Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > Всі товари виробника LUGUANG ELECTRONIC (1129) > Сторінка 13 з 19

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HER207 LUGUANG ELECTRONIC HER201G-HER208G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; tape; Ifsm: 60A; DO15; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 60A
Case: DO15
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER208 LUGUANG ELECTRONIC HER201G-HER208G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2A; tape; Ifsm: 60A; DO15; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 60A
Case: DO15
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER302 LUGUANG ELECTRONIC HER301G-HER308G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER303 LUGUANG ELECTRONIC HER301G-HER308G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER304 LUGUANG ELECTRONIC HER301G-HER308G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER305 LUGUANG ELECTRONIC HER301G-HER308G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER306 LUGUANG ELECTRONIC HER301G-HER308G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER307 LUGUANG ELECTRONIC HER301G-HER308G.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER308 LUGUANG ELECTRONIC HER301G-HER308G.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER506 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0ACFD32B3BD9460E2&compId=HER501G-HER508G.pdf?ci_sign=cdfba7291dd5ea4838ff33c5ac7b4a092e2aa79b Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER508 LUGUANG ELECTRONIC HER501G-HER508G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER608 LUGUANG ELECTRONIC HER601G-HER608G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER608S LUGUANG ELECTRONIC HER601S-HER608S.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP06 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP08 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP10 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTA1273 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA59DDA5BE36A00D6&compId=KTA1273.pdf?ci_sign=e34496784c14fd89d0b9603dfa5401e7d053ef27 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 1W; TO92L
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92L
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875 LUGUANG ELECTRONIC KTC3875-LGE NPN SMD transistors
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.55 грн
360+3.34 грн
980+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201 LUGUANG ELECTRONIC LGE201-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.69 грн
100+8.37 грн
144+8.26 грн
396+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
LGE210 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 60A
Version: flat
Case: D3K
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.05V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 11259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
160+3.08 грн
180+2.57 грн
500+2.27 грн
3000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 11259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.21 грн
500+2.73 грн
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC LGE2301-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 5237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.60 грн
410+2.90 грн
1125+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.75 грн
145+2.91 грн
500+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
75+4.50 грн
100+3.63 грн
500+3.15 грн
3000+2.78 грн
12000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304 LUGUANG ELECTRONIC LGE2304-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
69+4.71 грн
410+2.91 грн
1120+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC LGE2305-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
26+12.44 грн
335+3.55 грн
915+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC LGE2312-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
32+10.13 грн
275+4.35 грн
750+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.5 LGEA1117-1.5 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.8 LGEA1117-1.8 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-2.5 LGEA1117-2.5 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 2.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.9...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEA1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.76 грн
55+8.16 грн
100+6.79 грн
500+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEA1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.58 грн
55+8.06 грн
100+6.77 грн
500+5.74 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEA1117-ADJ LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.87 грн
55+7.70 грн
100+6.44 грн
500+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEA1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+16.51 грн
35+10.17 грн
100+8.14 грн
500+6.92 грн
1000+6.50 грн
2000+5.87 грн
5000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEA1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+16.30 грн
35+10.05 грн
100+8.12 грн
500+6.89 грн
1000+6.46 грн
2000+5.84 грн
5000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEA1117-ADJ LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+15.44 грн
35+9.59 грн
100+7.73 грн
500+6.53 грн
1000+6.15 грн
2000+5.56 грн
5000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+49.14 грн
11+40.74 грн
25+36.26 грн
100+33.60 грн
400+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.97 грн
10+50.77 грн
25+43.51 грн
100+40.32 грн
400+37.93 грн
800+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.25 грн
11+40.66 грн
12+36.09 грн
50+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.90 грн
7+50.66 грн
10+43.31 грн
50+40.12 грн
250+37.64 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.25 грн
11+40.66 грн
12+36.09 грн
50+33.44 грн
250+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.90 грн
7+50.66 грн
10+43.31 грн
50+40.12 грн
250+37.64 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP LGEGW100N65FP LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F745FFB27240E1&compId=LGEGW100N65FP.pdf?ci_sign=ebce744619685da1f49d64e0d77d4324af015b57 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+441.40 грн
3+368.39 грн
10+326.07 грн
30+302.84 грн
120+282.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP LGEGW100N65FP LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F745FFB27240E1&compId=LGEGW100N65FP.pdf?ci_sign=ebce744619685da1f49d64e0d77d4324af015b57 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+529.68 грн
3+459.07 грн
10+391.29 грн
30+363.41 грн
120+339.52 грн
240+331.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW15N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.80 грн
10+109.52 грн
30+101.22 грн
120+94.59 грн
240+92.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW15N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.92 грн
3+153.02 грн
10+131.43 грн
30+121.47 грн
120+113.50 грн
240+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW20N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.97 грн
10+108.69 грн
30+100.39 грн
120+93.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW20N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.85 грн
3+151.99 грн
10+130.43 грн
30+120.47 грн
120+112.51 грн
240+109.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.69 грн
10+130.26 грн
30+121.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.30 грн
3+184.04 грн
10+156.32 грн
30+145.36 грн
120+135.41 грн
240+132.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.08 грн
3+244.76 грн
10+217.38 грн
30+201.62 грн
120+188.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+351.69 грн
3+305.01 грн
10+260.86 грн
30+241.94 грн
120+226.01 грн
240+221.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.08 грн
3+244.76 грн
10+217.38 грн
30+201.62 грн
120+188.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+351.69 грн
3+305.01 грн
10+260.86 грн
30+241.94 грн
120+226.01 грн
240+221.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.08 грн
3+244.76 грн
10+217.38 грн
30+201.62 грн
120+188.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+351.69 грн
3+305.01 грн
10+260.86 грн
30+241.94 грн
120+226.01 грн
240+221.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N65F1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.80 грн
10+109.52 грн
30+101.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N65F1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.99 грн
3+153.02 грн
10+131.43 грн
30+121.47 грн
120+114.50 грн
240+111.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65F1A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.33 грн
10+136.07 грн
30+126.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HER207 HER201G-HER208G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; tape; Ifsm: 60A; DO15; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 60A
Case: DO15
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER208 HER201G-HER208G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2A; tape; Ifsm: 60A; DO15; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 60A
Case: DO15
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER302 HER301G-HER308G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER303 HER301G-HER308G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER304 HER301G-HER308G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER305 HER301G-HER308G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER306 HER301G-HER308G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER307 description HER301G-HER308G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER308 description HER301G-HER308G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER506 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0ACFD32B3BD9460E2&compId=HER501G-HER508G.pdf?ci_sign=cdfba7291dd5ea4838ff33c5ac7b4a092e2aa79b
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER508 HER501G-HER508G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER608 HER601G-HER608G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER608S HER601S-HER608S.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP06
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP08
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP10
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTA1273 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA59DDA5BE36A00D6&compId=KTA1273.pdf?ci_sign=e34496784c14fd89d0b9603dfa5401e7d053ef27
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 1W; TO92L
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92L
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
KTC3875-LGE NPN SMD transistors
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.55 грн
360+3.34 грн
980+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE201-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.69 грн
100+8.37 грн
144+8.26 грн
396+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
LGE210
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 60A
Version: flat
Case: D3K
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.05V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca
LGE2300
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 11259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
160+3.08 грн
180+2.57 грн
500+2.27 грн
3000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca
LGE2300
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 11259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.21 грн
500+2.73 грн
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2301-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 5237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
70+4.60 грн
410+2.90 грн
1125+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d
LGE2302
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.75 грн
145+2.91 грн
500+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d
LGE2302
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
75+4.50 грн
100+3.63 грн
500+3.15 грн
3000+2.78 грн
12000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2304-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
69+4.71 грн
410+2.91 грн
1120+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2305-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
26+12.44 грн
335+3.55 грн
915+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2312-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
32+10.13 грн
275+4.35 грн
750+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.5 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-1.5
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.8 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-1.8
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-2.5 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-2.5
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 2.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.9...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+13.76 грн
55+8.16 грн
100+6.79 грн
500+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+13.58 грн
55+8.06 грн
100+6.77 грн
500+5.74 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-ADJ
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+12.87 грн
55+7.70 грн
100+6.44 грн
500+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.51 грн
35+10.17 грн
100+8.14 грн
500+6.92 грн
1000+6.50 грн
2000+5.87 грн
5000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.30 грн
35+10.05 грн
100+8.12 грн
500+6.89 грн
1000+6.46 грн
2000+5.84 грн
5000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-ADJ
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+15.44 грн
35+9.59 грн
100+7.73 грн
500+6.53 грн
1000+6.15 грн
2000+5.56 грн
5000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.14 грн
11+40.74 грн
25+36.26 грн
100+33.60 грн
400+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.97 грн
10+50.77 грн
25+43.51 грн
100+40.32 грн
400+37.93 грн
800+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.25 грн
11+40.66 грн
12+36.09 грн
50+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.90 грн
7+50.66 грн
10+43.31 грн
50+40.12 грн
250+37.64 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.25 грн
11+40.66 грн
12+36.09 грн
50+33.44 грн
250+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.90 грн
7+50.66 грн
10+43.31 грн
50+40.12 грн
250+37.64 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F745FFB27240E1&compId=LGEGW100N65FP.pdf?ci_sign=ebce744619685da1f49d64e0d77d4324af015b57
LGEGW100N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+441.40 грн
3+368.39 грн
10+326.07 грн
30+302.84 грн
120+282.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F745FFB27240E1&compId=LGEGW100N65FP.pdf?ci_sign=ebce744619685da1f49d64e0d77d4324af015b57
LGEGW100N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.68 грн
3+459.07 грн
10+391.29 грн
30+363.41 грн
120+339.52 грн
240+331.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS.pdf
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.80 грн
10+109.52 грн
30+101.22 грн
120+94.59 грн
240+92.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS.pdf
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.92 грн
3+153.02 грн
10+131.43 грн
30+121.47 грн
120+113.50 грн
240+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK.pdf
LGEGW20N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.97 грн
10+108.69 грн
30+100.39 грн
120+93.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK.pdf
LGEGW20N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.85 грн
3+151.99 грн
10+130.43 грн
30+120.47 грн
120+112.51 грн
240+109.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf
LGEGW25N120S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.69 грн
10+130.26 грн
30+121.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf
LGEGW25N120S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.30 грн
3+184.04 грн
10+156.32 грн
30+145.36 грн
120+135.41 грн
240+132.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.08 грн
3+244.76 грн
10+217.38 грн
30+201.62 грн
120+188.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.69 грн
3+305.01 грн
10+260.86 грн
30+241.94 грн
120+226.01 грн
240+221.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.08 грн
3+244.76 грн
10+217.38 грн
30+201.62 грн
120+188.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.69 грн
3+305.01 грн
10+260.86 грн
30+241.94 грн
120+226.01 грн
240+221.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.08 грн
3+244.76 грн
10+217.38 грн
30+201.62 грн
120+188.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.69 грн
3+305.01 грн
10+260.86 грн
30+241.94 грн
120+226.01 грн
240+221.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1.pdf
LGEGW40N65F1
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.80 грн
10+109.52 грн
30+101.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1.pdf
LGEGW40N65F1
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.99 грн
3+153.02 грн
10+131.43 грн
30+121.47 грн
120+114.50 грн
240+111.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A.pdf
LGEGW50N65F1A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.33 грн
10+136.07 грн
30+126.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]