Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > Всі товари виробника LUGUANG ELECTRONIC (1084) > Сторінка 13 з 19

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HER608S HER608S LUGUANG ELECTRONIC HER601S-HER608S.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.22 грн
16+27.03 грн
28+15.09 грн
100+9.20 грн
250+5.97 грн
500+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2B LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2G LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2M LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBP06 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBP10 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTA1A80 KTA1A80 LUGUANG ELECTRONIC Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT89; Igt: 5mA; Ufmax: 1.6V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of thyristor: triac
Mounting: SMD
Gate current: 5mA
Max. forward voltage: 1.6V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875 KTC3875 LUGUANG ELECTRONIC KTC3875.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT23
Current gain: 70...700
Mounting: SMD
Frequency: 80MHz
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+6.34 грн
120+3.66 грн
250+3.29 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC LGE2300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11nC
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 32mΩ
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC LGE2301.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
130+3.44 грн
160+2.65 грн
500+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC LGE2302-1.2W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
120+3.75 грн
145+2.89 грн
500+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304 LGE2304 LUGUANG ELECTRONIC LGE2304.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
130+3.48 грн
145+2.96 грн
500+2.67 грн
3000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC LGE2305v2.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.46 грн
70+6.04 грн
115+3.61 грн
500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC LGE2312.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Case: SOT23
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+7.59 грн
95+4.44 грн
250+4.00 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D02120F LGE3D02120F LUGUANG ELECTRONIC LGE3D02120F.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D05120A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D05120A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 55A
Kind of package: tube
Leakage current: 11µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20065A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; Ir: 250uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 0.25mA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Max. load current: 100A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065D LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20065D.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 10A x2
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20065H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 250uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 0.25mA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Max. load current: 100A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20120A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20120D.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20120H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 100A
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20170H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20170H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 20A; TO247-2; Ir: 50uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 2.3V
Load current: 20A
Max. load current: 140A
Max. forward impulse current: 190A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M20120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M20120Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; 428W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M45170B LUGUANG ELECTRONIC LGE3M45170B.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M45170Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M45170Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.5 LGEA1117-1.5 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.8 LGEA1117-1.8 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEA1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+14.29 грн
50+8.59 грн
100+7.10 грн
500+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEA1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+14.29 грн
50+8.49 грн
100+7.15 грн
500+6.06 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEA1117-ADJ LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+13.21 грн
55+7.89 грн
100+6.62 грн
500+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.90 грн
10+42.29 грн
25+37.64 грн
100+34.82 грн
400+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 30.6W
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.90 грн
10+42.29 грн
12+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.90 грн
10+42.29 грн
12+37.64 грн
50+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW15N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.79 грн
4+126.86 грн
10+112.76 грн
30+104.47 грн
120+97.84 грн
240+95.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW20N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 74ns
Turn-off time: 232ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 82nC
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.79 грн
4+126.86 грн
10+112.76 грн
30+104.47 грн
120+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC LGEGW25N120S.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 460ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.56 грн
10+134.32 грн
30+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+305.37 грн
3+254.54 грн
10+225.52 грн
30+208.94 грн
120+195.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+314.30 грн
3+262.00 грн
10+232.15 грн
30+214.74 грн
120+201.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+305.37 грн
3+254.54 грн
10+225.52 грн
30+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N65F1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.04 грн
4+131.83 грн
10+116.91 грн
30+108.61 грн
120+101.15 грн
240+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65F1A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.97 грн
10+150.07 грн
30+139.29 грн
120+131.00 грн
240+126.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.36 грн
10+139.29 грн
30+129.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65SEU.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.36 грн
10+139.29 грн
30+129.34 грн
120+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW60N65SEU LGEGW60N65SEU LUGUANG ELECTRONIC LGEGW60N65SEU.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 151W
Gate charge: 0.21µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.55 грн
10+164.99 грн
30+152.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 71W
Gate charge: 192nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+284.83 грн
3+238.79 грн
10+210.60 грн
30+196.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65FP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 500W
Gate charge: 130nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+292.87 грн
3+245.42 грн
10+216.40 грн
30+201.48 грн
120+188.21 грн
240+182.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65S.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 340nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+284.83 грн
3+238.79 грн
10+210.60 грн
30+196.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-1.5 LGET1117-1.5 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-1.8 LGET1117-1.8 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-3.3 LGET1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+13.21 грн
55+7.89 грн
100+6.59 грн
500+5.56 грн
1000+5.25 грн
2000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-5.0 LGET1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT223; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-ADJ LGET1117-ADJ LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+14.11 грн
50+8.42 грн
100+7.02 грн
500+5.96 грн
1000+5.60 грн
2000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148 LL4148 LUGUANG ELECTRONIC LL4448-LL4148.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; MiniMELF glass; Ufmax: 0.62V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.15A
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF glass
Max. forward voltage: 0.62V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 9302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.71 грн
107+3.90 грн
169+2.45 грн
265+1.57 грн
404+1.03 грн
500+0.92 грн
1000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LL4150 LL4150 LUGUANG ELECTRONIC LL4150.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.4A; MiniMELF glass; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.4A
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF glass
Max. load current: 0.6A
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 13125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
265+1.70 грн
400+1.04 грн
500+0.91 грн
2500+0.82 грн
10000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LL4151 LL4151 LUGUANG ELECTRONIC LL4151.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.3A; MiniMELF glass; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF glass
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 10665 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
530+0.85 грн
535+0.78 грн
560+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LL4448 LL4448 LUGUANG ELECTRONIC LL4448-LL4148.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; MiniMELF glass; Ufmax: 0.62V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.15A
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF glass
Max. forward voltage: 0.62V
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+1.88 грн
275+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M2 M2 LUGUANG ELECTRONIC M1-M7.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; SMAJ; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMAJ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M4 M4 LUGUANG ELECTRONIC M1-M7.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; SMAJ; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMAJ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
90+5.27 грн
340+1.23 грн
500+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M6 M6 LUGUANG ELECTRONIC M1-M7.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; SMAJ; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMAJ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER608S HER601S-HER608S.pdf
HER608S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 6A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.22 грн
16+27.03 грн
28+15.09 грн
100+9.20 грн
250+5.97 грн
500+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2B
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2G
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2M
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBP06
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBP10
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTA1A80
KTA1A80
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT89; Igt: 5mA; Ufmax: 1.6V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of thyristor: triac
Mounting: SMD
Gate current: 5mA
Max. forward voltage: 1.6V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875 KTC3875.pdf
KTC3875
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT23
Current gain: 70...700
Mounting: SMD
Frequency: 80MHz
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+6.34 грн
120+3.66 грн
250+3.29 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300.pdf
LGE2300
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11nC
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 32mΩ
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301.pdf
LGE2301
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+3.44 грн
160+2.65 грн
500+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LGE2302-1.2W.pdf
LGE2302
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
120+3.75 грн
145+2.89 грн
500+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304 LGE2304.pdf
LGE2304
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+3.48 грн
145+2.96 грн
500+2.67 грн
3000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LGE2305v2.pdf
LGE2305
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.46 грн
70+6.04 грн
115+3.61 грн
500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312.pdf
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Case: SOT23
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+7.59 грн
95+4.44 грн
250+4.00 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D02120F LGE3D02120F.pdf
LGE3D02120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D05120A LGE3D05120A.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 55A
Kind of package: tube
Leakage current: 11µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065A LGE3D20065A.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; Ir: 250uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 0.25mA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Max. load current: 100A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065D LGE3D20065D.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 10A x2
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065H LGE3D20065H.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 250uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 0.25mA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Max. load current: 100A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A LGE3D20120A.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D LGE3D20120D.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H LGE3D20120H.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 100A
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20170H LGE3D20170H.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 20A; TO247-2; Ir: 50uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 2.3V
Load current: 20A
Max. load current: 140A
Max. forward impulse current: 190A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M20120Q LGE3M20120Q.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; 428W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M45170B LGE3M45170B.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M45170Q LGE3M45170Q.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.5 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-1.5
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.8 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-1.8
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+14.29 грн
50+8.59 грн
100+7.10 грн
500+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+14.29 грн
50+8.49 грн
100+7.15 грн
500+6.06 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-ADJ
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+13.21 грн
55+7.89 грн
100+6.62 грн
500+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.90 грн
10+42.29 грн
25+37.64 грн
100+34.82 грн
400+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 30.6W
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.90 грн
10+42.29 грн
12+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.90 грн
10+42.29 грн
12+37.64 грн
50+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS.pdf
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.79 грн
4+126.86 грн
10+112.76 грн
30+104.47 грн
120+97.84 грн
240+95.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK.pdf
LGEGW20N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 74ns
Turn-off time: 232ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 82nC
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.79 грн
4+126.86 грн
10+112.76 грн
30+104.47 грн
120+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S.pdf
LGEGW25N120S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 460ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.56 грн
10+134.32 грн
30+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F.pdf
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.37 грн
3+254.54 грн
10+225.52 грн
30+208.94 грн
120+195.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2.pdf
LGEGW40N120F2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+314.30 грн
3+262.00 грн
10+232.15 грн
30+214.74 грн
120+201.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS.pdf
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.37 грн
3+254.54 грн
10+225.52 грн
30+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1.pdf
LGEGW40N65F1
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.04 грн
4+131.83 грн
10+116.91 грн
30+108.61 грн
120+101.15 грн
240+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A.pdf
LGEGW50N65F1A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+169.97 грн
10+150.07 грн
30+139.29 грн
120+131.00 грн
240+126.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK.pdf
LGEGW50N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.36 грн
10+139.29 грн
30+129.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU.pdf
LGEGW50N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.36 грн
10+139.29 грн
30+129.34 грн
120+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW60N65SEU LGEGW60N65SEU.pdf
LGEGW60N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 151W
Gate charge: 0.21µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+186.55 грн
10+164.99 грн
30+152.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F.pdf
LGEGW75N65F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 71W
Gate charge: 192nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+284.83 грн
3+238.79 грн
10+210.60 грн
30+196.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP.pdf
LGEGW75N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 500W
Gate charge: 130nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+292.87 грн
3+245.42 грн
10+216.40 грн
30+201.48 грн
120+188.21 грн
240+182.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S.pdf
LGEGW75N65S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 340nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+284.83 грн
3+238.79 грн
10+210.60 грн
30+196.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-1.5 LGEx1117x_SER.pdf
LGET1117-1.5
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-1.8 LGEx1117x_SER.pdf
LGET1117-1.8
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-3.3 LGEx1117x_SER.pdf
LGET1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+13.21 грн
55+7.89 грн
100+6.59 грн
500+5.56 грн
1000+5.25 грн
2000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-5.0 LGEx1117x_SER.pdf
LGET1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT223; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGET1117-ADJ LGEx1117x_SER.pdf
LGET1117-ADJ
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+14.11 грн
50+8.42 грн
100+7.02 грн
500+5.96 грн
1000+5.60 грн
2000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148 LL4448-LL4148.pdf
LL4148
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; MiniMELF glass; Ufmax: 0.62V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.15A
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF glass
Max. forward voltage: 0.62V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 9302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.71 грн
107+3.90 грн
169+2.45 грн
265+1.57 грн
404+1.03 грн
500+0.92 грн
1000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LL4150 LL4150.pdf
LL4150
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.4A; MiniMELF glass; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.4A
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF glass
Max. load current: 0.6A
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 13125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
265+1.70 грн
400+1.04 грн
500+0.91 грн
2500+0.82 грн
10000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LL4151 LL4151.pdf
LL4151
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.3A; MiniMELF glass; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF glass
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 10665 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
530+0.85 грн
535+0.78 грн
560+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LL4448 LL4448-LL4148.pdf
LL4448
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; MiniMELF glass; Ufmax: 0.62V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.15A
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF glass
Max. forward voltage: 0.62V
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+1.88 грн
275+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M2 M1-M7.pdf
M2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; SMAJ; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMAJ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M4 M1-M7.pdf
M4
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; SMAJ; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMAJ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+5.27 грн
340+1.23 грн
500+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M6 M1-M7.pdf
M6
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; SMAJ; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMAJ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]