Продукція > GENERAL SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENERAL SEMICONDUCTOR (36) > Сторінка 1 з 1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1.5KE15A/1 | GENERAL SEMICONDUCTOR | Сапрессор 1500 Вт 15 В |
на замовлення 25 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
1.5KE160CA Код товару: 18186 |
General Semiconductor |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори) Корпус: DO-201 Пікова потужність: 1500 W Напруга пробою, Vbr: 160 V Конструкція діода: Двоспрямований |
товар відсутній
|
||||||||||
1.5KE220CA Код товару: 18612 |
General Semiconductor |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори) Корпус: DO-201 Пікова потужність: 1500 W Напруга пробою, Vbr: 220 V Постійна зворотня напруга, Vrm: 185 V Струм витоку, Irm: 1 µA Конструкція діода: Двоспрямований Монтаж: THT |
у наявності: 538 шт
|
|
|||||||||
1.5KE300CA Код товару: 18613 |
General Semiconductor |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори) Корпус: DO-201 Пікова потужність: 1500 W Напруга пробою, Vbr: 300 V Постійна зворотня напруга, Vrm: 256 V Струм витоку, Irm: 1 µA Конструкція діода: Двоспрямований Монтаж: THT |
у наявності: 297 шт
|
|
|||||||||
1.5KE33CA Код товару: 18278 |
General Semiconductor |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори) Корпус: DO-201 Пікова потужність: 1500 W Напруга пробою, Vbr: 28,2 V Постійна зворотня напруга, Vrm: 33 V Струм витоку, Irm: 1 µA Конструкція діода: Двоспрямований Монтаж: THT |
у наявності: 1045 шт
|
|
|||||||||
1.5KE68CA/1 | GENERAL SEMICONDUCTOR | Сапрессор 1500 Вт 68 В 2-напр. |
на замовлення 199 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
1.5KE7.5A/4 | GENERAL SEMICONDUCTOR | Сапрессор 1500 Вт 7.5 В |
на замовлення 1298 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
2N1650 | General Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 3A TO111 Packaging: Bulk Package / Case: TO-111-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-111 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
2N2018 | General Semiconductor |
Description: TRANS NPN 125V 1A TO111 Packaging: Bulk Package / Case: TO-111-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 6V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-111 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 20 W |
товар відсутній |
||||||||||
2N2101 | General Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 3A TO61 |
товар відсутній |
||||||||||
2N2632 | General Semiconductor |
Description: TRANS NPN 60V 5A TO59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 20 W |
товар відсутній |
||||||||||
2N2824 | General Semiconductor |
Description: TRANS 100V 30A TO63 Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1A, 10A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20A, 3V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-63 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 118 W |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
2N2849-1 | General Semiconductor |
Description: TRANS 80V 3A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 6.7 W |
товар відсутній |
||||||||||
2N3599 | General Semiconductor |
Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
товар відсутній |
||||||||||
2N3752 | General Semiconductor |
Description: TRANS 80V 5A TO111 Packaging: Bulk Package / Case: TO-111-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-111 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
2N4001 | General Semiconductor |
Description: TRANS 100V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 2µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
товар відсутній |
||||||||||
2N4115 | General Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 5A TO59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 37 W |
товар відсутній |
||||||||||
2N5077 | General Semiconductor |
Description: TRANS 250V 3A TO59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
2N5349 | General Semiconductor |
Description: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS Packaging: Bulk Part Status: Active |
товар відсутній |
||||||||||
2N5389 | General Semiconductor |
Description: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-61 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 175 W |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
2N549 | General Semiconductor | Description: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN |
товар відсутній |
||||||||||
2N5552-1 | General Semiconductor |
Description: TRANS 80V 10A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 15 W |
товар відсутній |
||||||||||
2N5598 | General Semiconductor |
Description: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
2N5663 | General Semiconductor |
Description: TRANS 300V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W |
товар відсутній |
||||||||||
2N6233 | General Semiconductor |
Description: TRANS NPN 225V 5A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V Supplier Device Package: TO-66 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V Power - Max: 50 W |
товар відсутній |
||||||||||
B40C800G-E4/51 | General Semiconductor |
0,9A; 65V package: plastig bag; B40C800G bridge rectifying, round MP00.9/065B40C800G кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
BZX55-C9V1/D8 | GENERAL SEMICONDUCTOR | Стабилитрон 500 мВт 9, 1 В DO-35 |
на замовлення 225 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
DF06S-E3/45 | GENERAL SEMICONDUCTOR | Диодный мост 600 В 1 А SMD |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
FEP30DP-E3/45 | General Semiconductor |
30A; 200V; ultra fast<35ns; packaging: tube; FEP30DP diode rectifying DP FEP30DP кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
GD4049B | General Semiconductor | Description: GD4049 - HEX INVERTING BUFFER |
товар відсутній |
||||||||||
SL22-E3/52T | GENERAL SEMICONDUCTOR | DIODE SCHOTTKY 2A 20V DO-214AA (SMB) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
SMBJ16CA-E3/52 | GENERAL SEMICONDUCTOR | Сапрессор 600 Вт 16 В 2-напр., SMB (DO-214AA), Pb-Free |
на замовлення 103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
SS12-E3/1 | GENERAL SEMICONDUCTOR | DIODE SCHOTTKY 1A 20V DO214AC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
SS36-E3/57T | GENERAL SEMICONDUCTOR | DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMC |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
US1M-E3/61T | GENERAL SEMICONDUCTOR | DIODE ULTRA FAST 1A 1000V SMA (DO-214AC) |
на замовлення 143 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
W10G-E4/51 | GENERAL SEMICONDUCTOR | Диодный мост 1000 В 1, 5 А |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
1.5KE15A/1 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Сапрессор 1500 Вт 15 В
Сапрессор 1500 Вт 15 В
на замовлення 25 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 13.23 грн |
1.5KE160CA Код товару: 18186 |
Виробник: General Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 160 V
Конструкція діода: Двоспрямований
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 160 V
Конструкція діода: Двоспрямований
товар відсутній
1.5KE220CA Код товару: 18612 |
Виробник: General Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 220 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 185 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 220 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 185 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 538 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7 грн |
100+ | 6 грн |
1.5KE300CA Код товару: 18613 |
Виробник: General Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 300 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 256 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 300 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 256 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 297 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 12 грн |
10+ | 10.8 грн |
100+ | 9.7 грн |
1.5KE33CA Код товару: 18278 |
Виробник: General Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 28,2 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 33 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 28,2 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 33 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 1045 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5 грн |
10+ | 4.3 грн |
100+ | 3.9 грн |
1000+ | 3.6 грн |
1.5KE68CA/1 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Сапрессор 1500 Вт 68 В 2-напр.
Сапрессор 1500 Вт 68 В 2-напр.
на замовлення 199 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 18.37 грн |
1.5KE7.5A/4 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Сапрессор 1500 Вт 7.5 В
Сапрессор 1500 Вт 7.5 В
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 18.37 грн |
2N1650 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 3A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-111
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 80V 3A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-111
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 767.35 грн |
2N2018 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS NPN 125V 1A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 6V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-111
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 125V 1A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 6V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-111
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
2N2632 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 60V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
2N2824 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 100V 30A TO63
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1A, 10A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-63
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 118 W
Description: TRANS 100V 30A TO63
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1A, 10A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-63
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 118 W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 1889.5 грн |
2N2849-1 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 80V 3A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 6.7 W
Description: TRANS 80V 3A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 6.7 W
товар відсутній
2N3599 |
Виробник: General Semiconductor
Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N3752 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 80V 5A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-111
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
Description: TRANS 80V 5A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-111
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 17346.39 грн |
2N4001 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 100V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Description: TRANS 100V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товар відсутній
2N4115 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 37 W
Description: TRANS NPN 80V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 37 W
товар відсутній
2N5077 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 250V 3A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 40 W
Description: TRANS 250V 3A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 18057.67 грн |
2N5349 |
Виробник: General Semiconductor
Description: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N5389 |
Виробник: General Semiconductor
Description: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-61
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 175 W
Description: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-61
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 175 W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 32898.21 грн |
2N5552-1 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 80V 10A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 15 W
Description: TRANS 80V 10A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 15 W
товар відсутній
2N5598 |
Виробник: General Semiconductor
Description: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
Description: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 2727.23 грн |
2N5663 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
2N6233 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS NPN 225V 5A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-66
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS NPN 225V 5A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-66
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
B40C800G-E4/51 |
Виробник: General Semiconductor
0,9A; 65V package: plastig bag; B40C800G bridge rectifying, round MP00.9/065B40C800G
кількість в упаковці: 10 шт
0,9A; 65V package: plastig bag; B40C800G bridge rectifying, round MP00.9/065B40C800G
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 13.34 грн |
BZX55-C9V1/D8 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Стабилитрон 500 мВт 9, 1 В DO-35
Стабилитрон 500 мВт 9, 1 В DO-35
на замовлення 225 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
193+ | 1.05 грн |
DF06S-E3/45 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Диодный мост 600 В 1 А SMD
Диодный мост 600 В 1 А SMD
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 40.5 грн |
FEP30DP-E3/45 |
Виробник: General Semiconductor
30A; 200V; ultra fast<35ns; packaging: tube; FEP30DP diode rectifying DP FEP30DP
кількість в упаковці: 10 шт
30A; 200V; ultra fast<35ns; packaging: tube; FEP30DP diode rectifying DP FEP30DP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 84.65 грн |
SL22-E3/52T |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
DIODE SCHOTTKY 2A 20V DO-214AA (SMB)
DIODE SCHOTTKY 2A 20V DO-214AA (SMB)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 27.12 грн |
SMBJ16CA-E3/52 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Сапрессор 600 Вт 16 В 2-напр., SMB (DO-214AA), Pb-Free
Сапрессор 600 Вт 16 В 2-напр., SMB (DO-214AA), Pb-Free
на замовлення 103 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 66.37 грн |
SS12-E3/1 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
DIODE SCHOTTKY 1A 20V DO214AC
DIODE SCHOTTKY 1A 20V DO214AC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 40.5 грн |
SS36-E3/57T |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMC
DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 101.25 грн |
US1M-E3/61T |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
DIODE ULTRA FAST 1A 1000V SMA (DO-214AC)
DIODE ULTRA FAST 1A 1000V SMA (DO-214AC)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
62+ | 3.28 грн |
W10G-E4/51 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Диодный мост 1000 В 1, 5 А
Диодный мост 1000 В 1, 5 А
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 202.5 грн |