Продукція > FASTSIC > Всі товари виробника FASTSIC (59) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF05130M2G FF05130M2G fastSiC 5700_FF05130M2G.pdf Description: SICFET N-CH 500V 23A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.11 грн
10+280.07 грн
100+224.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010E-3A FF06010E-3A fastSiC Datasheet_FF06010E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 169A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4244.08 грн
10+1498.72 грн
100+1396.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010FA FF06010FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06010FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 140A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4214.99 грн
10+1488.26 грн
100+1386.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010QA FF06010QA fastSiC Datasheet_FF06010QA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 169A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4244.08 грн
10+1498.72 грн
100+1396.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020E-3A FF06020E-3A fastSiC Datasheet_FF06020E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 110A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2654.26 грн
10+936.94 грн
100+873.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020FA FF06020FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06020FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 101A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2624.31 грн
10+926.55 грн
100+863.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020J-7A FF06020J-7A fastSiC 5700_Datasheet_FF06020J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 101A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2624.31 грн
10+926.55 грн
100+863.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020QA FF06020QA fastSiC Datasheet_FF06020QA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2654.26 грн
10+936.94 грн
100+873.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030E-3A FF06030E-3A fastSiC Datasheet_FF06030E-3A.pdf?rlkey=uufjizik52w84bk5npha5rt9h&dl=0 Description: SICFET N-CH 650V 75A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1591.53 грн
10+562.11 грн
100+523.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030FA FF06030FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06030FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 74A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1562.44 грн
10+551.73 грн
100+514.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030J-7 FF06030J-7 fastSiC FF06030J-7.PDF Description: SICFET N-CH 650V 62A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1562.44 грн
10+551.73 грн
100+514.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030J-7A FF06030J-7A fastSiC 5700_Datasheet_FF06030J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 74A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1562.44 грн
10+551.73 грн
100+514.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030Q FF06030Q fastSiC Datasheet_FF06030Q.pdf Description: SICFET N-CH 650V 65A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1433.23 грн
10+505.92 грн
100+471.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030QA FF06030QA fastSiC Datasheet_FF06030QA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 75A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1591.53 грн
10+562.11 грн
100+523.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060E-3A FF06060E-3A fastSiC Datasheet_FF06060E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 43A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.58 грн
10+319.12 грн
100+297.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060FA FF06060FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06060FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 44A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+874.49 грн
10+308.66 грн
100+287.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060J-7A FF06060J-7A fastSiC 5700_Datasheet_FF06060J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+874.49 грн
10+308.66 грн
100+287.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060QA FF06060QA fastSiC Datasheet_FF06060QA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 43A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.58 грн
10+319.12 грн
100+297.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100FA FF06100FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06100FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 23.5A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.89 грн
10+226.10 грн
100+210.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100G FF06100G fastSiC FF06100G.PDF Description: SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 14mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.10 грн
10+213.08 грн
100+198.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100J-7 FF06100J-7 fastSiC FF06100J-7.PDF Description: SICFET N-CH 650V 20.6A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 14mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+669.98 грн
10+236.56 грн
100+220.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06320A FF06320A fastSiC FF06320A.PDF Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317.5 pF @ 400 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.39 грн
10+66.33 грн
100+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF06320B FF06320B fastSiC FF06320B.PDF Description: SICFET N-CH 650V 8.6A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 400 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.39 грн
10+66.33 грн
100+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF07015QA FF07015QA fastSiC Datasheet_FF07015QA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 136A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4244.08 грн
10+1498.72 грн
100+1396.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025FA FF07025FA fastSiC Datasheet_FF07025FA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 81A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2624.31 грн
10+926.55 грн
100+863.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025J-7A FF07025J-7A fastSiC Datasheet_FF07025J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2624.31 грн
10+926.55 грн
100+863.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025QA FF07025QA fastSiC Datasheet_FF07025QA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 89A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2654.26 грн
10+936.94 грн
100+873.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035E-3A FF07035E-3A fastSiC Datasheet_FF07035E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1591.53 грн
10+562.11 грн
100+523.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035FA FF07035FA fastSiC Datasheet_FF07035FA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 61A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1562.44 грн
10+551.73 грн
100+514.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035J-7A FF07035J-7A fastSiC Datasheet_FF07035J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 61A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1562.44 грн
10+551.73 грн
100+514.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035QA FF07035QA fastSiC Datasheet_FF07035QA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1591.53 грн
10+562.11 грн
100+523.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075E-3A FF07075E-3A fastSiC Datasheet_FF07075E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+918.13 грн
10+323.99 грн
100+301.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075FA FF07075FA fastSiC Datasheet_FF07075FA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 36A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.18 грн
10+313.60 грн
100+292.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075J-7A FF07075J-7A fastSiC Datasheet_FF07075J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 750V 36A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.18 грн
10+313.60 грн
100+292.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075QA FF07075QA fastSiC Datasheet_FF07075QA.pdf Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+918.13 грн
10+323.99 грн
100+301.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07150M2D FF07150M2D fastSiC FF07150M2D.pdf Description: SICFET N-CH 750V 14A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 194mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-220-3 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 687 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF12040J-7 FF12040J-7 fastSiC FF12040J-7.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 45A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1650.57 грн
10+581.97 грн
100+542.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12040QA FF12040QA fastSiC Datasheet_FF12040QA.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1679.66 грн
10+593.09 грн
100+552.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080E-3A FF12080E-3A fastSiC Datasheet_FF12080E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.90 грн
10+341.29 грн
100+318.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080J-7A FF12080J-7A fastSiC FF12080J-7A.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+936.95 грн
10+330.82 грн
100+308.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080QA FF12080QA fastSiC Datasheet_FF12080QA.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.90 грн
10+341.29 грн
100+318.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF17900J-7 FF17900J-7 fastSiC FF17900J-7.PDF Description: SICFET N-CH 1700V 4.5A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 1.2 kV
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.98 грн
10+121.37 грн
100+113.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004C FH06004C fastSiC Datasheet_FH06004C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.06 грн
10+86.72 грн
100+39.02 грн
2000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004D FH06004D fastSiC Datasheet_FH06004D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.81 грн
10+86.68 грн
100+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004Y FH06004Y fastSiC Datasheet_FH06004Y.pdf?rlkey=gky3sm5o1vjeo802dldp26rma&dl=0 Description: DIODE SIL CARB 650V 6.2A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6.2A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 520 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.12 грн
10+62.62 грн
100+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004Z FH06004Z fastSiC 5700_Datasheet_FH06004Z.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.01 грн
10+56.36 грн
100+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FH06006C FH06006C fastSiC Datasheet_FH06006C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.50 грн
10+98.05 грн
100+44.13 грн
2000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FH06006D FH06006D fastSiC Datasheet_FH06006D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.21 грн
10+98.07 грн
100+44.13 грн
2000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FH06010C FH06010C fastSiC Datasheet_FH06010C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.50 грн
10+98.05 грн
100+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FH06010D FH06010D fastSiC Datasheet_FH06010D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.50 грн
10+98.05 грн
100+44.13 грн
2000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FL06100G FL06100G fastSiC FL06100G.PDF Description: SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1129 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.41 грн
10+208.22 грн
100+194.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FL06150A FL06150A fastSiC FL06150A.PDF Description: SICFET N-CH 650V 15A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 672 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+340.55 грн
10+120.30 грн
100+112.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FL06150G FL06150G fastSiC FL06150G.PDF Description: SICFET N-CH 650V 15A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 672 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.03 грн
10+140.24 грн
100+130.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FL06250A FL06250A fastSiC FL06250A.PDF Description: SICFET N-CH 650V 10.7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.05 грн
10+77.21 грн
100+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FL06250G FL06250G fastSiC FL06250G.PDF Description: SICFET N-CH 650V 10.7A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.52 грн
10+97.06 грн
100+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FL06320A FL06320A fastSiC FL06320A.PDF Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.11 грн
10+64.85 грн
100+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FL06320B FL06320B fastSiC FL06320B.PDF Description: SICFET N-CH 650V 8.8A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 4mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.11 грн
10+64.85 грн
100+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FL06320G FL06320G fastSiC FL06320G.PDF Description: SICFET N-CH 650V 8.8A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.59 грн
10+84.70 грн
100+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FL06500A FL06500A fastSiC FL06500A.PDF Description: SICFET N-CH 650V 6.1A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 223 pF @ 400 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.62 грн
10+48.86 грн
100+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2G 5700_FF05130M2G.pdf
FF05130M2G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 500V 23A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.11 грн
10+280.07 грн
100+224.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010E-3A Datasheet_FF06010E-3A.pdf
FF06010E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 169A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4244.08 грн
10+1498.72 грн
100+1396.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010FA 5700_Datasheet_FF06010FA.pdf
FF06010FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 140A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4214.99 грн
10+1488.26 грн
100+1386.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010QA Datasheet_FF06010QA.pdf
FF06010QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 169A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4244.08 грн
10+1498.72 грн
100+1396.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020E-3A Datasheet_FF06020E-3A.pdf
FF06020E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 110A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2654.26 грн
10+936.94 грн
100+873.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020FA 5700_Datasheet_FF06020FA.pdf
FF06020FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 101A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2624.31 грн
10+926.55 грн
100+863.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020J-7A 5700_Datasheet_FF06020J-7A.pdf
FF06020J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 101A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2624.31 грн
10+926.55 грн
100+863.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020QA Datasheet_FF06020QA.pdf
FF06020QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2654.26 грн
10+936.94 грн
100+873.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030E-3A Datasheet_FF06030E-3A.pdf?rlkey=uufjizik52w84bk5npha5rt9h&dl=0
FF06030E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 75A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1591.53 грн
10+562.11 грн
100+523.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030FA 5700_Datasheet_FF06030FA.pdf
FF06030FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 74A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1562.44 грн
10+551.73 грн
100+514.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030J-7 FF06030J-7.PDF
FF06030J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 62A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1562.44 грн
10+551.73 грн
100+514.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030J-7A 5700_Datasheet_FF06030J-7A.pdf
FF06030J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 74A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1562.44 грн
10+551.73 грн
100+514.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030Q Datasheet_FF06030Q.pdf
FF06030Q
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 65A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1433.23 грн
10+505.92 грн
100+471.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030QA Datasheet_FF06030QA.pdf
FF06030QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 75A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1591.53 грн
10+562.11 грн
100+523.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060E-3A Datasheet_FF06060E-3A.pdf
FF06060E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 43A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+903.58 грн
10+319.12 грн
100+297.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060FA 5700_Datasheet_FF06060FA.pdf
FF06060FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 44A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+874.49 грн
10+308.66 грн
100+287.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060J-7A 5700_Datasheet_FF06060J-7A.pdf
FF06060J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+874.49 грн
10+308.66 грн
100+287.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060QA Datasheet_FF06060QA.pdf
FF06060QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 43A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+903.58 грн
10+319.12 грн
100+297.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100FA 5700_Datasheet_FF06100FA.pdf
FF06100FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 23.5A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.89 грн
10+226.10 грн
100+210.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100G FF06100G.PDF
FF06100G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 14mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.10 грн
10+213.08 грн
100+198.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100J-7 FF06100J-7.PDF
FF06100J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 20.6A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 14mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+669.98 грн
10+236.56 грн
100+220.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06320A FF06320A.PDF
FF06320A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317.5 pF @ 400 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.39 грн
10+66.33 грн
100+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF06320B FF06320B.PDF
FF06320B
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.6A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 400 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.39 грн
10+66.33 грн
100+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF07015QA Datasheet_FF07015QA.pdf
FF07015QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 136A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4244.08 грн
10+1498.72 грн
100+1396.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025FA Datasheet_FF07025FA.pdf
FF07025FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 81A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2624.31 грн
10+926.55 грн
100+863.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025J-7A Datasheet_FF07025J-7A.pdf
FF07025J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2624.31 грн
10+926.55 грн
100+863.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07025QA Datasheet_FF07025QA.pdf
FF07025QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 89A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4604 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2654.26 грн
10+936.94 грн
100+873.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035E-3A Datasheet_FF07035E-3A.pdf
FF07035E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1591.53 грн
10+562.11 грн
100+523.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035FA Datasheet_FF07035FA.pdf
FF07035FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 61A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1562.44 грн
10+551.73 грн
100+514.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035J-7A Datasheet_FF07035J-7A.pdf
FF07035J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 61A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1562.44 грн
10+551.73 грн
100+514.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07035QA Datasheet_FF07035QA.pdf
FF07035QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 62A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 22A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2818 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1591.53 грн
10+562.11 грн
100+523.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075E-3A Datasheet_FF07075E-3A.pdf
FF07075E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+918.13 грн
10+323.99 грн
100+301.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075FA Datasheet_FF07075FA.pdf
FF07075FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 36A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+888.18 грн
10+313.60 грн
100+292.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075J-7A Datasheet_FF07075J-7A.pdf
FF07075J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 36A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+888.18 грн
10+313.60 грн
100+292.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07075QA Datasheet_FF07075QA.pdf
FF07075QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 34A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1564 pF @ 500 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+918.13 грн
10+323.99 грн
100+301.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF07150M2D FF07150M2D.pdf
FF07150M2D
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 14A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 194mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-220-3 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 687 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF12040J-7 FF12040J-7.PDF
FF12040J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 45A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1650.57 грн
10+581.97 грн
100+542.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12040QA Datasheet_FF12040QA.pdf
FF12040QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3129 pF @ 800 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1679.66 грн
10+593.09 грн
100+552.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080E-3A Datasheet_FF12080E-3A.pdf
FF12080E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+966.90 грн
10+341.29 грн
100+318.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080J-7A FF12080J-7A.PDF
FF12080J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+936.95 грн
10+330.82 грн
100+308.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF12080QA Datasheet_FF12080QA.pdf
FF12080QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 8A, 18V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1548 pF @ 800 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+966.90 грн
10+341.29 грн
100+318.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF17900J-7 FF17900J-7.PDF
FF17900J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 1700V 4.5A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 1.2 kV
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.98 грн
10+121.37 грн
100+113.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004C Datasheet_FH06004C.pdf
FH06004C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.06 грн
10+86.72 грн
100+39.02 грн
2000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004D Datasheet_FH06004D.pdf
FH06004D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.81 грн
10+86.68 грн
100+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004Y Datasheet_FH06004Y.pdf?rlkey=gky3sm5o1vjeo802dldp26rma&dl=0
FH06004Y
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6.2A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6.2A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 520 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.12 грн
10+62.62 грн
100+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FH06004Z 5700_Datasheet_FH06004Z.pdf
FH06004Z
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.6 µA @ 520 V
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.01 грн
10+56.36 грн
100+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FH06006C Datasheet_FH06006C.pdf
FH06006C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.50 грн
10+98.05 грн
100+44.13 грн
2000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FH06006D Datasheet_FH06006D.pdf
FH06006D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.21 грн
10+98.07 грн
100+44.13 грн
2000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FH06010C Datasheet_FH06010C.pdf
FH06010C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.50 грн
10+98.05 грн
100+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FH06010D Datasheet_FH06010D.pdf
FH06010D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.50 грн
10+98.05 грн
100+44.13 грн
2000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FL06100G FL06100G.PDF
FL06100G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1129 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.41 грн
10+208.22 грн
100+194.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FL06150A FL06150A.PDF
FL06150A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 15A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 672 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.55 грн
10+120.30 грн
100+112.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FL06150G FL06150G.PDF
FL06150G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 15A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 672 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.03 грн
10+140.24 грн
100+130.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FL06250A FL06250A.PDF
FL06250A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 10.7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.05 грн
10+77.21 грн
100+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FL06250G FL06250G.PDF
FL06250G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 10.7A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.52 грн
10+97.06 грн
100+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FL06320A FL06320A.PDF
FL06320A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.11 грн
10+64.85 грн
100+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FL06320B FL06320B.PDF
FL06320B
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 4mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.11 грн
10+64.85 грн
100+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FL06320G FL06320G.PDF
FL06320G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.59 грн
10+84.70 грн
100+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FL06500A FL06500A.PDF
FL06500A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 6.1A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 223 pF @ 400 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.62 грн
10+48.86 грн
100+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.