Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78834) > Сторінка 56 з 1314

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 131 262 393 524 655 786 917 1048 1179 1310 1314  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6TA Diodes Incorporated ZXMN2A03E6.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.26 грн
6000+21.22 грн
9000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Diodes Incorporated ZXMN2A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 445500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.18 грн
6000+8.57 грн
9000+8.37 грн
15000+7.69 грн
21000+6.95 грн
30000+6.70 грн
75000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8TA Diodes Incorporated ZXMN3B04N8.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+45.66 грн
1000+35.81 грн
2500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+53.67 грн
1000+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TA ZXMN3A06DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TA ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated ZXMN3A03E6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.77 грн
6000+20.30 грн
9000+20.04 грн
15000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTA ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated ZXMN3A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.24 грн
6000+10.27 грн
9000+9.54 грн
30000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+70.79 грн
1000+62.86 грн
1500+60.15 грн
2500+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.64 грн
6000+19.27 грн
9000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTA ZXMN6A11GTA Diodes Incorporated ZXMN6A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.44 грн
2000+19.02 грн
3000+18.18 грн
5000+16.18 грн
7000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN6A07Z.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.08 грн
2000+15.61 грн
3000+15.36 грн
5000+14.19 грн
7000+13.66 грн
10000+13.34 грн
25000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated ZXMN6A07F.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 3591000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.63 грн
6000+10.76 грн
9000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN10A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.86 грн
6000+13.81 грн
9000+13.16 грн
15000+12.08 грн
21000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated ZXMN10A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.04 грн
2000+19.56 грн
3000+18.70 грн
5000+16.65 грн
7000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN10A07Z.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.82 грн
2000+11.66 грн
3000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated ZXMN10A07F.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 961575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.47 грн
6000+9.60 грн
9000+9.05 грн
15000+8.33 грн
21000+8.04 грн
30000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZHCS2000TA ZHCS2000TA Diodes Incorporated ZHCS2000.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5.5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 25V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOT-26
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 1086000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.78 грн
6000+15.69 грн
9000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6TA Diodes Incorporated ZXTD4591E6.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.60 грн
6000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6TA Diodes Incorporated ZXTD09N50DE6.pdf Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.36 грн
6000+27.19 грн
9000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXFV201N14TA ZXFV201N14TA Diodes Incorporated zxfv201.pdf Description: IC AMPLIFIER VIDEO QUAD 14-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXFV202E5TA ZXFV202E5TA Diodes Incorporated ZXFVX.pdf Description: IC AMPLIFIER VIDEO SGL SOT23-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXFBF08W20TC ZXFBF08W20TC Diodes Incorporated ZXFBF08.pdf Description: IC OPAMP BUFFER 100MHZ 20SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXCD1000EQ16TA ZXCD1000EQ16TA Diodes Incorporated ZXCD1000.pdf Description: IC AMP CLASS D STEREO 1W 16QSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Depop, Short-Circuit and Thermal Protection
Package / Case: 16-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 12V ~ 18V
Max Output Power x Channels @ Load: 1W x 2 @ 8Ohm
Supplier Device Package: 16-QSOP-EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXSC300E5TA ZXSC300E5TA Diodes Incorporated ZXSC300.pdf Description: IC LED DRIVER CTRLR SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 200kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: SOT-23-5
Voltage - Supply (Min): 0.8V
Voltage - Supply (Max): 8V
Part Status: Active
на замовлення 35642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.56 грн
10+65.13 грн
25+54.46 грн
100+39.84 грн
250+34.29 грн
500+30.88 грн
1000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXCT1009FTA ZXCT1009FTA Diodes Incorporated ZXCT1009.pdf Description: IC CURRENT MONITOR 1% SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Monitor
Voltage - Input: 2.5V ~ 20V
Current - Output: 9.98mA
Accuracy: ±1%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 2026924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.07 грн
10+48.01 грн
25+43.30 грн
100+35.81 грн
250+33.51 грн
500+32.11 грн
1000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TA ZXM66P02N8TA Diodes Incorporated ZXM66P02N8.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TA ZXMD65P02N8TA Diodes Incorporated ZXMD65P02N8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8TA ZXM66P03N8TA Diodes Incorporated ZXM66P03N8.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03N8TA ZXMD65P03N8TA Diodes Incorporated zxmd65p03n8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT620TA FMMT620TA Diodes Incorporated FMMT620.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 699106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.54 грн
10+35.32 грн
100+22.89 грн
500+16.44 грн
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCX658ATA FCX658ATA Diodes Incorporated FCX658A.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.69 грн
10+39.75 грн
100+25.86 грн
500+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525GTA ZVN4525GTA Diodes Incorporated ZVN4525G.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.83 грн
10+55.12 грн
100+37.54 грн
500+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525ZTA ZVN4525ZTA Diodes Incorporated ZVN4525Z.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
на замовлення 7098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.27 грн
10+57.72 грн
100+38.14 грн
500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525E6TA ZVN4525E6TA Diodes Incorporated ZVN4525E6.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.82 грн
10+61.31 грн
100+37.02 грн
500+29.75 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP4525GTA ZVP4525GTA Diodes Incorporated ZVP4525G.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.34 грн
10+39.68 грн
100+28.02 грн
500+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP4525ZTA ZVP4525ZTA Diodes Incorporated ZVP4525Z.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 35609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.44 грн
10+59.94 грн
100+39.65 грн
500+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.49 грн
10+115.28 грн
100+91.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TA ZXMN2A02X8TA Diodes Incorporated ZXMN2A02X8.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6TA Diodes Incorporated ZXMN2A03E6.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
на замовлення 18409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+51.07 грн
100+35.37 грн
500+27.73 грн
1000+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Diodes Incorporated ZXMN2A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 445886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
12+26.15 грн
100+18.38 грн
500+12.70 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8TA Diodes Incorporated ZXMN3B04N8.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.15 грн
10+66.66 грн
100+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 23886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.07 грн
10+105.19 грн
100+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TA ZXMN3A06DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.50 грн
10+78.13 грн
100+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TA ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated ZXMN3A03E6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 37420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.56 грн
10+53.90 грн
100+35.59 грн
500+25.99 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTA ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated ZXMN3A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 91741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.34 грн
12+27.45 грн
100+19.07 грн
500+13.97 грн
1000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.47 грн
10+123.39 грн
100+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
на замовлення 14286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.86 грн
10+50.23 грн
100+30.32 грн
500+22.92 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.65 грн
10+59.09 грн
100+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTA ZXMN6A11GTA Diodes Incorporated ZXMN6A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
на замовлення 325393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.56 грн
10+49.46 грн
100+32.47 грн
500+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN6A07Z.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 198820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.10 грн
10+40.29 грн
100+26.61 грн
500+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated ZXMN6A07F.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 3592750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.78 грн
10+32.49 грн
100+20.92 грн
500+14.94 грн
1000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN10A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 192422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.19 грн
10+33.33 грн
100+25.60 грн
500+18.58 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated ZXMN10A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 111874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.15 грн
10+50.69 грн
100+33.30 грн
500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN10A07Z.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 105608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.22 грн
11+30.35 грн
100+20.78 грн
500+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated ZXMN10A07F.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 961760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.90 грн
12+26.60 грн
100+18.85 грн
500+13.56 грн
1000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZHCS2000TA ZHCS2000TA Diodes Incorporated ZHCS2000.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5.5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 25V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOT-26
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 1088327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.14 грн
11+28.67 грн
100+23.23 грн
500+18.22 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6TA Diodes Incorporated ZXTD4591E6.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 7534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.63 грн
10+45.10 грн
100+29.52 грн
500+21.41 грн
1000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTS1000E6TA ZXTS1000E6TA Diodes Incorporated ZXTS1000E6.pdf Description: TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.85 грн
20+15.67 грн
100+13.36 грн
500+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6TA Diodes Incorporated ZXTD09N50DE6.pdf Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 338500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.32 грн
10+69.72 грн
100+46.49 грн
500+34.28 грн
1000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6.pdf
ZXMN2A03E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.26 грн
6000+21.22 грн
9000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01F.pdf
ZXMN2A01FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 445500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.18 грн
6000+8.57 грн
9000+8.37 грн
15000+7.69 грн
21000+6.95 грн
30000+6.70 грн
75000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8.pdf
ZXMN3B04N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+45.66 грн
1000+35.81 грн
2500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8.pdf
ZXMN3A04DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+53.67 грн
1000+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TA ZXMN3A06DN8.pdf
ZXMN3A06DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TA ZXMN3A03E6.pdf
ZXMN3A03E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.77 грн
6000+20.30 грн
9000+20.04 грн
15000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTA ZXMN3A01F.pdf
ZXMN3A01FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.24 грн
6000+10.27 грн
9000+9.54 грн
30000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8.pdf
ZXMN6A09DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+70.79 грн
1000+62.86 грн
1500+60.15 грн
2500+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.64 грн
6000+19.27 грн
9000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8.pdf
ZXMN6A11DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTA ZXMN6A11G.pdf
ZXMN6A11GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.44 грн
2000+19.02 грн
3000+18.18 грн
5000+16.18 грн
7000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07Z.pdf
ZXMN6A07ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.08 грн
2000+15.61 грн
3000+15.36 грн
5000+14.19 грн
7000+13.66 грн
10000+13.34 грн
25000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07F.pdf
ZXMN6A07FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 3591000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.63 грн
6000+10.76 грн
9000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6.pdf
ZXMN10A08E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.86 грн
6000+13.81 грн
9000+13.16 грн
15000+12.08 грн
21000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11G.pdf
ZXMN10A11GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+22.04 грн
2000+19.56 грн
3000+18.70 грн
5000+16.65 грн
7000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07Z.pdf
ZXMN10A07ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.82 грн
2000+11.66 грн
3000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTA ZXMN10A07F.pdf
ZXMN10A07FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 961575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.47 грн
6000+9.60 грн
9000+9.05 грн
15000+8.33 грн
21000+8.04 грн
30000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZHCS2000TA ZHCS2000.pdf
ZHCS2000TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5.5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 25V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOT-26
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 1086000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.78 грн
6000+15.69 грн
9000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6.pdf
ZXTD4591E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.60 грн
6000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6.pdf
ZXTD09N50DE6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.36 грн
6000+27.19 грн
9000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXFV201N14TA zxfv201.pdf
ZXFV201N14TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC AMPLIFIER VIDEO QUAD 14-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXFV202E5TA ZXFVX.pdf
ZXFV202E5TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC AMPLIFIER VIDEO SGL SOT23-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXFBF08W20TC ZXFBF08.pdf
ZXFBF08W20TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC OPAMP BUFFER 100MHZ 20SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXCD1000EQ16TA ZXCD1000.pdf
ZXCD1000EQ16TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC AMP CLASS D STEREO 1W 16QSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Depop, Short-Circuit and Thermal Protection
Package / Case: 16-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 12V ~ 18V
Max Output Power x Channels @ Load: 1W x 2 @ 8Ohm
Supplier Device Package: 16-QSOP-EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXSC300E5TA ZXSC300.pdf
ZXSC300E5TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC LED DRIVER CTRLR SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 200kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: SOT-23-5
Voltage - Supply (Min): 0.8V
Voltage - Supply (Max): 8V
Part Status: Active
на замовлення 35642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.56 грн
10+65.13 грн
25+54.46 грн
100+39.84 грн
250+34.29 грн
500+30.88 грн
1000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXCT1009FTA ZXCT1009.pdf
ZXCT1009FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC CURRENT MONITOR 1% SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Monitor
Voltage - Input: 2.5V ~ 20V
Current - Output: 9.98mA
Accuracy: ±1%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 2026924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.07 грн
10+48.01 грн
25+43.30 грн
100+35.81 грн
250+33.51 грн
500+32.11 грн
1000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TA ZXM66P02N8.pdf
ZXM66P02N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TA ZXMD65P02N8.pdf
ZXMD65P02N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8TA ZXM66P03N8.pdf
ZXM66P03N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03N8TA zxmd65p03n8.pdf
ZXMD65P03N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT620TA FMMT620.pdf
FMMT620TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 699106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.54 грн
10+35.32 грн
100+22.89 грн
500+16.44 грн
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCX658ATA FCX658A.pdf
FCX658ATA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.69 грн
10+39.75 грн
100+25.86 грн
500+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525GTA ZVN4525G.pdf
ZVN4525GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.83 грн
10+55.12 грн
100+37.54 грн
500+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525ZTA ZVN4525Z.pdf
ZVN4525ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
на замовлення 7098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.27 грн
10+57.72 грн
100+38.14 грн
500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525E6TA ZVN4525E6.pdf
ZVN4525E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.82 грн
10+61.31 грн
100+37.02 грн
500+29.75 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP4525GTA ZVP4525G.pdf
ZVP4525GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+39.68 грн
100+28.02 грн
500+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP4525ZTA ZVP4525Z.pdf
ZVP4525ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 35609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.44 грн
10+59.94 грн
100+39.65 грн
500+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8.pdf
ZXMN2A04DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.49 грн
10+115.28 грн
100+91.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TA ZXMN2A02X8.pdf
ZXMN2A02X8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6.pdf
ZXMN2A03E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
на замовлення 18409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.92 грн
10+51.07 грн
100+35.37 грн
500+27.73 грн
1000+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01F.pdf
ZXMN2A01FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 445886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
12+26.15 грн
100+18.38 грн
500+12.70 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8.pdf
ZXMN3B04N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.15 грн
10+66.66 грн
100+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8.pdf
ZXMN3A04DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 23886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.07 грн
10+105.19 грн
100+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TA ZXMN3A06DN8.pdf
ZXMN3A06DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.50 грн
10+78.13 грн
100+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TA ZXMN3A03E6.pdf
ZXMN3A03E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 37420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.56 грн
10+53.90 грн
100+35.59 грн
500+25.99 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTA ZXMN3A01F.pdf
ZXMN3A01FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 91741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.34 грн
12+27.45 грн
100+19.07 грн
500+13.97 грн
1000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8.pdf
ZXMN6A09DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.47 грн
10+123.39 грн
100+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
на замовлення 14286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.86 грн
10+50.23 грн
100+30.32 грн
500+22.92 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8.pdf
ZXMN6A11DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.65 грн
10+59.09 грн
100+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTA ZXMN6A11G.pdf
ZXMN6A11GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
на замовлення 325393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.56 грн
10+49.46 грн
100+32.47 грн
500+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07Z.pdf
ZXMN6A07ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 198820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.10 грн
10+40.29 грн
100+26.61 грн
500+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07F.pdf
ZXMN6A07FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 3592750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.78 грн
10+32.49 грн
100+20.92 грн
500+14.94 грн
1000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6.pdf
ZXMN10A08E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 192422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.19 грн
10+33.33 грн
100+25.60 грн
500+18.58 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11G.pdf
ZXMN10A11GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 111874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.15 грн
10+50.69 грн
100+33.30 грн
500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07Z.pdf
ZXMN10A07ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 105608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.22 грн
11+30.35 грн
100+20.78 грн
500+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTA ZXMN10A07F.pdf
ZXMN10A07FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 961760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.90 грн
12+26.60 грн
100+18.85 грн
500+13.56 грн
1000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZHCS2000TA ZHCS2000.pdf
ZHCS2000TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5.5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 25V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOT-26
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 1088327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
11+28.67 грн
100+23.23 грн
500+18.22 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6.pdf
ZXTD4591E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 7534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
10+45.10 грн
100+29.52 грн
500+21.41 грн
1000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTS1000E6TA ZXTS1000E6.pdf
ZXTS1000E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
20+15.67 грн
100+13.36 грн
500+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6.pdf
ZXTD09N50DE6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 338500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.32 грн
10+69.72 грн
100+46.49 грн
500+34.28 грн
1000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 131 262 393 524 655 786 917 1048 1179 1310 1314  [ Наступна Сторінка >> ]