Продукція > GENERAL SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENERAL SEMICONDUCTOR (34) > Сторінка 1 з 1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1.5KE15A/1 | GENERAL SEMICONDUCTOR | Сапрессор 1500 Вт 15 В |
на замовлення 25 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
|
1.5KE160CA Код товару: 18186
Додати до обраних
Обраний товар
|
General Semiconductor |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)Корпус: DO-201 Пікова потужність: 1500 W Напруга пробою, Vbr: 160 V Конструкція діода: Двоспрямований |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
|
|
||||||||
|
1.5KE220CA Код товару: 18612
Додати до обраних
Обраний товар
|
General Semiconductor |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)Корпус: DO-201 Пікова потужність: 1500 W Напруга пробою, Vbr: 220 V Постійна зворотня напруга, Vrm: 185 V Струм витоку, Irm: 1 µA Конструкція діода: Двоспрямований Монтаж: THT |
у наявності: 265 шт
5 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 24 шт - РАДІОМАГ-Львів 102 шт - РАДІОМАГ-Харків 131 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||
|
1.5KE300CA Код товару: 18613
Додати до обраних
Обраний товар
|
General Semiconductor |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)Корпус: DO-201 Пікова потужність: 1500 W Напруга пробою, Vbr: 300 V Постійна зворотня напруга, Vrm: 256 V Струм витоку, Irm: 1 µA Конструкція діода: Двоспрямований Монтаж: THT |
у наявності: 102 шт
24 шт - склад
42 шт - РАДІОМАГ-Київ 36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||
|
1.5KE33CA Код товару: 18278
Додати до обраних
Обраний товар
|
General Semiconductor |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)Корпус: DO-201 Пікова потужність: 1500 W Напруга пробою, Vbr: 28,2 V Постійна зворотня напруга, Vrm: 33 V Струм витоку, Irm: 1 µA Конструкція діода: Двоспрямований Монтаж: THT |
у наявності: 1003 шт
703 шт - склад
300 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||
| 1.5KE68CA/1 | GENERAL SEMICONDUCTOR | Сапрессор 1500 Вт 68 В 2-напр. |
на замовлення 199 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1.5KE7.5A/4 | GENERAL SEMICONDUCTOR | Сапрессор 1500 Вт 7.5 В |
на замовлення 1298 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N1650 | General Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 3A TO111Packaging: Bulk Package / Case: TO-111-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-111 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N2018 | General Semiconductor |
Description: TRANS NPN 125V 1A TO111Packaging: Bulk Package / Case: TO-111-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 6V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-111 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 20 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
2N2101 | General Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 3A TO61 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N2632 | General Semiconductor |
Description: TRANS NPN 60V 5A TO59Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 20 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
2N2824 | General Semiconductor |
Description: TRANS 100V 30A TO63Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1A, 10A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20A, 3V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-63 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 118 W |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| 2N2849-1 | General Semiconductor |
Description: TRANS 80V 3A TO5Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 6.7 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3752 | General Semiconductor |
Description: TRANS 80V 5A TO111Packaging: Bulk Package / Case: TO-111-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-111 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
2N4115 | General Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 5A TO59Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 37 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N5077 | General Semiconductor |
Description: TRANS 250V 3A TO59Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud Mounting Type: Stud Mount Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N5349 | General Semiconductor |
Description: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANSPackaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N5389 | General Semiconductor |
Description: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANSPackaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-61 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 175 W |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N549 | General Semiconductor |
Description: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N5552-1 | General Semiconductor |
Description: TRANS 80V 10A TO5Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 15 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N5598 | General Semiconductor |
Description: TRANS PNP 60V 2A TO66Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N5663 | General Semiconductor |
Description: TRANS 300V 1A TO5Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
2N6233 | General Semiconductor |
Description: TRANS NPN 225V 5A TO66Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V Supplier Device Package: TO-66 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V Power - Max: 50 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| B40C800G-E4/51 | General Semiconductor |
0,9A; 65V package: plastig bag; B40C800G bridge rectifying, round MP00.9/065B40C800Gкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| BZX55-C9V1/D8 | GENERAL SEMICONDUCTOR | Стабилитрон 500 мВт 9, 1 В DO-35 |
на замовлення 225 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
| DF06S-E3/45 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
Диодный мост 600 В 1 А SMD |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
| FEP30DP-E3/45 | General Semiconductor |
30A; 200V; ultra fast<35ns; packaging: tube; FEP30DP diode rectifying DP FEP30DPкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| GD4049B | General Semiconductor |
Description: GD4049 - HEX INVERTING BUFFER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| SL22-E3/52T | GENERAL SEMICONDUCTOR |
DIODE SCHOTTKY 2A 20V DO-214AA (SMB) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
| SMBJ16CA-E3/52 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
Сапрессор 600 Вт 16 В 2-напр., SMB (DO-214AA), Pb-Free |
на замовлення 103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
| SS12-E3/1 | GENERAL SEMICONDUCTOR | DIODE SCHOTTKY 1A 20V DO214AC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
| SS36-E3/57T | GENERAL SEMICONDUCTOR |
DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMC |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
| US1M-E3/61T | GENERAL SEMICONDUCTOR |
DIODE ULTRA FAST 1A 1000V SMA (DO-214AC) |
на замовлення 143 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
| W10G-E4/51 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
Диодный мост 1000 В 1, 5 А |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
| 1.5KE15A/1 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Сапрессор 1500 Вт 15 В
Сапрессор 1500 Вт 15 В
на замовлення 25 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 13.23 грн |
| 1.5KE160CA Код товару: 18186
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 160 V
Конструкція діода: Двоспрямований
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 160 V
Конструкція діода: Двоспрямований
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.10 грн |
| 1.5KE220CA Код товару: 18612
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 220 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 185 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 220 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 185 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 265 шт
5 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Львів
102 шт - РАДІОМАГ-Харків
131 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Львів
102 шт - РАДІОМАГ-Харків
131 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.00 грн |
| 100+ | 6.00 грн |
| 1000+ | 5.20 грн |
| 1.5KE300CA Код товару: 18613
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 300 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 256 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 300 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 256 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 102 шт
24 шт - склад
42 шт - РАДІОМАГ-Київ
36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
42 шт - РАДІОМАГ-Київ
36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 100+ | 9.70 грн |
| 1.5KE33CA Код товару: 18278
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 28,2 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 33 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 28,2 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 33 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 1003 шт
703 шт - склад
300 шт - РАДІОМАГ-Київ
300 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.30 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.60 грн |
| 1.5KE68CA/1 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Сапрессор 1500 Вт 68 В 2-напр.
Сапрессор 1500 Вт 68 В 2-напр.
на замовлення 199 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 18.37 грн |
| 1.5KE7.5A/4 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Сапрессор 1500 Вт 7.5 В
Сапрессор 1500 Вт 7.5 В
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 18.37 грн |
| 2N1650 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 3A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-111
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 80V 3A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-111
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 899.56 грн |
| 2N2018 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS NPN 125V 1A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 6V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-111
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 125V 1A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 6V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-111
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2101 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 3A TO61
Description: TRANS NPN 40V 3A TO61
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2632 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 60V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2824 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 100V 30A TO63
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1A, 10A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-63
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 118 W
Description: TRANS 100V 30A TO63
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1A, 10A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-63
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 118 W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 2243.53 грн |
| 2N2849-1 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 80V 3A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 6.7 W
Description: TRANS 80V 3A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 6.7 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N3752 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 80V 5A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-111
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
Description: TRANS 80V 5A TO111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-111-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-111
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 17336.51 грн |
| 2N4115 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 37 W
Description: TRANS NPN 80V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 37 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5077 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 250V 3A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 40 W
Description: TRANS 250V 3A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 21909.06 грн |
| 2N5349 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5389 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-61
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 175 W
Description: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-61
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 175 W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 39492.09 грн |
| 2N549 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
Description: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5552-1 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 80V 10A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 15 W
Description: TRANS 80V 10A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5598 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS PNP 60V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2998.84 грн |
| 2N5663 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 1713.98 грн |
| 2N6233 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS NPN 225V 5A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-66
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS NPN 225V 5A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-66
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| B40C800G-E4/51 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
0,9A; 65V package: plastig bag; B40C800G bridge rectifying, round MP00.9/065B40C800G
кількість в упаковці: 10 шт
0,9A; 65V package: plastig bag; B40C800G bridge rectifying, round MP00.9/065B40C800G
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 14.21 грн |
| BZX55-C9V1/D8 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Стабилитрон 500 мВт 9, 1 В DO-35
Стабилитрон 500 мВт 9, 1 В DO-35
на замовлення 225 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 193+ | 1.05 грн |
| DF06S-E3/45 | ![]() |
![]() |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Диодный мост 600 В 1 А SMD
Диодный мост 600 В 1 А SMD
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 40.50 грн |
| FEP30DP-E3/45 |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
30A; 200V; ultra fast<35ns; packaging: tube; FEP30DP diode rectifying DP FEP30DP
кількість в упаковці: 10 шт
30A; 200V; ultra fast<35ns; packaging: tube; FEP30DP diode rectifying DP FEP30DP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 81.72 грн |
| GD4049B |
![]() |
Виробник: General Semiconductor
Description: GD4049 - HEX INVERTING BUFFER
Description: GD4049 - HEX INVERTING BUFFER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SL22-E3/52T |
![]() |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
DIODE SCHOTTKY 2A 20V DO-214AA (SMB)
DIODE SCHOTTKY 2A 20V DO-214AA (SMB)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 27.12 грн |
| SMBJ16CA-E3/52 |
![]() |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Сапрессор 600 Вт 16 В 2-напр., SMB (DO-214AA), Pb-Free
Сапрессор 600 Вт 16 В 2-напр., SMB (DO-214AA), Pb-Free
на замовлення 103 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 66.37 грн |
| SS12-E3/1 |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
DIODE SCHOTTKY 1A 20V DO214AC
DIODE SCHOTTKY 1A 20V DO214AC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 40.50 грн |
| SS36-E3/57T |
![]() |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMC
DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 101.25 грн |
| US1M-E3/61T | ![]() |
![]() |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
DIODE ULTRA FAST 1A 1000V SMA (DO-214AC)
DIODE ULTRA FAST 1A 1000V SMA (DO-214AC)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 3.28 грн |
| W10G-E4/51 |
![]() |
Виробник: GENERAL SEMICONDUCTOR
Диодный мост 1000 В 1, 5 А
Диодный мост 1000 В 1, 5 А
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 202.50 грн |





