| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF07015QA | fastSiC |
 Description: SICFET N-CH 750V 136A TO-247-4LPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 555W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 500 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF07020M2F | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 109A TOLL |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF07020M2J-7 | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 109A TO-263-7L |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF07020M2L | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 109A HDSOP-22 ( |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF07020M2Q | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 99A TO-247-4L |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF07020M2T | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 101A T2PAK |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF07025FA | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 81A TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF07025J-7A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA Supplier Device Package: TO-263-7L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF07025QA | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 89A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 405W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF07035E-3A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA Supplier Device Package: TO-247-3L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF07035FA | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 61A TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V Power Dissipation (Max): 267W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF07035J-7A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 61A TO-263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V Power Dissipation (Max): 267W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA Supplier Device Package: TO-263-7L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF07035QA | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF07075E-3A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF07075FA | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 36A TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF07075J-7A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 36A TO-263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA Supplier Device Package: TO-263-7L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF07075QA | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF07150M2A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 20A TO-252 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF07150M2D | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 14A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 194mOhm @ 5A, 15V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA Supplier Device Package: TO-220-3 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): +15V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 687 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF07150M2G | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 20A PDFN8x8 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF07150M2J | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 750V 23.5A TO-263 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF12013M2Q | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1200V 127A TO-247-4L |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF12030M2Q | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1200V 68A TO-247-4L |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF12030M2T | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1200V 77A T2PAK |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF12040J-7 | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1200V 45A TO-263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ) Supplier Device Package: TO-263-7L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 800 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF12040QA | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF12080E-3A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF12080J-7A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO-263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF12080QA | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF12190M2A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1200V 14A TO-252 |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF12190M2C | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1200V 16.5A TO-220 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF12190M2D | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1200V 10.8A TO-220FP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF12190M2J-7 | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1200V 13A TO-263-7L |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF17045M2Q | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1700V 53A TO-247-4L |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF17900J-7 | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1700V 4.5A TO-263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 18V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK-7L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 1.2 kV |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF17900M2E-3 | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO-247-3L |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF17900M2J-7 | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 1700V 4.2A TO-263-7L |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FGDM07300M2 | fastSiC |
Description: DRSiC IPU 750V 10A PQFN8x8 |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FH06004A | fastSiC |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-2 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FH06004C | fastSiC |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FH06004D | fastSiC |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FH06004Y | fastSiC |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A DO221AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 520 V |
на замовлення 4782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FH06004Z | fastSiC |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A SOD123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V |
на замовлення 1129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FH06006C | fastSiC |
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FH06006D | fastSiC |
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FH06010C | fastSiC |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FH06010D | fastSiC |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FH06020E-2 | fastSiC |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 520 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FL06100G | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FL06150A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 650V 15A TO-252 |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FL06150G | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 650V 15A PDFN8x8 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FL06250A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 650V 10.7A TO-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FL06320A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FL06320B | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A PQFN5x6 |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FL06320G | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A PDFN8x8 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FL06500A | fastSiC |
Description: SICFET N-CH 650V 6.1A TO-252 |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF07015QA |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 136A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 750V 136A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3825.75 грн |
| 10+ | 1350.99 грн |
| 100+ | 1258.82 грн |
| FF07020M2F |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 109A TOLL
Description: SICFET N-CH 750V 109A TOLL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1185.52 грн |
| 10+ | 951.69 грн |
| 100+ | 761.32 грн |
| FF07020M2J-7 |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 109A TO-263-7L
Description: SICFET N-CH 750V 109A TO-263-7L
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1271.91 грн |
| 10+ | 1020.47 грн |
| 100+ | 816.41 грн |
| FF07020M2L |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 109A HDSOP-22 (
Description: SICFET N-CH 750V 109A HDSOP-22 (
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1306.62 грн |
| 10+ | 1048.62 грн |
| 100+ | 838.89 грн |
| 600+ | 393.63 грн |
| FF07020M2Q |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 99A TO-247-4L
Description: SICFET N-CH 750V 99A TO-247-4L
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1307.39 грн |
| 10+ | 1049.44 грн |
| 100+ | 839.50 грн |
| FF07020M2T |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 101A T2PAK
Description: SICFET N-CH 750V 101A T2PAK
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1307.39 грн |
| 10+ | 1049.44 грн |
| 100+ | 839.50 грн |
| 600+ | 393.92 грн |
| FF07025FA |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 81A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 750V 81A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2394.95 грн |
| 10+ | 845.55 грн |
| 100+ | 787.86 грн |
| FF07025J-7A |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2365.64 грн |
| 10+ | 835.23 грн |
| 100+ | 778.22 грн |
| FF07025QA |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 89A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 750V 89A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2392.64 грн |
| 10+ | 844.58 грн |
| 100+ | 787.01 грн |
| FF07035E-3A |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1434.66 грн |
| 10+ | 506.71 грн |
| 100+ | 472.21 грн |
| FF07035FA |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 61A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 750V 61A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1408.43 грн |
| 10+ | 497.35 грн |
| 100+ | 463.43 грн |
| FF07035J-7A |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 61A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 750V 61A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1408.43 грн |
| 10+ | 497.35 грн |
| 100+ | 463.43 грн |
| FF07035QA |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1434.66 грн |
| 10+ | 506.71 грн |
| 100+ | 472.21 грн |
| FF07075E-3A |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 837.65 грн |
| 10+ | 295.69 грн |
| 100+ | 275.57 грн |
| FF07075FA |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 36A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 750V 36A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 810.66 грн |
| 10+ | 286.18 грн |
| 100+ | 266.69 грн |
| FF07075J-7A |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 36A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 750V 36A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 810.66 грн |
| 10+ | 286.18 грн |
| 100+ | 266.69 грн |
| FF07075QA |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 837.65 грн |
| 10+ | 295.69 грн |
| 100+ | 275.57 грн |
| FF07150M2A |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 20A TO-252
Description: SICFET N-CH 750V 20A TO-252
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 216.74 грн |
| 10+ | 174.03 грн |
| 100+ | 139.17 грн |
| FF07150M2D |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 14A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 194mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-220-3 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 687 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
Description: SICFET N-CH 750V 14A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 194mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-220-3 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 687 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 255.31 грн |
| 10+ | 205.00 грн |
| 100+ | 163.99 грн |
| FF07150M2G |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 20A PDFN8x8
Description: SICFET N-CH 750V 20A PDFN8x8
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 324.73 грн |
| 10+ | 260.33 грн |
| 100+ | 208.22 грн |
| FF07150M2J |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 23.5A TO-263
Description: SICFET N-CH 750V 23.5A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 261.48 грн |
| 10+ | 209.75 грн |
| 100+ | 167.82 грн |
| 800+ | 78.74 грн |
| FF12013M2Q |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 127A TO-247-4L
Description: SICFET N-CH 1200V 127A TO-247-4L
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5301.51 грн |
| 10+ | 2880.01 грн |
| 100+ | 2167.08 грн |
| FF12030M2Q |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 68A TO-247-4L
Description: SICFET N-CH 1200V 68A TO-247-4L
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1307.39 грн |
| 10+ | 1049.44 грн |
| 100+ | 839.50 грн |
| FF12030M2T |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 77A T2PAK
Description: SICFET N-CH 1200V 77A T2PAK
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1307.39 грн |
| 10+ | 1049.44 грн |
| 100+ | 839.50 грн |
| 600+ | 393.92 грн |
| FF12040J-7 |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 45A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 45A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1506.39 грн |
| 10+ | 531.14 грн |
| 100+ | 495.48 грн |
| FF12040QA |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1533.38 грн |
| 10+ | 541.24 грн |
| 100+ | 504.34 грн |
| FF12080E-3A |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 882.39 грн |
| 10+ | 311.51 грн |
| 100+ | 290.23 грн |
| FF12080J-7A |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 855.39 грн |
| 10+ | 301.93 грн |
| 100+ | 281.35 грн |
| FF12080QA |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 882.39 грн |
| 10+ | 311.51 грн |
| 100+ | 290.23 грн |
| 600+ | 265.73 грн |
| FF12190M2A |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 14A TO-252
Description: SICFET N-CH 1200V 14A TO-252
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 216.74 грн |
| 10+ | 174.03 грн |
| 100+ | 139.17 грн |
| FF12190M2C |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 16.5A TO-220
Description: SICFET N-CH 1200V 16.5A TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 266.11 грн |
| 10+ | 213.32 грн |
| 100+ | 170.70 грн |
| FF12190M2D |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 10.8A TO-220FP
Description: SICFET N-CH 1200V 10.8A TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 255.31 грн |
| 10+ | 205.00 грн |
| 100+ | 163.99 грн |
| FF12190M2J-7 |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 13A TO-263-7L
Description: SICFET N-CH 1200V 13A TO-263-7L
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1271.91 грн |
| 10+ | 1020.47 грн |
| 100+ | 816.41 грн |
| FF17045M2Q |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1700V 53A TO-247-4L
Description: SICFET N-CH 1700V 53A TO-247-4L
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1307.39 грн |
| 10+ | 1049.44 грн |
| 100+ | 839.50 грн |
| FF17900J-7 |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1700V 4.5A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 1.2 kV
Description: SICFET N-CH 1700V 4.5A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 1.2 kV
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 313.93 грн |
| 10+ | 110.82 грн |
| 100+ | 103.26 грн |
| FF17900M2E-3 |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO-247-3L
Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO-247-3L
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 286.93 грн |
| 10+ | 230.25 грн |
| 100+ | 184.20 грн |
| FF17900M2J-7 |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1700V 4.2A TO-263-7L
Description: SICFET N-CH 1700V 4.2A TO-263-7L
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 250.68 грн |
| 10+ | 201.43 грн |
| 100+ | 161.11 грн |
| 800+ | 75.60 грн |
| FGDM07300M2 |
|
Виробник: fastSiC
Description: DRSiC IPU 750V 10A PQFN8x8
Description: DRSiC IPU 750V 10A PQFN8x8
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2173.04 грн |
| 10+ | 378.20 грн |
| 100+ | 136.95 грн |
| 1000+ | 75.40 грн |
| FH06004A |
|
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-2
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-2
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.33 грн |
| 10+ | 53.33 грн |
| 100+ | 23.98 грн |
| FH06004C |
|
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.04 грн |
| 10+ | 80.81 грн |
| 100+ | 36.35 грн |
| FH06004D |
|
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.04 грн |
| 10+ | 80.81 грн |
| 100+ | 36.35 грн |
| FH06004Y |
|
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 520 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 520 V
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 161.98 грн |
| 10+ | 57.27 грн |
| 100+ | 53.38 грн |
| FH06004Z |
|
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.78 грн |
| 10+ | 51.55 грн |
| 100+ | 48.05 грн |
| FH06006C |
|
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.53 грн |
| 10+ | 88.39 грн |
| 100+ | 39.78 грн |
| 2000+ | 33.19 грн |
| FH06006D |
|
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.17 грн |
| 10+ | 88.41 грн |
| 100+ | 39.78 грн |
| 2000+ | 33.19 грн |
| FH06010C |
|
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.53 грн |
| 10+ | 88.39 грн |
| 100+ | 39.78 грн |
| FH06010D |
|
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.53 грн |
| 10+ | 88.39 грн |
| 100+ | 39.78 грн |
| 2000+ | 33.19 грн |
| FH06020E-2 |
|
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 348.64 грн |
| 10+ | 279.79 грн |
| 100+ | 125.90 грн |
| 600+ | 105.03 грн |
| FL06100G |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8
Description: SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2509.33 грн |
| 10+ | 390.90 грн |
| 100+ | 201.51 грн |
| FL06150A |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 15A TO-252
Description: SICFET N-CH 650V 15A TO-252
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2275.62 грн |
| 10+ | 308.45 грн |
| 100+ | 124.68 грн |
| FL06150G |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 15A PDFN8x8
Description: SICFET N-CH 650V 15A PDFN8x8
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2328.84 грн |
| 10+ | 327.10 грн |
| 100+ | 142.04 грн |
| FL06250A |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 10.7A TO-252
Description: SICFET N-CH 650V 10.7A TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2161.47 грн |
| 10+ | 268.05 грн |
| 100+ | 87.06 грн |
| FL06320A |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2128.30 грн |
| 10+ | 256.39 грн |
| 100+ | 76.17 грн |
| FL06320B |
|
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A PQFN5x6
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A PQFN5x6
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2128.30 грн |
| 10+ | 256.39 грн |
| 100+ | 76.17 грн |