Продукція > BASIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника BASIC SEMICONDUCTOR (89) > Сторінка 1 з 2

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AB2M040120R BASiC SEMICONDUCTOR AB2M040120R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 123A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 123A
Power dissipation: 238W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D05120E B1D05120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D05120E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.78V
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 53W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D06065KS B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 45A
Power dissipation: 30W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.86 грн
6+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065K B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+447.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065KS B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.86 грн
5+108.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065H B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 68W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065KS B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 38W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.03 грн
5+127.97 грн
25+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10120E B1D10120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D10120E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 62W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D15065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+217.46 грн
5+181.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D16065HC B1D16065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D16065HC.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 73W
Kind of package: tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D20065HC B1D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D20065HC.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+345.43 грн
5+289.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D40065H B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D40065H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+590.62 грн
5+493.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HC B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1575.00 грн
5+1316.25 грн
30+1162.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HK B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1575.00 грн
5+1316.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.96 грн
7+64.82 грн
25+56.51 грн
100+51.52 грн
500+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065D BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065D.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 26W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065D1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065D1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 33A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 19W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065E1 B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 31A
Power dissipation: 39W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.33 грн
8+54.84 грн
25+48.20 грн
100+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065K1 B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 34A
Power dissipation: 39W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.38 грн
8+58.17 грн
25+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D05120K1 B2D05120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D05120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 64W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065E1 B2D06065E1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 38A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 50W
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+73.12 грн
25+64.82 грн
100+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065K1 B2D06065K1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 11µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 48A
Power dissipation: 58W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+88.08 грн
10+77.28 грн
50+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K B2D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K1 B2D08065K1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 56A
Leakage current: 11µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.65 грн
5+94.73 грн
25+83.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065KS B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.70 грн
5+101.38 грн
25+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.55V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065K1 B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 85A
Power dissipation: 62W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.29 грн
5+118.83 грн
25+105.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065KS B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 85A
Power dissipation: 47W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.87 грн
5+136.28 грн
25+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.95V
Leakage current: 16µA
Max. forward impulse current: 95A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 72W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120H1 B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 90A
Power dissipation: 62W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+209.40 грн
5+175.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120HC1 B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 55A
Power dissipation: 64W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+197.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D15120H1 B2D15120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D15120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; Ir: 60uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 135A
Power dissipation: 123W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+380.33 грн
3+318.26 грн
10+280.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.58 грн
5+251.78 грн
30+223.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1 B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065F1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 13µA
Max. forward voltage: 1.67V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 140A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+250.57 грн
5+210.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1 B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 130W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+315.00 грн
3+262.59 грн
10+232.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1 B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+315.00 грн
5+262.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 70A
Power dissipation: 33W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.15 грн
5+209.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Leakage current: 40µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+391.96 грн
5+327.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1 B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 90A
Power dissipation: 60W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+391.96 грн
5+327.40 грн
30+289.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065H1 B2D30065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 200A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 216W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+519.03 грн
3+432.93 грн
10+383.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065HC1 B2D30065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+473.39 грн
5+394.71 грн
30+349.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1 B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 135A
Power dissipation: 95W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+587.94 грн
5+491.93 грн
30+434.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065H1 B2D40065H1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 26uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 26µA
Max. forward voltage: 1.76V
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 180A
Power dissipation: 240W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+702.49 грн
3+585.83 грн
10+526.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1 B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.92V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 180A
Power dissipation: 112W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+783.03 грн
5+656.46 грн
30+580.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1 B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D60120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 361W
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1287.74 грн
3+1077.76 грн
10+953.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2DM100120N1 BASiC SEMICONDUCTOR B2DM100120N1.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227; screw
Case: SOT227
Kind of package: tube
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 540A
Load current: 100A x2
Max. load current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2M040120R BASiC SEMICONDUCTOR B2M040120R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 123A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 123A
Power dissipation: 238W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120H B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+773.18 грн
3+648.98 грн
10+574.20 грн
30+550.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+900.26 грн
3+760.33 грн
10+672.25 грн
30+601.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120Z B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+893.99 грн
3+747.04 грн
10+657.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B3D120040HC BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 400V; 60Ax2; TO247-3; 417W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 60A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 0.3kA
Power dissipation: 417W
Kind of package: tube
Max. load current: 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20065F BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-3; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Power dissipation: 187W
Case: TO263-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20065H BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; 268W; tube
Power dissipation: 268W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 150W
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20065K BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; 227W; tube
Power dissipation: 227W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; 65W; tube
Power dissipation: 65W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20120F BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 273W
Power dissipation: 273W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20120H BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; 259W
Power dissipation: 259W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20120HC BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167W
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D60120H2 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; 938W
Power dissipation: 938W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 540A
Load current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AB2M040120R AB2M040120R.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 123A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 123A
Power dissipation: 238W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D05120E B1D05120E.pdf
B1D05120E
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.78V
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 53W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D06065KS B1D06065KS.pdf
B1D06065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 45A
Power dissipation: 30W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.86 грн
6+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065K B1D08065K.pdf
B1D08065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+447.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1D08065KS B1D08065KS.pdf
B1D08065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+128.86 грн
5+108.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065H B1D10065H.pdf
B1D10065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 68W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10065KS B1D10065KS.pdf
B1D10065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 75A
Power dissipation: 38W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.03 грн
5+127.97 грн
25+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D10120E B1D10120E.pdf
B1D10120E
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 62W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1D15065K B1D15065K.pdf
B1D15065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+217.46 грн
5+181.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D16065HC B1D16065HC.pdf
B1D16065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 73W
Kind of package: tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D20065HC B1D20065HC.pdf
B1D20065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+345.43 грн
5+289.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B1D40065H B1D40065H.pdf
B1D40065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+590.62 грн
5+493.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HC B1M080120HC.pdf
B1M080120HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1575.00 грн
5+1316.25 грн
30+1162.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HK B1M080120HK.pdf
B1M080120HK
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1575.00 грн
5+1316.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D02120E1 B2D02120E1.pdf
B2D02120E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.96 грн
7+64.82 грн
25+56.51 грн
100+51.52 грн
500+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065D B2D04065D.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 26W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065D1 B2D04065D1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 33A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 19W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065E1 B2D04065E1.pdf
B2D04065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 31A
Power dissipation: 39W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.33 грн
8+54.84 грн
25+48.20 грн
100+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D04065K1 B2D04065K1.pdf
B2D04065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 34A
Power dissipation: 39W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+73.38 грн
8+58.17 грн
25+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D05120K1 B2D05120K1.pdf
B2D05120K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 64W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065E1
B2D06065E1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 38A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 50W
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+73.12 грн
25+64.82 грн
100+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D06065K1
B2D06065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 11µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 48A
Power dissipation: 58W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+88.08 грн
10+77.28 грн
50+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K B2D08065K.pdf
B2D08065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065K1
B2D08065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 56A
Leakage current: 11µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+113.65 грн
5+94.73 грн
25+83.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D08065KS B2D08065KS.pdf
B2D08065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.70 грн
5+101.38 грн
25+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065E1 B2D10065E1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.55V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065K1 B2D10065K1.pdf
B2D10065K1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 85A
Power dissipation: 62W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+142.29 грн
5+118.83 грн
25+105.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10065KS B2D10065KS.pdf
B2D10065KS
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 85A
Power dissipation: 47W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+162.87 грн
5+136.28 грн
25+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120E1 B2D10120E1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.95V
Leakage current: 16µA
Max. forward impulse current: 95A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 72W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120H1 B2D10120H1.pdf
B2D10120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 90A
Power dissipation: 62W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+209.40 грн
5+175.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D10120HC1 B2D10120HC1.pdf
B2D10120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 55A
Power dissipation: 64W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+197.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D15120H1 B2D15120H1.pdf
B2D15120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; Ir: 60uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 135A
Power dissipation: 123W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+380.33 грн
3+318.26 грн
10+280.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D16120HC1 B2D16120HC1.pdf
B2D16120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.58 грн
5+251.78 грн
30+223.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065F1 B2D20065F1.pdf
B2D20065F1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 13µA
Max. forward voltage: 1.67V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 140A
Power dissipation: 100W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.57 грн
5+210.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065H1 B2D20065H1.pdf
B2D20065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 130W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+315.00 грн
3+262.59 грн
10+232.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065HC1 B2D20065HC1.pdf
B2D20065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+315.00 грн
5+262.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20065TF B2D20065TF.pdf
B2D20065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 70A
Power dissipation: 33W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.15 грн
5+209.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120H1 B2D20120H1.pdf
B2D20120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Leakage current: 40µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+391.96 грн
5+327.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D20120HC1 B2D20120HC1.pdf
B2D20120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 90A
Power dissipation: 60W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+391.96 грн
5+327.40 грн
30+289.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065H1 B2D30065H1.pdf
B2D30065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 200A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 216W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+519.03 грн
3+432.93 грн
10+383.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30065HC1 B2D30065HC1.pdf
B2D30065HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+473.39 грн
5+394.71 грн
30+349.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D30120HC1 B2D30120HC1.pdf
B2D30120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 135A
Power dissipation: 95W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+587.94 грн
5+491.93 грн
30+434.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40065H1
B2D40065H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 26uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 26µA
Max. forward voltage: 1.76V
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 180A
Power dissipation: 240W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+702.49 грн
3+585.83 грн
10+526.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D40120HC1 B2D40120HC1.pdf
B2D40120HC1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.92V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 180A
Power dissipation: 112W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+783.03 грн
5+656.46 грн
30+580.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2D60120H1 B2D60120H1.pdf
B2D60120H1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 361W
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1287.74 грн
3+1077.76 грн
10+953.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2DM100120N1 B2DM100120N1.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 100Ax2; SOT227; screw
Case: SOT227
Kind of package: tube
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 540A
Load current: 100A x2
Max. load current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: SiC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2M040120R B2M040120R.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 123A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 123A
Power dissipation: 238W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120H B2M065120H.pdf
B2M065120H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+773.18 грн
3+648.98 грн
10+574.20 грн
30+550.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120R B2M065120R.pdf
B2M065120R
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+900.26 грн
3+760.33 грн
10+672.25 грн
30+601.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B2M065120Z B2M065120Z.pdf
B2M065120Z
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+893.99 грн
3+747.04 грн
10+657.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B3D120040HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 400V; 60Ax2; TO247-3; 417W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 60A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 0.3kA
Power dissipation: 417W
Kind of package: tube
Max. load current: 120A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20065F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-3; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Power dissipation: 187W
Case: TO263-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20065H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; 268W; tube
Power dissipation: 268W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 150A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20065HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 150W
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20065K
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; 227W; tube
Power dissipation: 227W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 140A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20065TF
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; 65W; tube
Power dissipation: 65W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20120F
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 273W
Power dissipation: 273W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20120H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; 259W
Power dissipation: 259W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D20120HC
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167W
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B3D60120H2
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; 938W
Power dissipation: 938W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 540A
Load current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]