Продукція > FASTSIC > Всі товари виробника FASTSIC (92) > Сторінка 1 з 2

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FC06004A FC06004A fastSiC Datasheet_FC06004A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-252
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+43.15 грн
100+19.43 грн
3000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004B FC06004B fastSiC Datasheet_FC06004B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+43.15 грн
100+19.43 грн
4000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004C FC06004C fastSiC Datasheet_FC06004C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+70.22 грн
100+31.60 грн
2000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004D FC06004D fastSiC Datasheet_FC06004D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220FP
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+70.22 грн
100+31.60 грн
2000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004Y FC06004Y fastSiC 5700_Datasheet_FC06004Y.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A DO221AC
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
12+26.77 грн
100+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006A FC06006A fastSiC Datasheet_FC06006A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-252
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+52.50 грн
100+23.60 грн
3000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006B FC06006B fastSiC Datasheet_FC06006B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.8 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+52.50 грн
100+23.60 грн
4000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006C FC06006C fastSiC Datasheet_FC06006C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+79.50 грн
100+35.78 грн
2000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006D FC06006D fastSiC Datasheet_FC06006D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220FP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+79.50 грн
100+35.78 грн
2000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006JA FC06006JA fastSiC Datasheet_FC06006JA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
10+92.36 грн
100+41.54 грн
800+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008A FC06008A fastSiC Datasheet_FC06008A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+56.16 грн
100+25.29 грн
3000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008B FC06008B fastSiC Datasheet_FC06008B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PQFN5x6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+56.16 грн
100+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008C FC06008C fastSiC Datasheet_FC06008C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+83.31 грн
100+37.47 грн
2000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008D FC06008D fastSiC Datasheet_FC06008D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO-220FP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+83.31 грн
100+37.47 грн
2000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008JA FC06008JA fastSiC Datasheet_FC06008JA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+96.10 грн
100+43.23 грн
800+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06010C FC06010C fastSiC Datasheet_FC06010C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+89.89 грн
100+40.46 грн
2000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06010D FC06010D fastSiC Datasheet_FC06010D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220FP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+89.89 грн
100+40.46 грн
2000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06010JA FC06010JA fastSiC Datasheet_FC06010JA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-263
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+102.68 грн
100+46.23 грн
800+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06016C FC06016C fastSiC Datasheet_FC06016C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO-220
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+89.89 грн
100+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06020E-2 FC06020E-2 fastSiC Datasheet_FC06020E-2.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-2
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.26 грн
10+222.57 грн
100+100.15 грн
600+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06020E-3 FC06020E-3 fastSiC Datasheet_FC06020E-3.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-3
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.26 грн
10+222.57 грн
100+100.15 грн
600+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12002A FC12002A fastSiC Datasheet_FC12002A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO252
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12002Y FC12002Y fastSiC Datasheet_FC12002Y.pdf Description: DIODE SIC 1.2KV 2A DO221AC
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+47.64 грн
100+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12010E-3 FC12010E-3 fastSiC Datasheet_FC12010E-3.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.1 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.09 грн
10+312.53 грн
100+140.63 грн
600+117.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC12020C FC12020C fastSiC 5700_Datasheet_FC12020C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO-220-
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.10 грн
10+247.69 грн
100+111.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12020CA FC12020CA fastSiC 5700_Datasheet_FC12020CA.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO-220-
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.10 грн
10+247.69 грн
100+111.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12020E-2A FC12020E-2A fastSiC Datasheet_FC12020E-2A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO-247-
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.04 грн
10+340.28 грн
100+153.11 грн
600+127.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC12050E-2 FC12050E-2 fastSiC Datasheet_FC12050E-2.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO-247-
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+736.25 грн
10+591.27 грн
100+266.08 грн
600+221.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC17010E-2 FC17010E-2 fastSiC 5700_Datasheet_FC17010E-2.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 10A TO-247-
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.23 грн
10+356.58 грн
100+160.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC17020E-3 FC17020E-3 fastSiC Datasheet_FC17020E-3.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 20A TO-247-
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.40 грн
10+570.70 грн
100+256.83 грн
600+214.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2B FF05130M2B fastSiC 5700_FF05130M2B.pdf Description: SICFET N-CH 500V 26A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.22 грн
10+180.76 грн
100+144.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2G FF05130M2G fastSiC 5700_FF05130M2G.pdf Description: SICFET N-CH 500V 23A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.97 грн
10+256.82 грн
100+205.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010E-3A FF06010E-3A fastSiC Datasheet_FF06010E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 169A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3852.10 грн
10+1360.30 грн
100+1267.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010FA FF06010FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06010FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 140A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3825.70 грн
10+1350.80 грн
100+1258.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010QA FF06010QA fastSiC Datasheet_FF06010QA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 169A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3852.10 грн
10+1360.30 грн
100+1267.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020E-3A FF06020E-3A fastSiC Datasheet_FF06020E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 110A TO-247-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2409.12 грн
10+850.40 грн
100+792.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020FA FF06020FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06020FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 101A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2381.94 грн
10+840.98 грн
100+783.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020J-7A FF06020J-7A fastSiC 5700_Datasheet_FF06020J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 101A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2381.94 грн
10+840.98 грн
100+783.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020QA FF06020QA fastSiC Datasheet_FF06020QA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 110A TO-247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2409.12 грн
10+850.40 грн
100+792.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030E-3A FF06030E-3A fastSiC Datasheet_FF06030E-3A.pdf?rlkey=uufjizik52w84bk5npha5rt9h&dl=0 Description: SICFET N-CH 650V 75A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1444.54 грн
10+510.20 грн
100+475.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030FA FF06030FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06030FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 74A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1418.13 грн
10+500.77 грн
100+466.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030J-7 FF06030J-7 fastSiC FF06030J-7.PDF Description: SICFET N-CH 650V 62A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1418.13 грн
10+500.77 грн
100+466.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030J-7A FF06030J-7A fastSiC 5700_Datasheet_FF06030J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 74A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1418.13 грн
10+500.77 грн
100+466.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030Q FF06030Q fastSiC Datasheet_FF06030Q.pdf Description: SICFET N-CH 650V 65A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1300.86 грн
10+459.19 грн
100+427.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030QA FF06030QA fastSiC Datasheet_FF06030QA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 75A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1444.54 грн
10+510.20 грн
100+475.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060E-3A FF06060E-3A fastSiC Datasheet_FF06060E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 43A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.12 грн
10+289.65 грн
100+269.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060FA FF06060FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06060FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 44A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.72 грн
10+280.15 грн
100+261.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060J-7A FF06060J-7A fastSiC 5700_Datasheet_FF06060J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.72 грн
10+280.15 грн
100+261.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060QA FF06060QA fastSiC Datasheet_FF06060QA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 43A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.12 грн
10+289.65 грн
100+269.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100FA FF06100FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06100FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 23.5A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.70 грн
10+205.22 грн
100+191.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100G FF06100G fastSiC FF06100G.PDF Description: SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 14mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.30 грн
10+193.40 грн
100+180.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100J-7 FF06100J-7 fastSiC FF06100J-7.PDF Description: SICFET N-CH 650V 20.6A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 14mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.10 грн
10+214.71 грн
100+200.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06320A FF06320A fastSiC FF06320A.PDF Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317.5 pF @ 400 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+60.20 грн
100+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF06320B FF06320B fastSiC FF06320B.PDF Description: SICFET N-CH 650V 8.6A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 400 V
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+59.98 грн
100+55.87 грн
4000+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF07015QA FF07015QA fastSiC Datasheet_FF07015QA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 136A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3852.10 грн
10+1360.30 грн
100+1267.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025FA FF07025FA fastSiC Datasheet_FF07025FA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 81A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2381.94 грн
10+840.98 грн
100+783.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025J-7A FF07025J-7A fastSiC Datasheet_FF07025J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2381.94 грн
10+840.98 грн
100+783.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025QA FF07025QA fastSiC Datasheet_FF07025QA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 89A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2409.12 грн
10+850.40 грн
100+792.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035E-3A FF07035E-3A fastSiC Datasheet_FF07035E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1444.54 грн
10+510.20 грн
100+475.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035FA FF07035FA fastSiC Datasheet_FF07035FA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 61A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1418.13 грн
10+500.77 грн
100+466.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004A Datasheet_FC06004A.pdf
FC06004A
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-252
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.59 грн
10+43.15 грн
100+19.43 грн
3000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004B Datasheet_FC06004B.pdf
FC06004B
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.59 грн
10+43.15 грн
100+19.43 грн
4000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004C Datasheet_FC06004C.pdf
FC06004C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.76 грн
10+70.22 грн
100+31.60 грн
2000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004D Datasheet_FC06004D.pdf
FC06004D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220FP
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.76 грн
10+70.22 грн
100+31.60 грн
2000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004Y 5700_Datasheet_FC06004Y.pdf
FC06004Y
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A DO221AC
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.11 грн
12+26.77 грн
100+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006A Datasheet_FC06006A.pdf
FC06006A
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-252
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.24 грн
10+52.50 грн
100+23.60 грн
3000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006B Datasheet_FC06006B.pdf
FC06006B
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.8 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.24 грн
10+52.50 грн
100+23.60 грн
4000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006C Datasheet_FC06006C.pdf
FC06006C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.41 грн
10+79.50 грн
100+35.78 грн
2000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006D Datasheet_FC06006D.pdf
FC06006D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220FP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.41 грн
10+79.50 грн
100+35.78 грн
2000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006JA Datasheet_FC06006JA.pdf
FC06006JA
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.94 грн
10+92.36 грн
100+41.54 грн
800+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008A Datasheet_FC06008A.pdf
FC06008A
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.90 грн
10+56.16 грн
100+25.29 грн
3000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008B Datasheet_FC06008B.pdf
FC06008B
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PQFN5x6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.90 грн
10+56.16 грн
100+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008C Datasheet_FC06008C.pdf
FC06008C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.07 грн
10+83.31 грн
100+37.47 грн
2000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008D Datasheet_FC06008D.pdf
FC06008D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO-220FP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.07 грн
10+83.31 грн
100+37.47 грн
2000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008JA Datasheet_FC06008JA.pdf
FC06008JA
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.60 грн
10+96.10 грн
100+43.23 грн
800+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06010C Datasheet_FC06010C.pdf
FC06010C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.84 грн
10+89.89 грн
100+40.46 грн
2000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06010D Datasheet_FC06010D.pdf
FC06010D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220FP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.84 грн
10+89.89 грн
100+40.46 грн
2000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06010JA Datasheet_FC06010JA.pdf
FC06010JA
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-263
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.37 грн
10+102.68 грн
100+46.23 грн
800+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06016C Datasheet_FC06016C.pdf
FC06016C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO-220
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.84 грн
10+89.89 грн
100+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06020E-2 Datasheet_FC06020E-2.pdf
FC06020E-2
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-2
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.26 грн
10+222.57 грн
100+100.15 грн
600+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06020E-3 Datasheet_FC06020E-3.pdf
FC06020E-3
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-3
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.26 грн
10+222.57 грн
100+100.15 грн
600+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12002A Datasheet_FC12002A.pdf
FC12002A
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO252
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.13 грн
10+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12002Y Datasheet_FC12002Y.pdf
FC12002Y
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIC 1.2KV 2A DO221AC
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.13 грн
10+47.64 грн
100+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12010E-3 Datasheet_FC12010E-3.pdf
FC12010E-3
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.1 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+389.09 грн
10+312.53 грн
100+140.63 грн
600+117.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC12020C 5700_Datasheet_FC12020C.pdf
FC12020C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO-220-
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.10 грн
10+247.69 грн
100+111.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12020CA 5700_Datasheet_FC12020CA.pdf
FC12020CA
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO-220-
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.10 грн
10+247.69 грн
100+111.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12020E-2A Datasheet_FC12020E-2A.pdf
FC12020E-2A
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO-247-
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+424.04 грн
10+340.28 грн
100+153.11 грн
600+127.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC12050E-2 Datasheet_FC12050E-2.pdf
FC12050E-2
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO-247-
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+736.25 грн
10+591.27 грн
100+266.08 грн
600+221.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC17010E-2 5700_Datasheet_FC17010E-2.pdf
FC17010E-2
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1700V 10A TO-247-
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+444.23 грн
10+356.58 грн
100+160.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC17020E-3 Datasheet_FC17020E-3.pdf
FC17020E-3
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1700V 20A TO-247-
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+711.40 грн
10+570.70 грн
100+256.83 грн
600+214.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2B 5700_FF05130M2B.pdf
FF05130M2B
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 500V 26A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+225.22 грн
10+180.76 грн
100+144.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2G 5700_FF05130M2G.pdf
FF05130M2G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 500V 23A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+319.97 грн
10+256.82 грн
100+205.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010E-3A Datasheet_FF06010E-3A.pdf
FF06010E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 169A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3852.10 грн
10+1360.30 грн
100+1267.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010FA 5700_Datasheet_FF06010FA.pdf
FF06010FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 140A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3825.70 грн
10+1350.80 грн
100+1258.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010QA Datasheet_FF06010QA.pdf
FF06010QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 169A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3852.10 грн
10+1360.30 грн
100+1267.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020E-3A Datasheet_FF06020E-3A.pdf
FF06020E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 110A TO-247-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2409.12 грн
10+850.40 грн
100+792.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020FA 5700_Datasheet_FF06020FA.pdf
FF06020FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 101A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2381.94 грн
10+840.98 грн
100+783.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020J-7A 5700_Datasheet_FF06020J-7A.pdf
FF06020J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 101A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2381.94 грн
10+840.98 грн
100+783.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020QA Datasheet_FF06020QA.pdf
FF06020QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 110A TO-247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2409.12 грн
10+850.40 грн
100+792.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030E-3A Datasheet_FF06030E-3A.pdf?rlkey=uufjizik52w84bk5npha5rt9h&dl=0
FF06030E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 75A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1444.54 грн
10+510.20 грн
100+475.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030FA 5700_Datasheet_FF06030FA.pdf
FF06030FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 74A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1418.13 грн
10+500.77 грн
100+466.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030J-7 FF06030J-7.PDF
FF06030J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 62A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1418.13 грн
10+500.77 грн
100+466.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030J-7A 5700_Datasheet_FF06030J-7A.pdf
FF06030J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 74A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1418.13 грн
10+500.77 грн
100+466.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030Q Datasheet_FF06030Q.pdf
FF06030Q
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 65A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1300.86 грн
10+459.19 грн
100+427.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030QA Datasheet_FF06030QA.pdf
FF06030QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 75A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1444.54 грн
10+510.20 грн
100+475.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060E-3A Datasheet_FF06060E-3A.pdf
FF06060E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 43A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+820.12 грн
10+289.65 грн
100+269.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060FA 5700_Datasheet_FF06060FA.pdf
FF06060FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 44A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+793.72 грн
10+280.15 грн
100+261.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060J-7A 5700_Datasheet_FF06060J-7A.pdf
FF06060J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+793.72 грн
10+280.15 грн
100+261.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060QA Datasheet_FF06060QA.pdf
FF06060QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 43A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+820.12 грн
10+289.65 грн
100+269.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100FA 5700_Datasheet_FF06100FA.pdf
FF06100FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 23.5A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+581.70 грн
10+205.22 грн
100+191.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100G FF06100G.PDF
FF06100G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 14mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+548.30 грн
10+193.40 грн
100+180.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100J-7 FF06100J-7.PDF
FF06100J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 20.6A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 14mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+608.10 грн
10+214.71 грн
100+200.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06320A FF06320A.PDF
FF06320A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317.5 pF @ 400 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.08 грн
10+60.20 грн
100+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF06320B FF06320B.PDF
FF06320B
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.6A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 400 V
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.08 грн
10+59.98 грн
100+55.87 грн
4000+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF07015QA Datasheet_FF07015QA.pdf
FF07015QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 136A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3852.10 грн
10+1360.30 грн
100+1267.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025FA Datasheet_FF07025FA.pdf
FF07025FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 81A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2381.94 грн
10+840.98 грн
100+783.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025J-7A Datasheet_FF07025J-7A.pdf
FF07025J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2381.94 грн
10+840.98 грн
100+783.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025QA Datasheet_FF07025QA.pdf
FF07025QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 89A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2409.12 грн
10+850.40 грн
100+792.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035E-3A Datasheet_FF07035E-3A.pdf
FF07035E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1444.54 грн
10+510.20 грн
100+475.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035FA Datasheet_FF07035FA.pdf
FF07035FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 61A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1418.13 грн
10+500.77 грн
100+466.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]