Продукція > FASTSIC > Всі товари виробника FASTSIC (116) > Сторінка 1 з 2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FC06004A FC06004A fastSiC Datasheet_FC06004A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-252
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.22 грн
10+42.86 грн
100+19.30 грн
3000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004B FC06004B fastSiC Datasheet_FC06004B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.22 грн
10+42.86 грн
100+19.30 грн
4000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004C FC06004C fastSiC Datasheet_FC06004C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.16 грн
10+69.74 грн
100+31.39 грн
2000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004D FC06004D fastSiC Datasheet_FC06004D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220FP
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.16 грн
10+69.74 грн
100+31.39 грн
2000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004Y FC06004Y fastSiC 5700_Datasheet_FC06004Y.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A DO221AC
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.59 грн
12+26.59 грн
100+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006A FC06006A fastSiC Datasheet_FC06006A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-252
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.79 грн
10+52.14 грн
100+23.44 грн
3000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006B FC06006B fastSiC Datasheet_FC06006B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.8 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.79 грн
10+52.14 грн
100+23.44 грн
4000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006C FC06006C fastSiC Datasheet_FC06006C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.73 грн
10+78.95 грн
100+35.53 грн
2000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006D FC06006D fastSiC Datasheet_FC06006D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220FP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.73 грн
10+78.95 грн
100+35.53 грн
2000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006JA FC06006JA fastSiC Datasheet_FC06006JA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.16 грн
10+91.73 грн
100+41.26 грн
800+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008A FC06008A fastSiC Datasheet_FC06008A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.42 грн
10+55.78 грн
100+25.12 грн
3000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008B FC06008B fastSiC Datasheet_FC06008B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PQFN5x6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.42 грн
10+55.78 грн
100+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008C FC06008C fastSiC Datasheet_FC06008C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.36 грн
10+82.74 грн
100+37.21 грн
2000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008D FC06008D fastSiC Datasheet_FC06008D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO-220FP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.36 грн
10+82.74 грн
100+37.21 грн
2000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008JA FC06008JA fastSiC Datasheet_FC06008JA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.78 грн
10+95.44 грн
100+42.94 грн
800+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06010C FC06010C fastSiC Datasheet_FC06010C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.07 грн
10+89.28 грн
100+40.18 грн
2000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06010D FC06010D fastSiC Datasheet_FC06010D.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220FP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.07 грн
10+89.28 грн
100+40.18 грн
2000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06010JA FC06010JA fastSiC Datasheet_FC06010JA.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-263
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.50 грн
10+101.98 грн
100+45.91 грн
800+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06016C FC06016C fastSiC Datasheet_FC06016C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO-220
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.07 грн
10+89.28 грн
100+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06020E-2 FC06020E-2 fastSiC Datasheet_FC06020E-2.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-2
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.36 грн
10+221.04 грн
100+99.46 грн
600+82.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06020E-3 FC06020E-3 fastSiC Datasheet_FC06020E-3.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-3
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.36 грн
10+221.04 грн
100+99.46 грн
600+82.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12002A FC12002A fastSiC Datasheet_FC12002A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO252
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.21 грн
10+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12002Y FC12002Y fastSiC Datasheet_FC12002Y.pdf Description: DIODE SIC 1.2KV 2A DO221AC
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.21 грн
10+47.31 грн
100+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12010E-3 FC12010E-3 fastSiC Datasheet_FC12010E-3.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.1 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.43 грн
10+310.40 грн
100+139.67 грн
600+116.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC12020C FC12020C fastSiC 5700_Datasheet_FC12020C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO-220-
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.99 грн
10+246.00 грн
100+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12020CA FC12020CA fastSiC 5700_Datasheet_FC12020CA.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO-220-
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.99 грн
10+246.00 грн
100+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12020E-2A FC12020E-2A fastSiC Datasheet_FC12020E-2A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO-247-
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.14 грн
10+337.95 грн
100+152.06 грн
600+126.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC12050E-2 FC12050E-2 fastSiC Datasheet_FC12050E-2.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO-247-
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.21 грн
10+587.22 грн
100+264.26 грн
600+220.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC17010E-2 FC17010E-2 fastSiC 5700_Datasheet_FC17010E-2.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 10A TO-247-
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.45 грн
10+361.42 грн
100+162.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC17020E-3 FC17020E-3 fastSiC Datasheet_FC17020E-3.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 20A TO-247-
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+706.53 грн
10+566.79 грн
100+255.07 грн
600+212.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF05016M2E-3 FF05016M2E-3 fastSiC 5700_FF05016M2E-3.pdf Description: SICFET N-CH 500V 132A TO-247-3L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3183.47 грн
10+1180.15 грн
100+807.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF05016M2F FF05016M2F fastSiC 5700_FF05016M2F.pdf Description: SICFET N-CH 500V 143A TOLL
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3147.22 грн
10+1151.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2A FF05130M2A fastSiC 5700_FF05130M2A.pdf Description: SICFET N-CH 500V 25A TO-252
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.74 грн
10+174.03 грн
100+139.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2B FF05130M2B fastSiC 5700_FF05130M2B.pdf Description: SICFET N-CH 500V 26A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.54 грн
10+182.35 грн
100+145.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2F FF05130M2F fastSiC 5700_FF05130M2F.pdf Description: SICFET N-CH 500V 25A TOLL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.47 грн
10+274.74 грн
100+219.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2G FF05130M2G fastSiC 5700_FF05130M2G.pdf Description: SICFET N-CH 500V 23A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2274.08 грн
10+450.47 грн
100+223.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010E-3A FF06010E-3A fastSiC Datasheet_FF06010E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 169A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3825.75 грн
10+1350.99 грн
100+1258.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010FA FF06010FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06010FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 140A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3846.57 грн
10+1358.12 грн
100+1265.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010QA FF06010QA fastSiC Datasheet_FF06010QA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 169A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3825.75 грн
10+1350.99 грн
100+1258.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020E-3A FF06020E-3A fastSiC Datasheet_FF06020E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 110A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2392.64 грн
10+844.58 грн
100+787.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020FA FF06020FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06020FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 101A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2365.64 грн
10+835.23 грн
100+778.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020J-7A FF06020J-7A fastSiC 5700_Datasheet_FF06020J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 101A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2365.64 грн
10+835.23 грн
100+778.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020QA FF06020QA fastSiC Datasheet_FF06020QA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2392.64 грн
10+844.58 грн
100+787.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030E-3A FF06030E-3A fastSiC Datasheet_FF06030E-3A.pdf?rlkey=uufjizik52w84bk5npha5rt9h&dl=0 Description: SICFET N-CH 650V 75A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1434.66 грн
10+506.71 грн
100+472.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030FA FF06030FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06030FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 74A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1408.43 грн
10+497.35 грн
100+463.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030J-7 FF06030J-7 fastSiC FF06030J-7.PDF Description: SICFET N-CH 650V 62A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1408.43 грн
10+497.35 грн
100+463.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030J-7A FF06030J-7A fastSiC 5700_Datasheet_FF06030J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 74A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1408.43 грн
10+497.35 грн
100+463.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030Q FF06030Q fastSiC Datasheet_FF06030Q.pdf Description: SICFET N-CH 650V 65A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1307.39 грн
10+461.70 грн
100+430.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030QA FF06030QA fastSiC Datasheet_FF06030QA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 75A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1434.66 грн
10+506.71 грн
100+472.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060E-3A FF06060E-3A fastSiC Datasheet_FF06060E-3A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 43A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.54 грн
10+291.23 грн
100+271.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060FA FF06060FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06060FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 44A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.55 грн
10+281.65 грн
100+262.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060J-7A FF06060J-7A fastSiC 5700_Datasheet_FF06060J-7A.pdf Description: SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.55 грн
10+281.65 грн
100+262.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060QA FF06060QA fastSiC Datasheet_FF06060QA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 43A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.54 грн
10+291.23 грн
100+271.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100D FF06100D fastSiC 5700_Datasheet_FF06100D.pdf Description: SICFET N-CH 650V 18A TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+530.67 грн
10+187.32 грн
100+174.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100FA FF06100FA fastSiC 5700_Datasheet_FF06100FA.pdf Description: SICFET N-CH 650V 23.5A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.66 грн
10+206.34 грн
100+192.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100G FF06100G fastSiC FF06100G.PDF Description: SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 14mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.72 грн
10+194.45 грн
100+181.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100J-7 FF06100J-7 fastSiC FF06100J-7.PDF Description: SICFET N-CH 650V 20.6A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 14mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.66 грн
10+215.92 грн
100+201.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06320A FF06320A fastSiC FF06320A.PDF Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317.5 pF @ 400 V
на замовлення 9984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.23 грн
10+60.53 грн
100+56.37 грн
3000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF06320B FF06320B fastSiC FF06320B.PDF Description: SICFET N-CH 650V 8.6A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 400 V
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.23 грн
10+60.53 грн
100+56.37 грн
4000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF07009M2Q FF07009M2Q fastSiC FF07009M2Q.pdf Description: SICFET N-CH 750V 175A TO-247-4L
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3024.35 грн
10+2426.72 грн
100+1941.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004A Datasheet_FC06004A.pdf
FC06004A
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-252
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.22 грн
10+42.86 грн
100+19.30 грн
3000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004B Datasheet_FC06004B.pdf
FC06004B
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.22 грн
10+42.86 грн
100+19.30 грн
4000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004C Datasheet_FC06004C.pdf
FC06004C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.16 грн
10+69.74 грн
100+31.39 грн
2000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004D Datasheet_FC06004D.pdf
FC06004D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO-220FP
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.16 грн
10+69.74 грн
100+31.39 грн
2000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06004Y 5700_Datasheet_FC06004Y.pdf
FC06004Y
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A DO221AC
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.59 грн
12+26.59 грн
100+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006A Datasheet_FC06006A.pdf
FC06006A
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-252
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.79 грн
10+52.14 грн
100+23.44 грн
3000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006B Datasheet_FC06006B.pdf
FC06006B
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.8 µA @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.79 грн
10+52.14 грн
100+23.44 грн
4000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006C Datasheet_FC06006C.pdf
FC06006C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.73 грн
10+78.95 грн
100+35.53 грн
2000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006D Datasheet_FC06006D.pdf
FC06006D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-220FP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.73 грн
10+78.95 грн
100+35.53 грн
2000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06006JA Datasheet_FC06006JA.pdf
FC06006JA
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.16 грн
10+91.73 грн
100+41.26 грн
800+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008A Datasheet_FC06008A.pdf
FC06008A
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.42 грн
10+55.78 грн
100+25.12 грн
3000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008B Datasheet_FC06008B.pdf
FC06008B
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PQFN5x6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.42 грн
10+55.78 грн
100+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008C Datasheet_FC06008C.pdf
FC06008C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.36 грн
10+82.74 грн
100+37.21 грн
2000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008D Datasheet_FC06008D.pdf
FC06008D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO-220FP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.36 грн
10+82.74 грн
100+37.21 грн
2000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06008JA Datasheet_FC06008JA.pdf
FC06008JA
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.78 грн
10+95.44 грн
100+42.94 грн
800+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06010C Datasheet_FC06010C.pdf
FC06010C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.07 грн
10+89.28 грн
100+40.18 грн
2000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06010D Datasheet_FC06010D.pdf
FC06010D
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO-220FP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.07 грн
10+89.28 грн
100+40.18 грн
2000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06010JA Datasheet_FC06010JA.pdf
FC06010JA
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO-263
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.50 грн
10+101.98 грн
100+45.91 грн
800+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06016C Datasheet_FC06016C.pdf
FC06016C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO-220
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.07 грн
10+89.28 грн
100+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06020E-2 Datasheet_FC06020E-2.pdf
FC06020E-2
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-2
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.36 грн
10+221.04 грн
100+99.46 грн
600+82.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC06020E-3 Datasheet_FC06020E-3.pdf
FC06020E-3
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO-247-3
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.36 грн
10+221.04 грн
100+99.46 грн
600+82.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12002A Datasheet_FC12002A.pdf
FC12002A
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO252
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.21 грн
10+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12002Y Datasheet_FC12002Y.pdf
FC12002Y
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIC 1.2KV 2A DO221AC
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.21 грн
10+47.31 грн
100+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12010E-3 Datasheet_FC12010E-3.pdf
FC12010E-3
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 0.1 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+386.43 грн
10+310.40 грн
100+139.67 грн
600+116.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC12020C 5700_Datasheet_FC12020C.pdf
FC12020C
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO-220-
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.99 грн
10+246.00 грн
100+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12020CA 5700_Datasheet_FC12020CA.pdf
FC12020CA
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO-220-
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.99 грн
10+246.00 грн
100+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FC12020E-2A Datasheet_FC12020E-2A.pdf
FC12020E-2A
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO-247-
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+421.14 грн
10+337.95 грн
100+152.06 грн
600+126.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC12050E-2 Datasheet_FC12050E-2.pdf
FC12050E-2
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO-247-
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+731.21 грн
10+587.22 грн
100+264.26 грн
600+220.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC17010E-2 5700_Datasheet_FC17010E-2.pdf
FC17010E-2
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1700V 10A TO-247-
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+450.45 грн
10+361.42 грн
100+162.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FC17020E-3 Datasheet_FC17020E-3.pdf
FC17020E-3
Виробник: fastSiC
Description: DIODE SIL CARB 1700V 20A TO-247-
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+706.53 грн
10+566.79 грн
100+255.07 грн
600+212.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF05016M2E-3 5700_FF05016M2E-3.pdf
FF05016M2E-3
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 500V 132A TO-247-3L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3183.47 грн
10+1180.15 грн
100+807.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF05016M2F 5700_FF05016M2F.pdf
FF05016M2F
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 500V 143A TOLL
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3147.22 грн
10+1151.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2A 5700_FF05130M2A.pdf
FF05130M2A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 500V 25A TO-252
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.74 грн
10+174.03 грн
100+139.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2B 5700_FF05130M2B.pdf
FF05130M2B
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 500V 26A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.54 грн
10+182.35 грн
100+145.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2F 5700_FF05130M2F.pdf
FF05130M2F
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 500V 25A TOLL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+342.47 грн
10+274.74 грн
100+219.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF05130M2G 5700_FF05130M2G.pdf
FF05130M2G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 500V 23A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +15V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2274.08 грн
10+450.47 грн
100+223.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010E-3A Datasheet_FF06010E-3A.pdf
FF06010E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 169A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3825.75 грн
10+1350.99 грн
100+1258.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010FA 5700_Datasheet_FF06010FA.pdf
FF06010FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 140A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3846.57 грн
10+1358.12 грн
100+1265.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06010QA Datasheet_FF06010QA.pdf
FF06010QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 169A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7390 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3825.75 грн
10+1350.99 грн
100+1258.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020E-3A Datasheet_FF06020E-3A.pdf
FF06020E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 110A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2392.64 грн
10+844.58 грн
100+787.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020FA 5700_Datasheet_FF06020FA.pdf
FF06020FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 101A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2365.64 грн
10+835.23 грн
100+778.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020J-7A 5700_Datasheet_FF06020J-7A.pdf
FF06020J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 101A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2365.64 грн
10+835.23 грн
100+778.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06020QA Datasheet_FF06020QA.pdf
FF06020QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 60mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4437 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2392.64 грн
10+844.58 грн
100+787.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030E-3A Datasheet_FF06030E-3A.pdf?rlkey=uufjizik52w84bk5npha5rt9h&dl=0
FF06030E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 75A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1434.66 грн
10+506.71 грн
100+472.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030FA 5700_Datasheet_FF06030FA.pdf
FF06030FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 74A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TOLL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1408.43 грн
10+497.35 грн
100+463.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030J-7 FF06030J-7.PDF
FF06030J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 62A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1408.43 грн
10+497.35 грн
100+463.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030J-7A 5700_Datasheet_FF06030J-7A.pdf
FF06030J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 74A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1408.43 грн
10+497.35 грн
100+463.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030Q Datasheet_FF06030Q.pdf
FF06030Q
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 65A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1307.39 грн
10+461.70 грн
100+430.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06030QA Datasheet_FF06030QA.pdf
FF06030QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 75A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1434.66 грн
10+506.71 грн
100+472.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060E-3A Datasheet_FF06060E-3A.pdf
FF06060E-3A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 43A TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+824.54 грн
10+291.23 грн
100+271.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060FA 5700_Datasheet_FF06060FA.pdf
FF06060FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 44A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+797.55 грн
10+281.65 грн
100+262.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060J-7A 5700_Datasheet_FF06060J-7A.pdf
FF06060J-7A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+797.55 грн
10+281.65 грн
100+262.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06060QA Datasheet_FF06060QA.pdf
FF06060QA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 43A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+824.54 грн
10+291.23 грн
100+271.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100D 5700_Datasheet_FF06100D.pdf
FF06100D
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 18A TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+530.67 грн
10+187.32 грн
100+174.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100FA 5700_Datasheet_FF06100FA.pdf
FF06100FA
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 23.5A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+584.66 грн
10+206.34 грн
100+192.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100G FF06100G.PDF
FF06100G
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 14mA
Supplier Device Package: 4-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+550.72 грн
10+194.45 грн
100+181.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06100J-7 FF06100J-7.PDF
FF06100J-7
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 20.6A TO-263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 14mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+611.66 грн
10+215.92 грн
100+201.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF06320A FF06320A.PDF
FF06320A
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.8A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317.5 pF @ 400 V
на замовлення 9984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.23 грн
10+60.53 грн
100+56.37 грн
3000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF06320B FF06320B.PDF
FF06320B
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 650V 8.6A PQFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4mA (Typ)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 400 V
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.23 грн
10+60.53 грн
100+56.37 грн
4000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF07009M2Q FF07009M2Q.pdf
FF07009M2Q
Виробник: fastSiC
Description: SICFET N-CH 750V 175A TO-247-4L
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3024.35 грн
10+2426.72 грн
100+1941.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.