Продукція > BASIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника BASIC SEMICONDUCTOR (176) > Сторінка 1 з 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B1D03120E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D03120E SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
B1D05120E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D05120E SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
B1D06065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D06065F SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
B1D06065KF | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.73V Max. forward impulse current: 45A Leakage current: 20µA Power dissipation: 23W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B1D06065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D06065KS THT Schottky diodes |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
B1D08065F | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO263-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Power dissipation: 48W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
B1D08065F | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO263-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Power dissipation: 48W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
B1D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 56W |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B1D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 56W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B1D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.73V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 32W |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B1D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.73V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 32W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
B1D10065E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065E SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
B1D10065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065F SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
B1D10065H | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 75A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 68W |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B1D10065H | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 75A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 68W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
B1D10065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065KS THT Schottky diodes |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
B1D10120E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10120E SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
B1D15065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.75V Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 112A Leakage current: 10µA Power dissipation: 84W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B1D15065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.75V Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 112A Leakage current: 10µA Power dissipation: 84W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
B1D16065HC | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D16065HC THT Schottky diodes |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
B1D20065HC | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D20065HC THT Schottky diodes |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
B1D30065TF | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D30065TF THT Schottky diodes |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
B1D40065H | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.62V Max. forward impulse current: 310A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 185W |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B1D40065H | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.62V Max. forward impulse current: 310A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 185W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B1M080120HC | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 241W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B1M080120HC | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 241W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
B1M080120HK | BASiC SEMICONDUCTOR | B1M080120HK THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
B2D02120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.92V Leakage current: 20µA Max. forward impulse current: 22A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 34W Technology: SiC |
на замовлення 3358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D02120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.92V Leakage current: 20µA Max. forward impulse current: 22A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 34W Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3358 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
B2D02120K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D02120K1 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
B2D04065D | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065D SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
B2D04065D1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065D1 SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
B2D04065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Case: TO252-2 Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD |
на замовлення 2453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D04065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Case: TO252-2 Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2453 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D04065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.6V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 34A Leakage current: 20µA Power dissipation: 39W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D04065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.6V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 34A Leakage current: 20µA Power dissipation: 39W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
B2D04065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065KF1 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
B2D04065V | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065V SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
B2D04065V1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065V1 SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
B2D05120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D05120E1 SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
B2D05120K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D05120K1 THT Schottky diodes |
на замовлення 165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
B2D06065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Technology: SiC |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D06065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
B2D06065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D06065K1 THT Schottky diodes |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
B2D06065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Kind of package: tube |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D06065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
B2D06065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D06065KS THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
B2D06065Q | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D06065Q SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
B2D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 57W |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 57W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D08065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Kind of package: tube |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D08065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.54V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 37W |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.54V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 37W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
B2D10065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065E1 SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
B2D10065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065F SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
B2D10065F1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065F1 SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
B2D10065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 62W |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D10065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 62W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
B2D10065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065KF1 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
B1D03120E |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D03120E SMD Schottky diodes
B1D03120E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B1D05120E |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D05120E SMD Schottky diodes
B1D05120E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B1D06065F |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065F SMD Schottky diodes
B1D06065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B1D06065KF |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 23W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 23W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B1D06065KS |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065KS THT Schottky diodes
B1D06065KS THT Schottky diodes
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 149.32 грн |
13+ | 89.61 грн |
35+ | 83.95 грн |
B1D08065F |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B1D08065F |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B1D08065K |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 423.26 грн |
B1D08065K |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 304.74 грн |
5+ | 124.40 грн |
11+ | 105.64 грн |
29+ | 99.99 грн |
100+ | 97.16 грн |
B1D08065KS |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 136.29 грн |
5+ | 113.98 грн |
11+ | 88.04 грн |
B1D08065KS |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 163.55 грн |
5+ | 142.03 грн |
11+ | 105.64 грн |
29+ | 99.99 грн |
B1D10065E |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065E SMD Schottky diodes
B1D10065E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B1D10065F |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065F SMD Schottky diodes
B1D10065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B1D10065H |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 167.61 грн |
B1D10065H |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 201.13 грн |
5+ | 174.36 грн |
9+ | 134.89 грн |
23+ | 127.34 грн |
150+ | 124.51 грн |
600+ | 122.62 грн |
B1D10065KS |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065KS THT Schottky diodes
B1D10065KS THT Schottky diodes
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 217.38 грн |
9+ | 134.89 грн |
23+ | 128.28 грн |
B1D10120E |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10120E SMD Schottky diodes
B1D10120E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B1D15065K |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 230.25 грн |
5+ | 191.80 грн |
6+ | 170.57 грн |
B1D15065K |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 276.30 грн |
5+ | 239.01 грн |
6+ | 204.69 грн |
15+ | 193.37 грн |
100+ | 186.76 грн |
B1D16065HC |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D16065HC THT Schottky diodes
B1D16065HC THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 352.49 грн |
5+ | 226.38 грн |
14+ | 214.12 грн |
B1D20065HC |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D20065HC THT Schottky diodes
B1D20065HC THT Schottky diodes
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 490.64 грн |
4+ | 315.99 грн |
10+ | 298.07 грн |
B1D30065TF |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D30065TF THT Schottky diodes
B1D30065TF THT Schottky diodes
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 631.84 грн |
3+ | 405.60 грн |
8+ | 382.96 грн |
B1D40065H |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 558.70 грн |
3+ | 431.54 грн |
6+ | 407.96 грн |
B1D40065H |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 670.44 грн |
3+ | 537.76 грн |
6+ | 489.55 грн |
150+ | 470.68 грн |
B1M080120HC |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1152.95 грн |
3+ | 1012.43 грн |
B1M080120HC |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1383.54 грн |
3+ | 1261.64 грн |
150+ | 1200.76 грн |
600+ | 1168.69 грн |
B1M080120HK |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HK THT N channel transistors
B1M080120HK THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1361.12 грн |
3+ | 1286.60 грн |
600+ | 1285.15 грн |
B2D02120E1 |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 71.95 грн |
7+ | 60.53 грн |
19+ | 49.52 грн |
52+ | 46.38 грн |
500+ | 44.02 грн |
B2D02120E1 |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 86.34 грн |
5+ | 75.42 грн |
19+ | 59.43 грн |
52+ | 55.65 грн |
500+ | 52.82 грн |
B2D02120K1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D02120K1 THT Schottky diodes
B2D02120K1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B2D04065D |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065D SMD Schottky diodes
B2D04065D SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B2D04065D1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065D1 SMD Schottky diodes
B2D04065D1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B2D04065E1 |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: TO252-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: TO252-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 60.95 грн |
8+ | 51.09 грн |
21+ | 44.02 грн |
58+ | 41.66 грн |
100+ | 40.09 грн |
B2D04065E1 |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: TO252-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: TO252-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.67 грн |
21+ | 52.82 грн |
58+ | 49.99 грн |
100+ | 48.11 грн |
B2D04065K1 |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 77.03 грн |
7+ | 61.31 грн |
20+ | 47.16 грн |
B2D04065K1 |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.44 грн |
5+ | 76.40 грн |
20+ | 56.60 грн |
54+ | 53.77 грн |
B2D04065KF1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065KF1 THT Schottky diodes
B2D04065KF1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B2D04065V |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065V SMD Schottky diodes
B2D04065V SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B2D04065V1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065V1 SMD Schottky diodes
B2D04065V1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B2D05120E1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D05120E1 SMD Schottky diodes
B2D05120E1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B2D05120K1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D05120K1 THT Schottky diodes
B2D05120K1 THT Schottky diodes
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 156.44 грн |
11+ | 101.87 грн |
30+ | 96.21 грн |
B2D06065E1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 93.12 грн |
6+ | 77.82 грн |
15+ | 64.46 грн |
40+ | 60.53 грн |
500+ | 58.17 грн |
B2D06065E1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.74 грн |
5+ | 96.97 грн |
15+ | 77.35 грн |
40+ | 72.63 грн |
500+ | 69.80 грн |
B2D06065K1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065K1 THT Schottky diodes
B2D06065K1 THT Schottky diodes
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 155.42 грн |
12+ | 93.38 грн |
33+ | 87.72 грн |
B2D06065KF1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 105.81 грн |
5+ | 88.04 грн |
12+ | 81.75 грн |
25+ | 77.82 грн |
100+ | 74.67 грн |
B2D06065KF1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.98 грн |
5+ | 109.71 грн |
12+ | 98.10 грн |
25+ | 93.38 грн |
100+ | 89.61 грн |
B2D06065KS |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065KS THT Schottky diodes
B2D06065KS THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B2D06065Q |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065Q SMD Schottky diodes
B2D06065Q SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B2D08065K |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 113.43 грн |
B2D08065K |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 136.12 грн |
5+ | 118.52 грн |
11+ | 101.87 грн |
25+ | 100.93 грн |
30+ | 96.21 грн |
100+ | 92.44 грн |
B2D08065K1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 120.20 грн |
5+ | 99.83 грн |
11+ | 85.68 грн |
30+ | 80.96 грн |
B2D08065K1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.25 грн |
5+ | 124.40 грн |
11+ | 102.81 грн |
30+ | 97.16 грн |
100+ | 96.21 грн |
B2D08065KS |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 115.13 грн |
5+ | 95.90 грн |
11+ | 84.89 грн |
30+ | 80.18 грн |
B2D08065KS |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 138.15 грн |
5+ | 119.50 грн |
11+ | 101.87 грн |
30+ | 96.21 грн |
100+ | 92.44 грн |
B2D10065E1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065E1 SMD Schottky diodes
B2D10065E1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B2D10065F |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065F SMD Schottky diodes
B2D10065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B2D10065F1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065F1 SMD Schottky diodes
B2D10065F1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
B2D10065K1 |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 150.68 грн |
5+ | 125.77 грн |
10+ | 96.68 грн |
25+ | 95.90 грн |
27+ | 91.18 грн |
B2D10065K1 |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 180.81 грн |
5+ | 156.73 грн |
10+ | 116.02 грн |
25+ | 115.08 грн |
27+ | 109.42 грн |
B2D10065KF1 |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065KF1 THT Schottky diodes
B2D10065KF1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.