Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > Всі товари виробника LUGUANG ELECTRONIC (1123) > Сторінка 13 з 19

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HER308 HER308 LUGUANG ELECTRONIC HER301G-HER308G.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.27 грн
20+20.93 грн
36+11.73 грн
100+7.12 грн
250+4.61 грн
500+4.03 грн
1250+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
HER308 HER308 LUGUANG ELECTRONIC HER301G-HER308G.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+44.72 грн
12+26.08 грн
25+14.08 грн
100+8.54 грн
250+5.53 грн
500+4.84 грн
1250+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HER504 LUGUANG ELECTRONIC HER501G-HER508G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 5A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER508 HER508 LUGUANG ELECTRONIC HER501G-HER508G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+43.48 грн
17+24.80 грн
30+13.91 грн
100+8.43 грн
250+5.45 грн
500+4.76 грн
1250+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HER508 HER508 LUGUANG ELECTRONIC HER501G-HER508G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+52.18 грн
10+30.91 грн
25+16.69 грн
100+10.12 грн
250+6.54 грн
500+5.72 грн
1250+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HER604 LUGUANG ELECTRONIC HER601G-HER608G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER604S LUGUANG ELECTRONIC HER601S-HER608S.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER605 LUGUANG ELECTRONIC HER601G-HER608G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER605S LUGUANG ELECTRONIC HER601S-HER608S.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER606 LUGUANG ELECTRONIC HER601G-HER608G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER606S LUGUANG ELECTRONIC HER601S-HER608S.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER608 HER608 LUGUANG ELECTRONIC HER601G-HER608G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+35.49 грн
21+19.86 грн
100+10.05 грн
250+6.51 грн
500+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HER608 HER608 LUGUANG ELECTRONIC HER601G-HER608G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+42.59 грн
13+24.75 грн
100+12.06 грн
250+7.81 грн
500+6.82 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HER608S HER608S LUGUANG ELECTRONIC HER601S-HER608S.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+47.92 грн
16+26.45 грн
28+14.83 грн
100+9.06 грн
250+5.85 грн
500+5.11 грн
1250+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HER608S HER608S LUGUANG ELECTRONIC HER601S-HER608S.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+57.50 грн
10+32.96 грн
25+17.80 грн
100+10.88 грн
250+7.02 грн
500+6.13 грн
1250+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
KBP06 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875 LUGUANG ELECTRONIC KTC3875-LGE NPN SMD transistors
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
39+8.37 грн
360+3.30 грн
980+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201 LUGUANG ELECTRONIC LGE201-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 865 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
28+11.50 грн
100+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC LGE2300-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
79+4.08 грн
440+2.66 грн
1220+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC LGE2301.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
135+3.33 грн
165+2.55 грн
500+2.26 грн
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC LGE2301.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.99 грн
100+3.18 грн
500+2.71 грн
3000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC LGE2302-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
65+4.96 грн
405+2.90 грн
1115+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304 LUGUANG ELECTRONIC LGE2304-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 6160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
70+4.61 грн
415+2.84 грн
1135+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC LGE2305-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+21.30 грн
335+3.51 грн
920+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC LGE2312.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+7.28 грн
100+4.27 грн
250+3.83 грн
1000+3.39 грн
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC LGE2312.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+8.73 грн
60+5.32 грн
250+4.60 грн
1000+4.06 грн
3000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M40120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M40120Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 117A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEA1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.67 грн
55+8.21 грн
100+6.81 грн
500+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEA1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.67 грн
55+8.21 грн
100+6.90 грн
500+5.84 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEA1117-ADJ LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.78 грн
55+7.65 грн
100+6.39 грн
500+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEA1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.40 грн
35+10.23 грн
100+8.17 грн
500+6.94 грн
1000+6.52 грн
2000+5.88 грн
5000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEA1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.40 грн
35+10.23 грн
100+8.28 грн
500+7.01 грн
1000+6.58 грн
2000+5.95 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEA1117-ADJ LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+15.33 грн
35+9.53 грн
100+7.67 грн
500+6.49 грн
1000+6.11 грн
2000+5.52 грн
5000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.80 грн
11+40.46 грн
25+36.09 грн
100+33.37 грн
400+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 621 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+58.57 грн
10+50.42 грн
25+43.31 грн
100+40.04 грн
400+37.67 грн
800+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.80 грн
11+40.62 грн
12+35.93 грн
50+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+58.57 грн
7+50.62 грн
10+43.11 грн
50+39.95 грн
250+37.57 грн
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.80 грн
11+40.62 грн
12+36.01 грн
50+33.37 грн
250+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 452 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+58.57 грн
7+50.62 грн
10+43.21 грн
50+40.04 грн
250+37.67 грн
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP LUGUANG ELECTRONIC LGEGW100N65FP THT IGBT transistors
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+585.65 грн
4+357.93 грн
9+339.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW15N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.95 грн
10+108.76 грн
30+100.52 грн
120+93.93 грн
240+92.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW15N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 418 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+176.76 грн
3+151.97 грн
10+130.52 грн
30+120.63 грн
120+112.72 грн
240+110.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW20N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.95 грн
10+107.94 грн
30+100.52 грн
120+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW20N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+175.70 грн
3+151.97 грн
10+129.53 грн
30+120.63 грн
120+112.72 грн
240+109.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC LGEGW25N120S.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.67 грн
10+129.36 грн
30+120.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC LGEGW25N120S.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+210.84 грн
3+182.77 грн
10+155.24 грн
30+144.36 грн
120+134.47 грн
240+131.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.71 грн
3+245.54 грн
10+216.70 грн
30+201.05 грн
120+187.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+352.46 грн
3+305.98 грн
10+260.05 грн
30+241.26 грн
120+225.44 грн
240+220.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.71 грн
3+245.54 грн
10+216.70 грн
30+201.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+352.46 грн
3+305.98 грн
10+260.05 грн
30+241.26 грн
120+225.44 грн
240+220.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.71 грн
3+245.54 грн
10+216.70 грн
30+201.05 грн
120+187.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+352.46 грн
3+305.98 грн
10+260.05 грн
30+241.26 грн
120+225.44 грн
240+220.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N65F1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.95 грн
10+107.94 грн
30+100.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N65F1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+175.70 грн
3+151.97 грн
10+129.53 грн
30+120.63 грн
120+112.72 грн
240+109.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65F1A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.43 грн
10+134.31 грн
30+124.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65F1A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+218.29 грн
3+189.96 грн
10+161.17 грн
30+149.30 грн
120+140.40 грн
240+135.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.43 грн
10+134.31 грн
30+124.42 грн
120+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+218.29 грн
3+189.96 грн
10+161.17 грн
30+149.30 грн
120+140.40 грн
240+135.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEU.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.43 грн
10+134.31 грн
30+124.42 грн
120+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEU.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+218.29 грн
3+189.96 грн
10+161.17 грн
30+149.30 грн
120+140.40 грн
240+135.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HER308 description HER301G-HER308G.pdf
HER308
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.27 грн
20+20.93 грн
36+11.73 грн
100+7.12 грн
250+4.61 грн
500+4.03 грн
1250+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
HER308 description HER301G-HER308G.pdf
HER308
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.72 грн
12+26.08 грн
25+14.08 грн
100+8.54 грн
250+5.53 грн
500+4.84 грн
1250+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HER504 HER501G-HER508G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 5A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER508 HER501G-HER508G.pdf
HER508
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.48 грн
17+24.80 грн
30+13.91 грн
100+8.43 грн
250+5.45 грн
500+4.76 грн
1250+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HER508 HER501G-HER508G.pdf
HER508
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.18 грн
10+30.91 грн
25+16.69 грн
100+10.12 грн
250+6.54 грн
500+5.72 грн
1250+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HER604 HER601G-HER608G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER604S HER601S-HER608S.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER605 HER601G-HER608G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER605S HER601S-HER608S.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER606 HER601G-HER608G.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER606S HER601S-HER608S.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER608 HER601G-HER608G.pdf
HER608
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.49 грн
21+19.86 грн
100+10.05 грн
250+6.51 грн
500+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HER608 HER601G-HER608G.pdf
HER608
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; R6; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: R6
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.59 грн
13+24.75 грн
100+12.06 грн
250+7.81 грн
500+6.82 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HER608S HER601S-HER608S.pdf
HER608S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.92 грн
16+26.45 грн
28+14.83 грн
100+9.06 грн
250+5.85 грн
500+5.11 грн
1250+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HER608S HER601S-HER608S.pdf
HER608S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.50 грн
10+32.96 грн
25+17.80 грн
100+10.88 грн
250+7.02 грн
500+6.13 грн
1250+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
KBP06
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
KTC3875-LGE NPN SMD transistors
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
39+8.37 грн
360+3.30 грн
980+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE201-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 865 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.50 грн
100+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2300-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
79+4.08 грн
440+2.66 грн
1220+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301.pdf
LGE2301
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
135+3.33 грн
165+2.55 грн
500+2.26 грн
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301.pdf
LGE2301
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
80+3.99 грн
100+3.18 грн
500+2.71 грн
3000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2302-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
65+4.96 грн
405+2.90 грн
1115+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2304-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 6160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
70+4.61 грн
415+2.84 грн
1135+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2305-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.30 грн
335+3.51 грн
920+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312.pdf
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
65+7.28 грн
100+4.27 грн
250+3.83 грн
1000+3.39 грн
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312.pdf
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.73 грн
60+5.32 грн
250+4.60 грн
1000+4.06 грн
3000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M40120Q LGE3M40120Q.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 117A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+13.67 грн
55+8.21 грн
100+6.81 грн
500+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+13.67 грн
55+8.21 грн
100+6.90 грн
500+5.84 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-ADJ
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+12.78 грн
55+7.65 грн
100+6.39 грн
500+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.40 грн
35+10.23 грн
100+8.17 грн
500+6.94 грн
1000+6.52 грн
2000+5.88 грн
5000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.40 грн
35+10.23 грн
100+8.28 грн
500+7.01 грн
1000+6.58 грн
2000+5.95 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-ADJ
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
25+15.33 грн
35+9.53 грн
100+7.67 грн
500+6.49 грн
1000+6.11 грн
2000+5.52 грн
5000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.80 грн
11+40.46 грн
25+36.09 грн
100+33.37 грн
400+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 621 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.57 грн
10+50.42 грн
25+43.31 грн
100+40.04 грн
400+37.67 грн
800+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.80 грн
11+40.62 грн
12+35.93 грн
50+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.57 грн
7+50.62 грн
10+43.11 грн
50+39.95 грн
250+37.57 грн
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.80 грн
11+40.62 грн
12+36.01 грн
50+33.37 грн
250+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 452 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.57 грн
7+50.62 грн
10+43.21 грн
50+40.04 грн
250+37.67 грн
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGEGW100N65FP THT IGBT transistors
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+585.65 грн
4+357.93 грн
9+339.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS.pdf
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.95 грн
10+108.76 грн
30+100.52 грн
120+93.93 грн
240+92.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS.pdf
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 418 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.76 грн
3+151.97 грн
10+130.52 грн
30+120.63 грн
120+112.72 грн
240+110.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK.pdf
LGEGW20N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.95 грн
10+107.94 грн
30+100.52 грн
120+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK.pdf
LGEGW20N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.70 грн
3+151.97 грн
10+129.53 грн
30+120.63 грн
120+112.72 грн
240+109.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S.pdf
LGEGW25N120S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.67 грн
10+129.36 грн
30+120.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S.pdf
LGEGW25N120S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.84 грн
3+182.77 грн
10+155.24 грн
30+144.36 грн
120+134.47 грн
240+131.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F.pdf
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.71 грн
3+245.54 грн
10+216.70 грн
30+201.05 грн
120+187.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F.pdf
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.46 грн
3+305.98 грн
10+260.05 грн
30+241.26 грн
120+225.44 грн
240+220.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2.pdf
LGEGW40N120F2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.71 грн
3+245.54 грн
10+216.70 грн
30+201.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2.pdf
LGEGW40N120F2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.46 грн
3+305.98 грн
10+260.05 грн
30+241.26 грн
120+225.44 грн
240+220.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS.pdf
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.71 грн
3+245.54 грн
10+216.70 грн
30+201.05 грн
120+187.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS.pdf
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.46 грн
3+305.98 грн
10+260.05 грн
30+241.26 грн
120+225.44 грн
240+220.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1.pdf
LGEGW40N65F1
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.95 грн
10+107.94 грн
30+100.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1.pdf
LGEGW40N65F1
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.70 грн
3+151.97 грн
10+129.53 грн
30+120.63 грн
120+112.72 грн
240+109.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A.pdf
LGEGW50N65F1A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.43 грн
10+134.31 грн
30+124.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A.pdf
LGEGW50N65F1A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.29 грн
3+189.96 грн
10+161.17 грн
30+149.30 грн
120+140.40 грн
240+135.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK.pdf
LGEGW50N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.43 грн
10+134.31 грн
30+124.42 грн
120+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK.pdf
LGEGW50N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.29 грн
3+189.96 грн
10+161.17 грн
30+149.30 грн
120+140.40 грн
240+135.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU.pdf
LGEGW50N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.43 грн
10+134.31 грн
30+124.42 грн
120+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU.pdf
LGEGW50N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.29 грн
3+189.96 грн
10+161.17 грн
30+149.30 грн
120+140.40 грн
240+135.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]