Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > Всі товари виробника LUGUANG ELECTRONIC (1103) > Сторінка 13 з 19

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HER507 LUGUANG ELECTRONIC HER501G-HER508G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER508 HER508 LUGUANG ELECTRONIC HER501G-HER508G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.93 грн
17+25.28 грн
29+14.14 грн
100+8.57 грн
250+5.55 грн
500+4.85 грн
1250+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HER508 HER508 LUGUANG ELECTRONIC HER501G-HER508G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+53.92 грн
10+31.50 грн
25+16.96 грн
100+10.29 грн
250+6.66 грн
500+5.82 грн
1250+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HER608 HER608 LUGUANG ELECTRONIC HER601G-HER608G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+35.24 грн
21+19.72 грн
100+9.98 грн
250+6.46 грн
500+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HER608 HER608 LUGUANG ELECTRONIC HER601G-HER608G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+42.29 грн
13+24.57 грн
100+11.98 грн
250+7.76 грн
500+6.77 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HER608S HER608S LUGUANG ELECTRONIC HER601S-HER608S.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+47.58 грн
16+26.26 грн
28+14.73 грн
100+9.00 грн
250+5.81 грн
500+5.07 грн
1250+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HER608S HER608S LUGUANG ELECTRONIC HER601S-HER608S.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+57.09 грн
10+32.73 грн
25+17.67 грн
100+10.80 грн
250+6.97 грн
500+6.09 грн
1250+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875 LUGUANG ELECTRONIC KTC3875-LGE NPN SMD transistors
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
38+8.53 грн
350+3.33 грн
950+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201 LUGUANG ELECTRONIC LGE201-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 865 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
28+11.74 грн
100+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC LGE2301.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
135+3.30 грн
165+2.54 грн
500+2.24 грн
3000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC LGE2301.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.96 грн
100+3.16 грн
500+2.69 грн
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC LGE2302-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
63+5.05 грн
400+2.89 грн
1095+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304 LUGUANG ELECTRONIC LGE2304-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
68+4.70 грн
395+2.91 грн
1090+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC LGE2305-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+31.72 грн
325+3.54 грн
890+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC LGE2312.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+7.22 грн
100+4.24 грн
250+3.80 грн
1000+3.36 грн
3000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC LGE2312.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+8.67 грн
60+5.28 грн
250+4.57 грн
1000+4.03 грн
3000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M40120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M40120Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 117A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEA1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.92 грн
50+8.38 грн
100+6.94 грн
500+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEA1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
Voltage drop: 1.15V
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+14.10 грн
50+8.34 грн
100+7.02 грн
500+5.95 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEA1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.70 грн
30+10.44 грн
100+8.33 грн
500+7.08 грн
1000+6.64 грн
2000+6.00 грн
5000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEA1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
Voltage drop: 1.15V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.92 грн
30+10.40 грн
100+8.42 грн
500+7.14 грн
1000+6.70 грн
2000+6.06 грн
5000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LUGUANG ELECTRONIC LGEA1117-ADJ-LGE LDO adjustable voltage regulators
на замовлення 920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
21+15.60 грн
190+6.10 грн
520+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.22 грн
10+41.56 грн
25+36.98 грн
100+34.20 грн
400+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 618 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+60.26 грн
10+51.79 грн
25+44.37 грн
100+41.04 грн
400+38.58 грн
800+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.22 грн
10+41.48 грн
12+36.81 грн
50+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+51.69 грн
10+44.18 грн
50+40.94 грн
250+38.48 грн
1000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.22 грн
10+41.48 грн
12+36.98 грн
50+34.20 грн
250+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+51.69 грн
10+44.37 грн
50+41.04 грн
250+38.58 грн
1000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP LGEGW100N65FP LUGUANG ELECTRONIC LGEGW100N65FP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 375ns
Collector current: 100A
Turn-on time: 205ns
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.57 грн
3+373.06 грн
10+331.33 грн
30+306.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP LGEGW100N65FP LUGUANG ELECTRONIC LGEGW100N65FP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 375ns
Collector current: 100A
Turn-on time: 205ns
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+537.08 грн
3+464.88 грн
10+397.60 грн
30+368.15 грн
120+343.60 грн
240+333.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW15N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.13 грн
4+123.53 грн
10+109.63 грн
30+101.44 грн
120+94.90 грн
240+92.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW15N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 366 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+176.56 грн
3+153.94 грн
10+131.55 грн
30+121.73 грн
120+113.88 грн
240+110.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW20N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.13 грн
4+123.53 грн
10+109.63 грн
30+101.44 грн
120+94.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW20N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+176.56 грн
3+153.94 грн
10+131.55 грн
30+121.73 грн
120+113.88 грн
240+110.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC LGEGW25N120S.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.08 грн
10+130.08 грн
30+121.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC LGEGW25N120S.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+212.51 грн
3+184.53 грн
10+156.09 грн
30+145.30 грн
120+135.48 грн
240+132.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.91 грн
3+247.07 грн
10+218.43 грн
30+202.89 грн
120+188.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+356.29 грн
3+307.88 грн
10+262.12 грн
30+243.47 грн
120+226.78 грн
240+221.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.91 грн
3+247.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+356.29 грн
3+307.88 грн
10+262.12 грн
30+243.47 грн
120+226.78 грн
240+221.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.91 грн
3+247.07 грн
10+218.43 грн
30+202.89 грн
120+188.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+356.29 грн
3+307.88 грн
10+262.12 грн
30+243.47 грн
120+226.78 грн
240+221.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N65F1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 187ns
Collector current: 40A
Turn-on time: 96ns
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±30V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.89 грн
4+124.35 грн
10+110.44 грн
30+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N65F1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 187ns
Collector current: 40A
Turn-on time: 96ns
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±30V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+178.67 грн
3+154.96 грн
10+132.53 грн
30+122.72 грн
120+114.86 грн
240+111.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65F1A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 268ns
Collector current: 50A
Turn-on time: 62ns
Pulsed collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.62 грн
10+136.62 грн
30+126.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65F1A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 268ns
Collector current: 50A
Turn-on time: 62ns
Pulsed collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+223.08 грн
3+192.68 грн
10+163.95 грн
30+152.17 грн
120+143.33 грн
240+137.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.80 грн
10+135.81 грн
30+125.99 грн
120+118.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+222.02 грн
3+191.66 грн
10+162.97 грн
30+151.19 грн
120+142.35 грн
240+137.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEU.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.80 грн
10+135.81 грн
30+125.99 грн
120+118.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEU.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+222.02 грн
3+191.66 грн
10+162.97 грн
30+151.19 грн
120+142.35 грн
240+137.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW60N65SEU LGEGW60N65SEU LUGUANG ELECTRONIC LGEGW60N65SEU.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 151W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+182.44 грн
10+161.98 грн
30+149.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW60N65SEU LGEGW60N65SEU LUGUANG ELECTRONIC LGEGW60N65SEU.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 151W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+261.14 грн
3+227.34 грн
10+194.38 грн
30+179.66 грн
120+167.87 грн
240+162.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.17 грн
3+233.98 грн
10+206.98 грн
30+193.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+336.20 грн
3+291.57 грн
10+248.38 грн
30+231.69 грн
120+215.98 грн
240+210.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65FP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.34 грн
3+240.52 грн
10+211.89 грн
30+197.16 грн
120+184.07 грн
240+178.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65FP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+343.60 грн
3+299.73 грн
10+254.27 грн
30+236.60 грн
120+220.89 грн
240+214.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65S.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.17 грн
3+233.98 грн
10+206.98 грн
30+193.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65S.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+336.20 грн
3+291.57 грн
10+248.38 грн
30+231.69 грн
120+215.98 грн
240+210.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-3.3 LGET1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.86 грн
55+7.69 грн
100+6.44 грн
500+5.44 грн
1000+5.13 грн
2000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-5.0 LGET1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT223; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+14.27 грн
50+8.48 грн
100+7.04 грн
500+5.99 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
HER507 HER501G-HER508G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER508 HER501G-HER508G.pdf
HER508
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.93 грн
17+25.28 грн
29+14.14 грн
100+8.57 грн
250+5.55 грн
500+4.85 грн
1250+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HER508 HER501G-HER508G.pdf
HER508
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.92 грн
10+31.50 грн
25+16.96 грн
100+10.29 грн
250+6.66 грн
500+5.82 грн
1250+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HER608 HER601G-HER608G.pdf
HER608
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.24 грн
21+19.72 грн
100+9.98 грн
250+6.46 грн
500+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HER608 HER601G-HER608G.pdf
HER608
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.29 грн
13+24.57 грн
100+11.98 грн
250+7.76 грн
500+6.77 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HER608S HER601S-HER608S.pdf
HER608S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.58 грн
16+26.26 грн
28+14.73 грн
100+9.00 грн
250+5.81 грн
500+5.07 грн
1250+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HER608S HER601S-HER608S.pdf
HER608S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.09 грн
10+32.73 грн
25+17.67 грн
100+10.80 грн
250+6.97 грн
500+6.09 грн
1250+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
KTC3875-LGE NPN SMD transistors
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.53 грн
350+3.33 грн
950+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE201-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 865 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.74 грн
100+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301.pdf
LGE2301
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
135+3.30 грн
165+2.54 грн
500+2.24 грн
3000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301.pdf
LGE2301
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
80+3.96 грн
100+3.16 грн
500+2.69 грн
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2302-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
63+5.05 грн
400+2.89 грн
1095+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2304-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
68+4.70 грн
395+2.91 грн
1090+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2305-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.72 грн
325+3.54 грн
890+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312.pdf
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
65+7.22 грн
100+4.24 грн
250+3.80 грн
1000+3.36 грн
3000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312.pdf
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.67 грн
60+5.28 грн
250+4.57 грн
1000+4.03 грн
3000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M40120Q LGE3M40120Q.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 117A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+13.92 грн
50+8.38 грн
100+6.94 грн
500+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
Voltage drop: 1.15V
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+14.10 грн
50+8.34 грн
100+7.02 грн
500+5.95 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.70 грн
30+10.44 грн
100+8.33 грн
500+7.08 грн
1000+6.64 грн
2000+6.00 грн
5000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
Voltage drop: 1.15V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.92 грн
30+10.40 грн
100+8.42 грн
500+7.14 грн
1000+6.70 грн
2000+6.06 грн
5000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGEA1117-ADJ-LGE LDO adjustable voltage regulators
на замовлення 920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
21+15.60 грн
190+6.10 грн
520+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.22 грн
10+41.56 грн
25+36.98 грн
100+34.20 грн
400+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 618 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.26 грн
10+51.79 грн
25+44.37 грн
100+41.04 грн
400+38.58 грн
800+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.22 грн
10+41.48 грн
12+36.81 грн
50+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.69 грн
10+44.18 грн
50+40.94 грн
250+38.48 грн
1000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.22 грн
10+41.48 грн
12+36.98 грн
50+34.20 грн
250+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.69 грн
10+44.37 грн
50+41.04 грн
250+38.58 грн
1000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP LGEGW100N65FP.pdf
LGEGW100N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 375ns
Collector current: 100A
Turn-on time: 205ns
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.57 грн
3+373.06 грн
10+331.33 грн
30+306.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP LGEGW100N65FP.pdf
LGEGW100N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 375ns
Collector current: 100A
Turn-on time: 205ns
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.08 грн
3+464.88 грн
10+397.60 грн
30+368.15 грн
120+343.60 грн
240+333.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS.pdf
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.13 грн
4+123.53 грн
10+109.63 грн
30+101.44 грн
120+94.90 грн
240+92.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS.pdf
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 366 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.56 грн
3+153.94 грн
10+131.55 грн
30+121.73 грн
120+113.88 грн
240+110.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK.pdf
LGEGW20N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.13 грн
4+123.53 грн
10+109.63 грн
30+101.44 грн
120+94.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK.pdf
LGEGW20N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.56 грн
3+153.94 грн
10+131.55 грн
30+121.73 грн
120+113.88 грн
240+110.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S.pdf
LGEGW25N120S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.08 грн
10+130.08 грн
30+121.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S.pdf
LGEGW25N120S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.51 грн
3+184.53 грн
10+156.09 грн
30+145.30 грн
120+135.48 грн
240+132.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F.pdf
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.91 грн
3+247.07 грн
10+218.43 грн
30+202.89 грн
120+188.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F.pdf
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.29 грн
3+307.88 грн
10+262.12 грн
30+243.47 грн
120+226.78 грн
240+221.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2.pdf
LGEGW40N120F2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.91 грн
3+247.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2.pdf
LGEGW40N120F2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.29 грн
3+307.88 грн
10+262.12 грн
30+243.47 грн
120+226.78 грн
240+221.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS.pdf
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.91 грн
3+247.07 грн
10+218.43 грн
30+202.89 грн
120+188.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS.pdf
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.29 грн
3+307.88 грн
10+262.12 грн
30+243.47 грн
120+226.78 грн
240+221.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1.pdf
LGEGW40N65F1
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 187ns
Collector current: 40A
Turn-on time: 96ns
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±30V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.89 грн
4+124.35 грн
10+110.44 грн
30+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1.pdf
LGEGW40N65F1
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 187ns
Collector current: 40A
Turn-on time: 96ns
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±30V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.67 грн
3+154.96 грн
10+132.53 грн
30+122.72 грн
120+114.86 грн
240+111.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A.pdf
LGEGW50N65F1A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 268ns
Collector current: 50A
Turn-on time: 62ns
Pulsed collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.62 грн
10+136.62 грн
30+126.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A.pdf
LGEGW50N65F1A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 268ns
Collector current: 50A
Turn-on time: 62ns
Pulsed collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.08 грн
3+192.68 грн
10+163.95 грн
30+152.17 грн
120+143.33 грн
240+137.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK.pdf
LGEGW50N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.80 грн
10+135.81 грн
30+125.99 грн
120+118.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK.pdf
LGEGW50N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.02 грн
3+191.66 грн
10+162.97 грн
30+151.19 грн
120+142.35 грн
240+137.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU.pdf
LGEGW50N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.80 грн
10+135.81 грн
30+125.99 грн
120+118.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU.pdf
LGEGW50N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.02 грн
3+191.66 грн
10+162.97 грн
30+151.19 грн
120+142.35 грн
240+137.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW60N65SEU LGEGW60N65SEU.pdf
LGEGW60N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 151W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+182.44 грн
10+161.98 грн
30+149.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW60N65SEU LGEGW60N65SEU.pdf
LGEGW60N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 151W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.14 грн
3+227.34 грн
10+194.38 грн
30+179.66 грн
120+167.87 грн
240+162.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F.pdf
LGEGW75N65F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.17 грн
3+233.98 грн
10+206.98 грн
30+193.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F.pdf
LGEGW75N65F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.20 грн
3+291.57 грн
10+248.38 грн
30+231.69 грн
120+215.98 грн
240+210.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP.pdf
LGEGW75N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.34 грн
3+240.52 грн
10+211.89 грн
30+197.16 грн
120+184.07 грн
240+178.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP.pdf
LGEGW75N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.60 грн
3+299.73 грн
10+254.27 грн
30+236.60 грн
120+220.89 грн
240+214.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S.pdf
LGEGW75N65S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.17 грн
3+233.98 грн
10+206.98 грн
30+193.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S.pdf
LGEGW75N65S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.20 грн
3+291.57 грн
10+248.38 грн
30+231.69 грн
120+215.98 грн
240+210.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-3.3 LGEx1117x_SER.pdf
LGET1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+12.86 грн
55+7.69 грн
100+6.44 грн
500+5.44 грн
1000+5.13 грн
2000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-5.0 LGEx1117x_SER.pdf
LGET1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT223; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+14.27 грн
50+8.48 грн
100+7.04 грн
500+5.99 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]