Продукція > FASTSIC > Всі товари виробника FASTSIC (115) > Сторінка 2 з 2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF07020M2F FF07020M2F fastSiC FF07020M2F.pdf Description: SICFET N-CH 750V 109A TOLL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1204.72 грн
10+967.11 грн
100+773.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07020M2J-7 FF07020M2J-7 fastSiC FF07020M2J-7.pdf Description: SICFET N-CH 750V 109A TO-263-7L
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1292.51 грн
10+1037.00 грн
100+829.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07020M2L FF07020M2L fastSiC FF07020M2L.pdf Description: SICFET N-CH 750V 109A HDSOP-22 (
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1356.00 грн
10+1088.40 грн
100+870.70 грн
600+408.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07020M2Q FF07020M2Q fastSiC 5700_FF07020M2Q.pdf Description: SICFET N-CH 750V 99A TO-247-4L
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1328.57 грн
10+1066.43 грн
100+853.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07020M2T FF07020M2T fastSiC 5700_FF07020M2T.pdf Description: SICFET N-CH 750V 101A T2PAK
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1328.57 грн
10+1066.43 грн
100+853.10 грн
600+400.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025FA FF07025FA fastSiC Datasheet_FF07025FA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 81A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2433.74 грн
10+859.25 грн
100+800.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025J-7A FF07025J-7A fastSiC Datasheet_FF07025J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2403.96 грн
10+848.76 грн
100+790.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025QA FF07025QA fastSiC Datasheet_FF07025QA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 89A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2431.39 грн
10+858.27 грн
100+799.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035E-3A FF07035E-3A fastSiC Datasheet_FF07035E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1457.90 грн
10+514.91 грн
100+479.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035FA FF07035FA fastSiC Datasheet_FF07035FA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 61A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1431.25 грн
10+505.40 грн
100+470.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035J-7A FF07035J-7A fastSiC Datasheet_FF07035J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 61A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1431.25 грн
10+505.40 грн
100+470.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035QA FF07035QA fastSiC Datasheet_FF07035QA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1457.90 грн
10+514.91 грн
100+479.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075E-3A FF07075E-3A fastSiC Datasheet_FF07075E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.22 грн
10+300.48 грн
100+280.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075FA FF07075FA fastSiC Datasheet_FF07075FA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 36A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.79 грн
10+290.82 грн
100+271.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075J-7A FF07075J-7A fastSiC Datasheet_FF07075J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 36A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.79 грн
10+290.82 грн
100+271.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075QA FF07075QA fastSiC Datasheet_FF07075QA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.22 грн
10+300.48 грн
100+280.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07150M2A FF07150M2A fastSiC FF07150M2A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 20A TO-252
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.25 грн
10+176.85 грн
100+141.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF07150M2D FF07150M2D fastSiC FF07150M2D.pdf Description: SICFET N-CH 750V 14A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 194mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-220-3 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 687 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
10+208.32 грн
100+166.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF07150M2G FF07150M2G fastSiC FF07150M2G.pdf Description: SICFET N-CH 750V 20A PDFN8x8
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.99 грн
10+264.55 грн
100+211.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07150M2J FF07150M2J fastSiC FF07150M2J.pdf Description: SICFET N-CH 750V 23.5A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.71 грн
10+213.15 грн
100+170.54 грн
800+80.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF12013M2Q FF12013M2Q fastSiC FF12013M2Q.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 127A TO-247-4L
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3386.08 грн
10+2716.70 грн
100+2173.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12030M2Q FF12030M2Q fastSiC 5700_FF12030M2Q.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 68A TO-247-4L
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1328.57 грн
10+1066.43 грн
100+853.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12030M2T FF12030M2T fastSiC 5700_FF12030M2T.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 77A T2PAK
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1328.57 грн
10+1066.43 грн
100+853.10 грн
600+400.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12040J-7 FF12040J-7 fastSiC FF12040J-7.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 45A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1530.79 грн
10+539.75 грн
100+503.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12040QA FF12040QA fastSiC Datasheet_FF12040QA.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1558.22 грн
10+550.01 грн
100+512.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080E-3A FF12080E-3A fastSiC Datasheet_FF12080E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.68 грн
10+316.56 грн
100+294.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080J-7A FF12080J-7A fastSiC FF12080J-7A.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.25 грн
10+306.82 грн
100+285.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080QA FF12080QA fastSiC Datasheet_FF12080QA.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.68 грн
10+316.56 грн
100+294.93 грн
600+270.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12190M2A FF12190M2A fastSiC 5700_FF12190M2A.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 14A TO-252
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.25 грн
10+176.85 грн
100+141.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF12190M2C FF12190M2C fastSiC 5700_FF12190M2C.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 16.5A TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.42 грн
10+216.77 грн
100+173.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF12190M2D FF12190M2D fastSiC 5700_FF12190M2D.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 10.8A TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
10+208.32 грн
100+166.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF12190M2J-7 FF12190M2J-7 fastSiC 5700_FF12190M2J-7.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 13A TO-263-7L
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1292.51 грн
10+1037.00 грн
100+829.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF17045M2Q FF17045M2Q fastSiC 5700_FF17045M2Q.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 53A TO-247-4L
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1328.57 грн
10+1066.43 грн
100+853.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF17900J-7 FF17900J-7 fastSiC FF17900J-7.PDF Description: SICFET N-CH 1700V 4.5A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 1.2 kV
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.01 грн
10+112.61 грн
100+104.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF17900M2E-3 FF17900M2E-3 fastSiC 5700_FF17900M2E-3.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO-247-3L
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.58 грн
10+233.98 грн
100+187.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF17900M2J-7 FF17900M2J-7 fastSiC 5700_FF17900M2J-7.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 4.2A TO-263-7L
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+204.70 грн
100+163.72 грн
800+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004A FH06004A fastSiC Datasheet_FH06004A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-2
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+54.19 грн
100+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004C FH06004C fastSiC Datasheet_FH06004C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+82.12 грн
100+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004D FH06004D fastSiC Datasheet_FH06004D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+82.12 грн
100+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004Y FH06004Y fastSiC Datasheet_FH06004Y.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 520 V
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
10+58.19 грн
100+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004Z FH06004Z fastSiC 5700_Datasheet_FH06004Z.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.14 грн
10+52.38 грн
100+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06006C FH06006C fastSiC Datasheet_FH06006C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.30 грн
10+89.82 грн
100+40.43 грн
2000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06006D FH06006D fastSiC Datasheet_FH06006D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.95 грн
10+89.84 грн
100+40.43 грн
2000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06010C FH06010C fastSiC Datasheet_FH06010C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.30 грн
10+89.82 грн
100+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06010D FH06010D fastSiC Datasheet_FH06010D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.30 грн
10+89.82 грн
100+40.43 грн
2000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06020E-2 FH06020E-2 fastSiC Datasheet_FH06020E-2.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.28 грн
10+284.33 грн
100+127.94 грн
600+106.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FL06100G FL06100G fastSiC FL06100G.PDF Description: SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1129 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.64 грн
10+197.60 грн
100+184.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FL06150A FL06150A fastSiC FL06150A.PDF Description: SICFET N-CH 650V 15A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 672 pF @ 400 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.72 грн
10+114.20 грн
100+106.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FL06150G FL06150G fastSiC FL06150G.PDF Description: SICFET N-CH 650V 15A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 672 pF @ 400 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.01 грн
10+133.07 грн
100+123.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FL06250A FL06250A fastSiC FL06250A.PDF Description: SICFET N-CH 650V 10.7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+73.29 грн
100+68.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FL06250G FL06250G fastSiC FL06250G.PDF Description: SICFET N-CH 650V 10.7A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.52 грн
10+90.27 грн
100+84.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FL06320A FL06320A fastSiC FL06320A.PDF Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.01 грн
10+61.51 грн
100+57.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FL06320B FL06320B fastSiC FL06320B.PDF Description: SICFET N-CH 650V 8.8A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 4mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.01 грн
10+61.51 грн
100+57.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FL06320G FL06320G fastSiC FL06320G.PDF Description: SICFET N-CH 650V 8.8A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.31 грн
10+80.38 грн
100+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FL06500A FL06500A fastSiC FL06500A.PDF Description: SICFET N-CH 650V 6.1A TO-252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 223 pF @ 400 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+46.42 грн
100+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF07020M2F FF07020M2F.pdf
FF07020M2F
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 109A TOLL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1204.72 грн
10+967.11 грн
100+773.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07020M2J-7 FF07020M2J-7.pdf
FF07020M2J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 109A TO-263-7L
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1292.51 грн
10+1037.00 грн
100+829.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07020M2L FF07020M2L.pdf
FF07020M2L
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 109A HDSOP-22 (
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1356.00 грн
10+1088.40 грн
100+870.70 грн
600+408.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07020M2Q 5700_FF07020M2Q.pdf
FF07020M2Q
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 99A TO-247-4L
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1328.57 грн
10+1066.43 грн
100+853.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07020M2T 5700_FF07020M2T.pdf
FF07020M2T
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 101A T2PAK
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1328.57 грн
10+1066.43 грн
100+853.10 грн
600+400.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025FA Datasheet_FF07025FA.pdf
FF07025FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 81A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2433.74 грн
10+859.25 грн
100+800.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025J-7A Datasheet_FF07025J-7A.pdf
FF07025J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2403.96 грн
10+848.76 грн
100+790.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025QA Datasheet_FF07025QA.pdf
FF07025QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 89A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2431.39 грн
10+858.27 грн
100+799.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035E-3A Datasheet_FF07035E-3A.pdf
FF07035E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1457.90 грн
10+514.91 грн
100+479.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035FA Datasheet_FF07035FA.pdf
FF07035FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 61A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1431.25 грн
10+505.40 грн
100+470.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035J-7A Datasheet_FF07035J-7A.pdf
FF07035J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 61A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1431.25 грн
10+505.40 грн
100+470.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035QA Datasheet_FF07035QA.pdf
FF07035QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1457.90 грн
10+514.91 грн
100+479.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075E-3A Datasheet_FF07075E-3A.pdf
FF07075E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+851.22 грн
10+300.48 грн
100+280.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075FA Datasheet_FF07075FA.pdf
FF07075FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 36A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+823.79 грн
10+290.82 грн
100+271.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075J-7A Datasheet_FF07075J-7A.pdf
FF07075J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 36A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+823.79 грн
10+290.82 грн
100+271.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075QA Datasheet_FF07075QA.pdf
FF07075QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+851.22 грн
10+300.48 грн
100+280.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07150M2A FF07150M2A.pdf
FF07150M2A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 20A TO-252
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.25 грн
10+176.85 грн
100+141.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF07150M2D FF07150M2D.pdf
FF07150M2D
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 14A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 194mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-220-3 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 687 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.44 грн
10+208.32 грн
100+166.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF07150M2G FF07150M2G.pdf
FF07150M2G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 20A PDFN8x8
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+329.99 грн
10+264.55 грн
100+211.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07150M2J FF07150M2J.pdf
FF07150M2J
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 23.5A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.71 грн
10+213.15 грн
100+170.54 грн
800+80.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF12013M2Q FF12013M2Q.pdf
FF12013M2Q
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 127A TO-247-4L
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3386.08 грн
10+2716.70 грн
100+2173.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12030M2Q 5700_FF12030M2Q.pdf
FF12030M2Q
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 68A TO-247-4L
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1328.57 грн
10+1066.43 грн
100+853.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12030M2T 5700_FF12030M2T.pdf
FF12030M2T
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 77A T2PAK
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1328.57 грн
10+1066.43 грн
100+853.10 грн
600+400.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12040J-7 FF12040J-7.PDF
FF12040J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 45A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1530.79 грн
10+539.75 грн
100+503.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12040QA Datasheet_FF12040QA.pdf
FF12040QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1558.22 грн
10+550.01 грн
100+512.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080E-3A Datasheet_FF12080E-3A.pdf
FF12080E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+896.68 грн
10+316.56 грн
100+294.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080J-7A FF12080J-7A.PDF
FF12080J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+869.25 грн
10+306.82 грн
100+285.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080QA Datasheet_FF12080QA.pdf
FF12080QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+896.68 грн
10+316.56 грн
100+294.93 грн
600+270.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12190M2A 5700_FF12190M2A.pdf
FF12190M2A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 14A TO-252
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.25 грн
10+176.85 грн
100+141.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF12190M2C 5700_FF12190M2C.pdf
FF12190M2C
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 16.5A TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.42 грн
10+216.77 грн
100+173.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF12190M2D 5700_FF12190M2D.pdf
FF12190M2D
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 10.8A TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.44 грн
10+208.32 грн
100+166.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF12190M2J-7 5700_FF12190M2J-7.pdf
FF12190M2J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 13A TO-263-7L
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1292.51 грн
10+1037.00 грн
100+829.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF17045M2Q 5700_FF17045M2Q.pdf
FF17045M2Q
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1700V 53A TO-247-4L
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1328.57 грн
10+1066.43 грн
100+853.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF17900J-7 FF17900J-7.PDF
FF17900J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1700V 4.5A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 1.2 kV
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+319.01 грн
10+112.61 грн
100+104.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF17900M2E-3 5700_FF17900M2E-3.pdf
FF17900M2E-3
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO-247-3L
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+291.58 грн
10+233.98 грн
100+187.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF17900M2J-7 5700_FF17900M2J-7.pdf
FF17900M2J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1700V 4.2A TO-263-7L
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.74 грн
10+204.70 грн
100+163.72 грн
800+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004A Datasheet_FH06004A.pdf
FH06004A
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-2
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.41 грн
10+54.19 грн
100+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004C Datasheet_FH06004C.pdf
FH06004C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.68 грн
10+82.12 грн
100+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004D Datasheet_FH06004D.pdf
FH06004D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.68 грн
10+82.12 грн
100+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004Y Datasheet_FH06004Y.pdf
FH06004Y
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 520 V
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.60 грн
10+58.19 грн
100+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004Z 5700_Datasheet_FH06004Z.pdf
FH06004Z
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.14 грн
10+52.38 грн
100+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06006C Datasheet_FH06006C.pdf
FH06006C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.30 грн
10+89.82 грн
100+40.43 грн
2000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06006D Datasheet_FH06006D.pdf
FH06006D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.95 грн
10+89.84 грн
100+40.43 грн
2000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06010C Datasheet_FH06010C.pdf
FH06010C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.30 грн
10+89.82 грн
100+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06010D Datasheet_FH06010D.pdf
FH06010D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.30 грн
10+89.82 грн
100+40.43 грн
2000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FH06020E-2 Datasheet_FH06020E-2.pdf
FH06020E-2
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 66pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+354.28 грн
10+284.33 грн
100+127.94 грн
600+106.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FL06100G FL06100G.PDF
FL06100G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1129 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+559.64 грн
10+197.60 грн
100+184.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FL06150A FL06150A.PDF
FL06150A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 15A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 672 pF @ 400 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+323.72 грн
10+114.20 грн
100+106.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FL06150G FL06150G.PDF
FL06150G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 15A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 672 pF @ 400 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+377.01 грн
10+133.07 грн
100+123.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FL06250A FL06250A.PDF
FL06250A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 10.7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.71 грн
10+73.29 грн
100+68.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FL06250G FL06250G.PDF
FL06250G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 10.7A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.52 грн
10+90.27 грн
100+84.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FL06320A FL06320A.PDF
FL06320A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.01 грн
10+61.51 грн
100+57.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FL06320B FL06320B.PDF
FL06320B
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 4mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.01 грн
10+61.51 грн
100+57.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FL06320G FL06320G.PDF
FL06320G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.31 грн
10+80.38 грн
100+74.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FL06500A FL06500A.PDF
FL06500A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 6.1A TO-252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 223 pF @ 400 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.68 грн
10+46.42 грн
100+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2