HC.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+359.91 грн
4+ 227.65 грн
10+ 215.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D20065HC B1D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D20065HC.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+431.9 грн
4+ 283.68 грн
10+ 258.23 грн
B1D30065TF B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR B1D30065TF.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; 31W; TO3PF; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.62V
Leakage current: 30µA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.39 грн
3+ 293.38 грн
8+ 277.47 грн
B1D30065TF B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR B1D30065TF.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; 31W; TO3PF; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.62V
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+528.47 грн
3+ 365.6 грн
8+ 332.96 грн
150+ 326.32 грн
600+ 319.67 грн
B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D40065H THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+738.6 грн
3+ 474.11 грн
6+ 448.37 грн
B1M080120HC B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+999.26 грн
3+ 877.37 грн
B1M080120HC B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1199.11 грн
3+ 1093.34 грн
600+ 1012.99 грн
B1M080120HK B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1062.6 грн
3+ 933.42 грн
B1M080120HK B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1275.12 грн
3+ 1163.19 грн
150+ 1076.1 грн
B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1 SMD Schottky diodes
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.05 грн
19+ 51.48 грн
52+ 48.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
B2D02120K1 B2D02120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; 35W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.63 грн
8+ 47.33 грн
22+ 38.06 грн
58+ 35.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
B2D02120K1 B2D02120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; 35W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.96 грн
5+ 58.98 грн
22+ 45.67 грн
58+ 43.18 грн
500+ 41.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
B2D04065D BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065D.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN5x6; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 26W
товар відсутній
B2D04065D BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065D.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN5x6; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 26W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2D04065D1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065D1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN5x6; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
B2D04065D1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065D1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN5x6; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2D04065E1 B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; TO252-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.89 грн
18+ 44.28 грн
50+ 42.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
B2D04065E1 B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; TO252-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+87.63 грн
5+ 75.88 грн
18+ 53.14 грн
50+ 50.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
B2D04065K1 B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 39W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.95 грн
8+ 48.16 грн
23+ 35.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
B2D04065K1 B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 39W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.15 грн
5+ 60.01 грн
23+ 42.35 грн
63+ 39.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
B2D04065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065KF1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
B2D04065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065KF1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2D04065V BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065V.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; SMB flat; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.65V
Case: SMB flat
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 32A
Power dissipation: 10W
товар відсутній
B2D04065V BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065V.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; SMB flat; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.65V
Case: SMB flat
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 32A
Power dissipation: 10W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2D04065V1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065V1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; SMB flat; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB flat
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
B2D04065V1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065V1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; SMB flat; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB flat
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2D05120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D05120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
B2D05120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D05120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D03120E
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D03120E SMD Schottky diodes
товар відсутній
B1D04065KF B1D04065KF.pdf
B1D04065KF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 13W; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 13W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D04065KF B1D04065KF.pdf
B1D04065KF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 13W; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 13W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+134.13 грн
5+ 66.82 грн
21+ 47.33 грн
56+ 44.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D05120E B1D05120E.pdf
B1D05120E
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.78V
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 60A
Power dissipation: 53W
товар відсутній
B1D05120E B1D05120E.pdf
B1D05120E
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.78V
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 60A
Power dissipation: 53W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D06065F B1D06065F.pdf
B1D06065F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO263-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO263-2
Power dissipation: 38W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
товар відсутній
B1D06065F B1D06065F.pdf
B1D06065F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO263-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO263-2
Power dissipation: 38W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D06065K B1D06065K.pdf
B1D06065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 42W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Power dissipation: 42W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.64 грн
5+ 79.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
B1D06065KF B1D06065KF.pdf
B1D06065KF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 23W; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Power dissipation: 23W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 45A
Max. forward voltage: 1.73V
Leakage current: 20µA
товар відсутній
B1D06065KS B1D06065KS.pdf
B1D06065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 30W; TO220ISO; tube
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Power dissipation: 30W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+105.81 грн
5+ 87.88 грн
13+ 64.35 грн
35+ 60.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
B1D06065KS B1D06065KS.pdf
B1D06065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 30W; TO220ISO; tube
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Power dissipation: 30W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.98 грн
5+ 109.51 грн
13+ 77.22 грн
35+ 73.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D08065F B1D08065F.pdf
B1D08065F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
товар відсутній
B1D08065F B1D08065F.pdf
B1D08065F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D08065K B1D08065K.pdf
B1D08065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+105.81 грн
5+ 87.88 грн
11+ 76.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
B1D08065K B1D08065K.pdf
B1D08065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.98 грн
5+ 109.51 грн
11+ 92.17 грн
29+ 87.18 грн
100+ 84.69 грн
500+ 83.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D08065KF B1D08065KF.pdf
B1D08065KF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 20W; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.69V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D08065KF B1D08065KF.pdf
B1D08065KF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 20W; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.69V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.23 грн
5+ 115.54 грн
11+ 92.17 грн
29+ 87.18 грн
500+ 83.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D08065KS B1D08065KS.pdf
B1D08065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 32W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+119.97 грн
5+ 100.33 грн
11+ 76.8 грн
29+ 72.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
B1D08065KS B1D08065KS.pdf
B1D08065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 32W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+143.97 грн
5+ 125.03 грн
11+ 92.17 грн
29+ 87.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D10065E B1D10065E.pdf
B1D10065E
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 50W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
товар відсутній
B1D10065E B1D10065E.pdf
B1D10065E
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 50W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D10065F B1D10065F.pdf
B1D10065F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO263-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 58W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
товар відсутній
B1D10065F B1D10065F.pdf
B1D10065F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO263-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 58W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B1D10065H B1D10065H.pdf
B1D10065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 68W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.54 грн
5+ 123.16 грн
9+ 98.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D10065H B1D10065H.pdf
B1D10065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 68W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.05 грн
5+ 153.48 грн
9+ 118.74 грн
23+ 112.09 грн
150+ 109.6 грн
600+ 107.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D10065KS B1D10065KS.pdf
B1D10065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 38W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 38W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.27 грн
5+ 126.62 грн
9+ 98.95 грн
23+ 93.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
B1D10065KS B1D10065KS.pdf
B1D10065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 38W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 38W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.52 грн
5+ 157.79 грн
9+ 118.74 грн
23+ 112.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D10120E
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10120E SMD Schottky diodes
товар відсутній
B1D15065K B1D15065K.pdf
B1D15065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; 84W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.12 грн
5+ 177.83 грн
6+ 148.07 грн
15+ 140.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D15065K B1D15065K.pdf
B1D15065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; 84W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+255.74 грн
5+ 221.6 грн
6+ 177.69 грн
15+ 168.56 грн
500+ 161.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D16065HC B1D16065HC.pdf
B1D16065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 73W; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 73W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 16A
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+258.57 грн
5+ 163.99 грн
14+ 155.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D16065HC B1D16065HC.pdf
B1D16065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 73W; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 73W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+310.29 грн
5+ 204.36 грн
14+ 186.82 грн
600+ 185.16 грн
B1D20065HC B1D20065HC.pdf
B1D20065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+359.91 грн
4+ 227.65 грн
10+ 215.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
B1D20065HC B1D20065HC.pdf
B1D20065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.9 грн
4+ 283.68 грн
10+ 258.23 грн
B1D30065TF B1D30065TF.pdf
B1D30065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; 31W; TO3PF; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.62V
Leakage current: 30µA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.39 грн
3+ 293.38 грн
8+ 277.47 грн
B1D30065TF B1D30065TF.pdf
B1D30065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; 31W; TO3PF; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.62V
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+528.47 грн
3+ 365.6 грн
8+ 332.96 грн
150+ 326.32 грн
600+ 319.67 грн
B1D40065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D40065H THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+738.6 грн
3+ 474.11 грн
6+ 448.37 грн
B1M080120HC B1M080120HC.pdf
B1M080120HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+999.26 грн
3+ 877.37 грн
B1M080120HC B1M080120HC.pdf
B1M080120HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1199.11 грн
3+ 1093.34 грн
600+ 1012.99 грн
B1M080120HK B1M080120HK.pdf
B1M080120HK
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1062.6 грн
3+ 933.42 грн
B1M080120HK B1M080120HK.pdf
B1M080120HK
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1275.12 грн
3+ 1163.19 грн
150+ 1076.1 грн
B2D02120E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D02120E1 SMD Schottky diodes
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.05 грн
19+ 51.48 грн
52+ 48.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
B2D02120K1 B2D02120K1.pdf
B2D02120K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; 35W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.63 грн
8+ 47.33 грн
22+ 38.06 грн
58+ 35.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
B2D02120K1 B2D02120K1.pdf
B2D02120K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; 35W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.96 грн
5+ 58.98 грн
22+ 45.67 грн
58+ 43.18 грн
500+ 41.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
B2D04065D B2D04065D.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN5x6; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 26W
товар відсутній
B2D04065D B2D04065D.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN5x6; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 26W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2D04065D1 B2D04065D1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN5x6; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
B2D04065D1 B2D04065D1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN5x6; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2D04065E1 B2D04065E1.pdf
B2D04065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; TO252-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.89 грн
18+ 44.28 грн
50+ 42.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
B2D04065E1 B2D04065E1.pdf
B2D04065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; TO252-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.63 грн
5+ 75.88 грн
18+ 53.14 грн
50+ 50.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
B2D04065K1 B2D04065K1.pdf
B2D04065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 39W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+60.95 грн
8+ 48.16 грн
23+ 35.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
B2D04065K1 B2D04065K1.pdf
B2D04065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 39W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.15 грн
5+ 60.01 грн
23+ 42.35 грн
63+ 39.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
B2D04065KF1 B2D04065KF1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
B2D04065KF1 B2D04065KF1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2D04065V B2D04065V.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; SMB flat; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.65V
Case: SMB flat
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 32A
Power dissipation: 10W
товар відсутній
B2D04065V B2D04065V.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; SMB flat; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.65V
Case: SMB flat
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 32A
Power dissipation: 10W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2D04065V1 B2D04065V1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; SMB flat; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB flat
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
B2D04065V1 B2D04065V1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; SMB flat; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB flat
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2D05120E1 B2D05120E1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
B2D05120E1 B2D05120E1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; TO252-2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]